掩模檢查裝置和方法以及虛擬圖產(chǎn)生裝置和方法【專利摘要】本發(fā)明涉及一種掩模檢查裝置和方法以及虛擬圖產(chǎn)生裝置和方法。掩模檢查裝置用于檢查以期望圖案進行沉積中所用到的具有多個開口的掩模，能夠通過掩模的開口檢查掩模的缺陷。掩模檢查裝置包括：檢測單元，檢測掩模的開口中的每一個的邊界線；存儲單元，存儲待被利用掩模執(zhí)行沉積的部件的信息；設置單元，利用所存儲的待被執(zhí)行沉積的部件的信息為開口中的每一個設置第一邊界線、第二邊界線和安全區(qū)域，其中第一邊界線形成沉積區(qū)域的輪廓，第二邊界線包圍第一邊界線，安全區(qū)域插入在第一邊界線與第二邊界線之間；以及控制單元，確定被檢測單元檢測的掩模的邊界線是否不接觸第一邊界線和第二邊界線以及邊界線是否在安全區(qū)域中。【專利說明】掩模檢查裝置和方法以及虛擬圖產(chǎn)生裝置和方法[0001]本申請是申請日為2010年I月29日、申請?zhí)枮?01010107033.8、名稱為“掩模檢查裝置和方法以及虛擬圖產(chǎn)生裝置和方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。[0002]相關申請的交叉引用[0003]本申請要求2009年3月4日在韓國知識產(chǎn)權局提交的韓國專利申請N0.10-2009-0018461的權益，其公開內(nèi)容通過引用合并于此?！?br>技術領域：
】[0004]本發(fā)明的各方面涉及檢查掩模的裝置和方法，更具體地，涉及能夠通過掩模的開口檢測掩模的缺陷的檢查掩模的裝置和方法?！?br>背景技術：
】[0005]在制造有機發(fā)光顯示器(OLED)的有機發(fā)光層的過程中，該有機發(fā)光層包括易受潮的有機材料。因此，難于使用光刻技術形成圖案。相應地，使用具有預定開口的掩模并將沉積材料沉積到通過該開口所暴露的部分上的方法被廣泛用于形成有機發(fā)光層。[0006]沉積中使用的掩模通常由包括金屬的材料形成。然而，由于制造問題，多個開口并非總是以期望的圖案被形成。當存在未以期望的圖案形成的開口時，沉積不會以期望的圖案被實現(xiàn)。因此，已發(fā)展了一些方法以在執(zhí)行沉積之前檢查掩模。通常，這些方法包括在多個開口之中對彼此相鄰的開口進行比較并確定掩模的缺陷。然而，使用上述方法并不能精確地檢查掩模所有的開口，因此，對提高掩模檢查的精度有限制?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0007]本發(fā)明的方面提供一種能夠通過掩模的開口檢查掩模的缺陷的檢查掩模的裝置和方法。[0008]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種掩模檢查裝置，用于檢查以期望圖案進行沉積中所用到的具有多個開口的掩模，所述裝置包括:檢測單元，檢測所述掩模的所述多個開口中的每一個的邊界線；存儲單元，存儲與待被利用所述掩模執(zhí)行沉積的部件有關的信息；設置單元，利用所存儲的與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息為所述多個開口中的每一個設置第一邊界線、第二邊界線和安全區(qū)域，其中所述第一邊界線形成相應的開口的沉積區(qū)域的輪廓，所述第二邊界線包圍所述第一邊界線，所述安全區(qū)域插入在所述第一邊界線與所述第二邊界線之間；以及控制單元，確定被所述檢測單元檢測的所述掩模的所述多個開口中的每一個的被檢測到的邊界線是否不接觸相應的第一邊界線和相應的第二邊界線并且所述被檢測到的邊界線是否存在于相應的安全區(qū)域中。[0009]根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述設置單元可以根據(jù)所述與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息將所述第一邊界線、所述第二邊界線和所述安全區(qū)域設置為虛擬圖(virtualmap)ο[0010]根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息可以包括與基板、所述基板上的室和子像素以及所述子像素之間的間距有關的信息。[0011]根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述檢測單元可以是所述檢測單元可以是電荷耦合器件(CCD)照相機。