Tft背板的制作方法及tft背板結構的制作方法

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Tft背板的制作方法及tft背板結構的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種TFT背板的制作方法及TFT背板結構，該方法包括：步驟1、在基板(1)上形成柵極(2)與第一金屬電極M1；步驟2、在柵極(2)、第一金屬電極M1與基板(1)上連續(xù)成膜，依次形成柵極絕緣層(3)、半導體層、刻蝕阻擋層，并通過一道光刻制程形成島狀的半導體層(4)與島狀的刻蝕阻擋層(5)；步驟3、通過一道光刻制程圖案化島狀的刻蝕阻擋層(5)與柵極絕緣層(3)，形成數(shù)個刻蝕阻擋層過孔(51)與柵極絕緣層過孔(31)；步驟4、形成源/漏極(6)與第二金屬電極M2；步驟5、形成鈍化保護層(7)；步驟6、形成平坦層(8)；步驟7、形成像素電極層(9)；步驟8、形成像素定義層(10)；步驟9、形成隔離柱(11)。
【專利說明】
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種TFT背板的制作方法及TFT背板結構。 TFT背板的制作方法及TFT背板結構

【背景技術】
[0002] 平面顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用。現(xiàn)有的平面顯示裝置主要包括液晶顯示裝置（Liquid Crystal Display, IXD)及有機電致發(fā)光顯不裝置（Organic Light Emitting Display，OLED) 〇
[0003] OLED由于同時具備自發(fā)光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單等優(yōu)異特性，被認為是下一代平面顯示裝置的新興應用技術。
[0004] 薄膜晶體管（TFT)是平面顯示裝置的重要組成部分。由于TFT可形成在玻璃基板或塑料基板上，所以它們通常作為開光裝置和驅動裝置用在諸如LCD、0LED、電泳顯示裝置 (ETO)上。
[0005] 氧化物半導體TFT技術是當前的熱門技術。由于氧化物半導體具有較高的電子遷移率，而且相比低溫多晶硅（LTPS)，氧化物半導體制程簡單，與非晶硅制程相容性較高，可以應用于IXD、0LED、柔性顯示（Flexible)等領域，且與高世代生產線兼容，可應用于大中小尺寸顯示，具有良好的應用發(fā)展前景。
[0006] 現(xiàn)有的較為成熟的氧化物半導體TFT背板的結構是具有刻蝕阻擋層的結構。如圖 1至圖10所示，現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法，包括如下步驟：
[0007] 步驟1、提供一基板100,在該基板100上成膜第一金屬層，通過一道光刻制程圖案化該第一金屬層，形成位于基板100 -側的柵極200與位于基板100另一側的第一金屬電極Ml ;
[0008] 步驟2、在所述柵極200、第一金屬電極Ml與基板100上成膜柵極絕緣層300,通過一道光刻制程圖案化該柵極絕緣層300,形成柵極絕緣層過孔310,以露出部分柵極200 ;
[0009] 步驟3、在所述柵極絕緣層300上成膜并通過一道光刻制程圖案化，形成島狀的氧化物半導體層400 ;
[0010] 步驟4、在所述氧化物半導體層400與柵極絕緣層300上成膜刻蝕阻擋層500,并通過一道光刻制程圖案化該刻蝕阻擋層500,形成數(shù)個刻蝕阻擋層過孔510,以露出部分氧化物半導體層400 ;
[0011] 步驟5、在所述刻蝕阻擋層500上成膜第二金屬層，通過一道光刻制程圖案化該第二金屬層，形成位于所述基板100 -側的源/漏極600與位于基板100另一側的第二金屬電極M2,所述源/漏極600填充數(shù)個刻蝕阻擋層過孔510與氧化物半導體層400連接，所述源/漏極600填充柵極絕緣層過孔310與柵極200連接；
[0012] 所述第一金屬電極Ml、第二金屬電極M2、及夾在第一、第二金屬電極Ml、M2之間的部分柵極絕緣層300與部分刻蝕阻擋層500形成存儲電容C ;
