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      光半導(dǎo)體裝置制造方法

      文檔序號:7038679閱讀:197來源:國知局
      光半導(dǎo)體裝置制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供一種光半導(dǎo)體裝置,其具有表面形成有鍍銀層的基板、鍵合在所述鍍銀層上的發(fā)光二極管、圍住所述發(fā)光二極管的光反射部、填充于所述光反射部而將所述發(fā)光二極管密封的透明密封部、以及被覆所述鍍銀層的粘土膜,所述透明密封部與所述光反射部接合在一起。
      【專利說明】光半導(dǎo)體裝置

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及一種鍵合(bonding)有發(fā)光二極管的光半導(dǎo)體裝置。

      【背景技術(shù)】
      [0002]作為搭載有LED (發(fā)光二極管:Light Emitting D1de)的光半導(dǎo)體裝置,已知有專利文獻(xiàn)I中公開的光半導(dǎo)體裝置。專利文獻(xiàn)I所述的光半導(dǎo)體裝置是:將藍(lán)色LED鍵合在成型體上,以圍住藍(lán)色LED的方式使成型體立起而作為反射從藍(lán)色LED發(fā)出的光的反射板,通過在其中填充含有熒光體的透明密封部來密封藍(lán)色LED。
      [0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
      [0004]專利文獻(xiàn)
      [0005]專利文獻(xiàn)1:國際公開第2007/015426號小冊子


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0006]發(fā)明所要解決的課題
      [0007]近年來,這樣的光半導(dǎo)體裝置已經(jīng)開始用作照明及路燈等的LED照明。但是,如果嘗試實(shí)際使用,則LED照明的照度在比LED的保證時間更短的時間內(nèi)下降。這起因于在光半導(dǎo)體裝置的電極上形成有鍍銀層,而該鍍銀層發(fā)生了變色。也就是說,由于在透明密封部一般使用氣體或水分的透過性高的樹脂,所以在透過透明密封部的氣體或水分的作用下,鍍銀層發(fā)生腐蝕而變色。特別是,如果通過硫化氫氣體而使鍍銀層硫化,則電極變成黒色,由此使照度的下降顯著地表現(xiàn)出來。
      [0008]此外,以往使用熱塑性樹脂作為反射板,與鍍銀層的硫化速度相比,反射板的黃變速度更快,所以鍍銀層的硫化導(dǎo)致的照度下降并不顯眼。但是,最近,由于使用熱固性樹脂作為反射板,與鍍銀層的硫化速度相比,反射板的黃變速度減慢,所以鍍銀層的硫化導(dǎo)致的照度下降引人注目。而且如果使LED照明大功率化,則藍(lán)色LED的發(fā)熱溫度提高,從而使鍍銀層的溫度上升,因此促進(jìn)鍍銀層的硫化。
      [0009]另外,鑒于這樣的與鍍銀層的硫化相伴的問題,還有使LED照明中使用的光半導(dǎo)體裝置的耐硫化氫氣體的評價標(biāo)準(zhǔn)化的動向。
      [0010]于是,本發(fā)明人進(jìn)行了潛心的研究,結(jié)果得到了以下的見解:不改進(jìn)透明密封部的氣體透過性而用粘土膜被覆鍍銀層,由此能夠有效地抑制鍍銀層的硫化。
      [0011]另外,本發(fā)明人基于這樣的見解而制造了光半導(dǎo)體裝置,結(jié)果發(fā)現(xiàn)了以下的課題:由于在鍍銀層與透明密封部之間夾著粘土膜,所以從抑制透明密封部從光半導(dǎo)體裝置上剝離的觀點(diǎn)出發(fā),有使光半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成最優(yōu)化的余地。
      [0012]于是,本發(fā)明的目的是提供一種能夠在抑制鍍銀層的硫化的同時,還抑制透明密封部的剝離的光半導(dǎo)體裝置。
      [0013]用于解決課題的手段
