半導(dǎo)體封裝件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體管芯以及半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括：單片管芯；設(shè)置在單片管芯中的驅(qū)動電路、低側(cè)輸出功率器件和高側(cè)輸出功率器件；以及設(shè)置在單片管芯上方和下方的上電極和下電極。
【專利說明】半導(dǎo)體封裝件
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年6月28日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請第10-2013-0075968號的權(quán)益，將其全部公開內(nèi)容通過弓I用并入本文用于所有目的。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]以下描述涉及半導(dǎo)體封裝件，并且涉及例如將驅(qū)動電路、低側(cè)輸出功率器件以及高側(cè)輸出功率器件包括在單片型半導(dǎo)體管芯中的半導(dǎo)體封裝件。

【背景技術(shù)】
[0004]近年來，在電子產(chǎn)品市場中對便攜式產(chǎn)品的需求已快速增長。為了滿足使電子產(chǎn)品易攜帶的需求，在便攜式系統(tǒng)中使用的部件必須在尺寸、重量和厚度上不可避免地減小。
[0005]為了制造在尺寸、重量和厚度上盡可能小的部件，使用了用于減小各個所安裝部件的尺寸的各種技術(shù)。這些技術(shù)包括用于將多個單獨(dú)器件制作到一個芯片中的系統(tǒng)級芯片(system on chip, S0C)技術(shù)、用于將多個單獨(dú)器件集成到一個封裝件中的系統(tǒng)級封裝(system in package, SIP)技術(shù)以及其他類似技術(shù)。
[0006]近年來，隨著功能的通用性和移動通信終端的小型化的趨勢，已經(jīng)將嵌入在終端中的各種部件或嵌入在相關(guān)手持設(shè)備中的模塊在尺寸上最小化。移動通信終端包括例如便攜式電話、個人數(shù)字助理(PDA)、智能電話以及用于媒體的各種其他終端如MP3播放器。小型化技術(shù)也應(yīng)用于其他計(jì)算產(chǎn)品，例如平板計(jì)算機(jī)和被稱作超級本的新一代小型筆記本電腦。為了模塊的小型化，已經(jīng)嘗試研究在一個封裝件中實(shí)現(xiàn)無源器件、有源器件以及集成電路(IC)芯片的部件。
[0007]因此，模塊產(chǎn)品的數(shù)量在增加，并且已經(jīng)開發(fā)并推出了各種封裝件以支持小型化模塊的增長需求。例如，公司已經(jīng)開發(fā)了在提高半導(dǎo)體器件的輸出功率密度的同時減小制造成本的各種封裝技術(shù)。
[0008]由于此努力，已經(jīng)開發(fā)了用于三維地耦接半導(dǎo)體管芯的3D堆疊技術(shù)，并且已經(jīng)開發(fā)了與相關(guān)技術(shù)相比集成化的半導(dǎo)體封裝件。然而，由于驅(qū)動電路、低側(cè)輸出功率器件以及高側(cè)功率器件被構(gòu)造在彼此分隔的半導(dǎo)體管芯中，所以對半導(dǎo)體封裝件的集成存在限制。
[0009]將標(biāo)準(zhǔn)管芯附接至在封裝件的底部處露出的銅焊盤。焊盤不是承載高電流的電源電極。焊盤僅是熱電極。在標(biāo)準(zhǔn)單片式降壓轉(zhuǎn)換器的背側(cè)上不存在背墊金屬(backmetal)。不存在電流流動。電源地線(power ground)連接到在QFN(方形扁平無引腳)封裝件的外周上的獨(dú)立引腳，而沒有連接到半導(dǎo)體管芯的底部或所露出的焊盤(參見韓國公開專利第10-2011-0074570號和美國公開專利第2013-0043940號)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]在一個一般性方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，包括:單片管芯；設(shè)置在單片管芯中的驅(qū)動電路、低側(cè)輸出功率器件以及高側(cè)輸出功率器件；以及設(shè)置在單片管芯上方和下方的上電極和下電極，下電極電連接到電源地線，其中低側(cè)輸出功率器件包括底部源極型橫向雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)。
[0011]下電極可以電連接到低側(cè)輸出功率器件的源極區(qū)。
[0012]高側(cè)輸出功率器件可以包括與低側(cè)輸出功率器件隔開的LDM0S。
[0013]半導(dǎo)體封裝件的一般性方面還可以包括與下電極直接接觸的第一引線框。
[0014]第一引線框可以電連接到電源地線。
[0015]半導(dǎo)體封裝件的一般性方面還可以包括電連接到上電極的第二引線框。
[0016]上電極可以電連接到單片管芯的輸入節(jié)點(diǎn)和切換節(jié)點(diǎn)。
[0017]第二引線框可以通過線接合或帶接合而連接到上電極。
[0018]第二引線框可以通過銅夾而連接到上電極。
[0019]銅夾可以包括彼此不同的兩個或更多個銅夾。
[0020]半導(dǎo)體封裝件的一般性方面還可以包括對驅(qū)動電路、器件以及上電極和下電極進(jìn)行封裝的封裝劑。
[0021]封裝劑可以對半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行封裝，但不包括半導(dǎo)體封裝件的底側(cè)。
[0022]半導(dǎo)體封裝件的一般性方面還可以包括構(gòu)造為將在半導(dǎo)體封裝件內(nèi)部生成的熱耗散到外部的散熱器。
