半導(dǎo)體裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能夠?qū)崿F(xiàn)開關(guān)動(dòng)作高速化的半導(dǎo)體裝置，包括第一～第五半導(dǎo)體區(qū)域、多個(gè)控制電極、多個(gè)導(dǎo)電部、第一、第二絕緣膜、第一、第二電極。多個(gè)控制電極在第一半導(dǎo)體區(qū)域相互分離地設(shè)置。多個(gè)導(dǎo)電部設(shè)置在第一控制電極和第二控制電極之間。第二半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)域。第三半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置在第二半導(dǎo)體區(qū)域。第四半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置在第一及第二半導(dǎo)體區(qū)域之間。第五半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)域的與第二半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)。第一絕緣膜設(shè)置在各個(gè)控制電極與第一～第四半導(dǎo)體區(qū)域之間。第二絕緣膜設(shè)置在各個(gè)導(dǎo)電部與第一、第二及第四半導(dǎo)體區(qū)域之間。第一電極與第二、第三半導(dǎo)體區(qū)域及多個(gè)導(dǎo)電部導(dǎo)通。第二電極與第五半導(dǎo)體區(qū)域?qū)ā?br> 【專利說明】半導(dǎo)體裝置
[0001]本申請享受以日本專利申請2013-206742號(申請日:2013年10月I日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請參照該基礎(chǔ)申請，將基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容包括在內(nèi)。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置。

【背景技術(shù)】
[0003]近年來，作為對高耐壓、大電流進(jìn)行控制的功率半導(dǎo)體裝置，廣泛使用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體管)。IGBT通常用作開關(guān)元件。在IGBT的半導(dǎo)體裝置中，希望實(shí)現(xiàn)開關(guān)動(dòng)作的進(jìn)一步的高速化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)開關(guān)動(dòng)作的高速化的半導(dǎo)體裝置。
[0005]實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括第一半導(dǎo)體區(qū)域、多個(gè)控制電極、多個(gè)導(dǎo)電部、第二半導(dǎo)體區(qū)域、第三半導(dǎo)體區(qū)域、第四半導(dǎo)體區(qū)域、第五半導(dǎo)體區(qū)域、第一絕緣膜、第二絕緣膜、第一電極、第二電極。
[0006]所述第一半導(dǎo)體區(qū)域?yàn)榈谝粚?dǎo)電型的區(qū)域。
[0007]所述多個(gè)控制電極設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域之上，在第一方向上相互分離。
[0008]所述多個(gè)導(dǎo)電部設(shè)置在所述多個(gè)控制電極當(dāng)中的第一控制電極和與所述第一控制電極相鄰的第二控制電極之間。
[0009]所述第二半導(dǎo)體區(qū)域?yàn)樵O(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域之上的第二導(dǎo)電型的區(qū)域。
[0010]所述第三半導(dǎo)體區(qū)域?yàn)樵O(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域之上的第一導(dǎo)電型的區(qū)域。
[0011]所述第四半導(dǎo)體區(qū)域?yàn)樵O(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體區(qū)域之間的第一導(dǎo)電型的區(qū)域。
[0012]所述第五半導(dǎo)體區(qū)域?yàn)樵O(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的與所述第二半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)的第二導(dǎo)電型的區(qū)域。
[0013]所述第一絕緣膜設(shè)置在所述多個(gè)控制電極的每個(gè)與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域、所述第二半導(dǎo)體區(qū)域、所述第三半導(dǎo)體區(qū)域以及所述第四半導(dǎo)體區(qū)域之間。
[0014]所述第二絕緣膜設(shè)置在所述多個(gè)導(dǎo)電部的每個(gè)與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域、所述第二半導(dǎo)體區(qū)域以及所述第四半導(dǎo)體區(qū)域之間。
[0015]所述第一電極與所述第二半導(dǎo)體區(qū)域、所述第三半導(dǎo)體區(qū)域以及所述多個(gè)導(dǎo)電部導(dǎo)通。
[0016]所述第二電極與所述第五半導(dǎo)體區(qū)域?qū)ā?br>
