一種嵌有納米顆粒的電子裝置的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電子裝置的制備方法，所述電子裝置由上電極層、下電極層、有機層、無機層中的至少一個層組成，所述方法包括以下步驟：在所述至少一個層形成之前、形成之后或形成的過程中，將帶電的納米顆粒粘附到所述至少一個層上，從而在所述至少一個層中加入引入納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層。
【專利說明】—種嵌有納米顆粒的電子裝置的制備方法
【技術(shù)領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種在不損傷電子裝置結(jié)構(gòu)層的前提下將納米顆粒加入電子裝置，用以制造無機半導體裝置或有機半導體裝置的電子裝置制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LED)是一種半導體電子元件，這種電子元件能夠交換信號或被用作光源，其可利用復合半導體的特性將電信號轉(zhuǎn)化成紅外線或可見光。
[0003]發(fā)光二極管在低電壓下能發(fā)出高效率的光，具有良好的節(jié)能效果。近年來，此前一直限制發(fā)光二極管發(fā)展的亮度問題有了很大的改善?？偟膩碚f，目前發(fā)光二極管廣泛應用于工業(yè)中，如用于背光模組、電子顯示板、指針、家用電器或各種自動化機器等。
[0004]例如，氮化鎵基發(fā)光二極管的發(fā)光光譜包含從紫外線到紅外線的各色光，且不含有對環(huán)境有害的物質(zhì)，如砷(As)和汞(Hg)，因此在環(huán)境保護方面得到了高度認可。
[0005]以發(fā)光二極管為例，氮化鎵基發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)包括藍寶石襯底，及在藍寶石襯底上依次層疊形成的緩沖層、η-型氮化物半導體層、有源層和P-型氮化物半導體層；η-型氮化物半導體層通過臺面腐蝕，使得η-型氮化物半導體層的一部分從P-型氮化物半導體層中露出電極形成在露出的η-型氮化物半導體層上，透明電極形成在P-型氮化物半導體層上，并且P-電極形成在透明電極上。
[0006]當對P-電極和η-電極施加電壓時，空穴和電子分別從P-型氮化物半導體層和η-型氮化物半導體層中流出并進入有源層，并在有源層上復合而發(fā)出光。
[0007]提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率的問題在于:(1)當用于產(chǎn)生光子的空穴和電子的比例不是1:1時(即電荷不平衡時)，剩余的載流子不能組成激子，由于剩余載流子而導致效率降低；(2)激子的非輻射復合；(3)光俘獲現(xiàn)象，即由于電子裝置外空氣的折射率與電子裝置的結(jié)構(gòu)材料的折射率有很大的不同，導致電子裝置產(chǎn)生的光不能從電子裝置中逸出。
[0008]另一方面，當嵌入的載流子在PN結(jié)上復合或交換能量級時，發(fā)光二極管是一個發(fā)光裝置，但光電二極管是一個能產(chǎn)生電流或電壓的光能控制器件，當光照射在PN結(jié)上激發(fā)產(chǎn)生載流子，該載流子生成電流或電壓。也就是說，光電二極管與發(fā)光二極管有相似之處，但是兩者具有相反的功能。光電二極管將光能轉(zhuǎn)化成電能，而發(fā)光二極管是將電能轉(zhuǎn)化成光能。光電二極管具有響應速度快、波長靈敏度較寬和良好的光電流平直度等特點。
[0009]在使用光電二極管的太陽能電池裝置中，其有源層的材料吸收外界光源并產(chǎn)生激子。將電場施加到該太陽能電池裝置中，激子在P-型有機或無機半導體材料和η-型有機或無機半導體材料的交界處被分為空穴和電子，且通過收集該裝置尾端上電極的載流子，光能可以轉(zhuǎn)變成電能。因此，有源層吸收的光越多，產(chǎn)生的電越多。但是薄膜太陽能電池裝置的有源層很薄，其很難吸收大量的光。相反的是，如果有源層太薄，其吸收光產(chǎn)生的激子在到達PN結(jié)之前會發(fā)生復合或消失。因而實際使用中激子不能被分為載流子。
