外延腔體溫度監(jiān)控方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種通過(guò)優(yōu)化外延腔體溫度分布改善外延層錯(cuò)的方法，包括：步驟一：提供至少一襯底，所述襯底中具有摻雜元素；步驟二：將所述襯底放入一外延腔體中，在所述襯底表面生長(zhǎng)一外延層，通過(guò)高溫生長(zhǎng)外延時(shí)激活襯底雜質(zhì)，在所述生長(zhǎng)過(guò)程中，所述襯底不轉(zhuǎn)動(dòng)；步驟三：檢測(cè)所述外延層的表面方塊電阻值的分布情況；步驟四：根據(jù)所述表面方塊電阻值的分布情況判斷所述外延腔體的溫度分布情況。根據(jù)所述外延腔體的溫度分布情況，可以得到所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度，從而可以針對(duì)所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域分別進(jìn)行調(diào)節(jié)溫度，使得所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度保持一致，從而提高在所述外延腔體內(nèi)生長(zhǎng)的外延層的質(zhì)量，改善滑移線等缺陷。
【專利說(shuō)明】外延腔體溫度監(jiān)控方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種外延腔體溫度監(jiān)控方法。
【背景技術(shù)】
[0002]外延即在硅單晶襯底上沿原來(lái)的晶向再生長(zhǎng)一層硅單晶薄膜的工藝。硅外延片是制作半導(dǎo)體分立器件的主要材料，因?yàn)樗饶鼙ＷCPN結(jié)的高擊穿電壓，又能降低器件的正向壓降。硅外延片能讓雙極性電路(IC)的器件做在有重?fù)铰駥拥妮p摻外延層上，形成生長(zhǎng)的PN結(jié)，解決IC的隔離問(wèn)題，因此它也是IC器件的主要原材料。
[0003]對(duì)于半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō)，需要外延層具有完美的晶體結(jié)構(gòu)，然而在實(shí)際的外延生長(zhǎng)過(guò)程中，由于外延腔體內(nèi)的溫度分布不均，會(huì)使得生長(zhǎng)的外延層中具有滑移線等缺陷，從而影響外延層的晶體結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)外延腔體內(nèi)的溫度分布不均時(shí)，外延生長(zhǎng)的晶體的晶格位錯(cuò)，即外延層會(huì)出現(xiàn)滑移線的缺陷。因此，確定外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度對(duì)于外延片的生產(chǎn)具有非常重要作用，但是，現(xiàn)有技術(shù)中并沒(méi)有精確地檢測(cè)方法來(lái)監(jiān)控外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于，提供一種外延腔體溫度監(jiān)控方法，能夠精確地監(jiān)控外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種外延腔體溫度監(jiān)控方法，包括:
[0006]步驟一:提供至少一襯底，所述襯底中具有摻雜元素；
[0007]步驟二:將所述襯底放入一外延腔體中，在所述襯底表面高溫下生長(zhǎng)一外延層，在所述生長(zhǎng)過(guò)程中，所述襯底不轉(zhuǎn)動(dòng)；
[0008]步驟三:檢測(cè)所述外延層的表面方塊電阻值的分布情況；
[0009]步驟四:根據(jù)所述表面方塊電阻值的分布情況判斷所述外延腔體的溫度分布情況。
[0010]可選的，采用離子注入的方法將所述摻雜元素注入所述襯底。
[0011]可選的，所述摻雜元素為磷元素。
[0012]可選的，所述離子注入的能量為50keV?IOOkeV,劑量為5 X IO12CnT2?8 X IO14Cm 2O
[0013]可選的，所述外延層包括多個(gè)部分，所述外延腔體包括多個(gè)與所述部分的位置一一對(duì)應(yīng)的區(qū)域，在所述步驟四中:
[0014]如果所述外延層的一部分的表面方塊電阻值高于其它所述部分的表面方塊電阻值，則所述一部分所對(duì)應(yīng)的所述區(qū)域的溫度低于其它所述區(qū)域的溫度；
[0015]如果所述外延層的一部分的表面方塊電阻值低于其它所述部分的表面方塊電阻值，則所述一部分所對(duì)應(yīng)的所述區(qū)域的溫度高于其它所述區(qū)域的溫度。
[0016]可選的，所述外延層的材料為單晶硅。[0017]可選的，所述襯底為硅襯底。
[0018]可選的，在所述步驟三中，采用四探針的方法測(cè)量49點(diǎn)的表面方塊電阻值，檢測(cè)所述外延層的表面方塊電阻值的分布情況。
