層疊陶瓷電容器以及層疊陶瓷電容器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種即便在陶瓷電介質(zhì)層進(jìn)一步薄層化的情況下，在高溫負(fù)荷試驗(yàn)中也具有優(yōu)異的耐久性的可靠性高的層疊陶瓷電容器。本發(fā)明的層疊陶瓷電容器(1)具備：陶瓷層疊體(5)，其通過層疊多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層(2)而成；多個(gè)內(nèi)部電極(3，4)，它們以隔著陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)于陶瓷層疊體的內(nèi)部；和外部電極(6，7)，它們以與內(nèi)部電極電連接的方式配設(shè)于陶瓷層疊體的外表面；其中，內(nèi)部電極含有Ni作為主要成分，并且，構(gòu)成內(nèi)部電極的Ni的晶格常數(shù)在0.3250nm～0.3450nm的范圍內(nèi)。另外，在含有Ni作為主要成分的內(nèi)部電極中含有Sn。
【專利說明】層疊陶瓷電容器以及層疊陶瓷電容器的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及層疊陶瓷電容器以及層疊陶瓷電容器的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，伴隨著電子裝置技術(shù)的發(fā)展，要求層疊陶瓷電容器小型化及大容量化。為 了滿足這些要求，而不斷推進(jìn)構(gòu)成層疊陶瓷電容器的陶瓷電介質(zhì)層的薄層化。然而，若使陶 瓷電介質(zhì)層薄層化，則施加至每一層的電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)相對(duì)提高。因此，要求提高施加電壓時(shí)的 耐久性、可靠性。
[0003] 作為層疊陶瓷電容器，例如，已知具備層疊體與多個(gè)外部電極的層疊陶瓷電容器， 該層疊體具有被層疊的多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層、及沿著陶瓷電介質(zhì)層間的界面而形成的多個(gè)內(nèi) 部電極，該多個(gè)外部電極形成于層疊體的外表面且與內(nèi)部電極電連接（參照專利文獻(xiàn)1)。 而且，在該專利文獻(xiàn)1的層疊陶瓷電容器中，作為內(nèi)部電極，公開了使用Ni作為主成分的內(nèi) 部電極。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開平11-283867號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明要解決的問題
[0008] 然而，在具備使用Ni作為主成分的內(nèi)部電極的上述專利文獻(xiàn)1的層疊陶瓷電容器 中，存在如下問題：為了應(yīng)對(duì)近年來的小型化和大容量化的要求，高溫負(fù)荷試驗(yàn)中的耐久性 尚不充分。
[0009] 本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，其目的在于提供一種即便在陶瓷電介質(zhì)層 進(jìn)一步薄層化的情況下，在高溫負(fù)荷試驗(yàn)中也具有優(yōu)異的耐久性的可靠性高的層疊陶瓷電 容器。
[0010] 用于解決問題的方法
[0011] 為了解決上述問題，本發(fā)明的層疊陶瓷電容器，其特征在于，
[0012] 所述層疊陶瓷電容器具備：陶瓷層疊體，其通過層疊多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層而成；多 個(gè)內(nèi)部電極，它們以隔著所述陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)于所述陶瓷層疊體的內(nèi) 部；和外部電極，其以與所述內(nèi)部電極導(dǎo)通的方式配設(shè)于所述陶瓷層疊體的外表面，
[0013] 所述內(nèi)部電極含有Ni作為主要成分，并且，
[0014] 構(gòu)成所述內(nèi)部電極的Ni的晶格常數(shù)在0? 3250nm?0? 3450nm的范圍內(nèi)。