[0010]因此，現(xiàn)在需要一種能夠使薄膜太陽能電池吸收盡可能多的光，同時還能夠有效地將產(chǎn)生的激子分開為載流子的結(jié)構(gòu)。進一步的，光俘獲現(xiàn)象也應該被減少。該光俘獲現(xiàn)象使得輻射至太陽能電池前端的光進入該太陽能電池裝置中而不發(fā)生反射；在太陽能電池后端，則使得該裝置內(nèi)的光長時間停留在該裝置中而無法從該裝置中逸出。
[0011]為了解決上述問題，尤其是提高發(fā)光二極管的有效性，一種通過添加各種材料層以控制能帶間隙來調(diào)節(jié)電荷平衡的方法、一種對發(fā)光二極管做表面處理，如形成微透鏡或表面紋理，來減少發(fā)光二極管的光俘獲現(xiàn)象的方法、以及一種通過使用等離子現(xiàn)象使得裝置中產(chǎn)生漫反射來減少光俘獲現(xiàn)象的方法均已被嘗試(參見登記號為10-2010-0068777的韓國專利，登記號為10-2012-0038472的韓國專利，或者其它類似專利)。
[0012]進一步的，為了加強太陽能電池的有效性，已經(jīng)有很多對于如何更有效的將激子分開為載流子的研究，一種方法是通過大量的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)來增大空穴傳輸層和電子傳輸層之間的界面，另一種方法是通過添加材料來控制能帶間隙。特別地，有的研究還嘗試通過合成一種新型的有機材料，來提高有機太陽能電池的空穴遷移率或電子遷移率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明提供一種能夠很方便的在有機或無機半導體裝置的某一層上放置納米顆粒和納米/微米結(jié)構(gòu)，同時又不對該裝置造成損壞的方法，以提高有機或無機半導體裝置、發(fā)光二極管和太陽能電池的效率和性能。
[0014]本發(fā)明還提供了 一種由所述方法制備的電子裝置。
[0015]為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供了一種電子裝置的制備方法，所述電子裝置由上電極層、下電極層、有機層、無機層中的至少一個層組成，所述方法包括以下步驟:
[0016]在所述至少一個層形成之前、形成之后或形成的過程中，將帶電的納米顆粒粘附到所述至少一個層上，從而在所述至少一個層中加入引入納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層。
[0017]在本發(fā)明所述的優(yōu)選實施例中，所述方法還包括以下步驟:
[0018](I)將其上形成有有機層或無機層的基板放置在反應堆的電極上；
[0019](2)當將所述帶電的納米顆粒引入反應堆時，通過對電極施加電壓，將所述納米顆粒粘附在基板的有機層或無機層上；
[0020](3)在所述有機層或無機層上通過粘附所述納米顆粒而加入所述納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層，并進一步在粘附有所述納米顆粒的所述有機層或無機層上形成第二有機
層或第二無機層。
[0021]在本發(fā)明所述的優(yōu)選實施例中，所述帶電的納米顆粒以氣溶膠的形式粘附在所述有機層或無機層上。
[0022]在本發(fā)明所述的優(yōu)選實施例中，步驟(I)中形成的有機層或無機層和步驟(3)中形成的有機層或無機層的整體厚度為幾十納米到幾百微米中的任意值，納米顆粒或納米/微米結(jié)構(gòu)隨機分布在有機層或無機層上。
[0023]在本發(fā)明所述的優(yōu)選實施例中，施加在所述電極上的所述電壓的極性與所述帶電的納米顆粒的極性相反，且所述電壓的強度為0.5?8kV。