[0023]在另一個一般性方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，包括:單片管芯；包括在單片管芯中的驅(qū)動電路、低側(cè)輸出功率器件和高側(cè)輸出功率器件；設(shè)置在單片管芯上方和下方的上電極和下電極；以及直接接觸上電極的銅夾，其中低側(cè)輸出功率器件包括底部源極型橫向雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)。
[0024]上電極可以電連接到低側(cè)輸出功率器件的源極區(qū)。
[0025]高側(cè)輸出功率器件可以包括隔離于低側(cè)輸出功率器件的單片式LDM0S。
[0026]下電極可以電連接到單片管芯的輸入節(jié)點(diǎn)和切換節(jié)點(diǎn)。
[0027]銅夾可以電連接到電源地線。
[0028]半導(dǎo)體封裝件中銅夾可以僅為一個。
[0029]半導(dǎo)體封裝件的一般性方面還可以包括構(gòu)造成將在半導(dǎo)體封裝件內(nèi)部生成的熱耗散到外部的散熱器，散熱器設(shè)置在銅夾的頂部上。
[0030]在另一個一般性方面，提供了一種半導(dǎo)體管芯，包括:形成在半導(dǎo)體襯底上的第一橫向雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS);隔離于第一 LDMOS的第二 LDMOS ;和形成在半導(dǎo)體襯底下的電源電極，其中電源電極電連接到第一 LDMOS的源極區(qū)并且被構(gòu)造為使得源極電流能夠通過半導(dǎo)體封裝件的底側(cè)流出。
[0031]半導(dǎo)體襯底可以包括高濃度P型區(qū)。
[0032]電源電極可以形成在高濃度P型區(qū)的底表面上。
[0033]第一 LDMOS的源極區(qū)可以通過填充有導(dǎo)體的溝槽或而下沉區(qū)電連接到電源電極。
[0034]第一 LDMOS可以包括底部源極型LDMOS。
[0035]半導(dǎo)體管芯的一般性方面還可以包括形成在半導(dǎo)體襯底中的控制電路。
[0036]可以將控制電路、第一 LDMOS和第二 LDMOS構(gòu)造在單片管芯中。
[0037]其他特征和方面根據(jù)以下詳細(xì)描述、附圖以及所附權(quán)利要求可以是明顯的。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]圖1為半導(dǎo)體封裝件的實(shí)施例的頂視圖。
[0039]圖2為半導(dǎo)體封裝件的實(shí)施例的側(cè)視圖。
[0040]圖3為半導(dǎo)體封裝件的另一實(shí)施例的頂視圖。
[0041]圖4為半導(dǎo)體封裝件的另一實(shí)施例的頂視圖。
[0042]圖5為圖4的半導(dǎo)體封裝件的沿線A-A’所截取的截面圖。
[0043]圖6為圖4的半導(dǎo)體封裝件的沿線B-B’所截取的截面圖。
[0044]圖7為半導(dǎo)體封裝件的另一實(shí)施例的頂視圖。
[0045]圖8為除銅夾之外的半導(dǎo)體封裝件的另一實(shí)施例的頂視圖。
[0046]圖9為圖8的半導(dǎo)體封裝件的沿線A-A’所截取的截面圖。
[0047]圖10為圖8的半導(dǎo)體封裝件的沿線B-B’所截取的截面圖。
[0048]圖11為功率級的實(shí)施例的示意性框圖。
[0049]圖12為僅示出圖7至圖10所示的第一引線框和第二引線框的視圖。
[0050]在整個附圖以及【具體實(shí)施方式】中，除非另外描述，否則相同的附圖標(biāo)記將被理解為指代相同的元件、特征以及結(jié)構(gòu)。為了清楚、說明以及方便的目的，可能將這些元件的相對尺寸和描繪放大。

【具體實(shí)施方式】
[0051]提供以下【具體實(shí)施方式】來幫助讀者獲得對本文中描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的全面理解。因此，將啟發(fā)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員本文中描述的系統(tǒng)、設(shè)備和/或方法的各種改變、修改以及等同方案。同時，為了增加清晰度和簡明性，可以省略對公知的功能和構(gòu)造的描述。
[0052]將理解的是，盡管在本文中關(guān)于器件和方法的各種元件、特征和步驟可以使用術(shù)語第一、第二、A、B等，但這樣的元件、特征和步驟不應(yīng)該被解釋為受限于這些術(shù)語。例如，在不脫離本公開內(nèi)容的范圍的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，第二元件可以被稱為第一元件。在本文中，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個指示物中的任意指示物和所有組口 ο
[0053]在本文中使用的術(shù)語是為了描述用于說明目的的實(shí)施例，而非意在限制本公開內(nèi)容。如本文中所使用的，除非上下文明確地另外指出，否則單數(shù)形式“一”、“一個”以及“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，術(shù)語“包括”和/或“包含”使用在本說明中時指定所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或構(gòu)件的存在，但不排除一個或更多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、構(gòu)件和/或其組的存在或增加。
[0054]在下文中，將參照附圖來描述各個實(shí)施例。
[0055]圖11為示出功率級的實(shí)施例的示意性框圖。參照圖11，提供了驅(qū)動(或驅(qū)動器)電路、低側(cè)輸出功率器件16、高側(cè)輸出功率器件15。此外，驅(qū)動器電路、低側(cè)輸出功率器件16和高側(cè)輸出功率器件15形成在一個半導(dǎo)體管芯10上。也就是說，可以將驅(qū)動器電路、低側(cè)輸出功率器件16和高側(cè)輸出功率器件15制造為封裝在單片型管芯或單片管芯10中，其在圖11中由虛線表示。在單片管芯10中，除驅(qū)動電路之外還可以包括柵極控制電路。