[0012]根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述裝置可以進一步包括輸出單元，用于輸出與所述多個開口中的一些開口有關的信息，其中所述一些開口的被檢測到的邊界線接觸相應的第一邊界線和相應的第二邊界線中的至少一個并且不存在于相應的安全區(qū)域中。[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種檢查掩模的方法，所述掩模具有多個開口并用于以期望圖案進行沉積，所述方法包括:準備以期望的圖案進行沉積中所用到的具有多個開口的所述掩模，所述多個開口以預定的圖案形成；根據(jù)與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息為所述多個開口中的每一個設置第一邊界線、第二邊界線和安全區(qū)域，其中所述第一邊界線形成相應的開口的沉積區(qū)域的輪廓，所述第二邊界線包圍所述第一邊界線，所述安全區(qū)域在所述第一邊界線與所述第二邊界線之間；以及確定所述掩模的所述多個開口中的每一個的被檢測到的邊界線是否不接觸相應的第一邊界線和相應的第二邊界線并且所述被檢測到的邊界線是否存在于不在相應的安全區(qū)域的區(qū)域中。[0014]根據(jù)本發(fā)明的一方面，在設置所述第一邊界線、所述第二邊界線和所述安全區(qū)域的過程中，根據(jù)所述與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息可以將所述第一邊界線、所述第二邊界線和所述安全區(qū)域存儲為虛擬圖。[0015]根據(jù)本發(fā)明的方面，所述與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息可以包括與基板、在所述基板上的室和子像素以及所述子像素之間的間距有關的信息。[0016]根據(jù)本發(fā)明的一方面，可以使用檢測單元來檢測所述多個開口的被檢測到的邊界線。[0017]根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述檢測單元可以是電荷耦合器件(CCD)照相機。[0018]根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述方法可以進一步包括在執(zhí)行所述確定之后，輸出與所述多個開口中被檢測到的邊界線不存在于相應的安全區(qū)域中的那些開口有關的信息。[0019]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種虛擬圖產(chǎn)生裝置，用在掩模檢查裝置中，該虛擬圖產(chǎn)生裝置用于產(chǎn)生掩模的虛擬圖，所述虛擬圖產(chǎn)生裝置包括:控制單元，根據(jù)所述掩模的多個開口的虛擬邊界線產(chǎn)生所述虛擬圖，并將所述虛擬圖與所述掩模的所述多個開口的被檢測到的邊界線進行比較。[0020]根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述虛擬圖產(chǎn)生裝置可以被布置在所述掩模檢查裝置中，所述掩模檢查裝置包括:檢測單元，檢測所述掩模的所述多個開口的所述被檢測到的邊界線；存儲單元，存儲與待被利用所述掩模執(zhí)行沉積的部件有關的信息；以及設置單元，利用所存儲的與待被利用所述掩模執(zhí)行沉積的部件有關的信息設置所述虛擬邊界線以產(chǎn)生所述虛擬圖。[0021]根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述虛擬邊界線可以包括第一設置邊界線和第二設置邊界線，其中所述第一設置邊界線形成包圍所述掩模的相應的開口的沉積區(qū)域外圍，所述第二設置邊界線包圍相應的第一設置邊界線。[0022]根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述掩模的所述多個開口的所述虛擬邊界線可以分別具有在所述虛擬邊界線之間插入的相應的安全區(qū)域，并且其中所述第一設置邊界線完全被布置在相應的安全區(qū)域內(nèi)。[0023]根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述控制單元可以在所述多個開口之一被檢測到的邊界線與該開口的第一設置邊界線或者第二設置邊界線相交的情況下確定該開口有缺陷。