[0019]可選的，
[0020]在所述步驟一中，提供兩個(gè)所述襯底，兩個(gè)所述襯底的摻雜元素相同；
[0021]在所述步驟二中，將其中一所述襯底以第一位置放入所述外延腔體生長(zhǎng)所述外延層，將另一所述襯底以第二位置放入所述外延腔體生長(zhǎng)所述外延層；
[0022]在所述步驟三中，檢測(cè)所述第一外延層的表面方塊電阻值的分布情況，并檢測(cè)所述第二外延層的表面方塊電阻值的分布情況；
[0023]在所述步驟四中，根據(jù)兩個(gè)所述襯底的外延層的表面方塊電阻值的分布情況判斷所述外延腔體的溫度分布情況。
[0024]可選的，在所述步驟四中:將所述第一外延層的表面方塊電阻值和所述第二外延層的表面方塊電阻值對(duì)應(yīng)疊加，并求平均值，得到平均表面方塊電阻值分布，根據(jù)所述平均表面方塊電阻值分布，得到所述外延腔體的溫度分布情況。
[0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的外延腔體溫度監(jiān)控方法具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0026]本發(fā)明提供的外延腔體溫度監(jiān)控方法中，包括:步驟一:提供至少一襯底，所述襯底中具有摻雜元素；步驟二:將所述襯底放入一外延腔體中，在所述襯底表面生長(zhǎng)一外延層，在所述生長(zhǎng)過(guò)程中，所述襯底不轉(zhuǎn)動(dòng)；步驟三:檢測(cè)所述外延層的表面方塊電阻值的分布情況；步驟四:根據(jù)所述表面方塊電阻值的分布情況判斷所述外延腔體的溫度分布情況。與現(xiàn)有技術(shù)相比，根據(jù)所述外延腔體的溫度分布情況，可以得到所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度，從而可以針對(duì)所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域分別進(jìn)行調(diào)節(jié)溫度，使得所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度保持一致，從而提高在所述外延腔體內(nèi)生長(zhǎng)的外延層的質(zhì)量，避免或減少外延層中滑移線等缺陷。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例中外延腔體溫度監(jiān)控方法的流程圖；
[0028]圖2-圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例中外延腔體溫度監(jiān)控方法的過(guò)程中的襯底的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例中外延層的俯視圖；
[0030]圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例中外延腔體的俯視圖；
[0031]圖7為本發(fā)明第二實(shí)施例中一襯底以第一位置放入外延腔體的不意圖；
[0032]圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例中一襯底以第二位置放入外延腔體的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的外延腔體溫度監(jiān)控方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0034]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0035]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0036]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種外延腔體溫度監(jiān)控方法，包括:
[0037]步驟一 SlO:提供至少一襯底，所述襯底中具有摻雜元素；
[0038]步驟二 S20:將所述襯底放入一外延腔體中，在所述襯底表面高溫下生長(zhǎng)一外延層，同時(shí)激活所述襯底的摻雜元素，在所述生長(zhǎng)過(guò)程中，所述襯底不轉(zhuǎn)動(dòng)；
[0039]步驟三S30:檢測(cè)所述外延層的表面方塊電阻值的分布情況；
[0040]步驟四S40:根據(jù)所述表面方塊電阻值的分布情況判斷所述外延腔體的溫度分布情況。
[0041]與現(xiàn)有技術(shù)相比，根據(jù)所述外延腔體的溫度分布情況，可以得到所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度，從而可以 針對(duì)所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域分別進(jìn)行調(diào)節(jié)溫度，使得所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度保持一致，從而提高在所述外延腔體內(nèi)生長(zhǎng)的外延層的質(zhì)量，達(dá)到消除滑移線的目的。