      [0014]本發(fā)明的一個方案涉及一種光半導(dǎo)體裝置,其具有:表面形成有鍍銀層的基板、鍵合在鍍銀層上的發(fā)光二極管、圍住發(fā)光二極管的光反射部、填充于光反射部而將發(fā)光二極管密封的透明密封部、以及被覆鍍銀層的粘土膜,其中,透明密封部與光反射部接合在一起。
      [0015]根據(jù)本發(fā)明的一個方案所涉及的光半導(dǎo)體裝置,由于用粘土膜被覆鍍銀層,因而能夠抑制鍍銀層的硫化。由此,能夠大幅度地抑制由鍍銀層的黒色化造成的光半導(dǎo)體裝置的照度下降。而且通過用粘土膜被覆鍍銀層,盡管在透明密封部與鍍銀層之間夾著粘土膜,但透明密封部與光反射部接合在一起,因而能夠抑制透明密封部的剝離。
      [0016]此外,本發(fā)明的一個方案可以設(shè)計為:光反射部具備內(nèi)周面,所述內(nèi)周面以圍住發(fā)光二極管的方式從基板上立起,從而形成收容發(fā)光二極管的內(nèi)側(cè)空間;粘土膜被覆內(nèi)周面的一部分;透明密封部與內(nèi)周面的沒有被粘土膜被覆的非被覆部接合在一起。
      [0017]粘土膜對鍍銀層的被覆例如可采用如下的方法來進(jìn)行:用溶劑稀釋粘土而生成粘土稀釋液,將該粘土稀釋液滴加在或散布在光反射部的內(nèi)側(cè)空間,然后使溶劑干燥。但是,由于光反射部的內(nèi)側(cè)空間小,所以困難的是通過調(diào)節(jié)粘土稀釋液的滴加量或散布量而將粘土稀釋液只滴加在或散布在鍍銀層上。于是,通過容許粘土膜被覆光反射部的內(nèi)周面,便能夠容易進(jìn)行粘土膜對鍍銀層的被覆。而且即使在此情況下,由于透明密封部與光反射部的內(nèi)周面的非被覆部接合在一起,因而能夠抑制透明密封部的剝離。
      [0018]此外,本發(fā)明的一個方案可以設(shè)計為:發(fā)光二極管為發(fā)出藍(lán)色光的藍(lán)色發(fā)光二極管。
      [0019]光反射部的內(nèi)周面反射從發(fā)光二極管發(fā)出的光而從光半導(dǎo)體裝置輸出,但粘土膜具有使藍(lán)色光的頻帶增幅的作用,因此通過將粘土膜形成在光反射部的內(nèi)周面,能夠增大從藍(lán)色發(fā)光二極管發(fā)出的藍(lán)色光的反射效率。
      [0020]此外,本發(fā)明的一個方案可以設(shè)計為:非被覆部的面積為內(nèi)周面的面積的1%以上。這樣,通過將非被覆部的面積規(guī)定為光反射部的內(nèi)周面的I %以上,能夠確保透光性樹脂部和光反射部的接合強(qiáng)度。
      [0021]此外,本發(fā)明的一個方案可以設(shè)計為:非被覆部的面積為內(nèi)周面的面積的99%以下。這樣,通過將非被覆部的面積規(guī)定為光反射部的內(nèi)周面的99%以下,能夠更加容易進(jìn)行粘土膜對鍍銀層的被覆。
      [0022]此外,本發(fā)明的一個方案可以設(shè)計為:光反射部具有內(nèi)周面和頂面,內(nèi)周面以圍住發(fā)光二極管的方式從基板上立起,從而形成收容發(fā)光二極管的內(nèi)側(cè)空間,頂面與內(nèi)周面鄰接,且位于內(nèi)側(cè)空間的外側(cè);粘土膜被覆內(nèi)周面;透明密封部與頂面接合在一起。
      [0023]粘土膜對鍍銀層的被覆例如可采用如下的方法來進(jìn)行:用溶劑稀釋粘土而生成粘土稀釋液,將該粘土稀釋液滴加在或散布在光反射部的內(nèi)側(cè)空間,然后使溶劑干燥。但是,由于光反射部的內(nèi)側(cè)空間較小,所以困難的是通過調(diào)節(jié)粘土稀釋液的滴加量或散布量而使粘土稀釋液只滴加在或散布在鍍銀層上。于是,通過容許粘土膜被覆光反射部的整個內(nèi)周面,便能夠更容易進(jìn)行粘土膜對鍍銀層的被覆。而且即使在此情況下,由于透明密封部與光反射部的頂面接合在一起,因而能夠抑制透明密封部的剝離。再者,透明密封部和光反射部的頂面的接合例如可采用如下的方法來進(jìn)行:以粘土稀釋液從光反射部的內(nèi)側(cè)空間溢出的方式將粘土稀釋液滴加在或散布在光反射部的內(nèi)側(cè)空間,然后使溶劑干燥。
      [0024]發(fā)明的效果
      [0025]根據(jù)本發(fā)明,能夠提供一種可抑制鍍銀層的硫化,同時還抑制透明密封部的剝離的光半導(dǎo)體裝置。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0026]圖1是實(shí)施方式所涉及的光半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
