一種臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構，包括P型硼結區(qū)和N型磷結區(qū)，N型磷結區(qū)上下兩端均設有P型硼結區(qū)，在臺面大功率半導體器件臺面PN結表面從內到外依次包括α-多晶硅層、半絕緣多晶硅薄膜、低溫熱氧化層、高溫Si3N4薄膜、負電荷性玻璃鈍化層和低溫熱氧化層。本實用新型的有益效果是：該臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構既可用于單臺面功率半導體器件鈍化也可用于雙臺面功率半導體器件鈍化，應用廣泛，采用多層復合薄膜，能改善臺面大功率半導體器件的結表面鈍化性能，減小器件的漏電流，提高器件的高溫工作穩(wěn)定性和可靠性，提高器件的工作結溫，大幅提高生產線產品良率。
【專利說明】一種臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構。
【背景技術】
[0002]為了防止表面沾污，通常都需要在半導體器件表面覆蓋保護介質膜以形成鈍化層。臺面高壓大功率半導體器件鈍化工藝一般采用單層玻璃鈍化，玻璃鈍化能有效防止臺面Pn結沾污，并作為一種終端結構改善臺面高壓器件的表面擊穿特性，使高壓半導體器件獲得電壓阻斷能力。但單層玻璃鈍化工藝存在玻璃與硅片熱膨脹系數不一致，在熱應力下容易導致芯片碎裂，并且玻璃為絕緣介質，不能屏蔽外電場也不能對臺面pn結表面電場進行調制，含硼玻璃還會對半導體進行摻雜使得器件低擊穿，因而鈍化效果有限，單層玻璃鈍化高壓器件在高溫、高壓條件下工作的可靠性也較低。
[0003]因此，為解決上述問題，特提供一種新的技術方案。
實用新型內容
[0004]本實用新型提供一種臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構。
[0005]本實用新型采用的技術方案是:
[0006]一種臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構，包括P型硼結區(qū)和N型磷結區(qū)，所述N型磷結區(qū)上下兩端均設有P型硼結區(qū)，在臺面大功率半導體器件臺面PN結表面從內到外依次包括α -多晶硅層、半絕緣多晶硅薄膜、低溫熱氧化層、高溫Si3N4薄膜、負電荷性玻璃鈍化層和低溫熱氧化層。
[0007]本實用新型的有益效果是:該臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構既可用于單臺面功率半導體器件鈍化也可用于雙臺面功率半導體器件鈍化，應用廣泛，采用多層復合薄膜，能改善臺面大功率半導體器件的結表面鈍化性能，減小器件的漏電流，提高器件的高溫工作穩(wěn)定性和可靠性，提高器件的工作結溫，大幅提高生產線產品良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0009]圖1為雙臺面高壓半導體器件多層復合膜鈍化結構示意圖。
[0010]圖2為單臺面高壓半導體器件多層復合膜鈍化結構示意圖。
[0011]其中:1、α-多晶硅層，2、半絕緣多晶硅薄膜，3、低溫熱氧化層，4、高溫Si3N4薄膜，
5、負電荷性玻璃鈍化層，6、Ρ型硼結區(qū)，7、Ν型磷結區(qū)。
【具體實施方式】
[0012]為了加深對本實用新型的理解，下面將結合實施例和附圖對本實用新型的作進一步詳述，該實施例僅用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的保護范圍的限定。
[0013]如圖1或圖2所示，本發(fā)明的一種臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構，包括P型硼結區(qū)6和N型磷結區(qū)7，N型磷結區(qū)7上下兩端均設有P型硼結區(qū)6，在臺面大功率半導體器件臺面PN結表面從內到外依次包括α-多晶硅層1、半絕緣多晶硅薄膜2、低溫熱氧化層3、高溫Si3N4薄膜4、負電荷性玻璃鈍化層5和低溫熱氧化層3。
[0014]本實用新型的有益效果是:該臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構既可用于單臺面功率半導體器件鈍化也可用于雙臺面功率半導體器件鈍化，應用廣泛，采用多層復合薄膜，能改善臺面大功率半導體器件的結表面鈍化性能，減小器件的漏電流，提高器件的高溫工作穩(wěn)定性和可靠性，提高器件的工作結溫，大幅提高生產線產品良率。
[0015]以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非是對本實用新型作任何其他形式的限制，而依據本實用新型的技術實質所作的任何修改或等同變化，仍屬于本實用新型所要求保護的范圍。
【權利要求】
1.一種臺面大功率半導體器件多層復合膜鈍化結構，包括P型硼結區(qū)和N型磷結區(qū)，所述N型磷結區(qū)上下兩端均設有P型硼結區(qū)，其特征在于:在臺面大功率半導體器件臺面PN結表面從內到外依次包括α -多晶硅層、半絕緣多晶硅薄膜、低溫熱氧化層、高溫Si3N4薄膜、負電荷性玻璃鈍化層和低溫熱氧化層。
【文檔編號】H01L23/31GK203659837SQ201320823483
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年12月16日 優(yōu)先權日:2013年12月16日
【發(fā)明者】劉宗賀, 鄒有彪, 張鵬, 王泗禹, 耿開遠, 周健, 李建新 申請人:啟東吉萊電子有限公司