一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置，由于在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的表面包覆有絕緣薄膜，這樣在絕緣薄膜上方采用構圖工藝形成像素電極的圖形的過程中，絕緣薄膜可以保護下方的源極和數(shù)據(jù)線在刻蝕形成像素電極的圖形時不被刻蝕劑所腐蝕，可以避免影響顯示面板的顯示品質；并且，絕緣薄膜是利用絕緣材料代替光刻膠形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形時，對保留在源極、漏極和數(shù)據(jù)線上方的絕緣材料進行固化處理形成的，因此，絕緣薄膜的形成不會增加掩模次數(shù)，還可以省去剝離處理；并且，連接部通過位于漏極上方且貫穿絕緣薄膜的第一過孔將漏極與像素電極電性連接，可以保證顯示面板的正常顯示功能。
【專利說明】一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]液晶顯示屏主要由對向基板，陣列基板，以及位于該兩基板之間的液晶層組成。一般地，在陣列基板一側設置有柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)以及像素電極等圖形；TFT具體包括:相互絕緣的柵極和有源層，以及與有源層分別電性連接的源極和漏極，其中，柵極與柵線電性連接，源極與數(shù)據(jù)線電性連接，漏極與像素電極電性連接。在彩膜基板一側設置有黑矩陣和彩膜層等圖形。
[0003]目前，在現(xiàn)有的陣列基板的制作過程中，一般先采用一次構圖工藝在襯底基板101上形成柵極102和柵線103的圖形，如圖1a所示；然后在襯底基板101上形成一柵絕緣層；在柵絕緣層上與柵極102的圖形對應的區(qū)域形成有源層104的圖形，如圖1b所示；接著形成刻蝕阻擋層105的圖形，如圖1c所示；采用一次構圖工藝形成源極106、漏極107和數(shù)據(jù)線108的圖形，如圖1d所示；最后形成與漏極107電性連接的像素電極109的圖形，如圖1e所示。在形成像素電極109的圖形后，一般還會形成絕緣層和公共電極110的圖形，如圖1f所示。
[0004]其中，在形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形后，一般采用光刻膠構圖工藝形成像素電極的圖形，即先在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上依次層疊形成氧化銦錫(Indium TinOxides, ITO)薄膜和光刻膠薄膜；然后對光刻膠薄膜進行曝光、顯影處理；接著，利用刻蝕劑對未覆蓋光刻膠的ITO薄膜進行刻蝕處理，其中進行刻蝕處理的區(qū)域包括覆蓋在源極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的ITO薄膜；最后，剝離剩余的光刻膠得到像素電極的圖形。
[0005]在具體實施時，一般采用諸如銅的金屬制作源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形，這樣，在對覆蓋在源極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的ITO薄膜進行刻蝕處理時，刻蝕劑會直接接觸到源極和數(shù)據(jù)線，對源極和數(shù)據(jù)線造成腐蝕；并且，在后續(xù)形成絕緣層時的高溫環(huán)境還會加速該腐蝕過程，從而影響液晶顯示屏的顯示品質。
[0006]因此，如何避免源極和數(shù)據(jù)線被刻蝕劑腐蝕，是本領域技術人員亟需解決的技術問題。
【發(fā)明內容】
[0007]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術中存在的源極和數(shù)據(jù)線被刻蝕劑腐蝕的問題。
[0008]因此，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括:襯底基板，位于所述襯底基板上的源極、漏極和數(shù)據(jù)線，以及在所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線所在膜層上設置的像素電極；還包括:連接部，以及包覆于所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的表面的絕緣薄膜；其中，
[0009]所述絕緣薄膜是利用絕緣材料代替光刻膠形成所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形時，對保留在所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理形成的；[0010]所述連接部通過位于所述漏極上方且貫穿所述絕緣薄膜的第一過孔將所述漏極與所述像素電極電性連接。