[0024]進一步的,所述帶電的納米顆粒為乳膠、聚合物顆粒、氧化物顆粒、金屬顆粒或金屬氧化物顆粒中的一種或幾種的混合，但不限于這些材料，該帶電的納米顆?？梢詾槟軌蛱岣唠娮友b置性能和效率的任意材料。[0025]在本發(fā)明所述的優(yōu)選實施例中，所述帶電的納米顆粒的尺度為I?300nm?？偟膩碚f，該帶電的納米顆粒可以為多分散的粒子，也可以為通過使用微分流動分析儀設備獲得的單分散的粒子，該帶電的納米顆?？梢詾閱我徊牧匣蚧旌喜牧稀?br> [0026]一種電子裝置，該電子裝置由本發(fā)明所述的制備方法制造而成，所述電子裝置為復合半導體發(fā)光二極管、包含硅樹脂或復合半導體的無機太陽能電池、有機發(fā)光二極管、有機太陽能電池(有機光伏)、非易失性存儲單元、多結(jié)疊層太陽電池中的任意一種，但不局限于這些裝置。
[0027]根據(jù)本發(fā)明所述的制備方法，納米顆粒和納米/微米結(jié)構(gòu)能方便的放置在有機和無機半導體裝置的某些層上，如放置在上電極層與下電極層中每一層的上表面或下表面，或者有機/無機層的內(nèi)部，而且不會對該裝置造成損傷。因此，能夠通過簡單有效的方法在電子裝置上方便的形成納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層。從而通過所述納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層，有效提升有機和無機半導體裝置的效率和性能。進一步的，還有許多問題需要解決，克服這些問題是為了通過控制引入所述裝置的納米顆粒的種類、大小、位置，及納米/微米結(jié)構(gòu)的形狀，來提高所述裝置的效率和性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明，附圖中:
[0029]圖1為本發(fā)明實施例提供的制備方法制造的有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)及對照實施例提供的制備方法制造的有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明實施例與對照實施例制造的有機發(fā)光二極管的發(fā)光效率的對比圖。【具體實施方式】
[0031]下面將詳細描述本發(fā)明。
[0032]本發(fā)明中，納米顆粒和納米/微米結(jié)構(gòu)能方便的放置在有機和無機半導體裝置的某些層上，如放置在上電極層與下電極層中每一層的上表面或下表面，或者有機/無機層的內(nèi)部，并以氣溶膠的形式將帶電粒子粘附在所述某些層上，以避免損壞該裝置。
[0033]具體地，本發(fā)明在不損壞有機層或無機層的基礎上，通過一種簡單有效的方法將將納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層添加到電子裝置的有機層或無機層上。
[0034]本發(fā)明的方法還能構(gòu)造獨特的納米/微米結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)很適用于無機半導體裝置的無機層。進一步的，對于有機半導體裝置，由于有機物在溶劑或高溫下容易發(fā)生分解，因此很難通過采用光刻法、化學方法或熱蒸發(fā)法形成納米顆?；蚣{米/微米結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有方法將納米顆粒或納米/微米結(jié)構(gòu)放置在有機半導體裝置中。然而，根據(jù)本發(fā)明所提供的方法，納米顆?；蚣{米/微米結(jié)構(gòu)能夠很方便的放置在有機層之間，并且不對該有機層造成損壞。
[0035]帶電粒子可以通過沉積/冷凝后穿過中和設備來制備，或通過火花放電、方舟放電或靜電噴霧等來制備。本發(fā)明用于制備所述帶電粒子所用的前體材料可以選擇乳膠、聚合物顆粒、氧化物顆粒、金屬顆粒、金屬氧化物顆粒中的一種或幾種的混合物。其中，沉積/冷凝、火花放電、方舟放電或靜電噴霧均基于現(xiàn)有技術(shù)。
[0036]使用中，有機層或無機層形成在一基板上，且該基板放置在反應器(淀積室)的電極上，該反應器的本體接地，且電極設置在該反應器內(nèi)部。據(jù)此，對極性相反的帶電納米顆粒施加電壓，通過使用提供電壓的方式，將納米顆粒沉積在電極上。