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是例示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0018]圖2是例示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0019]圖3是例示第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0020]圖4是例示第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0021]圖5是例示第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0022]圖6是例示第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0023]圖7是例示第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0024]圖8是例示第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0025]圖9是例示第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0026]圖10是例示第十實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027]下面，基于【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，附圖是示意圖或概念圖，各部分的厚度與寬度之間的關(guān)系、部分之間的大小的比率等不一定與實(shí)物相同。另外，即使是表示相同的部分的情況下，在附圖中也有時(shí)相互的尺寸、比率不同。
[0028]另外，在本申請的說明書和各附圖中，對于與在之前的附圖中已經(jīng)說明過的要素相同的要素，標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，適當(dāng)省略詳細(xì)的說明。
[0029]另外，在下面的說明中，η+、η、ιΓ以及P+、P、pi勺表述表示各導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度的相對高低。S卩，表示n+與η相比η型的雜質(zhì)濃度較高，η_與η相比η型的雜質(zhì)濃度較低。另外，表示P +與P相比P型的雜質(zhì)濃度較高，ρ_與P相比P型的雜質(zhì)濃度較低。
[0030]在下面的說明中，作為一個(gè)例子，列舉了第一導(dǎo)電型為η型，第二導(dǎo)電型為P型的具體例子。
[0031](第一實(shí)施方式)
[0032]圖1是例示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0033]如圖1所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置110具備η_型基極區(qū)域(第一半導(dǎo)體區(qū)域)
1、多個(gè)柵電極(控制電極)6、多個(gè)導(dǎo)電部12、ρ型基極區(qū)域(第二半導(dǎo)體區(qū)域)2、η++型發(fā)射極區(qū)域(第三半導(dǎo)體區(qū)域)3、η型勢壘(barrier)區(qū)域(第四半導(dǎo)體區(qū)域)13、p+型集電極區(qū)域(第五半導(dǎo)體區(qū)域)8、柵極絕緣膜(第一絕緣膜)5、發(fā)射極絕緣膜(第二絕緣膜)11、發(fā)射電極(第一電極)9、集電極(第二電極)14。半導(dǎo)體裝置110例如為IGBT。
[0034]在下面說明的實(shí)施方式中，將連接n_型基極區(qū)域I和ρ型基極區(qū)域2的方向作為Z方向，將與Z方向正交的方向中的一個(gè)方向作為X方向，將與Z方向及X方向正交的方向作為Y方向。
[0035]多個(gè)柵電極6設(shè)置在ιΓ型基極區(qū)域I之上。多個(gè)柵電極6在X方向上相互分離地設(shè)置。在圖1中示出了 2個(gè)柵電極6，但是也可以是，在半導(dǎo)體裝置110中設(shè)置更多的柵電極6。在下面的說明中，將多個(gè)柵電極6當(dāng)中相鄰的2個(gè)柵電極稱為第一柵電極61以及第二柵電極62。柵電極6例如在Y方向上延伸。
[0036]柵電極6形成在柵極溝槽(gate trench)4中，所述柵極溝槽4貫穿ρ型基極區(qū)域2以及η型勢壘區(qū)域13，形成至η—型基極區(qū)域I的中途。通過柵極溝槽4，在ρ型基極區(qū)域
2、η型勢壘區(qū)域13以及η_型基極區(qū)域I構(gòu)成凹部。
[0037]柵電極6例如使用添加有雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料(例如多晶硅)。柵電極6也可以使用金屬。
[0038]多個(gè)導(dǎo)電部12設(shè)置在第一柵電極61和第二柵電極62之間。在圖1所示的例子中，在第一柵電極61和第二柵電極62之間設(shè)置有2個(gè)導(dǎo)電部12。導(dǎo)電部12例如在Y方向上延伸。
[0039]導(dǎo)電部12也可以設(shè)置3個(gè)以上。在下面的說明中，在設(shè)置有η個(gè)(η為正整數(shù))導(dǎo)電部12的情況下,從第一柵電極61朝向第二柵電極62而依次稱為第一導(dǎo)電部121、第二導(dǎo)電部122、......、第η導(dǎo)電部12η。在圖1所不的例子中，與第一柵電極61相鄰地設(shè)置第一導(dǎo)電部121,與第二柵電極62相鄰地設(shè)置第二導(dǎo)電部122。
[0040]導(dǎo)電部12形成在發(fā)射極溝槽10中，所述發(fā)射極溝槽10貫通ρ型基極區(qū)域2以及η型勢壘區(qū)域13，形成至η_型基極區(qū)域I的中途。通過發(fā)射極溝槽10，在ρ型基極區(qū)域2、η型勢壘區(qū)域13以及η_型基極區(qū)域I構(gòu)成凹部。
[0041]在本實(shí)施方式中，發(fā)射極溝槽10的深度(Ζ方向的長度)與柵極溝槽4的深度(Ζ方向的長度)實(shí)質(zhì)相等。在下面的說明中，“實(shí)質(zhì)相等”除了包括完全相等的情況之外，還包括在制造上的誤差范圍內(nèi)相等的情況。在本實(shí)施方式中，柵電極6的下端6b在Z方向上的位置與導(dǎo)電部12的下端12b在Z方向上的位置實(shí)質(zhì)相等。
[0042]導(dǎo)電部12例如使用添加有雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料(例如多晶硅)。導(dǎo)電部12也可以使用金屬。在半導(dǎo)體裝置110中，η個(gè)導(dǎo)電部12的組和I個(gè)柵電極6在X方向上交替地配置。
[0043]ρ型基極區(qū)域2設(shè)置在η—型基極區(qū)域I之上。ρ型基極區(qū)域2設(shè)置在柵電極6和導(dǎo)電部12之間、以及多個(gè)導(dǎo)電部12之間。在圖1所示的例子中，ρ型基極區(qū)域2設(shè)置在第一柵電極61和第一導(dǎo)電部121之間、第一導(dǎo)電部121和第二導(dǎo)電部122之間、以及第二導(dǎo)電部122和第二柵電極62之間。
[0044]η+ +型發(fā)射極區(qū)域3設(shè)置在ρ型基極區(qū)域2之上。η+ +型發(fā)射極區(qū)域3設(shè)置在ρ型基極區(qū)域2的一部分之上且柵電極6偵U。
