石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶包覆屏蔽電力電纜的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶包覆屏蔽電力電纜，要解決的技術(shù)問題是提供一種降低體積電阻率、提高均化電場(chǎng)的效果且運(yùn)行安全的石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶包覆屏蔽電力電纜。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：一種石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶包覆屏蔽電力電纜，包括導(dǎo)體，所述導(dǎo)體外同心依次包覆有繞包型導(dǎo)體屏蔽層、擠出型導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層、絕緣屏蔽層，所述擠出型導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層、絕緣屏蔽層為三層共擠結(jié)構(gòu)，所述絕緣屏蔽層的外層依次為銅帶屏蔽層、包帶層和護(hù)套層。本實(shí)用新型的導(dǎo)體繞包型導(dǎo)體屏蔽層采用石墨烯尼龍復(fù)合帶，以達(dá)到降低體積電阻率、提高均化電場(chǎng)的效果，從而提高運(yùn)行安全。
【專利說明】石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶包覆屏蔽電力電纜
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶屏蔽電力電纜。
【背景技術(shù)】
[0002]在電力電纜國家標(biāo)準(zhǔn)中，對(duì)于500平方毫米IOKV及以上交聯(lián)聚乙烯絕緣電力電纜，均要求在導(dǎo)體外面繞包一層半導(dǎo)電材料(第一層導(dǎo)體屏蔽)，以達(dá)到均化電場(chǎng)的效果。
[0003]由于目前繞包的半導(dǎo)電材料是采用將炭黑溶解在有機(jī)溶劑中然后涂覆在尼龍帶兩面烘干后制成半導(dǎo)電尼龍帶的方式，而因炭黑導(dǎo)電性不夠理想且顆粒細(xì)度不夠等因素影響，由此制成的半導(dǎo)電尼龍帶其體積電阻率在1Χ105Ω.Cm以上，因而對(duì)電纜產(chǎn)品屏蔽均化電場(chǎng)效果不夠理想，尤其對(duì)高壓和超高壓電纜影響尤為明顯。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種降低體積電阻率、提高均化電場(chǎng)的效果且運(yùn)行安全的石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶包覆屏蔽電力電纜。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:一種石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶包覆屏蔽電力電纜，包括導(dǎo)體，所述導(dǎo)體外同心依次包覆有繞包型導(dǎo)體屏蔽層、擠出型導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層、絕緣屏蔽層，所述擠出型導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層、絕緣屏蔽層為三層共擠結(jié)構(gòu)，所述絕緣屏蔽層的外層依次為銅帶屏蔽層、包帶層和護(hù)套層。
[0006]本實(shí)用新型所述繞包型導(dǎo)體屏蔽層為石墨烯尼龍復(fù)合帶。
[0007]本實(shí)用新型所述石墨烯尼龍復(fù)合帶為尼龍帶的正反兩面復(fù)合有石墨烯涂層的半導(dǎo)電帶。
[0008]本實(shí)用新型所述石墨烯尼龍復(fù)合帶為體積電阻率不大于I XlO4 Ω.cm且材料中石墨烯微片直徑不大于10 μ m的半導(dǎo)電帶。