[0015] 另外，對(duì)于本發(fā)明的層疊陶瓷電容器而言，含有Ni作為主要成分的所述內(nèi)部電極 優(yōu)選含有Sn。
[0016] 內(nèi)部電極以Ni為主要成分且還含有Sn，由此能夠有效且可靠地使構(gòu)成內(nèi)部電極 的Ni的晶格常數(shù)為0. 3250nm?0. 3450nm的范圍，可以使本發(fā)明更具實(shí)效。
[0017] 另外，本發(fā)明的第1層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，
[0018] 所述層疊陶瓷電容器具備：陶瓷層疊體，其通過層疊多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層而成；多 個(gè)內(nèi)部電極，它們以隔著所述陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)于所述陶瓷層疊體的內(nèi) 部；和外部電極，其以與所述內(nèi)部電極電連接的方式配設(shè)于所述陶瓷層疊體的外表面，
[0019] 所述內(nèi)部電極含有Ni作為主要成分且同時(shí)含有Sn，并且，構(gòu)成所述內(nèi)部電極的Ni 的晶格常數(shù)在0. 3250nm?0. 3450nm的范圍內(nèi)，
[0020] 所述層疊陶瓷電容器的制造方法具備如下工序：
[0021] 形成具有多個(gè)未燒成陶瓷電介質(zhì)層和未燒成內(nèi)部電極圖案的未燒成陶瓷層疊體 的工序，所述多個(gè)未燒成陶瓷電介質(zhì)層是被層疊的多個(gè)未燒成陶瓷電介質(zhì)層，且包含含有 Sn的陶瓷原料，所述未燒成內(nèi)部電極圖案是以隔著所述未燒成陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的 方式配設(shè)的多個(gè)未燒成內(nèi)部電極圖案，并且所述未燒成內(nèi)部電極圖案由以Ni為主要成分 的導(dǎo)電性糊劑膜形成；和
[0022] 通過對(duì)所述未燒成陶瓷層疊體進(jìn)行燒成，得到具備多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層、和以隔著 該陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)的多個(gè)內(nèi)部電極的陶瓷層疊體的工序。
[0023] 另外，本發(fā)明的第2層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，
[0024] 所述層疊陶瓷電容器具備：陶瓷層疊體，其通過層疊多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層而成；多 個(gè)內(nèi)部電極，它們以隔著所述陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)于所述陶瓷層疊體的內(nèi) 部；和外部電極，其以與所述內(nèi)部電極電連接的方式配設(shè)于所述陶瓷層疊體的外表面，
[0025] 所述內(nèi)部電極含有Ni作為主要成分且同時(shí)含有Sn，并且，構(gòu)成所述內(nèi)部電極的Ni 的晶格常數(shù)在0. 3250nm?0. 3450nm的范圍內(nèi)，
[0026] 所述層疊陶瓷電容器的制造方法具備如下工序：
[0027] 形成具有被層疊的多個(gè)未燒成陶瓷電介質(zhì)層和未燒成內(nèi)部電極圖案的未燒成陶 瓷層疊體的工序，所述未燒成內(nèi)部電極圖案是以隔著所述未燒成陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置 的方式配設(shè)的多個(gè)未燒成內(nèi)部電極圖案，所述未燒成內(nèi)部電極圖案由含有Ni作為主要成 分且含有Sn的導(dǎo)電性糊劑膜形成；和
[0028] 通過對(duì)所述未燒成陶瓷層疊體進(jìn)行燒成，得到具備多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層、和以隔著 該陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)的多個(gè)內(nèi)部電極的陶瓷層疊體的工序。