[0045]η型勢壘區(qū)域13設(shè)置在η_型基極區(qū)域I和ρ型基極區(qū)域2之間。在圖1所示的例子中，η型勢壘區(qū)域13設(shè)置在第一柵電極61和第一導(dǎo)電部121之間、第一導(dǎo)電部121和第二導(dǎo)電部122之間、以及第二導(dǎo)電部122和第二柵電極62之間。
[0046]ρ +型集電極區(qū)域8設(shè)置在η_型基極區(qū)域I的與ρ型基極區(qū)域2相反的一側(cè)。在P +型集電極區(qū)域8和η—型基極區(qū)域I之間也可以設(shè)置有η +型緩沖區(qū)域7。η—型基極區(qū)域I隔著η +型緩沖區(qū)域7層疊在P+型集電極區(qū)域8之上。
[0047]柵極絕緣膜5設(shè)置在多個(gè)柵電極6的每個(gè)與η_型基極區(qū)域1、ρ型基極區(qū)域2、η + +型發(fā)射極區(qū)域3及η型勢壘區(qū)域13之間。柵極絕緣膜5設(shè)置在柵極溝槽4的內(nèi)壁。柵電極6隔著柵極絕緣膜5設(shè)置在柵極溝槽4內(nèi)。柵極絕緣膜5例如使用氧化硅、氮化硅。
[0048]發(fā)射極絕緣膜11設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電部12的各個(gè)導(dǎo)電部與η—型基極區(qū)域1、ρ型基極區(qū)域2及η型勢壘區(qū)域13之間。發(fā)射極絕緣膜11設(shè)置在發(fā)射極溝槽10的內(nèi)壁上。導(dǎo)電部12隔著發(fā)射極絕緣膜11設(shè)置在發(fā)射極溝槽10內(nèi)。發(fā)射極絕緣膜11例如使用氧化硅、氮化硅。
[0049]發(fā)射電極9與ρ型基極區(qū)域2、η++型發(fā)射極區(qū)域3以及多個(gè)導(dǎo)電部12導(dǎo)通。發(fā)射電極9例如設(shè)置在由η_型基極區(qū)域1、ρ型基極區(qū)域2、η + +型發(fā)射極區(qū)域3、η型勢壘區(qū)域13、ρ +型集電極區(qū)域8、柵電極6、導(dǎo)電部12構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體之上的、例如整個(gè)面。
[0050]在柵電極6的上表面設(shè)置有柵極絕緣膜5。因此，發(fā)射電極9隔著柵極絕緣膜5設(shè)置在柵電極6之上，不與柵電極6導(dǎo)通。另一方面，在導(dǎo)電部12的上表面沒有設(shè)置發(fā)射極絕緣膜11。因此，發(fā)射電極9與導(dǎo)電部12的上表面接觸，與導(dǎo)電部12導(dǎo)通。另外，發(fā)射電極9與多個(gè)導(dǎo)電部12之間的ρ型基極區(qū)域2接觸。
[0051]集電極14與p+集電極區(qū)域8導(dǎo)通。集電極14例如設(shè)置在由n_型基極區(qū)域1、ρ型基極區(qū)域2、n++型發(fā)射極區(qū)域3、n型勢壘區(qū)域13、p+型集電極區(qū)域8、柵電極6、導(dǎo)電部12構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體之下的、例如整個(gè)面。
[0052]在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置110中，n_型基極區(qū)域l、p型基極區(qū)域2、n++型發(fā)射極區(qū)域3、η型勢壘區(qū)域13、p+型集電極區(qū)域8、η +型緩沖區(qū)域7中例如使用摻入有雜質(zhì)的娃(摻雜娃(doped silicon))。
[0053]n_型基極區(qū)域I的雜質(zhì)濃度例如為I X 113CnT3以上I X 1015cm_3以下的程度。η型勢壘區(qū)域13的雜質(zhì)濃度比η_型基極區(qū)域I的雜質(zhì)濃度高。η型勢壘區(qū)域13的雜質(zhì)濃度例如為IXlO17cnT3以下的程度。η++型發(fā)射極區(qū)域3的雜質(zhì)濃度比η_型基極區(qū)域I的雜質(zhì)濃度以及η型勢壘區(qū)域13的雜質(zhì)濃度高。η+ +型發(fā)射極區(qū)域3的雜質(zhì)濃度例如為IXlO18cnT3以上IXlO21cnT3以下的程度。
[0054]ρ型基極區(qū)域2的雜質(zhì)濃度例如為I X 117CnT3以上I X 118CnT3以下的程度。ρ +型集電極區(qū)域8的雜質(zhì)濃度比ρ型基極區(qū)域2的雜質(zhì)濃度高。P+型集電極區(qū)域8的雜質(zhì)濃度例如為IXlO17Cnr3以上IXlO19Cnr3以下的程度。
[0055]多個(gè)柵電極6在X方向上的間隔(中心間距離)例如為I μ m以上20 μ m以下的程度。柵電極6的寬度例如為0.5μπι以上2.Ομ--以下的程度。以發(fā)射電極9的下表面9b為基準(zhǔn)，到柵電極6的下端6b為止的長度例如為I μ m以上6 μ m以下的程度。以發(fā)射電極9的下表面9b為基準(zhǔn)，到導(dǎo)電部12的下端12b為止的長度例如為I μ m以上6 μ m以下的程度。
[0056]第一柵電極51與第一導(dǎo)電部121在X方向上的間隔(中心間距離)例如為Ιμπι以上6μπ?以下的程度。多個(gè)導(dǎo)電部12在X方向上的間隔(中心間距離)例如為Ιμ--以上6ym以下的程度。導(dǎo)電部12的寬度例如為0.5 μ m以上2.0 μ m以下的程度。
[0057]以發(fā)射電極9的下表面9b為基準(zhǔn)，到n_型基極區(qū)域I的下端Ib為止的長度例如為50 μ m以上500 μ m以下的程度。以發(fā)射電極9的下表面9b為基準(zhǔn)，到ρ型基極區(qū)域2的下端2b為止的長度例如為0.5 μ m以上5.0 μ m以下的程度。以發(fā)射電極9的下表面9b為基準(zhǔn)，到η + +型發(fā)射極區(qū)域3的下端3b為止的長度例如為2.0 μ m以下的程度。η型勢壘區(qū)域13在Z方向上的長度例如為0.5 μ m以上6 μ m以下的程度。
[0058]P+集電極區(qū)域8的厚度(Z方向上的長度)例如為0.Ιμπι以上3.Ομπι以下的程度。η +型緩沖區(qū)域7的厚度(Ζ方向上的長度)例如為30 μ m以下的程度。
[0059]接著，說明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置110的動(dòng)作。
[0060]若在集電極14被施加高電位、發(fā)射電極9被施加比集電極14的電位低的低電位的狀態(tài)下，對柵電極6施加閾值以上的柵極電位，則在ρ型基極區(qū)域2的與柵極絕緣膜5的界面附近形成反轉(zhuǎn)層(通道)。