[0011]本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，由于在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的表面包覆有絕緣薄膜，這樣在絕緣薄膜上方采用構圖工藝形成像素電極的圖形的過程中，絕緣薄膜可以保護下方的源極和數(shù)據(jù)線在刻蝕形成像素電極的圖形時不被刻蝕劑所腐蝕，可以避免影響顯示面板的顯示品質，同時，絕緣薄膜還能有效防止源極和數(shù)據(jù)線與像素電極之間發(fā)生短路的問題；由于絕緣薄膜是利用絕緣材料代替光刻膠形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形時，對保留在源極、漏極和數(shù)據(jù)線上方的絕緣材料進行固化處理形成的，因此，絕緣薄膜的形成不會增加掩模次數(shù)，還可以省去剝離處理；并且，連接部通過位于漏極上方且貫穿絕緣薄膜的第一過孔將漏極與像素電極電性連接，可以保證顯示面板的正常顯示功能。
[0012]具體地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板應用于高級超維場開關型液晶顯示屏時，還包括:在所述像素電極上方依次層疊設置的鈍化層和公共電極；
[0013]所述連接部與所述公共電極同層設置且相互絕緣，且所述第一過孔還貫穿所述鈍化層；
[0014]所述像素電極與所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形互不重疊，所述連接部通過位于所述像素電極上方且貫穿所述鈍化層的第二過孔與所述像素電極電性連接。
[0015]或者，具體地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板應用于高級超維場開關型液晶顯示屏時，還包括:位于所述像素電極與所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線所在膜層之間的公共電極，以及位于所述像素電極與所述公共電極之間的鈍化層；所述公共電極和所述漏極的圖形互不重疊；
[0016]所述連接部與所述像素電極同層設置，所述第一過孔還貫穿所述鈍化層。
[0017]較佳地，為了減小源極、漏極和數(shù)據(jù)線的電阻，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的材料為銅。
[0018]具體地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述絕緣薄膜的材料為樹脂材料。
[0019]進一步地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，還包括:
[0020]位于所述源極和漏極下方且與所述源極和漏極電性連接的有源層；
[0021]與所述有源層相互絕緣且相對設置的柵極。
[0022]本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0023]在襯底基板上利用絕緣材料代替光刻膠采用一次構圖工藝形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形；其中，在進行構圖工藝中的刻蝕處理形成所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形之后，對保留在所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理，形成包覆于所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線表面的絕緣薄膜；
[0024]在形成有所述絕緣薄膜的襯底基板上形成像素電極和連接部的圖形；其中，所述連接部通過位于所述漏極上方且貫穿所述絕緣薄膜的第一過孔將所述漏極與所述像素電極電性連接。
[0025]本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法，由于利用絕緣材料代替光刻膠采用一次構圖工藝形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形，在進行構圖工藝中的刻蝕處理形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形之后，對保留在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理，形成包覆于源極、漏極和數(shù)據(jù)線表面的絕緣薄膜，然后形成像素電極和連接部的圖形，這樣，絕緣薄膜可以保護下方的源極和數(shù)據(jù)線在刻蝕形成像素電極的圖形時不被刻蝕劑所腐蝕，避免影響顯示面板的顯示品質，同時，絕緣薄膜還能有效防止源極和數(shù)據(jù)線與像素電極之間發(fā)生短路的問題；并且，絕緣薄膜的形成也不會增加掩模次數(shù)，還可以省去剝離處理；此外，形成的連接部通過位于漏極上方且貫穿絕緣薄膜的第一過孔將漏極與像素電極電性連接，從而可以保證顯示面板的正常顯示功能。
[0026]具體地，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，所述在襯底基板上形成像素電極的圖形，具體包括:
[0027]在所述襯底基板上形成與所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形互不重疊的像素電極的圖形；
[0028]在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法制得的陣列基板應用于高級超維場開關型液晶顯示屏時，所述方法，還包括:
[0029]在形成有所述像素電極的圖形的襯底基板上形成鈍化層薄膜，通過刻蝕工藝在位于所述漏極上方的所述絕緣薄膜和所述鈍化層薄膜中形成第一過孔；在形成所述第一過孔的同時，在位于所述像素電極上方的所述鈍化層薄膜中形成第二過孔；
