一種濕法刻蝕的切水裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公布了一種濕法刻蝕的切水裝置，包括至少一對上下垂直安裝的滾輪，所述滾輪整體外徑相同，所述上下滾輪之間留有間隙，所述滾輪的兩端安裝有卡槽，所述上下滾輪的轉(zhuǎn)動方向相反，轉(zhuǎn)動速率相同，所述切水裝置水平方向至少設有一個滾輪，所述水平方向的滾輪間的間距相等。本實用新型的濕法刻蝕的切水裝置，相較于現(xiàn)有的濕法刻蝕采用的風刀切水裝置而言，具有以下優(yōu)點：切水滾輪不需要壓縮空氣，硅片無壓力，大大降低了碎片及堵片的風險；硅片表面的藥液受到滾輪的阻擋，從硅片表面流入下槽，不會帶入后面的槽體內(nèi)，實現(xiàn)了化學反應的隔離；柱形切水滾輪表面一定的微結(jié)構(gòu)處理，或者借助外面包裹一層多孔狀泡沫，保證了硅片經(jīng)過時不會打滑。
【專利說明】—種濕法刻蝕的切水裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種濕法刻蝕的切水裝置。
【背景技術】
[0002]風刀在濕法刻蝕設備上使用非常普遍。晶體硅太陽能電池硅片主要通過濕法刻蝕完成邊緣絕緣化，它通常由一系列槽體模塊連接而成，依次為氫氟酸槽1-風刀-刻蝕槽-噴淋-風刀-堿槽-風刀-噴淋-風刀-氫氟酸槽2-風刀-噴淋-風刀。風刀主要用吹掉硅片表面的殘液，實現(xiàn)相鄰槽化學反應的隔離，避免硅片表面發(fā)生污染。不過，采用風刀裝置實現(xiàn)化學藥液的隔離仍存在一定的嚴重缺陷，如壓縮空氣高壓吹掃下硅片受力不均易破碎，碎硅片又會造成后面的硅片前進受阻而發(fā)生堵片，進一步加劇了碎片的數(shù)量。因此，必須對切水裝置進行改造來減少碎片數(shù)量。
實用新型內(nèi)容
[0003]實用新型目的:本實用新型的目的在于針對目前現(xiàn)有技術中的不足，提出一種濕法刻蝕的切水裝置。
[0004]技術方案:為實現(xiàn)上述實用新型目的，本實用新型采用如下的技術方案:
[0005]一種濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:所述切水裝置包括至少一對上下垂直安裝的滾輪，所述滾輪整體外徑相同，所述上下滾輪之間留有間隙，所述滾輪的兩端安裝有卡槽，所述上下滾輪的轉(zhuǎn)動方向相反，轉(zhuǎn)動速率相同，所述切水裝置水平方向至少設有一個滾輪，所述水平方向的滾輪間的間距相等。上滾輪和下滾輪安裝時保持中心線垂直，上滾輪和下滾輪的轉(zhuǎn)動方向相反，均與硅片前進方向一致。
[0006]所述滾輪為圓柱形平滑滾輪。
[0007]所述上下滾輪之間的間隙為0.2-0.5mm。一般硅片的厚度為大約有0.2 mm，滾輪安裝于硅片的兩側(cè)，間隙為0.2-0.5_，既能充分讓滾輪將硅片表面殘液擠掉，又恰好讓硅片通過。保證了硅片經(jīng)過時不會打滑。
[0008]所述滾輪外徑表面設有凹凸結(jié)構(gòu)或設有多孔軟泡沫層，所述泡沫層厚度均勻。
[0009]所述水平方向的滾輪間的間距≤4cm。
[0010]所述滾輪的外徑≤4cm。
[0011 ] 所述凹凸結(jié)構(gòu)包括微孔結(jié)構(gòu)、淺溝槽結(jié)構(gòu)。
[0012]所述微孔結(jié)構(gòu)的開口寬度≤1mm，所述淺溝槽結(jié)構(gòu)的深度≤0.5mm。
[0013]所述滾輪的材質(zhì)為高分子材料，包括PVDF。切水滾輪采用高強度、耐強酸和強堿的高分子材料加工，包括但不限于PVDF材質(zhì)。PVDF材質(zhì)，強度高，耐酸堿，使用壽命長。
[0014]所述泡沫層的材質(zhì)為高分子材料，包括PP、PVC0泡沫層采用高分子材料，其化學性能穩(wěn)定，耐強酸和強堿，且韌性好，包括但不限于PP、PVC等材料。
[0015]有益效果:采用上述技術方案的本實用新型具有以下優(yōu)點:
[0016]本實用新型的濕法刻蝕的切水裝置，相較于現(xiàn)有的濕法刻蝕采用的風刀切水裝置而言，具有以下優(yōu)點:
[0017](I)切水滾輪不需要壓縮空氣，硅片無壓力，大大降低了碎片及堵片的風險；
[0018](2)硅片表面的藥液受到滾輪的阻擋，從硅片表面流入下槽，不會帶入后面的槽體內(nèi)，實現(xiàn)了化學反應的隔離；
[0019](3)柱形切水滾輪表面一定的微結(jié)構(gòu)處理，或者借助外面包裹一層多孔狀泡沫，保證了硅片經(jīng)過時不會打滑；
[0020](4)本實用新型所述的滾輪，主體采用PVDF板材加工而成，強度高，耐酸堿，使用壽命長的優(yōu)點。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本實用新型實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為傳統(tǒng)的風刀切水裝置示意圖；
[0023]圖中:1-凹凸結(jié)構(gòu)或泡沫層、2-上滾輪、3-上傳動齒輪、4-硅片、5-下滾輪、6-下傳動齒輪。
【具體實施方式】
[0024]以下結(jié)合附圖及具體實施例對本實用新型做進一步闡述。
[0025]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，主要由1-凹凸結(jié)構(gòu)或泡沫層、2-上滾輪、3-上傳動齒輪、5-下滾輪、6-下傳動齒輪構(gòu)成。
[0026]圖2為傳統(tǒng)的風刀切水裝置示意圖，圖中的CDA是指干凈干燥壓縮空氣。
[0027]實施例1;