[0024]根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供一種產(chǎn)生虛擬圖的方法，所述虛擬圖被用在用于檢查掩模的掩模檢查裝置中，所述掩模具有多個開口，用于以期望的圖案進行沉積，所述方法包括:檢測所述掩模的所述多個開口的邊界線；以及將所檢測到的邊界線與虛擬圖比較以確定所述多個開口中的哪些有缺陷。[0025]根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述產(chǎn)生虛擬圖的方法可以進一步包括:通過根據(jù)與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息為所述多個開口中的每一個設置第一邊界線、第二邊界線和安全區(qū)域來產(chǎn)生所述虛擬圖，其中所述第一邊界線形成包圍所述掩模的相應的開口的沉積區(qū)域外圍，所述第二邊界線包圍所述第一邊界線。[0026]根據(jù)本發(fā)明的一方面，可以根據(jù)與所述掩模的相應的開口相比具有較大的寬度和長度的處理邊緣來設置所述第一邊界線。[0027]本發(fā)明的另外方面和/或優(yōu)點部分在下面的說明書中說明，部分從說明書中將是顯而易見的，或者可以通過實施本發(fā)明而獲知?！緦＠綀D】【附圖說明】[0028]本發(fā)明的這些和/或其它方面及優(yōu)點從以下結合附圖對實施例的描述中將變得明顯和更易于理解，其中:[0029]圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于檢查掩模的裝置的框圖；[0030]圖2是待被執(zhí)行沉積的基板的平面圖；[0031]圖3是示出通過使用圖1的用于檢查掩模的裝置檢查掩模的透視圖；[0032]圖4是示出通過使用圖1的用于檢查掩模的裝置檢查掩模的平面圖；[0033]圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的用于檢查掩模的裝置的框圖；[0034]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的檢查掩模的方法的流程圖；以及[0035]圖7是示出根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的檢查掩模的方法的流程圖?！揪唧w實施方式】[0036]現(xiàn)在將詳細參考本發(fā)明的當前的實施例，其示例被示于附圖中，其中相同的附圖標記始終表示相同的元件。為了解釋本發(fā)明，下面參考附圖對實施例進行描述。[0037]圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的掩模檢查裝置100的框圖。掩模檢查裝置100包括檢測單元111、存儲單元112、控制單元113和設置單元114。盡管不一定在所有的方面都需要，但控制單元113和/或設置單元114可以是一個或多個處理器和/或能夠用執(zhí)行從計算機可讀存儲介質(zhì)中讀取的軟件的計算機來實施。[0038]檢測單元111檢測掩模的邊界線。相應地，檢測單元111可以是照相機，例如電荷耦合器件(CCD)照相機，或者其它類似的檢測裝置。然而，本發(fā)明的各方面不限于此。[0039]存儲單元112存儲與待被利用掩模執(zhí)行沉積的部件有關的信息。存儲單元112可以是諸如只讀存儲器(ROM)或者隨機存取存儲器(RAM)之類的存儲器，并且能夠是磁的和/或光學的記錄介質(zhì)。進一步，存儲單元112可以在掩模檢查裝置100內(nèi)部或者相對于掩模檢查裝置100是可拆裝的。[0040]設置單元114利用與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息設置第一邊界線、第二邊界線和安全區(qū)域，其中，該信息被存儲在存儲單元112中。第一邊界線形成沉積區(qū)域的輪廓，第二邊界線包圍第一邊界線。安全區(qū)域插入在第一邊界線與第二邊界線之間。設置單元114通過利用與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息可以以寫有坐標值的表(table)的形式或者以圖(map)的形式設置第一邊界線、第二邊界線以及安全區(qū)域。[0041]控制單元113確定檢測單元111所檢測的掩模的邊界線是否不與第一邊界線和第二邊界線相鄰，并且確定它是否在安全區(qū)域內(nèi)。