[0013] 步驟6、在源/漏極600與第二金屬電極M2上形成鈍化保護層700,并通過一道光刻制程使其圖案化；
[0014] 步驟7、在所述鈍化保護層700上形成平坦層800,并通過一道光刻制程使其圖案化；
[0015] 步驟8、在所述平坦層800上形成像素電極層900,并通過一道光刻制程使其圖案化；
[0016] 步驟9、在所述像素電極層900與平坦層800上形成像素定義層1000,并通過一道光刻制程使其圖案化；
[0017] 步驟10、在所述像素定義層1000上形成隔離柱1100。
[0018] 該現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法存在一定的問題，主要表現(xiàn)在三個方面：一、氧化物半導體TFT背板的制作共需要十道光刻制程，其中刻蝕阻擋層500的制作需要一道完整的光刻制程（包括成膜、黃光、蝕刻、剝離等制程工序），造成工序流程較長，生產效率較低，生產成本增加，而工序越多，累積的良率問題也越凸顯；二、柵極絕緣層300、氧化物半導體層400與刻蝕阻擋層500非連續(xù)成膜，氧化物半導體層400與其它兩層的界面容易受到蝕刻液、剝離液的污染，存在造成TFT性能下降的風險；三、存儲電容C由第一金屬電極Ml、第二金屬電極M2、夾在第一、第二金屬電極Ml、M2之間的部分柵極絕緣層300與部分刻蝕阻擋層500形成，由于多了刻蝕阻擋層500的厚度，造成存儲電容C需要較大的面積，引起開口率下降。
[0019] 因此，需要對該方法進行改進，以消除其存在的問題。

【發(fā)明內容】

[0020] 本發(fā)明的目的在于提供一種TFT背板的制作方法，能夠減少光刻制程，縮短工序流程，提高生產效率，降低生產成本，提升良率；避免半導體層與柵極絕緣層、刻蝕阻擋層的界面受到污染，保證TFT的性能；并使得存儲電容面積減小，提高開口率。
[0021] 本發(fā)明的目的還在于提供一種TFT背板的結構，其工序流程較短，生產效率及良率較高，生產成本較低，能夠保證TFT的性能，且存儲電容面積較小，開口率較高。
[0022] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種TFT背板的制作方法，包括如下步驟：步驟 1、提供一基板，在該基板上成膜第一金屬層，并圖案化該第一金屬層，形成位于基板一側的柵極與位于基板另一側的第一金屬電極Ml ;
[0023] 步驟2、在所述柵極、第一金屬電極Ml與基板上連續(xù)成膜，依次形成柵極絕緣層、半導體層、與刻蝕阻擋層，并通過一道光刻制程圖案化所述半導體層與刻蝕阻擋層，形成島狀的半導體層與島狀的刻蝕阻擋層；
[0024] 步驟3、通過一道光刻制程圖案化所述島狀的刻蝕阻擋層與柵極絕緣層，形成數(shù)個刻蝕阻擋層過孔、與柵極絕緣層過孔，分別露出部分半導體層、與柵極；
[0025] 步驟4、在所述島狀的刻蝕阻擋層與柵極絕緣層上成膜第二金屬層，并圖案化該第二金屬層，形成位于所述基板一側的源/漏極與位于基板另一側的第二金屬電極M2 ;所述源/漏極填充數(shù)個刻蝕阻擋層過孔與半導體層連接；所述源/漏極填充柵極絕緣層過孔與柵極連接；位于所述基板另一側的部分柵極絕緣層夾在第二金屬電極M2與第一金屬電極 Ml之間；
[0026] 步驟5、在源/漏極與第二金屬電極M2上形成鈍化保護層，并圖案化該鈍化保護層；
[0027] 步驟6、在所述鈍化保護層上形成平坦層，并圖案化該平坦層；
[0028] 步驟7、在所述平坦層上形成像素電極層，并圖案化該像素電極層；所述像素電極與源/漏極連接；
[0029] 步驟8、在所述像素電極層與平坦層上形成像素定義層，并圖案化該像素定義層。
[0030] 所述TFT背板的制作方法，還包括步驟9、在所述像素定義層上形成隔離柱。
[0031] 所述第一金屬電極Ml、第二金屬電極M2、及夾在第一、第二金屬電極Ml、M2之間的部分柵極絕緣層形成存儲電容C。
[0032] 所述半導體層為氧化物半導體層或非氧化物半導體層。
[0033] 所述氧化物半導體層為IGZ0半導體層。
[0034] 所述鈍化保護層的材料為無機材料，所述平坦層的材料為有機材料，所述像素電極層的材料為ΙΤ0或ΙΖ0,所述像素定義層的材料為有機材料。