[0037]例如，在使用火花放電時，通過火花放電可以同時產(chǎn)生兩種極性的帶電的納米顆粒和離子，將混合的顆粒和離子注入設置有基板的反應器，然后不管納米顆?；螂x子的極性，對該混合的顆粒和離子施加同一電場，使得所述兩種極性的帶電的納米顆粒和離子沉淀在基板上。登記號為10-2009-0089787的韓國專利(2009年8月24日發(fā)布)，及其它文件已經(jīng)公開了火花放電室對于制備各種材料的納米顆粒的有益效果。
[0038]例如，在電壓為I?IOkV的條件下可以進行火花放電，優(yōu)選地，進行火花放電的電壓為4?10kV，也可同時進行電暈放電，進行電暈放電的電壓為I?10kV。進一步的，優(yōu)選地，對基板上極性相反的帶電粒子施加0.5?8kV的電壓。
[0039]通過火花放電產(chǎn)生的納米顆粒的尺度被控制在I?300nm范圍內(nèi)，優(yōu)選的，納米顆粒的尺度在I?20nm范圍內(nèi)較好，最優(yōu)選的，納米顆粒的尺度在3?IOnm范圍內(nèi)最好。
[0040]構(gòu)成納米顆粒的金屬材料包括銅、錫、銀、鋅、鉬、鈀、金、銦和鎘，但并不局限于這些材料。
[0041]本發(fā)明的方法能夠很方便的在電子裝置的各種有機層或無機層上構(gòu)造納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層，并且不損壞該裝置的有機層或無機層。
[0042]本發(fā)明中，“納米”這個詞涉及到一種平均粒子直徑在I?300nm范圍內(nèi)的粒子，“納米/微米結(jié)構(gòu)”這個詞涉及一種結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)由至少兩個尺度在2 μ m或2 μ m以下的納米顆粒組成。
[0043]納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層，即為所述納米顆?；蚣{米/微米結(jié)構(gòu)在有機層或無機層上形成的一種非連續(xù)的層，所述納米顆粒層和納米/微米結(jié)構(gòu)層的厚度不受限制。
[0044]在本發(fā)明的一個實施例中，“電子裝置”這個詞涉及到使用有機或無機半導體裝置制成的電子元件，例如，本發(fā)明實施例所使用的電子裝置可以為復合半導體發(fā)光二極管、包含娃樹脂或復合半導體的無機太陽能電池、有機發(fā)光二極管、有機太陽能電池(有機光伏)、非易失性存儲單元或多結(jié)疊層太陽電池，但本發(fā)明所述電子裝置并不限于這些裝置。
[0045]在本發(fā)明實施例所述的電子裝置中，通過使用傳統(tǒng)工藝的材料和方法，可以構(gòu)成不含有納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層的其它結(jié)構(gòu)的裝置。
[0046]另一方面，在本發(fā)明實施例中，將所述納米顆?；蚪Y(jié)構(gòu)運用到有機發(fā)光二極管中，該有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)包括正電極、空穴傳輸層(HTL)、設置在基板上的納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和負電極。此外，通過使用傳統(tǒng)工藝的材料和方法，可以構(gòu)成不含有納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層的其它結(jié)構(gòu)的裝置。
[0047]例如,形成作為空穴傳輸層的有機層(如N, N' -di (naphthalen-l-yl)-N, N' -diphenyl-benzidine (NPB))時,可以通過使用真空熱沉積裝置,使得該有機層通過熱蒸發(fā)沉積在涂有ITO的玻璃基板上，然后將電極裝入粒子沉積裝置中，將該粒子沉積裝置置于火花沉積裝置中，最后施加負電壓。