[0056]圖11中由虛線表示的區(qū)域?yàn)樾纬稍趩纹苄?0中的部分，該區(qū)域還對應(yīng)于封裝外形。單片管芯10可以具有未被封裝的露出的底側(cè)。在輸入節(jié)點(diǎn)處將輸入電壓Vinl7施加至高側(cè)輸出功率器件15，并且低側(cè)輸出功率器件16的源極區(qū)16-S通過連接至電源地線19而電源接地。高側(cè)輸出功率器件和低側(cè)功率器件的接合點(diǎn)為高側(cè)輸出功率器件的源極區(qū)15-S并且同時為低側(cè)輸出功率器件的漏極區(qū)16-D。該接合點(diǎn)用作直流(DC)電流輸出端或切換節(jié)點(diǎn)。將DC電流輸出端或切換節(jié)點(diǎn)Vswl8連接到高側(cè)輸出功率器件的源極15-S與低側(cè)輸出功率器件的漏極區(qū)16-D的接合點(diǎn)。將高側(cè)輸出功率器件15和低側(cè)輸出功率器件16的各個柵極連接到柵極控制器電路或驅(qū)動電路的邏輯器件以接收用于柵極控制的信號或邏輯器件的切換信號。
[0057]圖1示出根據(jù)本公開內(nèi)容的半導(dǎo)體封裝件的實(shí)施例的頂視圖，圖2示出該半導(dǎo)體封裝件的側(cè)視圖。
[0058]參照圖1和圖2，半導(dǎo)體封裝件的實(shí)施例包括:單片型中的驅(qū)動電路、低側(cè)輸出功率器件以及高側(cè)輸出功率器件；以及形成在單片管芯的頂部和底部上的上電極和下電極。如圖2所示，下電極可以由背墊金屬11構(gòu)造。半導(dǎo)體封裝件可以包括:非倒裝的半導(dǎo)體管芯10 ;位于半導(dǎo)體管芯10的底部中、并且電連接至半導(dǎo)體管芯10的背墊金屬11的引線框
20;位于半導(dǎo)體管芯10的外周部中、并且與圖2所示的第一引線框20位于相同平面上的第二引線框31、33以及35 ;以及構(gòu)造來電連接半導(dǎo)體管芯10與第二引線框31、33和35的連接單元。在此實(shí)施例中，連接單元可以包括接合線41。
[0059]將構(gòu)造來控制半導(dǎo)體器件的驅(qū)動的驅(qū)動電路(或控制和驅(qū)動電路)、電連接到切換電壓和接地電壓的待驅(qū)動的低側(cè)輸出功率器件、以及電連接到輸入電壓和切換電壓的待驅(qū)動的高側(cè)輸出功率器件包括在單片型半導(dǎo)體管芯10中。半導(dǎo)體管芯10可以通過各種半導(dǎo)體工藝(例如BiCMOS (雙極型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)、BCD等)來制造。下面將描述用于制造半導(dǎo)體管芯10的方法。
[0060]首先，半導(dǎo)體管芯10可以包括P+高摻雜襯底和形成在襯底上的P型外延層。接下來，低成本的簡化BCD工藝可以用于驅(qū)動器電路，或者完整BCD工藝可以用于控制器電路。
[0061]而且，半導(dǎo)體管芯10可以包括與低側(cè)輸出功率器件間隔開(隔離)的高側(cè)輸出功率器件。
[0062]半導(dǎo)體管芯10可以被構(gòu)造為使得低側(cè)輸出功率器件的源極區(qū)電連接至半導(dǎo)體管芯10的襯底。
[0063]在一個實(shí)施例中，低側(cè)輸出功率器件和襯底可以被構(gòu)造為使得低側(cè)輸出功率器件的源極區(qū)通過使用一種或更多種方法而電連接到形成在襯底的底表面上的背墊金屬，所述一種或更多種方法選自:由填充有導(dǎo)體(例如，經(jīng)摻雜的多晶硅)的溝槽或下沉區(qū)、填充有金屬(硅化物、鎢或其組合)的溝槽、或者上述下沉區(qū)和上述溝槽的組合構(gòu)造的摻雜區(qū)，和硅通孔(TSV)。
[0064]低側(cè)輸出功率器件和襯底可以被構(gòu)造為使得低側(cè)輸出功率器件和襯底可以通過在低側(cè)輸出功率器件的有源區(qū)中形成的溝槽或下沉區(qū)進(jìn)行電連接。
[0065]低側(cè)輸出功率器件和襯底可以被構(gòu)造為使得低側(cè)輸出功率器件和襯底可以通過在低側(cè)輸出功率器件的外周中形成的溝槽或下沉區(qū)進(jìn)行電連接。
[0066]低側(cè)輸出功率器件和襯底可以被構(gòu)造為使得低側(cè)輸出功率器件和襯底可以通過形成為通過金屬連接到低側(cè)功率器件的溝槽或下沉區(qū)進(jìn)行電連接。
[0067]參照圖2，在半導(dǎo)體管芯10的底表面上形成有下電極或背墊金屬11。半導(dǎo)體襯底包括作為高濃度P型襯底的P+高摻雜襯底，并且背墊金屬11形成在高濃度P型襯底的底表面上。背墊金屬11可以通過使用各種半導(dǎo)體制造工藝而形成。在此實(shí)施例中，背墊金屬11可以包含導(dǎo)電材料(例如在分立式垂直功率MOSFET中使用的Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Au)，或者其他金屬，例如CrAu、Ti/Al、Ti/Cu等。
[0068]參照圖2，半導(dǎo)體管芯10包括背墊金屬11并且由薄化晶片形成。因而，可以使襯底電阻最小化。
[0069]半導(dǎo)體管芯10可以以非倒裝狀態(tài)形成。
[0070]在一個實(shí)施例中，低側(cè)輸出功率器件可以包括底部源極型橫向雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDM0S或BS-LDM0S)器件。例如，針對應(yīng)用，低側(cè)輸出功率器件可以包括具有低比電阻(Rsp)和低導(dǎo)通電阻(Rdson)以及適當(dāng)擊穿電壓(BVdss)的LDMOS器件。這可以減小管芯尺寸和成本。
[0071]由LDMOS構(gòu)造的低側(cè)輸出功率器件的源極區(qū)電連接到形成在半導(dǎo)體管芯10的底部中的背墊金屬11，并且背墊金屬11用作連接到電源地線的電源電極。因而，根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件可以增加低側(cè)功率器件的效率并且減小寄生電容和電感，以及減小在低側(cè)功率器件中生成的熱阻。