[0042]以下列舉所述外延腔體溫度監(jiān)控方法的幾個(gè)實(shí)施例，以清楚說(shuō)明本發(fā)明的內(nèi)容，應(yīng)當(dāng)明確的是，本發(fā)明的內(nèi)容并不限制于以下實(shí)施例，其他通過(guò)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段的改進(jìn)亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。
[0043]第一實(shí)施例
[0044]在本實(shí)施例中，采用一個(gè)所述襯底進(jìn)行檢測(cè)。以下結(jié)合圖1具體說(shuō)明本發(fā)明提供一種外延腔體溫度監(jiān)控方法。
[0045]首先進(jìn)行步驟一 S10，提供一襯底，所述襯底中具有摻雜元素。在步驟一 SlO中，可以采用離子注入的方法將所述摻雜元素注入所述襯底。
[0046]如圖2所示，先提供一不含所述摻雜元素的襯底100，在本實(shí)施例中，所述襯底100為硅襯底，當(dāng)然，所述襯底100還可以為硅鍺襯底、鍺襯底等等。
[0047]對(duì)所述襯底100進(jìn)行離子注入，將所述摻雜元素注入到所述襯底100，如圖3所示，所述襯底100中的點(diǎn)表示所述摻雜元素。較佳的，所述離子注入的能量為50keV~IOOkeV,例如 60keV、80keV 等等，劑量為 5X IO12CnT2 ~8X 1014cnT2，例如 7X IO1W2^X IO1W2 等等。較佳的，所述摻雜元素為磷元素，磷元素比較容易擴(kuò)散，此外，所述摻雜元素還可以為硼元素或砷元素等。
[0048]接著，進(jìn)行步驟二 S20，將所述襯底100放入一外延腔體中，在所述襯底100表面生長(zhǎng)一外延層200，如圖4所示，在所述生長(zhǎng)過(guò)程中，在1100°C以上的溫度下，所述摻雜元素被激活，所述摻雜元素?cái)U(kuò)散到所述外延層200中。所述摻雜元素的擴(kuò)散速度與溫度有關(guān)，溫度越高，所述摻雜元素的擴(kuò)散速度越快。在本實(shí)施例中，在所述生長(zhǎng)過(guò)程中，所述襯底100不轉(zhuǎn)動(dòng)，使得在整個(gè)所述生長(zhǎng)過(guò)程中，所述襯底100相對(duì)于所述外延腔體的位置是固定不動(dòng)的，從而使得所述襯底100上受到的溫度是固定不變的，使得所述外延層200中各部分的溫度不變。
[0049]為了方便說(shuō)明，在圖5中畫出了所述外延層200包括4個(gè)部分,但是,所述外延層200并不限于包括4個(gè)部分，還可以包括2部分、3部分、5部分、6部分，或更多。所述外延層200包括4個(gè)部分201、202、203、204，如圖6所示，所述外延腔體I包括4個(gè)的區(qū)域11、12、13、14，所述區(qū)域11、12、13、14的位置與所述部分201、202、203、204的位置——對(duì)應(yīng)，當(dāng)進(jìn)行所述生長(zhǎng)過(guò)程時(shí)，每一個(gè)所述部分對(duì)應(yīng)一個(gè)所述區(qū)域，例如，所述外延層200包括4個(gè)部分201、202、203、204分別依次對(duì)應(yīng)所述部分201、202、203、204。
[0050]較佳的，所述外延層200的材料為單晶硅，與所述襯底100的材料保持一致，有利于所述摻雜元素的擴(kuò)散。
[0051]隨后，進(jìn)行步驟三S30，檢測(cè)所述外延層的表面方塊電阻值的分布情況。較佳的，可以采用四探針的方法測(cè)量49點(diǎn)的表面方塊電阻值，此為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在此不作贅述。
[0052]最后，進(jìn)行步驟四S40，根據(jù)所述表面方塊電阻值的分布情況判斷所述外延腔體的溫度分布情況。如果所述外延層的一部分的表面方塊電阻值高于其它所述部分的表面方塊電阻值，則所述一部分所對(duì)應(yīng)的所述區(qū)域的溫度低于其它所述區(qū)域的溫度；如果所述外延層的一部分的表面方塊電阻值低于其它所述部分的表面方塊電阻值，則所述一部分所對(duì)應(yīng)的所述區(qū)域的溫度高于其它所述區(qū)域的溫度。
[0053]例如，如果所述部分201的表面方塊電阻值高于所述部分202、203、204的表面方塊電阻值，則說(shuō)明所述部分201內(nèi)的所述磷元素少于所述部分202、203、204內(nèi)的所述磷元素，所述部分201內(nèi)的所述磷元素?cái)U(kuò)散慢，所述區(qū)域11的溫度低于所述區(qū)域12、13、14的溫度。