[0009]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，使電纜導(dǎo)體外繞包半導(dǎo)電屏蔽層的體積電阻率降到I X IO4 Ω.Cm以下，提高均化電場(chǎng)的效果，從而大大提高電纜的運(yùn)行安全性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0013]如圖1所示，本實(shí)用新型石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶包覆屏蔽電力電纜，包括導(dǎo)體1，導(dǎo)體I外同心依次包覆有繞包型導(dǎo)體屏蔽層2、擠出型導(dǎo)體屏蔽層3、絕緣層4、絕緣屏蔽層5，其中，繞包型導(dǎo)體屏蔽層2為石墨烯尼龍復(fù)合帶，該石墨烯尼龍復(fù)合帶為尼龍帶的正反兩面復(fù)合有石墨烯涂層的半導(dǎo)電帶，尼龍帶可采用尼龍6 (聚己內(nèi)酰胺)或尼龍66 (聚己二酸己二胺)制成，擠出型導(dǎo)體屏蔽層3、絕緣層4、絕緣屏蔽層5為三層共擠結(jié)構(gòu)，并緊密地?cái)D包在繞包型導(dǎo)體屏蔽層2外。絕緣屏蔽層5的外層依次為銅帶屏蔽層6、包帶層7和護(hù)套8。同時(shí)，導(dǎo)體I為圓形的銅或鋁導(dǎo)體，由多股單絲緊壓絞制而成；絕緣層4為XLPE (交聯(lián)聚乙烯)絕緣層；銅帶屏蔽層6 (也可采用銅絲屏蔽層)的額定特性阻抗不低于75Ω，其額定載流量不小于1.1KA/S ;護(hù)套為符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)(《關(guān)于限制在電子電器設(shè)備中使用某些有害成分的指令》(Restriction of Hazardous Substances))規(guī)定的環(huán)保PVC料、環(huán)保PE料或環(huán)保低煙無鹵料。
[0014]本實(shí)用新型采用的石墨烯具有非同尋常的導(dǎo)電性能、良好的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能，其微片細(xì)度達(dá)到10微米以下，可以均勻分散到其他材料中。因此，將石墨烯均勻分散到有機(jī)溶劑中涂覆在尼龍帶兩面烘干后制成高半導(dǎo)電石墨烯尼龍復(fù)合帶，其體積電阻率可降到1Χ104Ω.Cm以下，采用石墨烯尼龍復(fù)合帶代替?zhèn)鹘y(tǒng)的炭黑復(fù)合半導(dǎo)電尼龍帶后，可以大大提高均化電場(chǎng)的效果。
[0015]如圖2所示，本實(shí)用新型的實(shí)施例二的導(dǎo)體I為三芯導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，導(dǎo)體I外層先以搭蓋方式包覆有繞包型導(dǎo)體屏蔽層2，然后同心依次包覆有擠出型導(dǎo)體屏蔽層3、絕緣層4、絕緣屏蔽層5和銅帶屏蔽層6，三芯電纜成纜時(shí)導(dǎo)體之間空隙有填充，成纜后的三芯導(dǎo)體外依次包覆有包帶層7和護(hù)套8。
【權(quán)利要求】
1.一種石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶包覆屏蔽電力電纜，包括導(dǎo)體(1)，其特征在于:所述導(dǎo)體(I)外同心依次包覆有繞包型導(dǎo)體屏蔽層(2)、擠出型導(dǎo)體屏蔽層(3)、絕緣層(4)、絕緣屏蔽層(5)，所述擠出型導(dǎo)體屏蔽層(3)、絕緣層(4)、絕緣屏蔽層(5)為三層共擠結(jié)構(gòu)，所述絕緣屏蔽層(5)的外層依次為銅帶屏蔽層(6)、包帶層(7)和護(hù)套層(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶屏蔽電力電纜，其特征在于:所述繞包型導(dǎo)體屏蔽層(2)為石墨烯尼龍復(fù)合帶。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶屏蔽電力電纜，其特征在于:所述石墨烯尼龍復(fù)合帶為尼龍帶的正反兩面復(fù)合有石墨烯涂層的半導(dǎo)電帶。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石墨烯復(fù)合高半導(dǎo)電尼龍帶屏蔽電力電纜，其特征在于:所述石墨烯尼龍復(fù)合帶為體積電阻率不大于1Χ104Ω.cm且材料中石墨烯微片直徑不大于10 μ m的半導(dǎo)電帶。
【文檔編號(hào)】H01B9/02GK203631168SQ201320772619
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】霍振平, 王柏松, 溫鵬 申請(qǐng)人:江蘇中超電纜股份有限公司