例如，將由設置單元114以圖的形式設置的第一邊界線、第二邊界線和安全區(qū)域與由檢測單元111所檢測的掩模的邊界線進行比較。[0042]控制單元113控制中央處理單元(CPU)和掩模檢查裝置100的整個操作。圖1中，分立示出了控制單元113、存儲單元112和設置單元114。然而，本發(fā)明并不限于此。存儲單元112或設置單元114可以被包括在控制單元113中。而且，存儲單元112和設置單元114都可以被包括在控制單元113中。[0043]存儲單元112存儲與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息。這里，可以改變待被執(zhí)行沉積的部件的類型。作為示例，待被執(zhí)行沉積的部件可以是有機發(fā)光顯示器(OLED)的基板。[0044]圖2是待被執(zhí)行沉積的基板150的平面圖。多個子像素151被形成在基板150上。盡管在圖2中未示出，但基板150可以包括多個室，并且這些室中的每一個包括多個子像素151。而且，可以在基板150上形成一個室。然而，本發(fā)明的方面不限于此。[0045]子像素151可以被形成為具有相同的寬度Sa和相同的長度Sb。而且，子像素151中的每一個可以被形成為在相鄰的子像素151之間分別具有恒定的水平間距Pa和垂直間距Pb。[0046]基于子像素151的掩模用于將沉積材料沉積。當基板是OLED的基板150時，有機材料根據(jù)子像素151的形狀被沉積在基板上。因此，存儲單元112存儲待被執(zhí)行沉積的部件的信息，該部件是子像素151。更具體地，存儲單元112存儲子像素151的寬度Sa和長度Sb，以及子像素151之間的水平間距Pa和垂直間距Pb。然而，本實施例不限于此。[0047]根據(jù)用戶的目的，具有子像素151的OLED可以被制造，其中每個子像素151具有不同的尺寸和間距。在這種情況下，存儲單元112可以存儲每個子像素151的寬度Sa、長度Sb、水平間距Pa和垂直間距Pb。盡管不一定在所有的方面都需要，但存儲單元112可以以圖的形式存儲與被沉積在基板150上的子像素151有關的信息。而且，該信息可以以記入了坐標值的表的形式被存儲。[0048]圖2示出在基板150上形成有機發(fā)光層之前的OLED的基板150。OLED包括有機發(fā)光裝置，該有機發(fā)光裝置具有在下電極與上電極之間插入的有機發(fā)光層。在圖2中，下電極被形成在基板150上。更具體地，子像素151可以是在形成下電極和絕緣薄膜之后暴露的下電極。[0049]在子像素151被形成在基板150上時，與子像素151有關的信息被存儲在任意存儲介質(zhì)中，以便存儲單元112可以容易地存儲與子像素151有關的信息。[0050]圖3是示出使用掩模檢查裝置100檢查掩模的透視圖。參照圖3，檢測單元111和掩模130被示出。掩模130包括多個開口131。開口131是用于將沉積材料進行沉積的通道。檢測單元111從掩模130中檢測與掩模130的開口131有關的信息，并且將該信息傳輸至控制單元(未示出)，從而利用控制單元(未示出)和設置單元(未示出)執(zhí)行掩模檢查。[0051]盡管未示出，但為了便于檢查，掩模131可以被布置在支撐物上，其中該支撐物在X軸方向和Y軸方向上是可移動的。相應地，在檢測單元111被固定時，檢測單元111由于掩模130的移動而可以檢查掩模130的開口131。然而，應理解的是，檢測單元111相對于掩模130可能是可移動的。[0052]圖4是示出使用圖1的掩模檢查裝置100檢查掩模130的平面圖。圖4可以是被圖3的檢測單元111檢測的圖像。圖4示出具有四個開口131:開口A131A、開口B131B、開口C131C以及開口D131D的掩模130的部分。[0053]如圖4所示，掩模130的開口131A至131D未以期望的形狀精確地形成。掩模130的開口131通常被形成為具有不統(tǒng)一的邊界線，因為用于形成掩模130的微小的圖案化是不容易的。具體地，當掩模130由金屬形成時，以期望的形狀和尺寸精確地形成掩模130的開口131是困難的。相應地，如圖4所示，開口131每個可能具有不同的形狀，因此在掩模的開口131是否適合于沉積方面，需要先檢查掩模130。[0054]參照圖4，示出了圍繞著開口131中的每一個的第一邊界線171、第二邊界線172和安全區(qū)域173。第一邊界線171、第二邊界線172和安全區(qū)域173并不形成在掩模130上，而分別是虛擬線和虛擬區(qū)域。