[0030]在所述鈍化層的圖形上形成相互絕緣的公共電極和連接部的圖形；所述連接部通過所述第一過孔與所述漏極電性連接，通過所述第二過孔與所述像素電極電性連接。
[0031]或者，具體地，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法制得的陣列基板應用于高級超維場開關型液晶顯示屏時，所述在襯底基板上形成像素電極和連接部的圖形之前，還包括:
[0032]在所述襯底基板上形成與所述漏極的圖形互不重疊的公共電極的圖形；
[0033]在形成有所述公共電極的圖形的襯底基板上形成鈍化層薄膜，通過刻蝕工藝在位于所述漏極上方的所述絕緣薄膜和所述鈍化層薄膜中形成第一過孔；
[0034]所述在襯底基板上形成像素電極和連接部的圖形，具體包括:
[0035]在所述鈍化層的圖形上形成電性連接的像素電極和連接部的圖形；所述連接部通過所述第一過孔與所述漏極電性連接。
[0036]較佳地，為了保證形成的絕緣薄膜的厚度適中，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，對保留在所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理，具體包括:
[0037]對保留在所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行加熱處理，加熱溫度為150°C至220°C，加熱時長為IOmin至2h。
[0038]進一步地，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，所述在襯底基板上形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形之前，還包括:
[0039]在襯底基板上采用一次構圖工藝形成柵極和柵線的圖形；
[0040]在形成有所述柵極和柵線的圖形的襯底基板上形成一柵絕緣層；
[0041]在所述柵絕緣層上與所述柵極對應的區(qū)域形成有源層的圖形；
[0042]在形成有所述有源層的圖形的襯底基板上形成刻蝕阻擋層的圖形。
[0043]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板?！緦＠綀D】
【附圖說明】
[0044]圖1a-圖1f分別為現(xiàn)有技術中陣列基板的制作方法中各步驟的結構示意圖；
[0045]圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板應用于TN型液晶顯示屏時的結構示意圖；
[0046]圖3a和圖3b分別為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結構示意圖；
[0047]圖4為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法的流程圖；
[0048]圖5a_圖5g分別為本發(fā)明實例一中陣列基板的制作方法中各步驟的側視圖；
[0049]圖6a、圖6b和圖6c分別為圖5f、圖5g和圖3a對應的俯視圖；
[0050]圖7a_圖7c分別為本發(fā)明實例二中陣列基板的制作方法中各步驟的俯視圖；
[0051]圖8a和圖8b分別為圖7a和圖7b對應的側視圖。
【具體實施方式】
[0052]下面結合附圖，對本發(fā)明實施例提供的陣列基板、其制作方法及顯示裝置的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0053]附圖中各膜層的形狀和厚度不反映陣列基板的真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內容】
。
[0054]本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，如圖2所示，包括:襯底基板1，位于襯底基板I上的源極、漏極2和數(shù)據(jù)線，以及在源極、漏極2和數(shù)據(jù)線所在膜層上設置的像素電極3 ；還包括:連接部4，以及包覆于源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的表面的絕緣薄膜5 ；
[0055]絕緣薄膜5是利用絕緣材料代替光刻膠形成源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形時，對保留在源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理形成的；
[0056]連接部4通過位于漏極2上方且貫穿絕緣薄膜5的第一過孔A將漏極2與像素電極3電性連接。
[0057]本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，由于在源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的表面包覆有絕緣薄膜5，這樣在絕緣薄膜5上方采用構圖工藝形成像素電極3的圖形的過程中，絕緣薄膜5可以保護下方的源極和數(shù)據(jù)線在刻蝕形成像素電極3的圖形時不被刻蝕劑所腐蝕，可以避免影響顯示面板的顯示品質，同時，絕緣膜層5還能有效防止源極和數(shù)據(jù)線與像素電極3之間發(fā)生短路的問題；由于絕緣薄膜5是利用絕緣材料代替光刻膠采用一次構圖工藝形成源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形時，對保留在源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理形成的，因此，絕緣薄膜5的形成不會增加掩模次數(shù)，而且，還能省去構圖工藝中的剝離處理；并且，連接部4通過位于漏極2上方且貫穿絕緣薄膜5的第一過孔A將漏極2與像素電極3電性連接，可以保證顯示面板的正常顯示功能。