[0035] 本發(fā)明還提供一種由上述TFT背板的制作方法制得的TFT背板結構，包括：基板、位于基板一側上的柵極、位于基板另一側上的第一金屬電極Ml、位于柵極、第一金屬電極 Ml與基板上的柵極絕緣層、位于柵極絕緣層上的島狀半島體層、位于半導體層上的島狀刻蝕阻擋層、位于刻蝕阻擋層上的源/漏極、位于第一金屬電極Ml上方的柵極絕緣層上的第二金屬電極M2、位于源/漏極與第二金屬電極M2上的鈍化保護層、位于鈍化保護層上的平坦層、位于平坦層上的像素電極層、位于像素電極層上的像素定義層，所述柵極絕緣層具有柵極絕緣層過孔，所述刻蝕阻擋層具有數(shù)個刻蝕阻擋層過孔，所述源/漏極填充數(shù)個刻蝕阻擋層過孔與半導體層連接，所述源/漏極填充柵極絕緣層過孔與柵極連接，所述第一金屬電極Ml、第二金屬電極M2、及夾在第一、第二金屬電極M1、M2之間的部分柵極絕緣層形成存儲電容C，所述像素電極與源/漏極連接。
[0036] 所述TFT背板結構，還包括位于像素定義層上的隔離柱。
[0037] 所述半導體層為氧化物半導體層或非氧化物半導體層，所述鈍化保護層的材料為無機材料，所述平坦層的材料為有機材料，所述像素電極層的材料為ΙΤ0或ΙΖ0,所述像素定義層的材料為有機材料。
[0038] 所述氧化物半導體層為IGZ0半導體層。
[0039] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明的TFT背板的制作方法，通過連續(xù)成膜依次形成柵極絕緣層、半導體層、與刻蝕阻擋層，并通過一道光刻制程形成島狀的半導體層與島狀的刻蝕阻擋層，一道光刻制程形成數(shù)個刻蝕阻擋層過孔與柵極絕緣層過孔，能夠減少光刻制程，縮短工序流程，提高生產效率，降低生產成本，提升良率；避免半導體層與柵極絕緣層、刻蝕阻擋層的界面受到污染，保證TFT的性能；并使得第一與第二金屬電極之間僅夾有一層柵極絕緣層，存儲電容的面積得以減小，開口率得以提高。本發(fā)明的TFT背板結構，通過設置島狀的半導體層與刻蝕阻擋層，使得工序流程較短，生產效率及良率較高，生產成本較低，能夠保證TFT的性能，且第一與第二金屬電極之間僅夾有一層柵極絕緣層，使得存儲電容面積較小，開口率較高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0040] 為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0041] 附圖中，
[0042] 圖1為現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法步驟1的示意圖；
[0043] 圖2為現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法步驟2的示意圖；
[0044] 圖3為現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法步驟3的示意圖；
[0045] 圖4為現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法步驟4的示意圖；
[0046] 圖5為現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法步驟5的示意圖；
[0047] 圖6為現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法步驟6的示意圖；
[0048] 圖7為現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法步驟7的示意圖；
[0049] 圖8為現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法步驟8的示意圖；
[0050] 圖9為現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法步驟9的示意圖；
[0051] 圖10為現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法步驟10的示意圖；