      [0027]圖2是圖1所示的光半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
      [0028]圖3是用于說明粘土膜的被覆方法的圖示。
      [0029]圖4是用于說明粘土膜的被覆方法的圖示。
      [0030]圖5是用于說明粘土膜的被覆方法的圖示。
      [0031]圖6是用于說明粘土膜的被覆方法的圖示。
      [0032]圖7是在圖3的情況下填充了透明密封樹脂的光半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
      [0033]圖8是在圖4的情況下填充了透明密封樹脂的光半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
      [0034]圖9是在圖5的情況下填充了透明密封樹脂的光半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
      [0035]圖10是在圖6的情況下填充了透明密封樹脂的光半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
      [0036]圖11是用于對使用蒙脫石的粘土膜的構(gòu)成進(jìn)行說明的概念圖。

      【具體實(shí)施方式】
      [0037]下面參照附圖,對本發(fā)明的一個方案所涉及的光半導(dǎo)體裝置的適合的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。再者,在所有圖中,對于相同或相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注同一符號。
      [0038]圖1是實(shí)施方式所涉及的光半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖2是圖1所示的光半導(dǎo)體裝置的俯視圖。如圖1及圖2所示,實(shí)施方式所涉及的光半導(dǎo)體裝置I 一般被分類為“表面貼裝型”。該光半導(dǎo)體裝置I具備基板10、鍵合在基板10的表面上的藍(lán)色LED30、以圍住藍(lán)色LED30的方式設(shè)在基板10的表面上的反射器20、以及填充于反射器20中而使藍(lán)色LED30密封的透明密封樹脂40。再者,圖2中將透明密封樹脂40的圖示予以省略。
      [0039]基板10在絕緣性基體12的表面上布置有鍍銅板14,在鍍銅板14的表面上形成有鍍銀層16。鍍銀層16被配置在基板10的表面上而成為與藍(lán)色LED30導(dǎo)通的電極。再者,鍍銀層16只要是含有銀的鍍層,可以是任何的組成。例如,可以通過只鍍銀來形成鍍銀層16,也可以通過按鎳及銀的順序進(jìn)行鍍覆來形成鍍銀層16。鍍銅板14及鍍銀層16在陽極側(cè)和陰極側(cè)被絕緣。關(guān)于陽極側(cè)的鍍銅板14及鍍銀層16與陰極側(cè)的鍍銅板14及鍍銀層16之間的絕緣,例如可通過將陽極側(cè)的鍍銅板14及鍍銀層16與陰極側(cè)的鍍銅板14及鍍銀層16分開,并適當(dāng)?shù)卦谒鼈冎g插入樹脂及陶瓷等絕緣層來進(jìn)行。
      [0040]藍(lán)色LED30被芯片鍵合(die bonding)在陽極側(cè)及陰極側(cè)中的任一方的鍍銀層16上,經(jīng)由芯片鍵合材料32與該鍍銀層16導(dǎo)通。此外,藍(lán)色LED30被引線接合在陽極側(cè)及陰極側(cè)中的另一方的鍍銀層16上,經(jīng)由鍵合引線(bonding wire) 34與該鍍銀層16導(dǎo)通。