[0058]在具體實施時，包覆于源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的表面的絕緣薄膜5是利用絕緣材料代替光刻膠形成源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形時，對保留在源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理形成的，因此，不需要單獨采用構圖工藝制作絕緣薄膜5，相對于現(xiàn)有技術，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板在實際制作過程中不會增加掩模次數(shù)；并且，在進行構圖工藝中的刻蝕處理形成源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形之后，還可以省去對絕緣材料的剝離處理。
[0059]在具體實施時，對保留在源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理，一般是通過對保留在源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行加熱處理來實現(xiàn)的，將加熱溫度控制在150°C至220°C范圍內，將加熱時長控制在IOmin至2h范圍內。[0060] 在具體實施時，絕緣薄膜5的材料具體可以為樹脂材料，利用樹脂材料代替光刻膠采用構圖工藝形成源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形時，對保留在源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形上方的樹脂材料進行固化處理，可以使樹脂材料向下流動并完全包覆于源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的表面，形成絕緣薄膜5 ;并且，由于對光刻膠進行固化處理并不能使光刻膠向下流動并完全包覆于源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的表面，因此，采用樹脂材料代替光刻膠形成源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形。
[0061 ] 在具體實施時,本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板可以應用于扭轉向列(TwistedNematic, TN)型液晶顯示屏，如圖2所示；或者，也可以應用于高級超維場開關(AdwancedDimension Switch, ADS)型液晶顯示屏,在此不做限定。
[0062]在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板應用于ADS型液晶顯示屏時，如圖3a所示，還可以包括:在像素電極3上方依次層疊設置的鈍化層6和公共電極7 ;連接部4與公共電極7同層設置且相互絕緣，即利用相同的材料(例如氧化銦錫(ΙΤ0，Indium Tin Oxides)或氧化銦鋅(IZO, Idium Zinc Oxides)等)采用一次構圖工藝形成連接部4與公共電極7的圖形，且第一過孔A還貫穿鈍化層6，即第一過孔A貫穿絕緣薄膜5和鈍化層6 ;像素電極3與源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形互不重疊，連接部4通過位于像素電極3上方且貫穿鈍化層6的第二過孔B與像素電極3電性連接。并且，連接部4通過位于漏極2上方且貫穿絕緣薄膜5和鈍化層6的第一過孔A與漏極2電性連接，這樣，漏極2通過連接部4與像素電極3實現(xiàn)電性連接。
[0063]或者，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板應用于ADS型液晶顯示屏時，如圖3b所示，還可以包括:位于像素電極3與源極、漏極2和數(shù)據(jù)線所在膜層之間的公共電極7，以及位于像素電極3與公共電極7之間的鈍化層6 ;公共電極7和漏極2的圖形互不重疊；連接部4與像素電極3同層設置，即利用相同的材料(例如氧化銦錫(ΙΤ0，Indium TinOxides)或氧化銦鋅(IZO, Idium Zinc Oxides)等)采用一次構圖工藝形成連接部4與像素電極3的圖形，第一過孔A還貫穿鈍化層6，即第一過孔A貫穿絕緣薄膜5和鈍化層6。連接部4通過位于漏極2上方且貫穿絕緣薄膜5和鈍化層6的第一過孔A與漏極2電性連接，這樣，漏極2通過連接部4與像素電極3實現(xiàn)電性連接。
[0064]較佳地，為了減小源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的電阻，一般采用金屬銅形成源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形，當然，也可以采用其他金屬形成源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形，在此不做限定。