[0061]例如，對發(fā)射電極9施加接地電位或者負(fù)電位，對柵電極6施加正電位。對集電極14施加比柵電極6高的正電位。由此，電子從n++型發(fā)射極區(qū)域3經(jīng)由通道而被注入ρ型基極區(qū)域2，成為導(dǎo)通(ON)狀態(tài)。
[0062]此時(shí),空穴(electron hole)還從ρ +型集電極區(qū)域8向n_型基極區(qū)域I注入。被注入n_型基極區(qū)域I的空穴經(jīng)過ρ型基極區(qū)域2從η + +型發(fā)射極區(qū)域3向發(fā)射電極9流動(dòng)。
[0063]在半導(dǎo)體裝置110中，在處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，空穴從ρ +型集電極區(qū)域8向η_型基極區(qū)域I注入，產(chǎn)生電導(dǎo)率調(diào)制(conductivity modulat1n),從而n_型基極區(qū)域I的電阻得以降低。
[0064]另一方面，若對柵電極6施加比閾值低的柵極電位，則在P型基極區(qū)域2的與柵極絕緣膜5的界面附近不形成通道，成為截止?fàn)顟B(tài)。
[0065]在截止?fàn)顟B(tài)下，將n_型基極區(qū)域I所產(chǎn)生的空穴從多個(gè)導(dǎo)電部12之間的ρ型基極區(qū)域2向發(fā)射電極9高效排出。由此，通過截止?fàn)顟B(tài)下的高電場，高效地去除η—型基極區(qū)域I所廣生的空穴，提聞破壞耐量。
[0066]在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置110中，由于在ρ型基極區(qū)域2的正下方設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13，所以在導(dǎo)通狀態(tài)下，促進(jìn)η—型基極區(qū)域I的載流子的蓄積。由此，改善了若集電極-發(fā)射極間飽和電壓Vra (sat/變低則斷開損失Etjff增加的、所謂的折中(Trade-off)的問題。另外，在半導(dǎo)體裝置110中，在第一柵電極61和第二柵電極62之間設(shè)置有與發(fā)射電極9導(dǎo)通的多個(gè)導(dǎo)電部12，所以在ρ型基極區(qū)域2的導(dǎo)電部12側(cè)不形成通道。因此，與在多個(gè)溝道的全部中設(shè)置柵電極6的情況相比，通道容量降低，實(shí)現(xiàn)了開關(guān)動(dòng)作速度的提高。
[0067](第二實(shí)施方式)
[0068]接著，說明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。
[0069]圖2是例示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0070]如圖2所示，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置120中，就柵電極6和導(dǎo)電部12之間的間隔與多個(gè)導(dǎo)電部12之間的間隔的均衡關(guān)系而言，不同于半導(dǎo)體裝置110。此外的結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體裝置I1相同。
[0071]在半導(dǎo)體裝置120中，多個(gè)導(dǎo)電部12在X方向上的間隔W2比第一柵電極61和多個(gè)導(dǎo)電部12當(dāng)中與第一柵電極61相鄰的第一導(dǎo)電部121在X方向上的間隔Wl大。在此，在導(dǎo)電部12為3個(gè)以上的情況下，多個(gè)導(dǎo)電部12的間隔當(dāng)中至少I個(gè)間隔比第一柵電極61和第一導(dǎo)電部121的間隔Wl大即可。
[0072]在這樣的半導(dǎo)體裝置120中，在施加反向偏置電壓時(shí)，與柵電極6相比而導(dǎo)電部12附近的電場較強(qiáng)。由此，在多個(gè)導(dǎo)電部12之間產(chǎn)生雪崩擊穿。由于該雪崩擊穿的產(chǎn)生，而從多個(gè)導(dǎo)電部12之間向發(fā)射電極9引出空穴電流，由此抑制了電流向特殊部位集中。在半導(dǎo)體裝置120中，與半導(dǎo)體裝置110相同，能夠提高開關(guān)動(dòng)作速度，并且能夠提高切斷耐量。
[0073](第三實(shí)施方式)
[0074]接著，說明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。
[0075]圖3是例示第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0076]如圖3所示，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置130中，就柵電極6和導(dǎo)電部12之間的η型勢壘區(qū)域13的雜質(zhì)濃度與多個(gè)導(dǎo)電部12之間的η型勢壘區(qū)域13的雜質(zhì)濃度的均衡關(guān)系而言，不同于半導(dǎo)體裝置110。此外的結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體裝置110相同。
[0077]在半導(dǎo)體裝置130中，η型勢壘區(qū)域13具有設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電部12之間的第一部分131和設(shè)置在第一柵電極61和第一導(dǎo)電部121之間的第二部分132。另外,第一部分131的雜質(zhì)濃度比第二部分132的雜質(zhì)濃度高。在此，在導(dǎo)電部12為3個(gè)以上的情況下，將多個(gè)導(dǎo)電部12之間當(dāng)中的至少I個(gè)之間作為第一部分131即可。
[0078]第一部分131的雜質(zhì)濃度例如為IX 118CnT3以下的程度。第二部分132的雜質(zhì)濃度例如為lX1017cm_3以下的程度。
[0079]在這樣的半導(dǎo)體裝置130中，在施加反向偏置電壓時(shí)，與柵電極6相比而導(dǎo)電部12附近的電場較強(qiáng)。由此，在多個(gè)導(dǎo)電部12之間產(chǎn)生雪崩擊穿。由于該雪崩擊穿的產(chǎn)生，而從多個(gè)導(dǎo)電部12之間向發(fā)射電極9引出空穴電流，由此抑制了電流向特殊部位集中。在半導(dǎo)體裝置130中，與半導(dǎo)體裝置110相同，能夠提高開關(guān)動(dòng)作速度，并且能夠提高切斷耐量。
[0080](第四實(shí)施方式)
[0081]接著，說明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。