[0052] 圖11為本發(fā)明的TFT背板的制作方法的流程圖；
[0053] 圖12為本發(fā)明的TFT背板的制作方法步驟1的示意圖；
[0054] 圖13為本發(fā)明的TFT背板的制作方法步驟2的示意圖；
[0055] 圖14為本發(fā)明的TFT背板的制作方法步驟3的示意圖；
[0056] 圖15為本發(fā)明的TFT背板的制作方法步驟4的示意圖；
[0057] 圖16為本發(fā)明的TFT背板的制作方法步驟5的示意圖；
[0058] 圖17為本發(fā)明的TFT背板的制作方法步驟6的示意圖；
[0059] 圖18為本發(fā)明的TFT背板的制作方法步驟7的示意圖；
[0060] 圖19為本發(fā)明的TFT背板的制作方法步驟8的示意圖；
[0061] 圖20為本發(fā)明的TFT背板的制作方法步驟9的示意圖，也是本發(fā)明的TFT背板結構的示意圖。

【具體實施方式】
[0062] 為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0063] 請參閱圖11，本發(fā)明首先提供一種TFT背板的制作方法，該方法包括如下步驟：
[0064] 步驟1、請參閱圖12,提供一基板1，在該基板1上成膜第一金屬層，并通過一道光刻制程圖案化該第一金屬層，形成位于基板1 一側的柵極2與位于基板1另一側的第一金屬電極Ml。
[0065] 所述基板1為透明基板，優(yōu)選的，所述基板1為玻璃基板。
[0066] 步驟2、請參閱圖13,在所述柵極2、第一金屬電極Ml與基板1上連續(xù)成膜，依次形成柵極絕緣層3、半導體層、與刻蝕阻擋層，并通過一道光刻制程圖案化所述半導體層與刻蝕阻擋層，形成島狀的半導體層4與島狀的刻蝕阻擋層5。
[0067] 在該步驟2中，由于柵極絕緣層3、半導體層、與刻蝕阻擋層連續(xù)成膜，能夠避免島狀的半導體層4與柵極絕緣層3、島狀的刻蝕阻擋層5的界面受到污染，保證TFT的性能，使 TFT的性能穩(wěn)定。
[0068] 具體的，所述半導體層4為氧化物半導體層或非氧化物半導體層，進一步的，所述氧化物半導體層為銦鎵鋅氧化物（IGZO)半導體層。
[0069] 步驟3、請參閱圖14,通過一道光刻制程圖案化所述島狀的刻蝕阻擋層5與柵極絕緣層3,形成數(shù)個刻蝕阻擋層過孔51、與柵極絕緣層過孔31，分別露出部分半導體層4、與柵極2。
[0070] 所述步驟2結合該步驟3,通過兩道光刻制程即完成了對柵極絕緣層3、半導體層4 與刻蝕阻擋層5的圖案化，相比于現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法節(jié)省了一道光刻制程，從而縮短了工序流程，提高了生產效率，降低了生產成本，提升了產品良率。
[0071] 步驟4、請參閱圖15,在所述島狀的刻蝕阻擋層5與柵極絕緣層3上成膜第二金屬層，并圖案化該第二金屬層，形成位于所述基板1 一側的源/漏極6與位于基板1另一側的第二金屬電極M2。
[0072] 所述源/漏極6填充數(shù)個刻蝕阻擋層過孔51與半導體層4連接；所述源/漏極6 填充柵極絕緣層過孔31與柵極2連接。
[0073] 位于所述基板1另一側的部分柵極絕緣層3夾在第二金屬電極M2與第一金屬電極Ml之間。所述第一金屬電極Ml、第二金屬電極M2、及夾在第一、第二金屬電極Ml、M2之間的部分柵極絕緣層3形成存儲電容C。相比于現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板的制作方法，由于形成存儲電容C的第一與第二金屬電極Ml、M2之間無刻蝕阻擋層，所述第一與第二金屬電極Ml、M2的間距變小，在相同的有效電容下，所述存儲電容C可以具有較小的面積，從而增加開口率。
[0074] 步驟5、請參閱圖16,在源/漏極6與第二金屬電極M2上形成鈍化保護層7,并通過一道光刻制程圖案化該鈍化保護層7。
[0075] 具體的，所述鈍化保護層7的材料為為無機材料。
[0076] 步驟6、請參閱圖17,在所述鈍化保護層7上形成平坦層8,并通過一道光刻制程圖案化該平坦層8。
[0077] 具體的，所述平坦層8的材料為有機材料。
[0078] 步驟7、請參閱圖18,在所述平坦層8上形成像素電極層9,并通過一道光刻制程圖案化該像素電極層9。