[0065]并且，由于金屬銅與襯底基板I或其他膜層之間的粘附性較差，可以在金屬銅下方設置諸如MoNb、MoTi或MoW的緩沖層，以防止銅離子向有源層的擴散，還可以提高金屬銅與襯底基板I或其他膜層之間的粘附性。
[0066]本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板在具體實施時，陣列基板中的薄膜晶體管可以為底柵型結構，如圖2、圖3a和圖3b所示，陣列基板還可以包括:位于源極和漏極2下方且與源極和漏極2電性連接的有源層8，以及與有源層8相互絕緣且相對設置的柵極9。具體地，可以在柵極9與有源層8之間設置柵絕緣層10實現(xiàn)柵極9與有源層8相互絕緣。
[0067]當然，陣列基板中的薄膜晶體管還可以為頂柵型結構，即在源極和漏極2的上方設置與源極和漏極2電性連接的有源層8以及與有源層8相互絕緣且相對設置的柵極9，在此不做限定。
[0068]基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，如圖4所示，具體步驟包括:
[0069]S401、在襯底基板上利用絕緣材料代替光刻膠采用一次構圖工藝形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形；其中，在進行構圖工藝中的刻蝕處理形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形之后，對保留在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理，形成包覆于源極、漏極和數(shù)據(jù)線表面的絕緣薄膜；
[0070]具體地，為了減小源極、漏極和數(shù)據(jù)線的電阻，一般采用諸如銅的金屬采用一次構圖工藝在襯底基板上形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形，當然，也可以采用其他金屬形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形，在此不做限定；
[0071]并且，為了防止銅離子向有源層的擴散，可以在采用金屬銅形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形之前，形成一層諸如MoNb、MoTi或MoW的緩沖層，同時還可以提高金屬銅與襯底基板或其他膜層之間的粘附性；
[0072]在具體實施時，絕緣薄膜是利用絕緣材料代替光刻膠形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形時，對保留在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理形成的，不需要單獨采用構圖工藝制作絕緣薄膜，這樣，相對于現(xiàn)有技術，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法不會增加掩模次數(shù)；并且，在進行構圖工藝中的刻蝕處理形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形之后，還可以省去對絕緣材料的剝離處理；
[0073]在具體實施時，絕緣薄膜的材料具體可以為樹脂材料，利用樹脂材料代替光刻膠采用構圖工藝形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形時，對保留在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的樹脂材料進行固化處理，可以使樹脂材料向下流動并完全包覆于源極、漏極和數(shù)據(jù)線的表面，形成絕緣薄膜；并且，由于對光刻膠進行固化處理并不能使光刻膠向下流動并完全包覆于源極、漏極和數(shù)據(jù)線的表面，因此，采用樹脂材料代替光刻膠形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形；
[0074]S402、在形成有絕緣薄膜的襯底基板上形成像素電極和連接部的圖形；其中，連接部通過位于漏極上方且貫穿絕緣薄膜的第一過孔將漏極與像素電極電性連接。
[0075]本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法，由于利用絕緣材料代替光刻膠采用一次構圖工藝形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形，在進行構圖工藝中的刻蝕處理形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形之后，對保留在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理，形成包覆于源極、漏極和數(shù)據(jù)線表面的絕緣薄膜，然后形成像素電極和連接部的圖形，這樣，絕緣薄膜可以保護下方的源極和數(shù)據(jù)線在刻蝕形成像素電極的圖形時不被刻蝕劑所腐蝕，避免影響顯示面板的顯示品質，同時，絕緣薄膜還能有效防止源極和數(shù)據(jù)線與像素電極之間發(fā)生短路的問題；并且，絕緣薄膜的形成也不會增加掩模次數(shù)，還可以省去剝離處理；此外，形成的連接部通過位于漏極上方且貫穿絕緣薄膜的第一過孔將漏極與像素電極電性連接，從而可以保證顯示面板的正常顯示功能。