      [0041]關(guān)于反射器20,其中填充用于密封藍(lán)色LED30的透明密封樹脂40,而且將從藍(lán)色LED30發(fā)出的光反射至光半導(dǎo)體裝置I的表面?zhèn)取7瓷淦?0以圍住藍(lán)色LED30的方式從基板10的表面豎立地設(shè)置。也就是說,反射器20中具備:內(nèi)周面20a,其以圍住藍(lán)色LED30的方式從基板10的表面1a立起而在內(nèi)側(cè)形成收容藍(lán)色LED30的內(nèi)側(cè)空間22,并在俯視圖(參照圖2)中形成圓形;頂面20b,其與內(nèi)周面20a鄰接,位于內(nèi)側(cè)空間22的外側(cè),從內(nèi)周面20a的表面?zhèn)榷司壋瘍?nèi)側(cè)空間22的相反側(cè)擴(kuò)展;以及外周面20c,其從基板10的表面1a立起至頂面20b的外側(cè)端緣,在俯視圖(參照圖2)中形成矩形。內(nèi)周面20a及外周面20c的形狀沒有特別的限定,但從提高光半導(dǎo)體裝置I的照度的觀點(diǎn)出發(fā),內(nèi)周面20a優(yōu)選形成為隨著與基板10的遠(yuǎn)離而直徑擴(kuò)大的圓錐臺形狀(漏斗狀),從提高光半導(dǎo)體裝置I的集成度的觀點(diǎn)出發(fā),外周面20c優(yōu)選形成為與基板10垂直的四方形狀。再者,在圖面中,作為內(nèi)周面20a的形成例,圖示了位于基板10側(cè)的下部部分與基板10垂直,位于基板10的相反側(cè)的上部部分隨著與基板10的遠(yuǎn)離而直徑擴(kuò)大。
      [0042]反射器20由含有白色顏料的熱固性樹脂組合物的固化物形成。作為熱固性樹脂組合物,從容易形成反射器20的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選在熱固化前可在室溫(25°C)下加壓成型的組合物。
      [0043]作為熱固性樹脂組合物中所含的熱固性樹脂,能夠使用環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂、聚氨酯樹脂、氰酸酯樹脂等各種樹脂。特別是,環(huán)氧樹脂由于與各種材料的粘接性優(yōu)良,因而是優(yōu)選的。
      [0044]作為白色顏料,能夠使用氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氧化鈦或氧化鋯等。其中從光反射性方面考慮,優(yōu)選氧化鈦。作為白色顏料也可以使用無機(jī)中空粒子。作為無機(jī)中空粒子的具體例子,可列舉出硅酸鈉玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、硼硅酸鈉玻璃、白砂等。
      [0045]透明密封樹脂40被填充在由反射器20的內(nèi)周面20a形成的內(nèi)側(cè)空間22中,以密封藍(lán)色LED30。該透明密封樹脂40由具有透光性的透明密封樹脂構(gòu)成。在透明密封樹脂中除了完全透明的樹脂以外,還可含有半透明的樹脂。作為透明密封樹脂,優(yōu)選彈性模量在室溫(25°C )下為IMPa以下的樹脂。特別是,從透明性方面考慮,優(yōu)選使用有機(jī)硅樹脂或丙烯酸樹脂。透明密封樹脂也可以進(jìn)一步含有使光擴(kuò)散的無機(jī)填充材料及將從藍(lán)色LED30發(fā)出的藍(lán)色光作為激發(fā)源而成為白色光的熒光體42。
      [0046]而且在本實(shí)施方式所涉及的光半導(dǎo)體裝置I中,用粘土膜50被覆鍍銀層16,透明密封樹脂40與反射器20接合在一起。
      [0047]粘土膜50通過被覆鍍銀層16而抑制鍍銀層16的硫化。作為構(gòu)成粘土膜50的粘土,天然粘土及合成粘土都可使用,例如,能夠使用硅鎂石(stevensite)、鋰蒙脫石(或水輝石:hectorite)、阜石、蒙脫石及貝得石(beidellite)中的任I種以上。特別是,天然粘土的蒙脫石如圖11所示,由于厚度H為Inm以下、長度L為1nm?400nm,從而縱橫尺寸比高,氣體的通過路線長,因而使氣體阻擋性優(yōu)良。
      [0048]粘土膜50的膜厚優(yōu)選為0.01 μ m?1000 μ m,更優(yōu)選為0.03 μ m?500 μ m,進(jìn)一步優(yōu)選為0.05 μ m?100 μ m,再優(yōu)選為0.05 μ m?1ym,再進(jìn)一步優(yōu)選為0.05 μ m?I μ m。通過將粘土膜50的膜厚規(guī)定為0.01 μ m?1000 μ m,能夠使對于鍍銀層16的氣體阻擋性和粘土膜50的透明性得以兼顧。在此情況下,通過使粘土膜50的膜厚在0.03 μ m?500 μ m、0.05 μ m?100 μ m、0.05 μ m?10 μ m、0.05 μ m?I μ m,能夠進(jìn)一步提高此效果。