[0029] 發(fā)明效果
[0030] 如上所述，本發(fā)明的層疊陶瓷電容器被構(gòu)成為：內(nèi)部電極含有Ni作為主要成分， 并且構(gòu)成內(nèi)部電極的Ni的晶格常數(shù)為0.3250nm?0.3450nm的范圍（需要說明的是，構(gòu)成 內(nèi)部電極的Ni的晶格常數(shù)通常小于0. 3250nm)。而且，通過將Ni的晶格常數(shù)控制在上述范 圍內(nèi)，能夠促進(jìn)電子從內(nèi)部電極的電離，使內(nèi)部電極界面的勢(shì)皇變化。結(jié)果能夠得到高溫負(fù) 荷試驗(yàn)中的耐久性優(yōu)異的可靠性高的層疊陶瓷電容器。
[0031] 但是，如果Ni的晶格常數(shù)過大，則Ni變得無法保持單相，可靠性降低，因此在本發(fā) 明中，將構(gòu)成內(nèi)部電極的Ni的晶格常數(shù)規(guī)定在0. 3250nm?0. 3450nm的范圍。
[0032] 另外，對(duì)于本發(fā)明的第1層疊陶瓷電容器的制造方法而言，形成了具有包含含有 Sn的陶瓷原料的多個(gè)未燒成陶瓷電介質(zhì)層、以及由以Ni作為主要成分的導(dǎo)電性糊劑膜形 成的未燒成內(nèi)部電極圖案的未燒成陶瓷層疊體，并且通過對(duì)該未燒成陶瓷層疊體進(jìn)行燒 成，而得到具備多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層、和以隔著該陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)的多 個(gè)內(nèi)部電極的陶瓷層疊體，因此，從陶瓷電介質(zhì)層側(cè)向內(nèi)部電極側(cè)供給Sn，且Ni的晶格常 數(shù)增大。其結(jié)果是，可以有效且可靠地制造具備Ni的晶格常數(shù)在0. 3250nm?0. 3450nm范 圍內(nèi)的內(nèi)部電極、并且高溫負(fù)荷試驗(yàn)中的耐久性優(yōu)異的可靠性高的層疊陶瓷電容器。
[0033]S卩，通過從陶瓷電介質(zhì)層側(cè)向內(nèi)部電極側(cè)供給Sn，使Sn固溶在構(gòu)成內(nèi)部電極的Ni 中，從而能夠增加Ni的晶格常數(shù)。其結(jié)果是，促進(jìn)了電子從內(nèi)部電極的電離，內(nèi)部電極界面 的勢(shì)皇變化。而且，通過使內(nèi)部電極界面的勢(shì)皇變化，能夠得到高溫負(fù)荷壽命優(yōu)異的可靠性 高的層疊陶瓷電容器。
[0034] 另外，對(duì)于本發(fā)明的第2層疊陶瓷電容器的制造方法而言，形成了具有被層疊的 多個(gè)未燒成陶瓷電介質(zhì)層、以及由含有Ni作為主要成分且同時(shí)含有Sn的導(dǎo)電性糊劑膜 形成的未燒成內(nèi)部電極圖案的未燒成陶瓷層疊體，并且通過對(duì)該未燒成陶瓷層疊體進(jìn)行燒 成，而得到具備多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層、和以隔著該陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)的多 個(gè)內(nèi)部電極的陶瓷層疊體，因此，無論構(gòu)成陶瓷電介質(zhì)層的材料種類如何，作為內(nèi)部電極， 均形成了以Ni為主成分并且含有Sn的內(nèi)部電極。因此，可以有效地制造構(gòu)成內(nèi)部電極的 Ni的晶格常數(shù)在0. 3250nm?0. 3450nm的范圍內(nèi)，并且高溫負(fù)荷試驗(yàn)中的耐久性優(yōu)異的可 靠性高的層疊陶瓷電容器。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0035] 圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的構(gòu)成的前視剖面圖。
[0036] 圖2是表示通過WDX對(duì)構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的內(nèi)部電極進(jìn)行 Ni和Sn的面掃描（Y7匕° ）分析的部位的說明圖。