[0054]如果所述部分201的表面方塊電阻值低于所述部分202、203、204的表面方塊電阻值，則說(shuō)明所述部分201內(nèi)的所述磷元素多于所述部分202、203、204內(nèi)的所述磷元素，所述部分201內(nèi)的所述磷元素?cái)U(kuò)散塊，所述區(qū)域11的溫度高于所述區(qū)域12、13、14的溫度。
[0055]從而，可以根據(jù)所述外延腔體的溫度分布情況，可以得到所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度，從而可以針對(duì)所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域分別進(jìn)行調(diào)節(jié)溫度，使得所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度保持一致，從而提高在所述外延腔體內(nèi)生長(zhǎng)的外延層的質(zhì)量。
[0056]第二實(shí)施例
[0057]請(qǐng)參閱圖7-圖8，具體說(shuō)明本實(shí)施例中的外延腔體溫度監(jiān)控方法。在圖7-圖8中，參考標(biāo)號(hào)表不與圖1-圖6相同的表述與第一實(shí)施方式相同的含義。所述第二實(shí)施例的外延腔體溫度監(jiān)控方法與所述第一實(shí)施例的外延腔體溫度監(jiān)控方法基本相同，其區(qū)別在于:采用兩個(gè)所述襯底進(jìn)行檢測(cè)，因?yàn)橐r底之間往往存在差異性，所以采用兩個(gè)所述襯底進(jìn)行檢測(cè)，以消除誤差或機(jī)臺(tái)的噪音，提高檢測(cè)的準(zhǔn)確度。
[0058]在所述步驟一 SlO中，提供兩個(gè)所述襯底，兩個(gè)所述襯底210、220的摻雜元素相同，包括所述摻雜元素的摻雜方法、摻雜劑量等等。雖然所述襯底210、220中的所述摻雜元素的摻雜方法、摻雜劑量相同。
[0059]在所述步驟二 S20中，將其中一所述襯底以第一位置放入所述外延腔體I生長(zhǎng)第一外延層210，將另一所述襯底以第二位置放入所述外延腔體生長(zhǎng)第二外延層220。
[0060]如圖7和圖8所示，所述第一位置和第二位置的刻痕(notch)的方向不同，此為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解的，在此不作贅述。在圖7中，所述第一外延層210的4個(gè)部分211、212、213、214分別對(duì)應(yīng)所述區(qū)域11、12、13、14。在圖8中，所述第二外延層220的4個(gè)部分223、224、221、222分別對(duì)應(yīng)所述區(qū)域11、12、13、14。
[0061]在所述步驟三S30中，檢測(cè)所述第一外延層210的表面方塊電阻值的分布情況，例如，所述部分211、212、213、214的表面方塊電阻值分別為2.5 Ω.cm、2.6 Ω.cm、2.9 Ω.cm、3.0Ω.cm，所述部分223、224、221、222的表面方塊電阻值分別為2.4 Ω.cm、2.7 Ω.cm、2.8 Ω.οπ1λ3.1 Ω.cm。
[0062]在所述步驟四中，根據(jù)兩個(gè)所述襯底的外延層的表面方塊電阻值的分布情況判斷所述外延腔體的溫度分布情況。較佳的，將所述第一外延層的表面方塊電阻值和所述第二外延層的表面方塊電阻值對(duì)應(yīng)疊加，并求平均值，得到平均表面方塊電阻值分布，根據(jù)所述平均表面方塊電阻值分布，得到所述外延腔體的溫度分布情況。
[0063]在本實(shí)施例中，由于所述部分211、212、213、214的表面方塊電阻值分別為2.5 Ω.cm、2.6Ω.cm、2.9Ω.cm、3.0Ω.cm，所述部分223、224、221、222的表面方塊電阻值分別為
2.4Ω.cm、2.7Ω.cm、2.8Ω.cm、3.1 Ω.cm,則所述區(qū)域 11、12、13、14 所對(duì)應(yīng)的平均表面方塊電阻值分布為:
[0064](2.5 Ω.cm+2.4 Ω.cm) /2、(2.6 Ω.cm+2.7 Ω.cm) /2、(2.8 Ω.cm+2.9 Ω.cm) /2、(3.0 Ω.cm+3.1 Ω.cm) /2
[0065]即平均表面方塊電阻值分布為:2.45 Ω.cm、2.65 Ω.cm、2.85 Ω.cm、3.05 Ω.cm
[0066]則說(shuō)明，所述區(qū)域11、12、13、14的溫度依次遞減，從而可以據(jù)此調(diào)節(jié)各所述區(qū)域
的溫度。
[0067]本發(fā)明的較佳實(shí)施例如上所述，但是并不限于上述公開(kāi)的范圍，所述外延腔體溫度監(jiān)控方法并不限于應(yīng)用于嵌入硅鍺等應(yīng)變誘發(fā)器件的制備，只要是由于所述基底不平整而影響后序工藝(特別是后序的膜層)，采用所述氧化-去氧化層處理的方法，對(duì)所述基底進(jìn)行平整化處理。