[0072]在一個實(shí)施例中，高側(cè)輸出功率器件可以包括隔離于低側(cè)輸出功率器件的單片式LDMOS器件。也就是說，高側(cè)輸出功率器件可以形成為隔離于低側(cè)輸出功率器件。在一個實(shí)施例中，針對應(yīng)用，高側(cè)輸出功率器件也可以包括具有低比電阻(Rsp)和低導(dǎo)通電阻(Rdson)以及充足擊穿電壓(BVdss)的LDMOS器件。這減小了管芯尺寸和成本。
[0073]在一個實(shí)施例中，例如第一和第二的技術(shù)術(shù)語用于區(qū)分整個技術(shù)部件以便于對其進(jìn)行描述，但這些術(shù)語不表示這些部件在技術(shù)上彼此不同。例如，第一引線框和第二引線框僅以區(qū)域單位來劃分總引線框，但不表示彼此不同的技術(shù)部件。此外，輸入引線框、切換引線框、控制引線框等僅以區(qū)域單位來劃分總引線框，但術(shù)語不表示技術(shù)上彼此不同的部件。
[0074]再返回參照圖2，將第一引線框20設(shè)置為接觸在半導(dǎo)體管芯10的底部上的背墊金屬11。背墊金屬11對應(yīng)于下電極。在實(shí)施例中，第一引線框20可以與半導(dǎo)體管芯10的底表面13接觸以電連接至半導(dǎo)體管芯10的背墊金屬11。在此實(shí)施例中，第一引線框20可以包含選自Cu、Cu合金、鎳-鈀(N1-Pd)、鎳-鈀-金(N1-Pd-Au)、鍍有釬料的Cu及其組合的導(dǎo)電材料。
[0075]在一個實(shí)施例中，第一引線框20電連接到電源地線。由于第一引線框20電連接到電源地線，所以形成在半導(dǎo)體管芯10的底表面上的背墊金屬11電連接到電源電壓。因此，半導(dǎo)體封裝件的實(shí)施例的底表面接地。也就是說，半導(dǎo)體管芯的背墊金屬直接連接到用于低側(cè)輸出功率器件的LDMOS的源極，并且使得源極電流能夠通過半導(dǎo)體封裝件的底表面流出。
[0076]參照圖1，第二引線框31、33以及35設(shè)置在半導(dǎo)體管芯10的外周部中并且連接至半導(dǎo)體管芯的上電極60。上電極60包含導(dǎo)電材料例如Cu。上電極60電連接到半導(dǎo)體管芯10的用于輸入電壓Vin的電極和用于切換電壓Vsw的電極。因而，上電極可以輸送輸入信號和切換信號。上電極可以連接到用于半導(dǎo)體管芯10的接地電壓的電極。
[0077]第二引線框31、33以及35設(shè)置在與第一引線框20相同的平面上。參照圖1和圖2，第二引線框31、33以及35設(shè)置在與第一引線框20相同的平面上，并且設(shè)置在半導(dǎo)體管芯10(或第一引線框20)的前部(或后部)以及左邊或右邊。
[0078]在一個實(shí)施例中，如圖1所示，第二引線框可以包括電連接到輸入電壓的輸入引線框31、電連接到切換電壓的切換引線框33、以及構(gòu)造為提供驅(qū)動控制信號的至少一個控制引線框35。至少一個控制引線框35可以相對于半導(dǎo)體管芯10設(shè)置在一個方向上。輸入引線框31可以根據(jù)半導(dǎo)體管芯設(shè)置在另一方向上。例如，參照圖1，至少一個控制引線框35設(shè)置在圖1中的半導(dǎo)體管芯10的上行方向上，而輸入引線框31設(shè)置在半導(dǎo)體管芯10的左側(cè)。切換引線框33可以被設(shè)置在又一方向上。參照圖1，基于控制引線框35，切換引線框33設(shè)置在半導(dǎo)體管芯10的右邊。然而，第二引線框的布置不限于此，并且在另一實(shí)施例中，輸入引線框31和切換引線框33可以相對于控制引線框35設(shè)置在半導(dǎo)體10的右邊和左邊，或者輸入引線框31和控制引線框35可以被設(shè)置為彼此面對。此外，至少一個控制引線框35可以相對于半導(dǎo)體管芯10設(shè)置在兩個或更多個方向上。例如，至少一個控制引線框35可以設(shè)置在半導(dǎo)體管芯10的左側(cè)(或者在圖1的左側(cè))和右側(cè)(在圖1的右側(cè))，或者設(shè)置在半導(dǎo)體管芯10的上側(cè)(在圖1的上側(cè))和左側(cè)(在圖1的左側(cè))。
[0079]參照圖1，連接單元將半導(dǎo)體管芯10與第二引線框31、33以及35電連接。例如，如圖1所示，連接單元可以通過半導(dǎo)體管芯10的接合焊盤50而將半導(dǎo)體管芯10的頂表面12電連接到第二引線框31、33和35。另外，構(gòu)造為將輸入引線框31和切換引線框33連接到半導(dǎo)體管芯10的連接單元可以包括厚度為0.8密耳(mil)至2密耳的接合線41。例如，可以使用厚度為2密耳(I密耳=0.001英寸)的接合線41或帶接合。此外，構(gòu)造為將至少一個控制引線框35連接到半導(dǎo)體管芯10的連接單元可以包括厚度為0.8密耳至2密耳的接合線41。接合線41可以例如具有I密耳(I密耳=0.001英寸)的厚度或者為帶接合。通過上述構(gòu)造，連接單元可以向包括在半導(dǎo)體管芯10中的電路提供輸入電壓、切換電壓以及特定的驅(qū)動控制信號。
[0080]接合線41可以包含選自Cu、Au、鋁(Al)及其組合的導(dǎo)電材料。除上述材料之外，接合線41還可以包含各種導(dǎo)電材料。
[0081]為了將從輸入引線框31和切換引線框33輸送的輸入電壓和切換電壓輸送到半導(dǎo)體管芯10的特定區(qū)域，可以在半導(dǎo)體管芯10的頂表面12上形成用作上電極60的導(dǎo)體。此時，上電極60可以包括具有圖1所示的形狀的導(dǎo)體或者具有如圖3所示的形狀的導(dǎo)體。
[0082]在一個實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件還可以包括構(gòu)造為對半導(dǎo)體管芯10，第一引線框20，第二引線框31、33和35，以及連接單元進(jìn)行封裝的封裝劑70。參照圖2，封裝劑70可以對第一引線框20以及第二引線框31、33和35進(jìn)行封裝，但不包括第一引線框20以及第二引線框31、33和35的底表面。通過封裝劑70的封裝產(chǎn)生抗外部沖擊的堅(jiān)固半導(dǎo)體封裝件。