[0082]圖4是例示第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0083]如圖4所示，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置140中，就柵電極6和導(dǎo)電部12之間的ρ型基極區(qū)域2的雜質(zhì)濃度與多個(gè)導(dǎo)電部12之間的ρ型基極區(qū)域2的雜質(zhì)濃度的均衡關(guān)系而言，不同于半導(dǎo)體裝置110。此外的結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體裝置110相同。
[0084]在半導(dǎo)體裝置140中，P型基極區(qū)域2具有設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電部12之間的第三部分23和設(shè)置在第一柵電極61和第一導(dǎo)電部121之間的第四部分24。另外，第三部分23的雜質(zhì)濃度比第四部分24的雜質(zhì)濃度低。在此，在導(dǎo)電部12為3個(gè)以上的情況下，將多個(gè)導(dǎo)電部12之間當(dāng)中的至少I個(gè)之間作為第三部分23即可。
[0085]第三部分23的雜質(zhì)濃度例如為I X 117CnT3以下的程度。第四部分24的雜質(zhì)濃度例如為IXlO17Cnr3以上IXlO18Cnr3以下的程度。
[0086]在這樣的半導(dǎo)體裝置140中，在施加反向偏置電壓時(shí)，與柵電極6相比而導(dǎo)電部12附近的電場較強(qiáng)。由此，在多個(gè)導(dǎo)電部12之間產(chǎn)生雪崩擊穿。由于該雪崩擊穿的產(chǎn)生，而從多個(gè)導(dǎo)電部12之間向發(fā)射電極9引出空穴電流，由此抑制了電流向特殊部位集中。在半導(dǎo)體裝置140中，與半導(dǎo)體裝置110相同，能夠提高開關(guān)動(dòng)作速度，并且能夠提高切斷耐量。
[0087](第五實(shí)施方式)
[0088]接著，說明第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。
[0089]圖5是例示第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0090]如圖5所示，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置150中，設(shè)置有3個(gè)以上的導(dǎo)電部12，這些導(dǎo)電部12的長度的均衡關(guān)系具有特征。此外的結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體裝置110相同。
[0091]在圖5所示的例子中，多個(gè)導(dǎo)電部12具有與第一柵電極61相鄰的第一導(dǎo)電部
121、與第二柵電極62相鄰的第三導(dǎo)電部123以及設(shè)置在第一導(dǎo)電部121和第三導(dǎo)電部123之間的第二導(dǎo)電部122。另外，第二導(dǎo)電部122的深度(Ζ方向上的長度)Wt2比第一導(dǎo)電部121的深度(Z方向上的長度)Wtl以及第三導(dǎo)電部123的深度(Z方向上的長度)Wt3深。
[0092]在以發(fā)射電極9的下表面9b為基準(zhǔn)的情況下，到第二導(dǎo)電部122的下端122b為止的長度比到柵電極6的下端6b為止的長度長。以發(fā)射電極9的下表面9b為基準(zhǔn)，到第一導(dǎo)電部121的下端121b為止的長度與到柵電極6的下端6b為止的長度實(shí)質(zhì)相等。另外，以發(fā)射電極9的下表面9b為基準(zhǔn)，到第三導(dǎo)電部123的下端123b為止的長度與到柵電極6的下端6b為止的長度實(shí)質(zhì)相等。
[0093]在半導(dǎo)體裝置150中，不與柵電極6相鄰的導(dǎo)電部12 (122)的深度比與柵電極6相鄰的導(dǎo)電部12 (121、123)的深度深。此外，在不與柵電極6相鄰的導(dǎo)電部12為多個(gè)的情況下，這些導(dǎo)電部12中的至少I個(gè)的深度比與柵電極6相鄰的導(dǎo)電部12的深度深即可。
[0094]在這樣的半導(dǎo)體裝置150中，在施加反向偏置電壓時(shí)，與柵電極6相比而導(dǎo)電部12附近的電場較強(qiáng)。由此，在多個(gè)導(dǎo)電部12之間發(fā)生雪崩擊穿。由于該雪崩擊穿的產(chǎn)生，而從多個(gè)導(dǎo)電部12之間向發(fā)射電極9引出空穴電流，由此抑制了電流向特殊部位集中。在半導(dǎo)體裝置150中，與半導(dǎo)體裝置110相同，能夠提高開關(guān)動(dòng)作速度，并且能夠提高切斷耐量。
[0095](第六實(shí)施方式)
[0096]接著，說明第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。
[0097]圖6是例示第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0098]如圖6所示，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置160中，就多個(gè)導(dǎo)電部12之間的層結(jié)構(gòu)而言，不同于半導(dǎo)體裝置110。此外的結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體裝置110相同。
[0099]在半導(dǎo)體裝置160中，多個(gè)導(dǎo)電部12之間的ρ型基極區(qū)域2與ιΓ型基極區(qū)域I相接觸。即，多個(gè)導(dǎo)電部12之間的ρ型基極區(qū)域2與η—型基極區(qū)域I之間沒有設(shè)置η型勢壘區(qū)域13。此外，在設(shè)置有3個(gè)以上的導(dǎo)電部12的情況下，在多個(gè)導(dǎo)電部12之間當(dāng)中的至少I處，P型基極區(qū)域2與η—型基極區(qū)域I相接觸即可。
[0100]在這樣的半導(dǎo)體裝置160中，剛施加反向偏置電壓之后就從多個(gè)導(dǎo)電部12之間的P型基極區(qū)域2引出殘留載流子，所以與柵電極6相比而導(dǎo)電部12附近的電場較強(qiáng)。由此，在多個(gè)導(dǎo)電部12之間發(fā)生雪崩擊穿。由于該雪崩擊穿的產(chǎn)生，而從多個(gè)導(dǎo)電部12之間向發(fā)射電極9引出空穴電流，抑制了電流向特殊部位集中。在半導(dǎo)體裝置160中，與半導(dǎo)體裝置110相同，能夠提高開關(guān)動(dòng)作速度，并且能夠提高切斷耐量。
[0101](第七實(shí)施方式)