[0037] 圖3是表示通過WDX對(duì)構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的內(nèi)部電極進(jìn)行 Ni的面掃描分析所得的結(jié)果的圖。
[0038] 圖4是表示通過WDX對(duì)構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的內(nèi)部電極進(jìn)行 Sn的面掃描分析所得的結(jié)果的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0039] 以下示出本發(fā)明的實(shí)施方式，更詳細(xì)地說明本發(fā)明的特征。
[0040] [實(shí)施方式1]
[0041]〈層疊陶瓷電容器的構(gòu)成〉
[0042] 圖1是表示本發(fā)明的一種實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器的構(gòu)成的前視剖面圖。
[0043] 該層疊陶瓷電容器1具備陶瓷層疊體5。陶瓷層疊體5具備被層疊的多個(gè)陶瓷電 介質(zhì)層2、和以隔著陶瓷電介質(zhì)層2而互相對(duì)置的方式配設(shè)于其內(nèi)部的多個(gè)內(nèi)部電極3、4。 需要說明的是，配設(shè)于陶瓷電介質(zhì)層2的內(nèi)部的內(nèi)部電極3、4被交替地引出至陶瓷層疊體 5的相反側(cè)的端面。
[0044] 而且，在陶瓷層疊體5的互相對(duì)置的端面，以與內(nèi)部電極3、4電連接的方式配設(shè)有 外部電極6、7。
[0045] 作為構(gòu)成該外部電極6、7的導(dǎo)電材料，例如，可以使用以Ag或Cu為主成分的材料 等。
[0046] 需要說明的是，該實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器1是具備2個(gè)外部電極6、7的雙端 子型電容器，但本發(fā)明也可以適用于具有多個(gè)外部電極的多端子型的構(gòu)成的電容器。
[0047] 在該層疊陶瓷電容器1中，內(nèi)部電極3、4是以Ni為主成分且含有Sn的電極。
[0048] 而且，在該實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器中，構(gòu)成為構(gòu)成上述內(nèi)部電極3、4的Ni的 晶格常數(shù)為〇? 3250nm?0? 3450nm。
[0049] 在該實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器中，由于構(gòu)成內(nèi)部電極3、4的Ni的晶格常數(shù)為 0. 3250nm?0. 3450nm，因此能夠促進(jìn)電子從內(nèi)部電極的電離，使內(nèi)部電極界面的勢(shì)皇發(fā)生 變化。其結(jié)果是，能夠提供高溫負(fù)荷試驗(yàn)中的耐久性優(yōu)異的可靠性高的層疊陶瓷電容器。
[0050] 〈層疊陶瓷電容器的制造〉
[0051] 接下來，對(duì)上述本發(fā)明的一種實(shí)施方式的層疊陶瓷電容器1的制造方法進(jìn)行說 明。
[0052] (1)首先，稱量規(guī)定量的BaC03粉末和TiO2粉末作為含有Ti和Ba的鈣鈦礦化合 物的原料。接著，將稱量的粉末合在一起，通過球磨機(jī)混合后，在規(guī)定的條件下進(jìn)行熱處理， 由此得到用作構(gòu)成陶瓷電介質(zhì)層的材料的主成分的鈦酸鋇系鈣鈦礦化合物粉末。
[0053] (2)接下來，準(zhǔn)備作為副成分的Dy203、Mg0、Mn0、Si0jPSnO^各粉末，并以表1所 示的比例將這些粉末與主成分鈦酸鋇系鈣鈦礦化合物粉末進(jìn)行配合。然后，利用球磨機(jī)混 合一定時(shí)間并干燥后，通過干式粉碎，得到原料粉末（陶瓷原料粉末）。
[0054] (3)接下來，向該原料粉末中加入聚乙烯醇縮丁醛系粘合劑和乙醇等有機(jī)溶劑，利 用球磨機(jī)進(jìn)行濕式混合，制備陶瓷漿料。通過刮刀法將該陶瓷漿料成型為片材，得到厚度為 0. 9ym的陶瓷生片。