[0083]在一個實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件還可以包括構(gòu)造為將從半導(dǎo)體封裝件中的器件生成的熱耗散到外部的散熱器(未示出)。散熱器可以包括含有例如Cu或其他傳導(dǎo)材料的導(dǎo)熱塞(Plug)?？梢詫⑸崞鞣胖脼榕c管芯頂部上的大面積電源電極接觸，并且還可以用模制化合物附接。半導(dǎo)體封裝件可以通過散熱器來控制半導(dǎo)體封裝件中的器件的溫度以提高器件的耐久性和性能。
[0084]包括連接單元例如接合線41的半導(dǎo)體封裝件可以應(yīng)用于由于會限制性能的接合線電阻而用低工作電流來驅(qū)動的電路。例如，半導(dǎo)體封裝件可以應(yīng)用于用2安培至6安培或更小的電流驅(qū)動的電路。
[0085]此外，半導(dǎo)體封裝件的實(shí)施例可以由僅一個半導(dǎo)體管芯10構(gòu)造以提供較薄的半導(dǎo)體封裝件。
[0086]圖4至圖6示出了半導(dǎo)體封裝件的另一實(shí)施例。
[0087]圖4為示出半導(dǎo)體封裝件的實(shí)施例的頂視圖，圖5和圖6為圖4中所示的半導(dǎo)體封裝件的側(cè)視圖。
[0088]參照圖4，與圖3所示的半導(dǎo)體封裝件不同，在圖4的半導(dǎo)體封裝件中，輸入電壓和切換電壓可以通過由銅夾42構(gòu)造的連接單元而電連接到半導(dǎo)體管芯10。在此實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯10不是倒裝的。
[0089]與上述實(shí)施例相似，第一引線框20設(shè)置在半導(dǎo)體管芯10的底部上。第一引線框20與半導(dǎo)體管芯10的底表面13接觸以電連接至用于半導(dǎo)體管芯10的下電極的背墊金屬11。第一引線框20電連接至電源地線。由于第一引線框20電連接至電源地線，所以形成在半導(dǎo)體管芯10的底部上的背墊金屬11電連接至電源地線。因此，半導(dǎo)體封裝件的底部接地。也就是說，半導(dǎo)體管芯的背墊金屬11直接連接到用于低側(cè)輸出功率器件的LDMOS的源極，并且使得源極電流能夠通過半導(dǎo)體封裝件的底部流出。
[0090]例如，參照圖5，第二引線框直接物理連接到與上電極60電連接的銅夾。第二引線框可以包括:通過銅夾42電連接至輸入電壓的輸入引線框31 ;通過銅夾42電連接到接地電壓的頂側(cè)接地引線框32;通過銅夾42電連接到切換電壓的切換引線框33 ;以及構(gòu)造為通過接合線41來提供驅(qū)動控制信號的至少一個控制引線框35。在待彼此電連接的上電極60與銅夾42之間形成導(dǎo)電釬焊材料80。
[0091]參照圖4，銅夾42可以包括兩個或更多個銅夾。這是因?yàn)殂~夾分別連接到用于輸入電壓的電極、用于切換電壓的電極、以及用于接地電壓的電極或電源電極。
[0092]例如，參照圖4，至少一個控制引線框35相對于半導(dǎo)體管芯10設(shè)置在一個方向(在圖4的上側(cè))上。輸入引線框31和頂側(cè)接地引線框32可以設(shè)置在半導(dǎo)體管芯10的基于控制引線框35的左邊(在圖4的左側(cè))。切換引線框33可以設(shè)置在半導(dǎo)體管芯10的基于控制引線框35的右邊(在圖4的右側(cè))。然而，第二引線框的布置不限于此。在另一實(shí)施例中，輸入引線框31和切換引線框33可以設(shè)置在半導(dǎo)體管芯10的相對于控制引線框35的右邊和左邊，或者輸入引線框31和控制引線框35可以設(shè)置為彼此面對。此外，至少一個控制引線框35可以相對于半導(dǎo)體管芯10設(shè)置在兩個或更多個方向上。例如，至少一個控制引線框35可以設(shè)置在半導(dǎo)體管芯10的左邊和右邊，或者設(shè)置在半導(dǎo)體管芯10的上側(cè)和左邊。
[0093]構(gòu)造成將輸入引線框31、頂側(cè)接地引線框32和切換引線框33電連接到半導(dǎo)體管芯10的銅夾42可以包括導(dǎo)電材料如Cu。圖5和圖6示出包括具有上述構(gòu)造的銅夾42的半導(dǎo)體封裝件的沿圖4的線A-A’和線B-B’所截取的截面圖。
[0094]由導(dǎo)體形成的上電極60可以形成在半導(dǎo)體管芯10上，以將來自輸入引線框31、頂側(cè)接地引線框32和切換引線框33的功率輸送到半導(dǎo)體管芯10的特定區(qū)域。釬焊材料80可以應(yīng)用于將銅夾42附接至引線框的連接單元，或者附接至半導(dǎo)體管芯10的上電極60。
[0095]參照圖4，半導(dǎo)體封裝件還可以包括構(gòu)造為對半導(dǎo)體管芯10，第一引線框20，第二引線框31、32、33、35，和銅夾42進(jìn)行封裝的封裝劑70。此時，封裝劑70可以對第一引線框20和第二引線框31、32、33、35進(jìn)行封裝，但不包括第一引線框20和第二引線框31、32、33、35的底表面。因而，封裝產(chǎn)生抗外部沖擊的堅(jiān)固半導(dǎo)體封裝件。
[0096]在一個實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件還可以包括構(gòu)造為將從半導(dǎo)體封裝件中的器件生成的熱耗散到外部的散熱器(未示出)。散熱器可以包括含有例如Cu或其他傳導(dǎo)材料的導(dǎo)熱塞?？蓪⑸崞鞣胖脼榕c管芯頂部上的大面積電源電極接觸，并且還可以用模制化合物附接。半導(dǎo)體封裝件可以通過散熱器來控制半導(dǎo)體封裝件中的器件的溫度以提高器件的耐久性和性能。
[0097]根據(jù)另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件可以應(yīng)用于通過使用銅夾42而用高電流驅(qū)動的電路。例如，半導(dǎo)體封裝件可以應(yīng)用于用6安培或更大的電流驅(qū)動的電路。