[0102]接著，說明第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。
[0103]圖7是例示第七實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0104]如圖7所示，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置170中，就柵電極6和導(dǎo)電部12之間的η型勢壘區(qū)域13的深度與多個(gè)導(dǎo)電部12之間的η型勢壘區(qū)域13的深度的均衡關(guān)系而言，不同于半導(dǎo)體裝置110。此外的結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體裝置110相同。
[0105]在半導(dǎo)體裝置170中，η型勢壘區(qū)域13具有設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電部12之間的第一部分131和設(shè)置在第一柵電極61與第一導(dǎo)電部121之間的第二部分132。另外,第一部分131的深度(Ζ方向上的長度)Wnl比第二部分132的深度(Z方向上的長度)Wn2深。在此，在導(dǎo)電部12為3個(gè)以上的情況下，將多個(gè)導(dǎo)電部12之間當(dāng)中的至少I個(gè)之間作為第一部分131即可。
[0106]第一部分131的深度Wnl例如為6 μ m以下的程度。第二部分132的深度Wn2例如為I μ m以上5 μ m以下的程度。
[0107]在這樣的半導(dǎo)體裝置170中，在施加反向偏置電壓時(shí)，與柵電極6相比而導(dǎo)電部12附近的電場較強(qiáng)。由此，在多個(gè)導(dǎo)電部12之間發(fā)生雪崩擊穿。由于該雪崩擊穿的產(chǎn)生，而從多個(gè)導(dǎo)電部12之間向發(fā)射電極9引出空穴電流，由此抑制了電流向特殊部位集中。在半導(dǎo)體裝置170中，與半導(dǎo)體裝置110相同，能夠提高開關(guān)動(dòng)作速度，并且能夠提高切斷耐量。
[0108](第八實(shí)施方式)
[0109]接著，說明第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。
[0110]圖8是例示第八實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0111]如圖8所示，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置180中，就柵電極6和導(dǎo)電部12之間的P型基極區(qū)域2的深度與多個(gè)導(dǎo)電部12之間的P型基極區(qū)域2的深度的均衡關(guān)系而言，不同于半導(dǎo)體裝置110。此外的結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體裝置110相同。
[0112]在半導(dǎo)體裝置180中，P型基極區(qū)域2具有設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電部12之間的第三部分23和設(shè)置在第一柵電極61與第一導(dǎo)電部121之間的第四部分24。另外，第三部分23的深度(Z方向上的長度)Wp3比第四部分24的深度(Z方向上的長度)Wp4深。在此，在導(dǎo)電部12為3個(gè)以上的情況下，將多個(gè)導(dǎo)電部12之間當(dāng)中的至少I個(gè)之間作為第三部分23即可。
[0113]第三部分23的深度Wp3例如為6 μ m以下的程度。第四部分24的深度Wp4例如Slym以上5 μ m以下的程度。
[0114]在這樣的半導(dǎo)體裝置180中，在施加反向偏置電壓時(shí)，與柵電極6相比而導(dǎo)電部12附近的電場較強(qiáng)。由此，在多個(gè)導(dǎo)電部12之間發(fā)生雪崩擊穿。由于該雪崩擊穿的產(chǎn)生，而從多個(gè)導(dǎo)電部12之間向發(fā)射電極9引出空穴電流，由此抑制了電流向特殊部位集中。在半導(dǎo)體裝置180中，與半導(dǎo)體裝置110相同，能夠提高開關(guān)動(dòng)作速度，并且能夠提高切斷耐量。
[0115](第九實(shí)施方式)
[0116]接著，說明第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。
[0117]圖9是例示第九實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0118]如圖9所示，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置210中，在第一柵電極61和第二柵電極62之間設(shè)置2個(gè)以上的導(dǎo)電部12。在半導(dǎo)體裝置210中，在多個(gè)導(dǎo)電部12之間設(shè)置η型勢壘區(qū)域13。另一方面，在柵電極6和導(dǎo)電部12之間，不設(shè)置η型勢壘區(qū)域13。S卩，在柵電極6與導(dǎo)電部12之間，η—型基極區(qū)域I與ρ型基極區(qū)域2相接觸。
[0119]在圖9所示的半導(dǎo)體裝置210的例子中，設(shè)置有第一導(dǎo)電部121、第二導(dǎo)電部122、第三導(dǎo)電部123以及第四導(dǎo)電部124這4個(gè)導(dǎo)電部12。由此，在4個(gè)導(dǎo)電部12之間構(gòu)成3個(gè)第一區(qū)域Rl。另外，在第一柵電極61與第一導(dǎo)電部121、以及第二柵電極62與第四導(dǎo)電部124之間分別構(gòu)成第二區(qū)域R2。
[0120]在半導(dǎo)體裝置210中，在多個(gè)第一區(qū)域Rl各自中，在η_型基極區(qū)域I與ρ型基極區(qū)域2之間設(shè)置η型勢壘區(qū)域13。另一方面，在第二區(qū)域R2沒有設(shè)置η型勢壘區(qū)域13。在第二區(qū)域R2中，η_型基極區(qū)域I和ρ型基極區(qū)域2相互接觸。
[0121]在這樣的半導(dǎo)體裝置210中，在第一區(qū)域Rl設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13，在第二區(qū)域R2沒有設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13，由此，在施加反向偏置電壓時(shí)，與柵電極6相比而導(dǎo)電部12附近的電場較強(qiáng)。由此，在多個(gè)導(dǎo)電部12附近發(fā)生雪崩擊穿。由于該雪崩擊穿的產(chǎn)生，而從多個(gè)導(dǎo)電部12之間向發(fā)射電極9引出空穴電流，由此抑制了電流向特殊部位集中。在半導(dǎo)體裝置210中，與半導(dǎo)體裝置110相同，能夠提高開關(guān)動(dòng)作速度，并且能夠提高切斷耐量。