[0079] 所述像素電極9與源/漏極6連接。
[0080] 所述像素電極9的材料為氧化銦錫（ΙΤ0)或氧化銦鋅（ΙΖ0)。
[0081] 步驟8、請參閱圖19,在所述像素電極層9與平坦層8上形成像素定義層10,并通過一道光刻制程圖案化該像素定義層10。
[0082] 具體的，所述像素定義層10的材料為有機材料。
[0083] 步驟9、請參閱圖20,在所述像素定義層10上形成隔離柱11。
[0084] 值得一提的是，依據(jù)產品或制程需求，所述步驟9可以省略。
[0085] 如圖20所示，本發(fā)明還提供一種由該方法制得的TFT背板結構，包括基板1、位于基板1 一側上的柵極2、位于基板1另一側上的第一金屬電極Ml、位于柵極2、第一金屬電極 Ml與基板1上的柵極絕緣層3、位于柵極絕緣層3上的島狀半島體層4、位于半導體層4上的島狀刻蝕阻擋層5、位于刻蝕阻擋層5上的源/漏極6、位于第一金屬電極Ml上方的柵極絕緣層3上的第二金屬電極M2、位于源/漏極6與第二金屬電極M2上的鈍化保護層7、位于鈍化保護層7上的平坦層8、位于平坦層8上的像素電極層9、位于像素電極層9與平坦層8上的像素定義層10,還包括位于像素定義層10上的隔離柱11。
[0086] 所述柵極絕緣層3具有柵極絕緣層過孔31，所述刻蝕阻擋層5具有數(shù)個刻蝕阻擋層過孔51，所述源/漏極6填充數(shù)個刻蝕阻擋層過孔51與半導體層4連接，所述源/漏極 6填充柵極絕緣層過孔31與柵極2連接。所述第一金屬電極Ml、第二金屬電極M2、及夾在第一、第二金屬電極Ml、M2之間的部分柵極絕緣層3形成存儲電容C。所述像素電極9與源/漏極6連接。
[0087] 所述柵極絕緣層3、半導體層4、與刻蝕阻擋層5連續(xù)成膜，通過一道光刻制程形成島狀的半導體層4與島狀刻蝕阻擋層5,在通過一道光刻制程形成數(shù)個刻蝕阻擋層過孔51 與柵極絕緣層過孔31，使得工序流程較短，生產效率及良率較高，生產成本較低，并能夠保證TFT的性能。形成存儲電容C的第一與第二金屬電極Ml、M2之間僅夾有一層柵極絕緣層 3,使得存儲電容C的面積較小，開口率較高。
[0088] 具體的，所述半導體層4為氧化物半導體層或非氧化物半導體層，所述鈍化保護層7的材料為無機材料，所述平坦層8的材料為有機材料，所述像素電極層9的材料為ΙΤ0 或ΙΖ0,所述像素定義層10的材料為有機材料。
[0089] 進一步的，所述氧化物半導體層為IGZ0半導體層。
[0090] 綜上所述，本發(fā)明的本發(fā)明的TFT背板的制作方法，通過連續(xù)成膜依次形成柵極絕緣層、半導體層、與刻蝕阻擋層，并通過一道光刻制程形成島狀的半導體層與島狀的刻蝕阻擋層，一道光刻制程形成數(shù)個刻蝕阻擋層過孔與柵極絕緣層過孔，能夠減少光刻制程，縮短工序流程，提高生產效率，降低生產成本，提升良率；避免半導體層與柵極絕緣層、刻蝕阻擋層的界面受到污染，保證TFT的性能；并使得第一與第二金屬電極之間僅夾有一層柵極絕緣層，存儲電容的面積得以減小，開口率得以提高。本發(fā)明的TFT背板結構，通過設置島狀的半導體層與刻蝕阻擋層，使得工序流程較短，生產效率及良率較高，生產成本較低，能夠保證TFT的性能，且第一與第二金屬電極之間僅夾有一層柵極絕緣層，使得存儲電容面積較小，開口率較高。
[0091] 以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明后附的權利要求的保護范圍。
【權利要求】
1. 一種TFT背板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟1、提供一基板（1)，在該基板（1)上成膜第一金屬層，并圖案化該第一金屬層，形成位于基板（1) 一側的柵極（2)與位于基板（1)另一側的第一金屬電極Ml ; 步驟2、在所述柵極（2)、第一金屬電極Ml與基板（1)上連續(xù)成膜，依次形成柵極絕緣層（3)、半導體層、與刻蝕阻擋層，并通過一道光刻制程圖案化所述半導體層與刻蝕阻擋層，形成島狀的半導體層（4)與島狀的刻蝕阻擋層（5); 步驟3、通過一道光刻制程圖案化所述島狀的刻蝕阻擋層（5)與柵極絕緣層（3)，形成數(shù)個刻蝕阻擋層過孔（51)與柵極絕緣層過孔（31)，分別露出部分半導體層（4)、與柵極 ⑵；步驟4、在所述島狀的刻蝕阻擋層（5)與柵極絕緣層（3)上成膜第二金屬層，并圖案化該第二金屬層，形成位于所述基板（1) 一側的源/漏極（6)與位于基板（1)另一側的第二金屬電極M2 ;所述源/漏極（6)填充數(shù)個刻蝕阻擋層過孔（51)與半導體層（4)連接；所述源/漏極（6)填充柵極絕緣層過孔（31)與柵極（2)連接；位于所述基板（1)另一側的部分柵極絕緣層（3)夾在第二金屬電極M2與第一金屬電極Ml之間；步驟5、在源/漏極（6)與第二金屬電極M2上形成鈍化保護層（7)，并圖案化該鈍化保護層（7); 步驟6、在所述鈍化保護層（7)上形成平坦層（8)，并圖案化該平坦層（8); 步驟7、在所述平坦層（8)上形成像素電極層（9)，并圖案化該像素電極層（9);所述像素電極（9)與源/漏極（6)連接；步驟8、在所述像素電極層（9)與平坦層（8)上形成像素定義層（10)，并圖案化該像素定義層（10)。
2. 如權利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，還包括步驟9、在所述像素定義層（10)上形成隔離柱（11)。
3. 如權利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬電極Ml、第二金屬電極M2、及夾在第一、第二金屬電極Ml、M2之間的部分柵極絕緣層（3)形成存儲電容 C〇
4. 如權利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述半導體層⑷為氧化物半導體層或非氧化物半導體層。
5. 如權利要求4所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半導體層為 IGZO半導體層。
6. 如權利要求1所述的TFT背板的制作方法，其特征在于，所述鈍化保護層（7)的材料為無機材料，所述平坦層（8)的材料為有機材料，所述像素電極層（9)的材料為ITO或IZO，所述像素定義層（10)的材料為有機材料。
7. -種TFT背板結構，其特征在于，包括基板（1)、位于基板（1) 一側上的柵極（2)、位于基板（1)另一側上的第一金屬電極Ml、位于柵極（2)、第一金屬電極Ml與基板（1)上的柵極絕緣層（3)、位于柵極絕緣層（3)上的島狀半島體層（4)、位于半導體層（4)上的島狀刻蝕阻擋層（5)、位于刻蝕阻擋層（5)上的源/漏極（6)、位于第一金屬電極Ml上方的柵極絕緣層（3)上的第二金屬電極M2、位于源/漏極（6)與第二金屬電極M2上的鈍化保護層 (7)、位于鈍化保護層（7)上的平坦層（8)、位于平坦層（8)上的像素電極層（9)、位于像素電極層（9)與平坦層（8)上的像素定義層（10)，所述柵極絕緣層（3)具有柵極絕緣層過孔 (31)，所述刻蝕阻擋層（5)具有數(shù)個刻蝕阻擋層過孔（51)，所述源/漏極（6)填充數(shù)個刻蝕阻擋層過孔（51)與半導體層（4)連接，所述源/漏極（6)填充柵極絕緣層過孔（31)與柵極（2)連接，所述第一金屬電極Ml、第二金屬電極M2、及夾在第一、第二金屬電極Ml、M2之間的部分柵極絕緣層（3)形成存儲電容C，所述像素電極（9)與源/漏極（6)連接。
8. 如權利要求7所述的TFT背板結構，其特征在于，還包括位于像素定義層（10)上的隔尚柱（11)。
9. 如權利要求7所述的TFT背板結構，其特征在于，所述半導體層（4)為氧化物半導體層或非氧化物半導體層，所述鈍化保護層（7)的材料為無機材料，所述平坦層（8)的材料為有機材料，所述像素電極層（9)的材料為ITO或IZO,所述像素定義層（10)的材料為有機材料。
10. 如權利要求9所述的TFT背板結構，其特征在于，所述氧化物半導體層為IGZO半導體層。
【文檔編號】H01L27/12GK104091785SQ201410351330
【公開日】2014年10月8日申請日期:2014年7月22日優(yōu)先權日:2014年7月22日
【發(fā)明者】李文輝, 王宜凡, 蘇智昱, 呂曉文申請人:深圳市華星光電技術有限公司

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