[0055] (4)接下來，向作為導(dǎo)電成分的Ni粉末中加入聚乙烯醇縮丁醛系粘合劑和乙醇等 有機(jī)溶劑，利用球磨機(jī)進(jìn)行濕式混合，由此制作內(nèi)部電極形成用的導(dǎo)電性糊劑。
[0056] (5)然后，將這種以Ni粉末作為導(dǎo)電成分的導(dǎo)電性糊劑按規(guī)定的圖案印刷在如上 所述制作的陶瓷生片上，形成在燒成后成為內(nèi)部電極的導(dǎo)電性糊劑層（內(nèi)部電極圖案）。
[0057] (6)接著，以上述內(nèi)部電極圖案的被引出一側(cè)交替地成為相反側(cè)的方式層疊多個(gè) 陶瓷生片，得到未燒成的陶瓷層疊體。
[0058] (7)將該陶瓷層疊體在N2氣氛中加熱至350°C，使粘合劑燃燒后，在氧分壓為 KT1(I?l(T12MPa的由H2-N2-H20氣體構(gòu)成的還原氣氛中以20°C/min的升溫速度升溫，并在 1150°C下燒成20分鐘，由此得到燒成后的陶瓷層疊體。
[0059] (8)接下來，在得到的陶瓷層疊體的兩個(gè)端面上涂布以Ag作為導(dǎo)電成分、且含有 B203-Si02-Ba0系玻璃料的外部電極形成用的導(dǎo)電性糊劑，并在隊(duì)氣氛中、600°C的溫度下進(jìn) 行燒接，由此形成與內(nèi)部電極電連接的外部電極。
[0060] 由此，得到具有如圖1所示結(jié)構(gòu)的層疊陶瓷電容器（表1的試樣編號(hào)1?8的試 樣）1。
[0061] 需要說明的是，在表1中，試樣編號(hào)帶有*的試樣編號(hào)1和8的試樣是不滿足本發(fā) 明必要條件的比較例的試樣，不帶有*的試樣編號(hào)2?7的試樣是滿足本發(fā)明必要條件的 實(shí)施例的試樣。
[0062] 在該實(shí)施方式中得到的層疊陶瓷電容器的外形尺寸是寬度（W) :1.0_、長(zhǎng)度（L): 2. 0mm、厚度⑴0mm，介于內(nèi)部電極間的陶瓷電介質(zhì)層的厚度為0? 6ym。另外，介于內(nèi)部 電極間的有效陶瓷電介質(zhì)層的總數(shù)為100層，每1層的對(duì)置電極的面積為1. 7Xl(T6m2。
[0063] 〈特性的評(píng)價(jià)〉
[0064] 通過以下說明的方法，對(duì)如上所述制作的各層疊陶瓷電容器（表1的試樣編號(hào) 1?8的試樣）進(jìn)行高溫負(fù)荷試驗(yàn)，調(diào)查其特性，并且調(diào)查構(gòu)成內(nèi)部電極的Ni的晶格常數(shù)。
[0065] (1)高溫負(fù)荷試驗(yàn)
[0066] 從試樣編號(hào)1?8的各試樣中分別取樣10個(gè)試樣，在150°C、10V的條件下進(jìn)行高 溫負(fù)荷試驗(yàn)，將絕緣電阻達(dá)到10KD以下的時(shí)間判定為故障。由該故障時(shí)間算出MTTF(平 均無故障時(shí)間）。將該結(jié)果一并示于表1。
[0067] (2)構(gòu)成內(nèi)部電極的Ni的晶格常數(shù)的測(cè)定
[0068] 另外，分別準(zhǔn)備2g從上述各試樣（層疊陶瓷電容器）除去了外部電極和最外層的 陶瓷電介質(zhì)層（外層部）的試驗(yàn)用樣品，并使用研缽進(jìn)行粉碎。通過粉末XRD衍射分析該 粉末，僅提取Ni的峰，使用Rietveld解析算出Ni的晶格常數(shù)。將算出的晶格常數(shù)一并示 于表1。
[0069]

【權(quán)利要求】
1. 一種層疊陶瓷電容器，其特征在于， 所述層疊陶瓷電容器具備：陶瓷層疊體，其通過層疊多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層而成；多個(gè)內(nèi) 部電極，它們以隔著所述陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)于所述陶瓷層疊體的內(nèi)部； 和外部電極，其以與所述內(nèi)部電極導(dǎo)通的方式配設(shè)于所述陶瓷層疊體的外表面， 所述內(nèi)部電極含有Ni作為主要成分，并且， 構(gòu)成所述內(nèi)部電極的Ni的晶格常數(shù)在0. 3250nm?0. 3450nm的范圍內(nèi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于，含有Ni作為主要成分的所述 內(nèi)部電極含有Sn。