[0122](第十實(shí)施方式)
[0123]接著，說明第十實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。
[0124]圖10是例示第十實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0125]如圖10所示，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置220中，在第一柵電極61和第二柵電極62之間設(shè)置3個(gè)以上的導(dǎo)電部12。由此,在多個(gè)導(dǎo)電部12之間構(gòu)成多個(gè)第一區(qū)域R1。在半導(dǎo)體裝置220中，在多個(gè)第一區(qū)域Rl當(dāng)中的至少I個(gè)區(qū)域設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13。另一方面，在柵電極6和導(dǎo)電部12之間不設(shè)置η型勢壘區(qū)域13。即，在柵電極6和導(dǎo)電部12之間，η-型基極區(qū)域I與ρ型基極區(qū)域2相接觸。
[0126]在圖10所示的半導(dǎo)體裝置220的例子中，設(shè)置有第一導(dǎo)電部121、第二導(dǎo)電部
122、第三導(dǎo)電部123以及第四導(dǎo)電部124這4個(gè)導(dǎo)電部12。由此，在4個(gè)導(dǎo)電部12之間構(gòu)成3個(gè)第一區(qū)域R1。另外，在第一柵電極61與第一導(dǎo)電部121之間、以及第二柵電極62和第四導(dǎo)電部124之間分別構(gòu)成第二區(qū)域R2。
[0127]在半導(dǎo)體裝置220中，在該3個(gè)第一區(qū)域Rl當(dāng)中的I個(gè)中,在η_型基極區(qū)域I和P型基極區(qū)域2之間設(shè)置η型勢壘區(qū)域13。在圖10所示的例子中，在第二導(dǎo)電部122和第三導(dǎo)電部123之間的第一區(qū)域Rl中設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13。S卩，在3個(gè)第一區(qū)域Rl當(dāng)中的中央的第一區(qū)域Rl中設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13。
[0128]另一方面，在第一導(dǎo)電部121和第二導(dǎo)電部122之間、以及第三導(dǎo)電部123和第四導(dǎo)電部124之間的第一區(qū)域Rl不設(shè)置η型勢壘區(qū)域13。另外，在第二區(qū)域R2也不設(shè)置η型勢壘區(qū)域13。在沒有設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13的第一區(qū)域Rl以及第二區(qū)域R2，η_型基極區(qū)域I和P型基極區(qū)域2相互接觸。
[0129]在這樣的半導(dǎo)體裝置220中，在多個(gè)第一區(qū)域Rl的至少I個(gè)中設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13，在其以外的第一區(qū)域Rl以及第二區(qū)域R2中不設(shè)置η型勢壘區(qū)域13，所以，在施加反向偏置電壓時(shí)，與柵電極6相比，與設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13的第一區(qū)域Rl相鄰的導(dǎo)電部12附近的電場較強(qiáng)。
[0130]由此，在與設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13的第一區(qū)域Rl相鄰的導(dǎo)電部12附近發(fā)生雪崩擊穿。由于該雪崩擊穿的產(chǎn)生，而從與設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13的第一區(qū)域Rl相鄰的多個(gè)導(dǎo)電部12之間向發(fā)射電極9引出空穴電流，所以抑制了電流向特殊部位集中。在半導(dǎo)體裝置220中，與半導(dǎo)體裝置110相同，能夠提高開關(guān)動(dòng)作速度，并且能夠提高切斷耐量。
[0131]此外，在構(gòu)成有多個(gè)第一區(qū)域Rl的情況下，優(yōu)選相對于構(gòu)成有多個(gè)第一區(qū)域Rl的范圍的中心而言，對稱地設(shè)置η型勢壘區(qū)域13。由此，容易在從第一柵電極61以及第二柵電極62分別均等地離開的部位發(fā)生雪崩擊穿，能夠提高切斷耐量。
[0132]另外，在圖10所示的例子中，說明了在多個(gè)第一區(qū)域Rl當(dāng)中的I個(gè)中設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13的結(jié)構(gòu)，但是也可以是在2個(gè)以上的第一區(qū)域Rl中設(shè)置有η型勢壘區(qū)域13的結(jié)構(gòu)。
[0133]如以上說明的那樣，根據(jù)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)開關(guān)動(dòng)作的高速化。
[0134]此外，以上說明了各實(shí)施方式，但是本發(fā)明不限定于這些例子。例如，關(guān)于本領(lǐng)域技術(shù)人員對上述各實(shí)施方式適當(dāng)?shù)刈芳印h除構(gòu)成要素或進(jìn)行設(shè)計(jì)變更而形成的方案、將各實(shí)施方式的特征適當(dāng)組合而形成的方案，只要具備本發(fā)明的宗旨，就包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0135]雖然說明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但這些實(shí)施方式為示例，不用于限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠以其他的各種形式實(shí)施，在不脫離發(fā)明的宗旨的范圍，能夠進(jìn)行各種省略、替換、變更。