      [0049]這里,參照圖3?6,對粘土膜50的被覆方法進(jìn)行說明,參照圖7?10,對透明密封樹脂40的填充方法進(jìn)行說明。圖3?圖6是用于對粘土膜的被覆方法進(jìn)行說明的圖示。圖7?10是填充了透明密封樹脂的光半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
      [0050]首先,用溶劑稀釋粘土而生成粘土稀釋液。接著,如圖3(a)所示,將該粘土稀釋液L滴加在或散布在反射器20的內(nèi)側(cè)空間22中。此時,以用粘土稀釋液L至少覆蓋整個鍍銀層16的方式,調(diào)節(jié)粘土稀釋液L的滴加量或散布量。然后,使粘土稀釋液L的溶劑干燥。于是,如圖3(b)所示,在被粘土稀釋液L覆蓋的整個范圍上形成由干燥的粘土層疊而成的粘土膜50。
      [0051]可這樣一來,由于粘土膜50形成于滴加或散布有粘土稀釋液L的整個范圍上,所以為了用粘土膜50只被覆鍍銀層16,需要將粘土稀釋液L只滴加在或散布在鍍銀層16上。但是,由于內(nèi)側(cè)空間22微小,所以通過調(diào)節(jié)粘土稀釋液L的滴加量或散布量而將粘土稀釋液L只滴加在或散布在鍍銀層16上是困難的。
      [0052]另一方面,上述的使用粘土以0.01 μ m?1000 μ m的膜厚形成的粘土膜50具有充分的透光性,因此即使將粘土膜50形成在反射器20的內(nèi)周面20a上,對反射器20的反射特性也沒有大的影響。而且作為天然粘土的蒙脫石的薄膜具有使藍(lán)色光的頻帶增幅的作用,因此通過將使用了作為天然粘土的蒙脫石的粘土膜50形成于反射器20上,能夠謀求從藍(lán)色LED30發(fā)出的藍(lán)色光的反射效率的增大。
      [0053]于是,如圖4(a)所示,以粘土稀釋液覆蓋反射器20的內(nèi)周面20a的一部分的方式,將粘土稀釋液L滴加在或散布在內(nèi)側(cè)空間22中。然后,如圖4(b)所示,在使粘土稀釋液L的溶劑干燥后,在反射器20的內(nèi)周面20a的一部分上形成粘土膜50。
      [0054]此外,也能夠如圖5(a)所示,以粘土稀釋液覆蓋反射器20的整個內(nèi)周面20a的方式,將粘土稀釋液L滴加在或散布在內(nèi)側(cè)空間22中。在此情況下,如圖5(b)所示,在使粘土稀釋液L的溶劑干燥后,可在反射器20的整個內(nèi)周面20a上形成粘土膜50。
      [0055]此外,也能夠如圖6(a)所示,以粘土稀釋液一直覆蓋到超過反射器20的內(nèi)周面20a的頂面20b的方式,將粘土稀釋液L滴加在或散布在內(nèi)側(cè)空間22中。在此情況下,如圖6(b)所示,在使粘土稀釋液L的溶劑干燥后,直到反射器20的頂面20b都形成粘土膜50。
      [0056]然后,在形成粘土膜50后,向由反射器20的內(nèi)周面20a形成的內(nèi)側(cè)空間22中填充含有熒光體42的透明密封樹脂40,用該填充的透明密封樹脂40密封藍(lán)色LED30。
      [0057]此時,如圖3(b)所示,在粘土膜50未形成于反射器20的內(nèi)周面20a上時,如圖7所示,向內(nèi)側(cè)空間22中填充含有熒光體42的透明密封樹脂40,使填充的透明密封樹脂40與反射器20的整個內(nèi)周面20a密合在一起。由此,可得到反射器20的整個內(nèi)周面20a與透明密封樹脂40接合在一起的光半導(dǎo)體裝置I。
      [0058]此外,如圖4(b)所示,在將粘土膜50形成于反射器20的內(nèi)周面20a的一部分上時,如圖8所示,向內(nèi)側(cè)空間22中填充含有熒光體42的透明密封樹脂40,使填充的透明密封樹脂40與反射器20的內(nèi)周面20a中的沒有被覆粘土膜50的非被覆部U密合在一起。由此,可得到作為反射器20內(nèi)周面20a的一部分的非被覆部U與透明密封樹脂40接合在一起的光半導(dǎo)體裝置I。