3. -種層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于， 所述層疊陶瓷電容器具備：陶瓷層疊體，其通過層疊多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層而成；多個(gè)內(nèi) 部電極，它們以隔著所述陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)于所述陶瓷層疊體的內(nèi)部； 和外部電極，其以與所述內(nèi)部電極電連接的方式配設(shè)于所述陶瓷層疊體的外表面， 所述內(nèi)部電極含有Ni作為主要成分且同時(shí)含有Sn，并且，構(gòu)成所述內(nèi)部電極的Ni的晶 格常數(shù)在0. 3250nm?0. 3450nm的范圍內(nèi)， 所述層疊陶瓷電容器的制造方法具備如下工序： 形成具有多個(gè)未燒成陶瓷電介質(zhì)層和未燒成內(nèi)部電極圖案的未燒成陶瓷層疊體的工 序，所述多個(gè)未燒成陶瓷電介質(zhì)層是被層疊的多個(gè)未燒成陶瓷電介質(zhì)層，且包含含有Sn的 陶瓷原料，所述未燒成內(nèi)部電極圖案是以隔著所述未燒成陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式 配設(shè)的多個(gè)未燒成內(nèi)部電極圖案，并且所述未燒成內(nèi)部電極圖案由以Ni為主要成分的導(dǎo) 電性糊劑膜形成；和 通過對(duì)所述未燒成陶瓷層疊體進(jìn)行燒成，得到具備多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層、和以隔著該陶 瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)的多個(gè)內(nèi)部電極的陶瓷層疊體的工序。
4. 一種層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于， 所述層疊陶瓷電容器具備：陶瓷層疊體，其通過層疊多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層而成；多個(gè)內(nèi) 部電極，它們以隔著所述陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)于所述陶瓷層疊體的內(nèi)部； 和外部電極，其以與所述內(nèi)部電極電連接的方式配設(shè)于所述陶瓷層疊體的外表面， 所述內(nèi)部電極含有Ni作為主要成分且同時(shí)含有Sn，并且，構(gòu)成所述內(nèi)部電極的Ni的晶 格常數(shù)在0. 3250nm?0. 3450nm的范圍內(nèi)， 所述層疊陶瓷電容器的制造方法具備如下工序： 形成具有被層疊的多個(gè)未燒成陶瓷電介質(zhì)層和未燒成內(nèi)部電極圖案的未燒成陶瓷層 疊體的工序，所述未燒成內(nèi)部電極圖案是以隔著所述未燒成陶瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方 式配設(shè)的多個(gè)未燒成內(nèi)部電極圖案，所述未燒成內(nèi)部電極圖案由含有Ni作為主要成分且 含有Sn的導(dǎo)電性糊劑膜形成；和 通過對(duì)所述未燒成陶瓷層疊體進(jìn)行燒成，得到具備多個(gè)陶瓷電介質(zhì)層、和以隔著該陶 瓷電介質(zhì)層而互相對(duì)置的方式配設(shè)的多個(gè)內(nèi)部電極的陶瓷層疊體的工序。
【文檔編號(hào)】H01G4/12GK104508772SQ201380040668
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2013年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月7日
【發(fā)明者】鈴木祥一郎, 山口晉一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所