[0098]圖7至圖10為示出半導(dǎo)體封裝件的另一實(shí)施例的視圖。
[0099]參照圖7至圖10，根據(jù)另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件包括半導(dǎo)體管芯110，在該半導(dǎo)體管芯110中:在單片型中包括有驅(qū)動電路、低側(cè)輸出功率器件和高側(cè)輸出功率器件，并且在半導(dǎo)體管芯110的頂部112上形成有倒裝的背墊金屬111 ;設(shè)置在半導(dǎo)體管芯110的底部上并且電連接至形成在半導(dǎo)體管芯I1的底部113上的下電極的第一引線框121、122、123和125 ;設(shè)置在半導(dǎo)體管芯110的外周部中并且設(shè)置在與第一引線框121、122、123和125相同平面上的第二引線框130 ;以及構(gòu)造為將形成在半導(dǎo)體管芯110的頂部112上的上電極
111電連接到第二引線框130的銅夾140。與上述實(shí)施例類似，上電極111和下電極160形成在單片管芯的頂部和底部上。如上所述，背墊金屬111用作上電極111。下電極160電連接至用于輸入電壓的電極、用于切換電壓的電極、或者用于接地電壓的電極。
[0100]在單片型半導(dǎo)體管芯110中包括有構(gòu)造為控制半導(dǎo)體器件的驅(qū)動的驅(qū)動電路、電連接至切換電壓和接地電壓的待驅(qū)動的低側(cè)輸出功率器件、以及電連接至輸入電壓和切換電壓的待驅(qū)動的高側(cè)輸出功率器件。半導(dǎo)體管芯110可以通過各種半導(dǎo)體工藝(例如BiCMOS、BCD 等)制造。
[0101]以下將進(jìn)一步描述用于制造半導(dǎo)體管芯110的方法。
[0102]首先，半導(dǎo)體管芯110可以包括P+高摻雜襯底以及形成在襯底上的P型外延層。接下來，可以執(zhí)行低成本的簡化BCD工藝用于形成驅(qū)動器電路，或者可以執(zhí)行完整BCD工藝用于形成控制器電路。
[0103]而且，半導(dǎo)體管芯110可以包括隔離的高側(cè)輸出功率器件。
[0104]可以將半導(dǎo)體管芯Il0構(gòu)造為使得低側(cè)輸出功率器件的源極區(qū)可以電連接到形成在半導(dǎo)體管芯I1的襯底的底部上的下電極。
[0105]在一個實(shí)施例中，可以將低側(cè)輸出功率器件和襯底構(gòu)造為使得低側(cè)輸出功率器件通過使用一種或更多種方法而電連接到襯底，所述一種或更多種方法選自:由填充有導(dǎo)體(例如，經(jīng)摻雜的多晶硅)的溝槽或下沉區(qū)、填充有金屬(硅化物、鎢或其組合)的溝槽、或者上述下沉區(qū)和上述溝槽的組合構(gòu)造的摻雜區(qū)，和硅通孔(TSV)。
[0106]可以將低側(cè)輸出功率器件和襯底構(gòu)造為使得低側(cè)輸出功率器件和襯底可以通過在低側(cè)輸出功率器件的有源區(qū)中形成的溝槽或下沉區(qū)進(jìn)行電連接。
[0107]可以將低側(cè)輸出功率器件和襯底構(gòu)造為使得低側(cè)輸出功率器件的源極區(qū)和形成在半導(dǎo)體管芯110的襯底的底部上的下電極可以通過形成在低側(cè)輸出功率器件的外周中的溝槽或下沉區(qū)進(jìn)行電連接。
[0108]可以將低側(cè)輸出功率器件和襯底構(gòu)造為使得低側(cè)輸出功率器件和襯底可以通過形成為通過金屬連接到低側(cè)功率器件的溝槽或下沉區(qū)進(jìn)行電連接。
[0109]參照圖9和圖10，背墊金屬111形成在半導(dǎo)體管芯110的頂表面上。半導(dǎo)體管芯110的頂表面為單片管芯的底表面，但在圖9和圖10中示出為頂表面，原因是管芯以倒裝芯片位置設(shè)置在引線框上。背墊金屬111可以通過使用各種半導(dǎo)體制造工藝而形成。在一個實(shí)施例中，背墊金屬111可以包含金屬(例如在分立式垂直功率MOSFET中使用的Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Au標(biāo)準(zhǔn)背墊金屬)，或者其他導(dǎo)電材料，例如CrAu、Ti/Al、Ti/Cu等。
[0110]半導(dǎo)體管芯110可以以倒裝狀態(tài)形成。
[0111]在一個實(shí)施例中，低側(cè)輸出功率器件可以包括底部源極型LDMOS (或BS-LDM0S)器件。例如，針對應(yīng)用，低側(cè)輸出功率器件可以包括具有低比電阻(Rsp)和低導(dǎo)通電阻(Rdson)以及適當(dāng)擊穿電壓(BVdss)的LDMOS器件。
[0112]將LDMOS器件的源極區(qū)電連接到半導(dǎo)體管芯110的背墊金屬111，并且背墊金屬111用作電源電極。也就是說，將半導(dǎo)體管芯的背墊金屬直接連接到用于低側(cè)輸出功率器件的LDMOS的源極，并且使得源極電流能夠通過半導(dǎo)體封裝件的底表面流出。因而，根據(jù)另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件可以增加低側(cè)輸出功率器件的效率并且可以減小在低側(cè)功率器件中生成的寄生電容和電感。
[0113]在一個實(shí)施例中，高側(cè)輸出功率器件可以包括隔離于低側(cè)輸出功率器件的單片式LDMOS器件。例如，針對應(yīng)用，高側(cè)輸出功率器件也可以包括具有低比電阻(Rsp)和低導(dǎo)通電阻(Rdson)以及適當(dāng)擊穿電壓(BVdss)的LDMOS器件。
[0114]參照圖8，第一引線框121、122、123和125設(shè)置在半導(dǎo)體管芯110的底部上。第一引線框121、122、123和125可以設(shè)置在半導(dǎo)體管芯110的底部113上，以電連接至半導(dǎo)體管芯110的驅(qū)動電路、低側(cè)輸出功率器件和高側(cè)輸出功率器件。在此實(shí)施例中，單片管芯可以明顯地表示為示出引線框。