圖1的設置單元114利用與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息設置第一邊界線171、第二邊界線172和安全區(qū)域173，其中該信息被存儲在存儲單元112中。[0055]更具體地，當OLED的有機材料被沉積在基板150上時，設置單元114利用與圖2的基板150的子像素151有關的信息設置第一邊界線171、第二邊界線172和安全區(qū)域173。[0056]設置單元114利用與子像素151的寬度Sa、長度Sb、水平間距Pa和垂直間距Pb有關的信息以及與基板150有關的信息設置第一邊界線171、第二邊界線172和安全區(qū)域173。當多個室被形成在基板150上時，設置單元114利用與這些室有關的信息設置第一邊界線171、第二邊界線172和安全區(qū)域173。例如，與每個子像素151的位置、形狀和尺寸有關的信息，其以圖的形式存儲在存儲單元112中，用于以與每個子像素151對應的圖的形式設置第一邊界線171、第二邊界線172和安全區(qū)域173。[0057]第一邊界線171表示待被執(zhí)行沉積的沉積區(qū)域的內(nèi)部邊界線。因為第一邊界線171與圖2的子像素151對應，所以第一邊界線171可以具有與子像素151相同的形狀和尺寸。也就是說，第一邊界線171可以具有與子像素151相同的寬度Sa和長度Sb。然而，為了具有處理邊緣，第一邊界線171可具有與子像素151的寬度Sa和長度Sb相比較大的寬度和長度。例如，設置單元114將第一邊界線171設置成具有與子像素151的寬度Sa和長度Sb相比大幾微米的寬度和長度。[0058]第二邊界線172表示待被執(zhí)行沉積的區(qū)域的外部邊界線，即最大沉積區(qū)域。設置單元114根據(jù)第一邊界線171設置第二邊界線172，其中第二邊界線172被形成為大于第一邊界線171。可以考慮處理條件設置第二邊界線172。也就是說，隨著所需要的沉積圖案的精度的增加，第二邊界線172被設置得更小。[0059]安全區(qū)域173是插入在第一邊界線171與第二邊界線172之間的區(qū)域。當掩模130的邊界線位于安全區(qū)域173中時，控制單元113可以確定掩模130的開口131處于正常狀態(tài)。[0060]參照圖4，開口A131A、開口B131B以及開口D131D的邊界線未接觸第一邊界線171和第二邊界線172并且僅存在于安全區(qū)域173中。開口C131C的邊界線存在于安全區(qū)域173之外并且接觸第一邊界線171和第二邊界線172。在這種情況下，控制單元113確定開口A131A、開口B131B和開口D131D是正常的，而開口C131C有缺陷。[0061]在掩模檢查裝置100中，根據(jù)所示出的實施例，掩模130可以不與待被執(zhí)行沉積的部件接觸或者對齊以檢查掩模130。掩模檢查裝置100利用先前設置的與將被沉積的部件有關的信息設置第一邊界線171、第二邊界線172和安全區(qū)域173，并且將所設置的第一邊界線171、第二邊界線172和安全區(qū)域與掩模130的開口131進行比較，從而便于掩模檢查。換句話說，掩模的所有開口可以容易和精確地被檢查，并且檢查過程是簡單的，從而提高過程的效率。[0062]圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的掩模檢查裝置200的框圖。為了便于描述，僅僅描述掩模檢查裝置200與掩模檢查裝置100之間的差別。[0063]根據(jù)本實施例的掩模檢查裝置200包括檢測單元211、存儲單元212、控制單元213、設置單元214以及輸出單元215。在掩模檢測裝置200中包括的輸出單元215可以輸出在控制單元213中所確定的與開口有關的信息。也就是說，輸出單元215可以輸出與掩模的所有開口中被確定為正常的開口和被確定為具有缺陷的開口有關的信息。相應地，用戶可以用正常的開口校正有缺陷的開口或者更換掩模。輸出單元215的實例包括輸出問題說明的顯示器、打印機或者揚聲器。[0064]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的檢查掩模的方法的流程圖。該方法包括準備具有開口的掩模(操作11);設置第一邊界線、第二邊界線和安全區(qū)域，其中第一邊界線形成沉積區(qū)域的輪廓，第二邊界線包圍第一邊界線，安全區(qū)域插入在第一邊界線與第二邊界線之間(操作12);以及確定掩模的開口的邊界線是否不接觸第一邊界線和第二邊界線以及其是否位于安全區(qū)域中(操作13)。