[0076]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中的步驟S402在襯底基板上形成像素電極的圖形，具體可以包括:在襯底基板上形成與源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形互不重疊的像素電極的圖形；并且，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法制得的陣列基板應用于ADS型液晶顯示屏時，本發(fā)明實施例提供的上述制作方法還可以包括:[0077]首先，在形成有像素電極的圖形的襯底基板上形成鈍化層薄膜，通過刻蝕工藝在位于漏極上方的絕緣薄膜和鈍化層薄膜中形成第一過孔；在形成第一過孔的同時，在位于像素電極上方的鈍化層薄膜中形成第二過孔；
[0078]然后，在鈍化層的圖形上形成相互絕緣的公共電極和連接部的圖形；連接部通過第一過孔與漏極電性連接，通過第二過孔與像素電極電性連接。
[0079]或者，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法制得的陣列基板應用于ADS型液晶顯示屏時，本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中的步驟S402在襯底基板上形成像素電極和連接部的圖形之前，還可以包括:
[0080]首先，在襯底基板上形成與漏極的圖形互不重疊的公共電極的圖形；
[0081]然后，在形成有公共電極的圖形的襯底基板上形成鈍化層薄膜，通過刻蝕工藝在位于漏極上方的絕緣薄膜和鈍化層薄膜中形成第一過孔；
[0082]具體地，本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中的步驟S402在襯底基板上形成像素電極和連接部的圖形，具體可以包括:在鈍化層的圖形上形成電性連接的像素電極和連接部的圖形；連接部通過第一過孔與漏極電性連接。
[0083]較佳地，為了保證形成的絕緣薄膜的厚度適中，本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中的步驟S401中對保留在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理，具體可以包括:對保留在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行加熱處理，將加熱溫度控制在150°C至220°C范圍內，將加熱時長控制在IOmin至2h范圍內。
[0084]在具體實施時，以制作具有底柵型結構的薄膜晶體管的陣列基板為例進行說明，本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中的步驟S401在襯底基板上形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形之前，還可以包括:
[0085]首先，在襯底基板上采用一次構圖工藝形成柵極和柵線的圖形；
[0086]然后，在形成有柵極和柵線的圖形的襯底基板上形成一柵絕緣層；
[0087]接著，在柵絕緣層上與柵極對應的區(qū)域形成有源層的圖形；
[0088]最后，在形成有有源層的圖形的襯底基板上形成刻蝕阻擋層的圖形。
[0089]下面以兩個具體的實例對上述兩種結構(連接部與公共電極或像素電極同層設置)的陣列基板在應用于ADS型液晶顯示屏時的制作方法的具體實現(xiàn)方式進行詳細說明。
[0090]實例一:連接部與公共電極同層設置的陣列基板的制作方法，具體步驟可以包括:
[0091]1、在襯底基板上采用一次構圖工藝形成柵極和柵線的圖形；
[0092]2、在形成有柵極和柵線的圖形的襯底基板上形成一柵絕緣層；
[0093]3、在柵絕緣層上與柵極對應的區(qū)域形成有源層的圖形；
[0094]4、在形成有有源層的圖形的襯底基板上形成刻蝕阻擋層的圖形；
[0095]5、在形成有刻蝕阻擋層11的圖形的襯底基板I上形成金屬薄膜12，如圖5a所示；
[0096]6、在形成有金屬薄膜12的襯底基板I上涂覆一層樹脂材料，如圖5b所示；
[0097]7、對樹脂材料進行曝光、顯影處理，如圖5c所示；
[0098]8、對未覆蓋樹脂材料的金屬薄膜12進行刻蝕處理，得到源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形，如圖5d所示；
[0099]本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法并沒有對上述步驟1-8進行改進，上述步驟的具體實施與現(xiàn)有技術相同，在此不做贅述；
[0100]9、對保留在源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形上方的樹脂材料進行固化處理，得到絕緣薄膜5的圖形,如圖5e所示；
[0101]在具體實施時，對保留在源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形上方的樹脂材料進行固化處理，可以使樹脂材料向下流動并完全包覆于源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的表面，形成絕緣薄膜5的圖形；
[0102]10、在形成有絕緣薄膜5 (圖6a中未示出)的襯底基板I上形成與源極13 (圖5f中未示出)、漏極2和數(shù)據(jù)線14 (圖5f中未示出)的圖形互不重疊的像素電極3的圖形，如圖5f和圖6a所示；