      [0059]此時,非被覆部U的面積優(yōu)選規(guī)定為內(nèi)周面20a的面積的I %以上,更優(yōu)選規(guī)定為5%以上,進(jìn)一步優(yōu)選規(guī)定為10%以上。通過將非被覆部U的面積規(guī)定為內(nèi)周面20a的面積的I %以上,能夠確保反射器20的內(nèi)周面20a與透明密封樹脂40的接合強(qiáng)度。另外,通過將非被覆部U的比例規(guī)定為5%以上,進(jìn)一步規(guī)定為10%以上,能夠進(jìn)一步提高此效果。
      [0060]另一方面,非被覆部U的面積優(yōu)選規(guī)定為內(nèi)周面20a的面積的99%以下,更優(yōu)選規(guī)定為95%以下,進(jìn)一步優(yōu)選規(guī)定為90%以下。通過將非被覆部U的面積規(guī)定為內(nèi)周面20a的面積的99%以下,能夠容易進(jìn)行粘土膜50的被覆。另外,通過將非被覆部U的比例規(guī)定為95%以下,進(jìn)一步規(guī)定為90%以下,能夠進(jìn)一步提聞此效果。
      [0061]此外,如圖5(b)所示,在將粘土膜50形成在反射器20的整個內(nèi)周面20a上時,如圖9所示,向內(nèi)側(cè)空間22中填充含有熒光體42的透明密封樹脂40,直至透明密封樹脂40從內(nèi)側(cè)空間22溢出而達(dá)到頂面20b,使填充的透明密封樹脂40與反射器20的頂面20b密合在一起。由此,可得到反射器20的頂面20b與透明密封樹脂40接合在一起的光半導(dǎo)體裝置I。
      [0062]此外,如圖6(b)所示,在將粘土膜50形成到反射器20的頂面20b時,如圖10所示,首先,將形成在頂面20b上的粘土膜50除去。然后,向內(nèi)側(cè)空間22中填充含有熒光體42的透明密封樹脂40,直至透明密封樹脂40從內(nèi)側(cè)空間22溢出而達(dá)到頂面20b,使填充的透明密封樹脂40與反射器20的頂面20b密合在一起。由此,可得到反射器20的頂面20b與透明密封樹脂40接合在一起的光半導(dǎo)體裝置I。
      [0063]這樣,根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的光半導(dǎo)體裝置,由于用粘土膜50被覆鍍銀層16,因而能夠抑制鍍銀層16的硫化。由此,能夠大幅度抑制由鍍銀層16的黒色化造成的光半導(dǎo)體裝置I的照度下降。而且由于透明密封樹脂40與反射器20接合在一起,因而能夠抑制透明密封樹脂40從光半導(dǎo)體裝置I上的剝離。
      [0064]此外,通過容許粘土膜50被覆反射器20的內(nèi)周面20a,能夠容易進(jìn)行粘土膜50對鍍銀層16的被覆。而且粘土膜50具有使藍(lán)色光的頻帶增幅的作用,因此通過將粘土膜50形成在反射器20的內(nèi)周面20a上,能夠使從藍(lán)色LED30發(fā)出的藍(lán)色光的反射效率得以增大。
      [0065]以上對本發(fā)明的一個方案的適合的實(shí)施方式進(jìn)行了說明,但本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式。
      [0066]例如,在上述實(shí)施方式中,以只由樹脂形成反射器20為例進(jìn)行了說明,但在反射器20的內(nèi)周面20a上也可以形成銀等光反射層。在此情況下,能夠?qū)⑼该髅芊鈽渲?0與沒有形成光反射層的反射器20的內(nèi)周面20a或頂面20b接合在一起。
      [0067]此外,在上述實(shí)施方式中,以基體12和反射器20為分立構(gòu)件進(jìn)行了說明,但也可以是一體形成的。
      [0068]此外,在上述實(shí)施方式中,作為鍵合在光半導(dǎo)體裝置I上的發(fā)光二極管,使用發(fā)藍(lán)色光的藍(lán)色LED30進(jìn)行了說明,但也可以使用發(fā)藍(lán)色以外的光的發(fā)光二極管。
      [0069]實(shí)施例
      [0070]接著,對本發(fā)明的一個方案的實(shí)施例進(jìn)行說明。但是,本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施例。