[0115]參照圖8所示的實(shí)施例，第一引線框可以包括:電連接至輸入電壓的輸入引線框121 ;電連接至接地電壓的接地引線框122 ;電連接至切換電壓的切換引線框123 ;以及構(gòu)造為提供驅(qū)動控制信號的至少一個控制引線框125。引線框可以根據(jù)包括在半導(dǎo)體管芯110中的構(gòu)造電路的位置和結(jié)構(gòu)而不同地設(shè)置。在實(shí)施例中，第一引線框121、122、123和125的各個引線框可以如圖8所示進(jìn)行設(shè)置，但第一引線框121、122、123和125的布置不限于此。
[0116]第一引線框121、122、123和125可以包括選自Cu、Cu合金、N1-Pd、鎳-鈀-金(N1-Pd-Au)及其組合的導(dǎo)電材料。
[0117]第二引線框130設(shè)置在半導(dǎo)體管芯110的外周部中并且設(shè)置在與第一引線框120相同的平面上。與第一引線框121、122、123和125類似，第二引線框130可以包括選自Cu、Cu合金、N1-Pd、鎳-鈀-金(N1-Pd-Au)、鍍有釬料的銅及其組合的導(dǎo)電材料。
[0118]參照圖7，銅夾140與形成在半導(dǎo)體管芯110的頂部上的背墊金屬111接觸。因此，形成在半導(dǎo)體管芯I1的頂部上的背墊金屬111和第二引線框130通過銅夾140電連接。例如，銅夾140將電連接到接地電壓的第二引線框130電連接至半導(dǎo)體管芯110的電極。
[0119]圖9和圖10示出包括具有以上所述構(gòu)造的銅夾140的半導(dǎo)體封裝件的沿圖8的線A-A’和線B-B’所截取的截面圖。
[0120]可以在半導(dǎo)體管芯110上形成導(dǎo)體160，以將來自包括輸入引線框121、接地引線框122和切換引線框123的第一引線框的功率輸送到半導(dǎo)體管芯110的特定區(qū)域。在此實(shí)施例中，可以應(yīng)用釬焊材料180以將銅夾片140和引線框的連接單元附接，或者將半導(dǎo)體管芯110和第一引線框121、122和123附接在一起。
[0121]圖12為示出僅第一引線框和第二引線框的半導(dǎo)體封裝件的截面圖。圖12示出如上所述的輸入引線框121、接地引線框122和切換引線框123、以及用于第二引線框的接地引線框。
[0122]圖12的半導(dǎo)體封裝件還可以包括構(gòu)造為對半導(dǎo)體管芯110、第一引線框121、122、123和125、第二引線框130、以及銅夾140進(jìn)行封裝的封裝劑170。在此實(shí)施例中，封裝劑170可以對第一引線框121、122、123及125和第二引線框130進(jìn)行封裝，但不包括第一引線框121、122、123及125和第二引線框130的底表面。封裝提供了抗外部沖擊的堅(jiān)固半導(dǎo)體封裝件。
[0123]在一個實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件還可以包括構(gòu)造為將從半導(dǎo)體封裝件中的器件生成的熱耗散到外部的散熱器(未示出)。散熱器可以包括含有例如Cu或其他傳導(dǎo)材料的導(dǎo)熱塞?？梢詫⑸崞鞣胖脼榕c管芯頂部上的大面積電源電極接觸，并且還可以用模制化合物附接。半導(dǎo)體封裝件可以通過散熱器來控制半導(dǎo)體封裝件中的器件的溫度以提高器件的耐久性和性能。
[0124]具有銅夾140的半導(dǎo)體封裝件可以應(yīng)用于用高電流驅(qū)動的電路。例如，半導(dǎo)體封裝件可以應(yīng)用于用6安培或更大的電流驅(qū)動的電路。
[0125]形成在摻雜有P型雜質(zhì)的襯底上并且摻雜有高濃度P型雜質(zhì)的P型外延層可以用作在上述半導(dǎo)體封裝件中所描述的半導(dǎo)體襯底。
[0126]根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實(shí)施例，半導(dǎo)體封裝件由如下半導(dǎo)體管芯構(gòu)造:其中控制電路、低側(cè)輸出功率器件以及高側(cè)輸出功率器件包括在單片型管芯中。因而，與具有控制電路、低側(cè)輸出功率器件和高側(cè)輸出功率器件的不同布置的其他半導(dǎo)體封裝件相比，該半導(dǎo)體封裝件可以良好地集成。
[0127]此外，提供了如下半導(dǎo)體封裝件:其使用半導(dǎo)體襯底作為電源電極以減小低側(cè)功率器件的寄生電容和電感，并且也提高了熱性能，同時使所需的管芯的總數(shù)最小化。
[0128]空間相關(guān)措辭，例如“下”、“之下”、“下部”、“之上”、“上”等，可以用于方便地描述一個器件或元件與其他器件或元件的關(guān)系?？臻g相關(guān)措辭應(yīng)該理解為包括附圖所示的方向，以及器件在使用或操作中的其他方向。例如，表述為位于另一器件“下”或“之下”的器件也可以被放置在所述另一器件“上”。也就是說，因?yàn)榇朕o“下”或“之下”僅用于提供實(shí)施例，所以措辭可以包括朝上方向和朝下方向兩者。此外，器件可以取向?yàn)槠渌较?，從而使對與空間相關(guān)措辭的理解基于該取向。
[0129]此外，措辭“第一導(dǎo)電型”和“第二導(dǎo)電型”可以指彼此相反的導(dǎo)電類型,例如N型和P型或P型和N型。在本文中所說明和例示的實(shí)施例包括其補(bǔ)充實(shí)施例。