這些實(shí)施方式及其變形包含在發(fā)明的范圍和宗旨中，并且也包含在權(quán)利要求書記載的發(fā)明及其等同的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備: 第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)域； 多個(gè)控制電極，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域之上，在第一方向上相互分離； 多個(gè)導(dǎo)電部，設(shè)置在所述多個(gè)控制電極當(dāng)中的第一控制電極和與所述第一控制電極相鄰的第二控制電極之間； 第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)域，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域之上； 第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體區(qū)域，設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域之上； 第一導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體區(qū)域，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體區(qū)域之間； 第二導(dǎo)電型的第五半導(dǎo)體區(qū)域，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的與所述第二半導(dǎo)體區(qū)域相反的一側(cè)； 第一絕緣膜，設(shè)置在所述多個(gè)控制電極的每個(gè)與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域、所述第二半導(dǎo)體區(qū)域、所述第三半導(dǎo)體區(qū)域及所述第四半導(dǎo)體區(qū)域之間； 第二絕緣膜，設(shè)置在所述多個(gè)導(dǎo)電部的每個(gè)與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域、所述第二半導(dǎo)體區(qū)域及所述第四半導(dǎo)體區(qū)域之間； 第一電極，與所述第二半導(dǎo)體區(qū)域、所述第三半導(dǎo)體區(qū)域及所述多個(gè)導(dǎo)電部導(dǎo)通；以及 第二電極，與所述第五半導(dǎo)體區(qū)域?qū)ā?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述多個(gè)導(dǎo)電部在所述第一方向上的間隔比所述第一控制電極和所述多個(gè)導(dǎo)電部當(dāng)中的與所述第一控制電極相鄰的第一導(dǎo)電部之間在所述第一方向上的間隔大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第四半導(dǎo)體區(qū)域具有: 第一部分，設(shè)置在所述多個(gè)導(dǎo)電部之間；以及 第二部分，位于所述第一控制電極和所述多個(gè)導(dǎo)電部當(dāng)中的與所述第一控制電極相鄰的第一導(dǎo)電部之間； 所述第一部分的雜質(zhì)濃度比所述第二部分的雜質(zhì)濃度高。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第二半導(dǎo)體區(qū)域具有: 第三部分，設(shè)置在所述多個(gè)導(dǎo)電部之間；以及 第四部分，位于所述第一控制電極和所述多個(gè)導(dǎo)電部當(dāng)中的與所述第一控制電極相鄰的第一導(dǎo)電部之間； 所述第三部分的雜質(zhì)濃度比所述第四部分的雜質(zhì)濃度低。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述多個(gè)導(dǎo)電部具有: 第一導(dǎo)電部，與所述第一控制電極相鄰； 第三導(dǎo)電部，與所述第二控制電極相鄰；以及 第二導(dǎo)電部，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電部和所述第三導(dǎo)電部之間； 所述第二導(dǎo)電部的深度比所述第一導(dǎo)電部的深度以及所述第三導(dǎo)電部的深度深。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述多個(gè)導(dǎo)電部之間，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域相接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第四半導(dǎo)體區(qū)域具有: 第一部分，設(shè)置在所述多個(gè)導(dǎo)電部之間；以及 第二部分，位于所述第一控制電極和所述多個(gè)導(dǎo)電部當(dāng)中的與所述第一控制電極相鄰的第一導(dǎo)電部之間； 所述第一部分的深度比所述第二部分的深度深。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第二半導(dǎo)體區(qū)域具有: 第三部分，設(shè)置在所述多個(gè)導(dǎo)電部之間；以及 第四部分，位于所述第一控制電極和所述多個(gè)導(dǎo)電部當(dāng)中的與所述第一控制電極相鄰的第一導(dǎo)電部之間； 所述第三部分的深度比所述第四部分的深度深。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述多個(gè)導(dǎo)電部當(dāng)中相鄰的2個(gè)所述導(dǎo)電部之間的區(qū)域?yàn)槎鄠€(gè)的情況下，所述第四半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置在所述多個(gè)區(qū)域當(dāng)中的至少I個(gè)區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述第一控制電極和所述多個(gè)導(dǎo)電部當(dāng)中的與所述第一控制電極相鄰的導(dǎo)電部之間、以及所述第二控制電極和所述多個(gè)導(dǎo)電部當(dāng)中的與所述第二控制電極相鄰的導(dǎo)電部之間，所述第一半導(dǎo)體區(qū)域與所述第二半導(dǎo)體區(qū)域相接觸。
【文檔編號】H01L29/739GK104518015SQ201410017484
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年1月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月1日
【發(fā)明者】下條亮平, 中村和敏, 小倉常雄, 末代知子 申請人:株式會(huì)社東芝