[0028]一種濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:一對上下垂直安裝的圓柱形平滑滾輪滾輪，所述滾輪整體外徑相同，所述上、下滾輪2、5之間留有0.3mm的間隙，所述上、下滾輪2、5對稱的分布于硅片4的上下兩側(cè)，所述滾輪的兩端安裝有卡槽，所述上、下滾輪2、5分別裝有上、下傳動齒輪3、6，所述的上、下傳動齒輪3、6轉(zhuǎn)動方向相反，轉(zhuǎn)動速率相同，所述切水裝置水平方向至少設有一個滾輪，所述水平方向的滾輪間的間距相等約為3.8cm，所述滾輪外徑表面設有開口寬度為0.9mm的微孔結(jié)構(gòu)1，所述滾輪的外徑3.8cm。
[0029]實施例2:
[0030]一種濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:一對上下垂直安裝的圓柱形平滑滾輪滾輪，所述滾輪整體外徑相同，所述上、下滾輪2、5之間留有0.4mm的間隙，所述上、下滾輪2、5對稱的分布于硅片4的上下兩側(cè)，所述滾輪的兩端安裝有卡槽，所述上、下滾輪2、5分別裝有上、下傳動齒輪3、6，所述的上、下傳動齒輪3、6轉(zhuǎn)動方向相反，轉(zhuǎn)動速率相同，所述切水裝置水平方向至少設有一個滾輪，所述水平方向的滾輪間的間距相等約為3.9cm，所述滾輪外徑表面設有深度為0.4mm的淺溝槽結(jié)構(gòu)I,所述滾輪的外徑3.9cm。
[0031]實施例3:
[0032]一種濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:一對上下垂直安裝的圓柱形平滑滾輪滾輪，所述滾輪整體外徑相同，所述上、下滾輪2、5之間留有0.5mm的間隙，所述上、下滾輪2、5對稱的分布于硅片4的上下兩側(cè)，所述滾輪的兩端安裝有卡槽，所述上、下滾輪2、5分別裝有上、下傳動齒輪3、6，所述的上、下傳動齒輪3、6轉(zhuǎn)動方向相反，轉(zhuǎn)動速率相同，所述切水裝置水平方向至少設有一個滾輪，所述水平方向的滾輪間的間距相等約為4cm，所述滾輪外徑表面設有厚度均勻的泡沫層I，所述滾輪的外徑4cm。
[0033]本實用新型適用于多晶硅太陽能硅片濕法刻蝕，主要用于去除硅片表面殘液，而不會帶入后面的槽，特別是減輕了硅片受到的壓力，降低了碎片率方面具有重要意義。
[0034]本實用新型在使用時，將原來的濕法刻蝕設備中的風刀切水裝置拆下，替換為本實用新型的滾輪式切水裝置即可進行濕法刻蝕。
[0035]傳統(tǒng)的風刀切水裝置是壓縮空氣通過氣孔噴出來，吹掃硅片表面的水來實現(xiàn)趕水功能。在此過程中會造成硅片受力不均而破碎，而本實用新型的切水裝置采用相切的滾輪來擠掉硅片表面的水，可以避免硅片受力不均而破碎。
[0036]以上所述是本實用新型的【具體實施方式】，應當指出:對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，對本實用新型的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。
【權利要求】
1.一種濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:所述切水裝置包括至少一對上下垂直安裝的滾輪，所述滾輪整體外徑相同，所述上、下滾輪(2、5)之間留有間隙，所述滾輪的兩端安裝有卡槽，所述上、下滾輪(2、5)分別裝有上、下傳動齒輪(3、6)，所述的上、下傳動齒輪(3、6)轉(zhuǎn)動方向相反，轉(zhuǎn)動速率相同，所述切水裝置水平方向至少設有一個滾輪，所述水平方向的滾輪間的間距相等。
2.根據(jù)權利要求1所述的濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:所述滾輪為圓柱形平滑滾輪。
3.根據(jù)權利要求1所述的濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:所述上、下滾輪(2、5)之間的間隙為0.2-0.5mm。
4.根據(jù)權利要求1所述的濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:所述滾輪外徑表面設有凹凸結(jié)構(gòu)或設有多孔軟泡沫層(I)，所述泡沫層(I)厚度均勻。
5.根據(jù)權利要求1所述的濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:所述水平方向的滾輪間的間距≤4cm。
6.根據(jù)權利要求1所述的濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:所述滾輪的外徑<4cm。
7.根據(jù)權利要求4所述的濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:所述凹凸結(jié)構(gòu)(I)包括微孔結(jié)構(gòu)、淺溝槽結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權利要求7所述的濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:所述微孔結(jié)構(gòu)的開口寬度≤1mm，所述淺溝槽結(jié)構(gòu)的深度≤0.5mm。
9.根據(jù)權利要求1所述的濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:所述滾輪的材質(zhì)為高分子材料，包括PVDF。
10.根據(jù)權利要求4所述的濕法刻蝕的切水裝置，其特征在于:所述泡沫層(I)的材質(zhì)為高分子材料，包括PP、PVC。
【文檔編號】H01L31/18GK203674239SQ201320760571
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年11月28日 優(yōu)先權日:2013年11月28日
【發(fā)明者】龐瑞卿, 展士飛, 葉超, 桑和偉 申請人:合肥海潤光伏科技有限公司