      [0071]在實(shí)施例中,在成為光反射部的樹脂板上形成一邊為2mm的正方形的鍍銀層,在遍及該鍍銀層和樹脂的范圍內(nèi),在5處形成直徑為Imm的圓狀的透明密封部。作為樹脂板的原材料,使用聚鄰苯二甲酰胺(作為市售品為了 ^ r ^ A4122, ^ ^ T K O %卜求'”一文(株)制造),作為透明密封部的原材料,使用聚甲基硅氧烷(作為市售品為信越化學(xué)工業(yè)株式會社制造的KER-2600A/B)。
      [0072]在比較例中,在成為光反射部的樹脂上形成一邊為2mm的正方形的鍍銀層,只在該鍍銀層上,在5處形成直徑為Imm的圓狀的透明密封部。作為樹脂板及透明密封部的原材料,使用與實(shí)施例相同的材料。
      [0073]然后,在將粘接膠帶粘接在實(shí)施例及比較例的樣品上后,從實(shí)施例及比較例的樣品上揭下粘接膠帶。其結(jié)果是,比較例的透明密封部剝離,而實(shí)施例的透明密封部沒有剝離。由此,確認(rèn)即使在光半導(dǎo)裝置中,通過使透明密封部與光反射部接合,能夠防止透明密封部的剝離。
      [0074]符號說明:
      [0075]I 光半導(dǎo)體裝置10 基板
      [0076]1a基板的表面12 基體
      [0077]14 鍍銅板16 鍍銀層
      [0078]20 反射器(光反射部) 20a內(nèi)周面
      [0079]20b頂面20c外周面
      [0080]22 內(nèi)側(cè)空間30 藍(lán)色LED (藍(lán)色發(fā)光二極管)
      [0081]32 芯片鍵合材料34 鍵合引線
      [0082]40 透明密封樹脂(透明密封部)
      [0083]42 熒光體50 粘土膜
      [0084]L 粘土稀釋液U 非被覆部
      【權(quán)利要求】
      1.一種光半導(dǎo)體裝置,其中,具有: 表面形成有鍍銀層的基板, 鍵合在所述鍍銀層上的發(fā)光二極管, 圍住所述發(fā)光二極管的光反射部, 填充于所述光反射部而將所述發(fā)光二極管密封的透明密封部,以及 被覆所述鍍銀層的粘土膜; 所述透明密封部和所述光反射部接合在一起。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置,其中, 所述光反射部具備內(nèi)周面,所述內(nèi)周面以圍住所述發(fā)光二極管的方式從所述基板上立起,從而形成收容所述發(fā)光二極管的內(nèi)側(cè)空間; 所述粘土膜被覆所述內(nèi)周面的一部分; 所述透明密封部與所述內(nèi)周面的沒有被粘土膜被覆的非被覆部接合在一起。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光半導(dǎo)體裝置,其中, 所述發(fā)光二極管是發(fā)出藍(lán)色光的藍(lán)色發(fā)光二極管。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光半導(dǎo)體裝置,其中, 所述非被覆部的面積為所述內(nèi)周面的面積的I%以上。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2?4中任一項所述的光半導(dǎo)體裝置,其中, 所述非被覆部的面積為所述內(nèi)周面的面積的99 %以下。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置,其中, 所述光反射部具有內(nèi)周面和頂面,所述內(nèi)周面以圍住所述發(fā)光二極管的方式從所述基板上立起,從而形成收容所述發(fā)光二極管的內(nèi)側(cè)空間,所述頂面與所述內(nèi)周面鄰接,且位于所述內(nèi)側(cè)空間的外側(cè); 所述粘土膜被覆所述內(nèi)周面; 所述透明密封部與所述頂面接合在一起。
      【文檔編號】H01L33/62GK104364922SQ201380029857
      【公開日】2015年2月18日 申請日期:2013年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月6日
      【發(fā)明者】東內(nèi)智子, 高根信明, 山浦格, 稻田麻希, 橫田弘 申請人:日立化成株式會社
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