[0048]進一步的，帶電的納米顆粒(如黃金粒子)由位于火花沉積裝置上部的粒子發(fā)生器產(chǎn)生，該火花沉積裝置使用火花放電，然后通過使用惰性載氣(如氮氣)，使得所述帶電的納米顆粒轉(zhuǎn)移到含有玻璃基板的粒子沉積裝置的下部。轉(zhuǎn)移到沉積裝置的黃金粒子中，帶正電的粒子被傳送到帶負電的玻璃基板上，并粘附在有機層(NPB)的表面，該有機層沉積在ITO的上部。
[0049]進一步的，基板被再次轉(zhuǎn)移到真空熱沉積系統(tǒng)中，相同的有機層(NPB )進一步通過熱沉積裝置沉積在粘附有所述納米顆粒的有機層表面。然后另一個作為發(fā)射層的有機層(如8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3))通過相同的方法進行沉淀在有機層上，隨后將電子注入層(如LiF)沉淀在發(fā)射層上，最后將電極(如鋁)沉積在電子注入層上。
[0050]以下將會結(jié)合實施例對本發(fā)明關于有機發(fā)光二極管的有機層的制備方法做更為詳細的描述，本發(fā)明的范圍不會受到這里所述任何方式的限制。
[0051]實施例一有機發(fā)光二極管的應用實施例
[0052]形成作為空穴傳輸層的有機層(NPB)時，可以通過使用真空熱沉積系統(tǒng)，使得有機層(NPB)通過熱蒸發(fā)沉積在涂有ITO的玻璃基板上，該涂有ITO玻璃基板的厚度為140nm，而有機層(NPB)的厚度為30nm。將樣品從真空熱沉積系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到充滿氮氣的手套式操作箱內(nèi)，然后將電極裝入粒子沉積裝置，該粒子沉積裝置位于安裝在手套式操作箱內(nèi)的火花沉積裝置的下部。
[0053]進一步的，黃金帶電粒子(粒子的平均直徑大致為6nm)由位于火花沉積裝置上部的粒子發(fā)生器產(chǎn)生，該火花沉積裝置使用火花放電(電壓為5.5kV)，然后使用氮氣(氮氣流量:21pm)將黃金帶電粒子轉(zhuǎn)移到含有玻璃基板的粒子沉積裝置的下部。最后對下電極施加-5.5kV的電壓后，在轉(zhuǎn)移到沉積裝置的黃金粒子中，帶正電的粒子被傳送到帶負電的玻璃基板上，并粘附在沉積在ITO上部的有機層(NPB)的表面。
[0054]進一步的，基板被再次轉(zhuǎn)移到真空熱沉積系統(tǒng)中，相同的有機層(NPB )進一步通過熱沉積裝置沉積在粘附有納米顆粒的有機層(NPB)表面，該相同的有機層(NPB)的厚度為20nm。然后將作為發(fā)射層的有機物Alq3通過相同的方法沉積在有機層上，(最好說明是沉積在什么上，不然不知道是基板上還是有機層上)該發(fā)射層的厚度為50nm，隨后將作為電子注入層的LiF沉淀在發(fā)射層上，該電子注入層的厚度為0.5nm。最后將作為電極的鋁層沉淀在電子注入層上，鋁層的厚度為lOOnm。
[0055]對照實施例
[0056]重復進行實施例一中的熱沉積方法來制備有機發(fā)光裝置，但不通過火花放電將黃金納米顆粒沉積到有機層(NPB)上。
[0057]實施例二、三和四
[0058]重復進行實施例一中的熱沉積方法來制備有機發(fā)光器件，但與實施例之一的不同之處在于:實施例一中，首先將黃金粒子粘附在沉積厚度為30nm的有機層(NPB)上，，通過熱分解將厚度為20nm的相同的有機層(NPB)沉積到該厚度為30nm的有機層(NPB)上；而實施例二中，首先將黃金粒子粘附在沉積厚度為40nm的有機層(NPB)上，通過熱分解將厚度為IOnm的相同的有機層(NPB)沉積到該厚度為40nm的有機層(NPB)上；實施例三中，首先將黃金粒子粘附在沉積厚度為20nm的有機層(NPB)上，通過熱分解將厚度為30nm的相同的有機層(NPB)沉積到該厚度為20nm的有機層(NPB)上；實施例四中，首先將黃金粒子粘附在沉積厚度為IOnm的有機層(NPB)上，通過熱分解將厚度為40nm的相同的有機層(NPB)沉積到該厚度為IOnm的有機層(NPB)上。
[0059]將本實施例和對照實施例制備的有機發(fā)光裝置放置在空氣中，并相互比較各發(fā)光裝置的發(fā)光效率，比較結(jié)果如圖2所示。由圖2可以得出，本實施例制備的有機發(fā)光裝置與對照實施例相比，其發(fā)光效率都有很大的提高。對照實施例中沒有插入黃金納米顆粒。并且從圖2可以看出，即使使用材料相同的納米顆粒層，當納米顆粒層處于某一特定厚度時可以極大地優(yōu)化有機層的發(fā)光效率。