[0103]11、在形成有像素電極3的圖形的襯底基板I上形成鈍化層6 (圖6b中未示出)薄膜，通過刻蝕工藝在位于漏極2上方的絕緣薄膜5 (圖6b中未示出)和鈍化層6薄膜中形成第一過孔A ;在形成第一過孔A的同時，在位于像素電極3上方的鈍化層6薄膜中形成第二過孔B，如圖5g和圖6b所示；
[0104]12、采用一次構圖工藝在鈍化層6 (圖6c中未示出)的圖形上形成相互絕緣的公共電極7和連接部4的圖形；連接部4通過第一過孔A與漏極2電性連接，通過第二過孔B與像素電極3電性連接，如圖6c和圖3a所示。
[0105]實例二:連接部與像素電極同層設置的陣列基板的制作方法，具體步驟可以包括:
[0106]1、在襯底基板上采用一次構圖工藝形成柵極和柵線的圖形；
[0107]2、在形成有柵極和柵線的圖形的襯底基板上形成一柵絕緣層；
[0108]3、在柵絕緣層上與柵極對應的區(qū)域形成有源層的圖形；
[0109]4、在形成有有源層的圖形的襯底基板上形成刻蝕阻擋層的圖形；
[0110]5、在形成有刻蝕阻擋層11的圖形的襯底基板I上形成金屬薄膜12，如圖5a所示；
[0111]6、在形成有金屬薄膜12的襯底基板I上涂覆一層樹脂材料，如圖5b所示；
[0112]7、對樹脂材料進行曝光、顯影處理，如圖5c所示；
[0113]8、對未覆蓋樹脂材料的金屬薄膜12進行刻蝕處理，得到源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形，如圖5d所示；
[0114]本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法并沒有對上述步驟1-8進行改進，上述步驟的具體實施與現(xiàn)有技術相同，在此不做贅述；
[0115]9、對保留在源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形上方的樹脂材料進行固化處理，得到絕緣薄膜5的圖形,如圖5e所示；
[0116]在具體實施時，對保留在源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的圖形上方的樹脂材料進行固化處理，可以使樹脂材料向下流動并完全包覆于源極、漏極2和數(shù)據(jù)線的表面，形成絕緣薄膜5的圖形；
[0117]10、在形成有絕緣薄膜5 (圖7a中未示出)的襯底基板I上形成與源極13 (圖8a中未示出)、漏極2和數(shù)據(jù)線14 (圖8a中未示出)的圖形互不重疊的公共電極7的圖形，參見圖7a和圖8a所示；
[0118]11、在形成有公共電極7的圖形的襯底基板I上形成鈍化層6 (圖7b中未示出)薄膜，通過刻蝕工藝在位于漏極2上方的絕緣薄膜5 (圖7b中未示出)和鈍化層6薄膜中形成第一過孔A ;如圖7b和圖8b所示；
[0119]12、采用一次構圖工藝在鈍化層6 (圖7c中未示出)的圖形上形成電性連接的像素電極3和連接部4的圖形；連接部4通過第一過孔A與漏極2電性連接，如圖7c和圖3b所示。
[0120]基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，該顯示裝置可以為:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述陣列基板的實施例，重復之處不再贅述。
[0121]本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置，由于在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的表面包覆有絕緣薄膜，這樣在絕緣薄膜上方采用構圖工藝形成像素電極的圖形的過程中，絕緣薄膜可以保護下方的源極和數(shù)據(jù)線在刻蝕形成像素電極的圖形時不被刻蝕劑所腐蝕，可以避免影響顯示面板的顯示品質；同時，絕緣膜層還能有效防止源極和數(shù)據(jù)線與像素電極之間發(fā)生短路的問題；由于絕緣薄膜是利用絕緣材料代替光刻膠采用一次構圖工藝形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形時，對保留在源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理形成的，因此，絕緣薄膜的形成不會增加掩模次數(shù)，而且，還能省去構圖工藝中的剝離處理；并且，形成的連接部通過位于漏極上方且貫穿絕緣薄膜的第一過孔將漏極與像素電極電性連接，可以保證顯示面板的正常顯示功能。
[0122]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種陣列基板，包括:襯底基板，位于所述襯底基板上的源極、漏極和數(shù)據(jù)線，以及在所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線所在膜層上設置的像素電極；其特征在于，還包括:連接部，以及包覆于所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的表面的絕緣薄膜；其中， 所述絕緣薄膜是利用絕緣材料代替光刻膠形成所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形時，對保留在所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理形成的； 所述連接部通過位于所述漏極上方且貫穿所述絕緣薄膜的第一過孔將所述漏極與所述像素電極電性連接。