[0068]本發(fā)明提供一種外延腔體溫度監(jiān)控方法，包括:步驟一:提供至少一襯底，所述襯底中具有摻雜元素；步驟二:將所述襯底放入一外延腔體中，在所述襯底表面生長(zhǎng)一外延層，在所述生長(zhǎng)過(guò)程中，所述襯底不轉(zhuǎn)動(dòng)；步驟三:檢測(cè)所述外延層的表面方塊電阻值的分布情況；步驟四:根據(jù)所述表面方塊電阻值的分布情況判斷所述外延腔體的溫度分布情況。與現(xiàn)有技術(shù)相比，根據(jù)所述外延腔體的溫度分布情況，可以得到所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度，從而可以針對(duì)所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域分別進(jìn)行調(diào)節(jié)溫度，使得所述外延腔體內(nèi)各區(qū)域的溫度保持一致，從而提高在所述外延腔體內(nèi)生長(zhǎng)的外延層的質(zhì)量，避免或減少外延層中滑移線等缺陷。
[0069]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種外延腔體溫度監(jiān)控方法，包括: 步驟一:提供至少一襯底，所述襯底中具有摻雜元素； 步驟二:將所述襯底放入一外延腔體中，在所述襯底表面生長(zhǎng)一外延層，在所述生長(zhǎng)過(guò)程中，所述襯底不轉(zhuǎn)動(dòng)； 步驟三:檢測(cè)所述外延層的表面方塊電阻值的分布情況； 步驟四:根據(jù)所述表面方塊電阻值的分布情況判斷所述外延腔體的溫度分布情況。
2.如權(quán)利要求1所述的外延腔體溫度監(jiān)控方法，其特征在于，采用離子注入的方法將所述摻雜元素注入所述襯底。
3.如權(quán)利要求2所述的外延腔體溫度監(jiān)控方法，其特征在于，所述摻雜元素為磷元素。
4.如權(quán)利要求3所述的外延腔體溫度監(jiān)控方法，其特征在于，所述離子注入的能量為50keV ~IOOkeV,劑量為 5 X IO12CnT2 ~8 X 1014cnT2。
5.如權(quán)利要求1所述的外延腔體溫度監(jiān)控方法，其特征在于，所述外延層包括多個(gè)部分，所述外延腔體包括多個(gè)與所述部分的位置一一對(duì)應(yīng)的區(qū)域，在所述步驟四中: 如果所述外延層的一部分的表面方塊電阻值高于其它所述部分的表面方塊電阻值，則所述一部分所對(duì)應(yīng)的所述區(qū)域的溫度低于其它所述區(qū)域的溫度； 如果所述外延層的一部分的表面方塊電阻值低于其它所述部分的表面方塊電阻值，則所述一部分所對(duì)應(yīng)的所述區(qū)域的溫度高于其它所述區(qū)域的溫度。
6.如權(quán)利要求1所述的外延腔體溫度監(jiān)控方法，其特征在于，所述外延層的材料為單晶娃。
7.如權(quán)利要求1所述的外延腔體溫度監(jiān)控方法，其特征在于，所述襯底為硅襯底。
8.如權(quán)利要求1所述的外延腔體溫度監(jiān)控方法，其特征在于，在所述步驟三中，采用四探針的方法測(cè)量49點(diǎn)的表面方塊電阻值，檢測(cè)所述外延層的表面方塊電阻值的分布情況。
9.如權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的外延腔體溫度監(jiān)控方法，其特征在于， 在所述步驟一中，提供兩個(gè)所述襯底，兩個(gè)所述襯底的摻雜元素相同； 在所述步驟二中，將其中一所述襯底以第一位置放入所述外延腔體生長(zhǎng)第一外延層，將另一所述襯底以第二位置放入所述外延腔體生長(zhǎng)第二外延層； 在所述步驟三中，檢測(cè)所述第一外延層的表面方塊電阻值的分布情況，并檢測(cè)所述第二外延層的表面方塊電阻值的分布情況； 在所述步驟四中，根據(jù)兩個(gè)所述襯底的外延層的表面方塊電阻值的分布情況判斷所述外延腔體的溫度分布情況。
10.如權(quán)利要求9所述的外延腔體溫度監(jiān)控方法，其特征在于，在所述步驟四中:將所述第一外延層的表面方塊電阻值和所述第二外延層的表面方塊電阻值對(duì)應(yīng)疊加，并求平均值，得到平均表面方塊電阻值分布，根據(jù)所述平均表面方塊電阻值分布，得到所述外延腔體的溫度分布情況。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK104022054SQ201410253924
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年6月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月9日
【發(fā)明者】曹榮, 史超 申請(qǐng)人:上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司