[0130]以上已經(jīng)描述了大量實(shí)施例。然而，將理解的是，可以作出各種修改。例如，如果以不同次序執(zhí)行所描述的技術(shù)和/或如果在所描述的系統(tǒng)、構(gòu)造、器件或電路中的構(gòu)件以不同方式進(jìn)行組合和/或被其他構(gòu)件或其等同物替代或補(bǔ)充，則可以實(shí)現(xiàn)合適結(jié)果。因此，其他實(shí)現(xiàn)在所附權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括: 單片管芯； 設(shè)置在所述單片管芯中的驅(qū)動電路、低側(cè)輸出功率器件和高側(cè)輸出功率器件；以及設(shè)置在所述單片管芯上方和下方的上電極和下電極，所述下電極電連接到電源地線，其中所述低側(cè)輸出功率器件包括底部源極型橫向雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述下電極電連接到所述低側(cè)輸出功率器件的源極區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述高側(cè)輸出功率器件包括分離于所述低側(cè)輸出功率器件的LDM0S。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括與所述下電極直接接觸的第一引線框。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第一引線框電連接到所述電源地線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括電連接到所述上電極的第二引線框。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述上電極電連接到所述單片管芯的輸入節(jié)點(diǎn)和切換節(jié)點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第二引線框通過線接合或帶接合連接到所述上電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第二引線框通過銅夾連接到所述上電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述銅夾包括彼此不同的兩個或更多個銅夾。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括對所述驅(qū)動電路、所述器件以及所述上電極和所述下電極進(jìn)行封裝的封裝劑。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述封裝劑對所述半導(dǎo)體封裝件進(jìn)行封裝，但不包括所述半導(dǎo)體封裝件的底側(cè)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括構(gòu)造為將在所述半導(dǎo)體封裝件內(nèi)部生成的熱耗散到外部的散熱器。
14.一種半導(dǎo)體封裝件，包括: 單片管芯； 包括在所述單片管芯中的驅(qū)動電路、低側(cè)輸出功率器件和高側(cè)輸出功率器件； 設(shè)置在所述單片管芯上方和下方的上電極和下電極；以及 與所述上電極直接接觸的銅夾， 其中所述低側(cè)輸出功率器件包括底部源極型橫向雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述上電極電連接到所述低側(cè)輸出功率器件的源極區(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述高側(cè)輸出功率器件包括隔離于所述低側(cè)輸出功率器件的單片式LDMOS。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述下電極電連接到所述單片管芯的輸入節(jié)點(diǎn)和切換節(jié)點(diǎn)。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述銅夾電連接到電源地線。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述銅夾僅為一個。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括構(gòu)造為將從所述半導(dǎo)體封裝件內(nèi)部生成的熱耗散到外部的散熱器，所述散熱器設(shè)置在所述銅夾的頂部上。
21.一種半導(dǎo)體管芯，包括: 形成在半導(dǎo)體襯底上的第一橫向雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)； 隔離于所述第一 LDMOS的第二 LDMOS ；以及 形成在所述半導(dǎo)體襯底下方的電源電極， 其中所述電源電極電連接到所述第一 LDMOS的源極區(qū)，并且構(gòu)造為使得源極電流能夠通過所述半導(dǎo)體封裝件的底側(cè)流出。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體管芯，其中所述半導(dǎo)體襯底包括高濃度P型區(qū)。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體管芯，其中所述電源電極形成在所述高濃度P型區(qū)的底表面上。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體管芯，其中所述第一LDMOS的所述源極區(qū)通過填充有導(dǎo)體的溝槽或下沉區(qū)電連接到所述電源電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體管芯，其中所述第一LDMOS包括底部源極型LDM0S。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體管芯，還包括形成在所述半導(dǎo)體襯底中的控制電路。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體管芯，其中將所述控制電路、所述第一LDMOS和所述第二 LDMOS構(gòu)造在單片管芯中。
【文檔編號】H01L23/495GK104253118SQ201410295608
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】弗朗索瓦·赫伯特 申請人:美格納半導(dǎo)體有限公司