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括:在所述像素電極上方依次層疊設置的鈍化層和公共電極； 所述連接部與所述公共電極同層設置且相互絕緣，且所述第一過孔還貫穿所述鈍化層； 所述像素電極與所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形互不重疊，所述連接部通過位于所述像素電極上方且貫穿所述鈍化層的第二過孔與所述像素電極電性連接。
3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括:位于所述像素電極與所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線所在膜層之間的公共電極，以及位于所述像素電極與所述公共電極之間的鈍化層；所述公共電極和所述漏極的圖形互不重疊； 所述連接部與所述像素電極同層設置，所述第一過孔還貫穿所述鈍化層。
4.如權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的材料為銅。
5.如權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣薄膜的材料為樹脂材料。
6.如權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 位于所述源極和漏極下方且與所述源極和漏極電性連接的有源層； 與所述有源層相互絕緣且相對設置的柵極。
7.—種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上利用絕緣材料代替光刻膠采用一次構圖工藝形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形；其中，在進行構圖工藝中的刻蝕處理形成所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形之后，對保留在所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理，形成包覆于所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線表面的絕緣薄膜； 在形成有所述絕緣薄膜的襯底基板上形成像素電極和連接部的圖形；其中，所述連接部通過位于所述漏極上方且貫穿所述絕緣薄膜的第一過孔將所述漏極與所述像素電極電性連接。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成像素電極的圖形，具體包括: 在所述襯底基板上形成與所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形互不重疊的像素電極的圖形； 所述方法，還包括: 在形成有所述像素電極的 圖形的襯底基板上形成鈍化層薄膜，通過刻蝕工藝在位于所述漏極上方的所述絕緣薄膜和所述鈍化層薄膜中形成第一過孔；在形成所述第一過孔的同時，在位于所述像素電極上方的所述鈍化層薄膜中形成第二過孔； 在所述鈍化層的圖形上形成相互絕緣的公共電極和連接部的圖形；所述連接部通過所述第一過孔與所述漏極電性連接，通過所述第二過孔與所述像素電極電性連接。
9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成像素電極和連接部的圖形之前，還包括: 在所述襯底基板上形成與所述漏極的圖形互不重疊的公共電極的圖形； 在形成有所述公共電極的圖形的襯底基板上形成鈍化層薄膜，通過刻蝕工藝在位于所述漏極上方的所述絕緣薄膜和所述鈍化層薄膜中形成第一過孔； 所述在襯底基板上形成像素電極和連接部的圖形，具體包括: 在所述鈍化層的圖形上形成電性連接的像素電極和連接部的圖形；所述連接部通過所述第一過孔與所述漏極電性連接。
10.如權利要求7-9任一項所述的方法，其特征在于，對保留在所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行固化處理，具體包括: 對保留在所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形上方的絕緣材料進行加熱處理，加熱溫度為150°C至220°C，加熱時長為IOmin至2h。
11.如權利要求7-9任一項所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形之前，還包括: 在襯底基板上采用一次構圖工藝形成柵極和柵線的圖形； 在形成有所述柵極和柵線的圖形的襯底基板上形成一柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上與所述柵極對應的區(qū)域形成有源層的圖形； 在形成有所述有源層的圖形的襯底基板上形成刻蝕阻擋層的圖形。
12.—種顯示裝置，其特征在于，包括:如權利要求1-6任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK103943637SQ201410143525
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年4月10日 優(yōu)先權日:2014年4月10日
【發(fā)明者】崔承鎮(zhèn), 金熙哲, 宋泳錫, 劉圣烈 申請人:京東方科技集團股份有限公司