[0060]工業(yè)應用
[0061]根據(jù)本發(fā)明所述的制備方法，納米顆粒和納米/微米結(jié)構(gòu)能方便的放置在有機和無機半導體裝置的某些層上，如放置在上電極層與下電極層中每一層的上表面或下表面，或者有機/無機層的內(nèi)部，并且不會對該裝置造成損壞。因此，能夠通過簡單有效的方法在電子裝置上方便的形成納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層。進一步的，還有許多問題需要解決，克服這些問題是為了通過控制引入所述裝置的納米顆粒的種類、大小、位置，及納米/微米結(jié)構(gòu)的形狀，來提高所述裝置的效率和性能。
【權(quán)利要求】
1.一種電子裝置的制備方法，其特征在于，所述電子裝置由上電極層、下電極層、有機層、無機層中的至少一個層組成，所述方法包括以下步驟: 在所述至少一個層形成之前、形成之后或形成的過程中，將帶電的納米顆粒粘附到所述至少一個層上，從而在所述至少一個層中加入引入納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟: (1)將其上形成有有機層或無機層的基板放置在反應堆的電極上； (2)當將所述帶電的納米顆粒引入反應堆時，通過對電極施加電壓，將所述納米顆粒粘附在基板的有機層或無機層上； (3)在所述有機層或無機層上通過粘附所述納米顆粒而加入所述納米顆粒層或納米/微米結(jié)構(gòu)層，并進一步在粘附有所述納米顆粒的所述有機層或無機層上形成第二有機層或第二無機層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置的制備方法，其特征在于，所述帶電的納米顆粒以氣溶膠的形式粘附在所述有機層或無機層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置的制備方法，其特征在于，施加在所述電極上的所述電壓的極性與所述帶電的納米顆粒的極性相反，且所述電壓的強度為0.5?8kV。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置的制備方法，其特征在于，所述帶電的納米顆粒為乳膠、聚合物顆粒、氧化物顆粒、金屬顆粒或金屬氧化物顆粒中的一種或幾種的混合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置的制備方法，其特征在于，所述帶電的納米顆粒的尺度為I?300nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置的制備方法，其特征在于，所述電子裝置為復合半導體發(fā)光二極管、包含娃樹脂或復合半導體的無機太陽能電池、有機發(fā)光二極管、有機太陽能電池(有機光伏)、非易失性存儲單元、多結(jié)疊層太陽電池中的任意一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子裝置的制備方法，其特征在于，所述電子裝置為有機發(fā)光二極管，且所述帶電的納米顆粒被作為空穴轉(zhuǎn)移層加入到所述有機層上。
9.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置由權(quán)利要求1?8任一項所述的制備方法制造而成。
【文檔編號】H01L51/56GK103782411SQ201380002965
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年3月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月13日
【發(fā)明者】金昌淳, 金亨彩, 李鐘天, 韓奎熙, 成香氣, 鄭祈男, 崔虎燮, 河璟妍, 崔萬秀 申請人:首爾大學校產(chǎn)學協(xié)力團, 多次元能源系統(tǒng)研究集團