一種新型金屬化電容薄膜的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種新型金屬化電容薄膜,包括金屬電極鍍層、介質薄膜、正極帶電層、負極帶電層、金屬加強層A、金屬加強層B、凹槽A、凹槽B,其特征在于金屬電極鍍層的下表面上設置有一層正極帶電層,介質薄膜的上表面上設置有一層負極帶電層,金屬電極鍍層與介質薄膜上下平行設置,金屬電極鍍層與介質薄膜之間通過正極帶電層與負極帶電層的吸引力而緊密連接在一起,金屬電極鍍層上設置有凹槽A,凹槽A內設置有金屬加強層A,介質薄膜上設置有凹槽B,凹槽B內設置有金屬加強層B,金屬加強層A與金屬加強層B上下相錯設置。本實用新型金屬電極鍍層與介質薄膜通過正負電極層的吸力緊密銜接不易分離,金屬加強層的上下相錯設置,延長了電容的使用壽命。
【專利說明】 一種新型金屬化電容薄膜
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及電子【技術領域】,具體的說是一種新型金屬化電容薄膜。
【背景技術】
[0002]現有技術中薄膜電容器一般由金屬化電容薄膜繞制而成,金屬化電容薄膜是在介質薄膜上真空蒸鍍一層金屬電極鍍層,由于介質薄膜與金屬電極鍍層的附著力較弱,在電容繞制過程中及電容使用中,金屬鍍層容易和介質薄膜分離脫落,導致金屬電極鍍層容易被擊穿,影響薄膜電容的使用壽命。
【發(fā)明內容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是克服現有技術的不足,提供一種新型金屬化電容薄膜,本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:本實用新型的結構包括金屬電極鍍層、介質薄膜、正極帶電層、負極帶電層、金屬加強層A、金屬加強層B、凹槽A、凹槽B,其特征在于金屬電極鍍層的下表面上設置有一層正極帶電層,介質薄膜的上表面上設置有一層負極帶電層,金屬電極鍍層與介質薄膜上下平行設置,金屬電極鍍層與介質薄膜之間通過正極帶電層與負極帶電層的吸引力而緊密連接在一起,金屬電極鍍層上設置有凹槽A,凹槽A內設置有金屬加強層A,介質薄膜上設置有凹槽B,凹槽B內設置有金屬加強層B,金屬加強層A與金屬加強層B上下相錯設置。
[0004]本實用新型的有益效果是,本實用新型金屬電極鍍層與介質薄膜通過正負電極層的吸力緊密銜接不易分離,金屬加強層的上下相錯設置,增大了強度,延長了電容的使用壽命O
【專利附圖】
【附圖說明】
[0005]圖1:本實用新型實施例結構示意圖。
[0006]圖2:本實用新型實施例介質薄膜結構示意圖。
[0007]圖3:本實用新型實施例金屬電極鍍層結構示意圖。
[0008]圖中:金屬電極鍍層1、介質薄膜2、正極帶電層3、負極帶電層4、金屬加強層A5、金屬加強層B6、凹槽A7、凹槽B8。
【具體實施方式】
[0009]參照【專利附圖】
【附圖說明】對本實用新型作以下具體的詳細說明。如附圖所示,本實用新型的結構包括金屬電極鍍層1、介質薄膜2、正極帶電層3、負極帶電層4、金屬加強層A5、金屬加強層B6、凹槽A7、凹槽B8,其特征在于金屬電極鍍層I的下表面上設置有一層正極帶電層3,介質薄膜2的上表面上設置有一層負極帶電層4,金屬電極鍍層I與介質薄膜2上下平行設置,金屬電極鍍層I與介質薄膜2之間通過正極帶電層3與負極帶電層4的吸引力而緊密連接在一起,金屬電極鍍層I上設置有凹槽A7,凹槽A7內設置有金屬加強層A5,介質薄膜2上設置有凹槽B8,凹槽B8內設置有金屬加強層B6,金屬加強層A5與金屬加強層B6上下相錯設置。
[0010]上面所述的實施例僅僅是對本實用新型的優(yōu)選實施方式進行描述,并非對本實用新型的構思和范圍進行限定,在不脫離本實用新型設計構思的前提下,本領域中普通工程技術人員對本實用新型的技術方案作出的各種變型和改進,均應落入本實用新型的保護范圍,本實用新型請求保護的技術內容,已經全部記載在權利要求書中。
【權利要求】
1.一種新型金屬化電容薄膜,包括金屬電極鍍層(I)、介質薄膜(2)、正極帶電層(3)、負極帶電層(4)、金屬加強層A (5)、金屬加強層B (6)、凹槽A (7)、凹槽B (8),其特征在于金屬電極鍍層(I)的下表面上設置有一層正極帶電層(3 ),介質薄膜(2 )的上表面上設置有一層負極帶電層(4),金屬電極鍍層(I)與介質薄膜(2)上下平行設置,金屬電極鍍層(I)與介質薄膜(2)之間通過正極帶電層(3)與負極帶電層(4)的吸引力而緊密連接在一起,金屬電極鍍層(I)上設置有凹槽A (7),凹槽A (7)內設置有金屬加強層A (5),介質薄膜(2)上設置有凹槽B (8),凹槽B (8)內設置有金屬加強層B (6),金屬加強層A (5)與金屬加強層B (6)上下相錯設置。
【文檔編號】H01G4/33GK203631325SQ201320873888
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年12月29日 優(yōu)先權日:2013年12月29日
【發(fā)明者】宋俊青, 許建, 郭金華 申請人:河北海偉集團電子材料有限公司