應理解的是，能夠在別處執(zhí)行掩模的制造，以便不必在本發(fā)明的所有方面都執(zhí)行操作11。[0065]在操作11，掩模可以是具有用于沉積的開口的圓點型掩模。[0066]在操作12，利用先前設置的與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息設置虛擬的第一邊界線、第二邊界線和安全區(qū)域。更具體地，可以使用與在基板上形成的子像素有關的圖信息，其中基板是待被執(zhí)行沉積的部件，可以設置處理邊緣以便將第一邊界線設置為形成的區(qū)域比每個子像素大幾微米，并且將第二邊界線設置為形成的區(qū)域比第一邊界線形成的區(qū)域大。第一邊界線和第二邊界線是虛擬邊界線，并且以圖的形式來設置，該圖使用以坐標值示出的信息。采用圖的形式的第一邊界線和第二邊界線與掩模的被檢測到的邊界線進行比較，從而方便掩模檢查。[0067]圖7是示出根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的檢查掩模的方法的流程圖。該方法包括準備具有開口的掩模(操作21);設置第一邊界線、第二邊界線和安全區(qū)域，其中第一邊界線形成沉積區(qū)域的輪廓，第二邊界線包圍第一邊界線，并且安全區(qū)域插入在第一邊界線與第二邊界線之間(操作22);確定掩模的開口的邊界線是否不接觸第一邊界線和第二邊界線，以及確定它是否位于安全區(qū)域中(操作23);以及輸出與這些開口中其邊界線不位于相應的安全區(qū)域中的一些開口的信息(操作24)。[0068]在操作24，輸出與掩模開口中被確定有缺陷的開口有關的信息。這種信息可以包括指示開口的位置的坐標信息。因此，可以有選擇地對僅僅有缺陷的開口進行校正。而且，當存在預定數(shù)目的或者更多的缺陷開口時，確定掩模具有缺陷，因此可以被更換。[0069]在根據(jù)本發(fā)明方面的檢查掩模的裝置和方法中，利用掩模的開口可以容易地檢查掩模的缺陷。[0070]盡管已示出和描述了本發(fā)明的幾個實施例，但本領域技術人員將理解的是，可以對該實施例做出改變，而不違背本發(fā)明的原理和精神，其范圍被限定在權利要求書和他們的等同物中?！緳嗬蟆?.一種虛擬圖產(chǎn)生裝置，用在掩模檢查裝置中，該虛擬圖產(chǎn)生裝置用于產(chǎn)生掩模的虛擬圖，所述虛擬圖產(chǎn)生裝置包括:控制單元，根據(jù)所述掩模的多個開口的虛擬邊界線產(chǎn)生所述虛擬圖，并將所述虛擬圖與所述掩模的所述多個開口的被檢測到的邊界線進行比較。2.根據(jù)權利要求1所述的虛擬圖產(chǎn)生裝置，其中所述虛擬圖產(chǎn)生裝置被布置在所述掩模檢查裝置中，所述掩模檢查裝置包括:檢測單元，檢測所述掩模的所述多個開口的所述被檢測到的邊界線；存儲單元，存儲與待被利用所述掩模執(zhí)行沉積的部件有關的信息；以及設置單元，利用所存儲的與待被利用所述掩模執(zhí)行沉積的部件有關的信息設置所述虛擬邊界線以產(chǎn)生所述虛擬圖。3.根據(jù)權利要求2所述的虛擬圖產(chǎn)生裝置，其中所述虛擬邊界線包括第一設置邊界線和第二設置邊界線，其中所述第一設置邊界線形成包圍所述掩模的相應的開口的沉積區(qū)域外圍，所述第二設置邊界線包圍相應的第一設置邊界線。4.根據(jù)權利要求3所述的虛擬圖產(chǎn)生裝置，其中所述掩模的所述多個開口的所述虛擬邊界線分別具有在所述虛擬邊界線之間插入的相應的安全區(qū)域，并且其中所述第一設置邊界線完全被布置在相應的安全區(qū)域內(nèi)。5.根據(jù)權利要求3所述的虛擬圖產(chǎn)生裝置，其中所述控制單元在所述多個開口之一被檢測到的邊界線與該開口的第一設置邊界線或者第二設置邊界線相交的情況下確定該開口有缺陷。6.—種產(chǎn)生虛擬圖的方法，所述虛擬圖被用在用于檢查掩模的掩模檢查裝置中，所述掩模具有多個開口并用于以期望的圖案進行沉積，所述方法包括:檢測所述掩模的所述多個開口的邊界線；以及將所檢測到的邊界線與虛擬圖比較以確定所述多個開口中的哪些有缺陷。7.根據(jù)權利要求6所述的產(chǎn)生虛擬圖的方法，進一步包括:通過根據(jù)與待被執(zhí)行沉積的部件有關的信息為所述多個開口中的每一個設置第一邊界線、第二邊界線和安全區(qū)域來產(chǎn)生所述虛擬圖，其中所述第一邊界線形成包圍所述掩模的相應的開口的沉積區(qū)域外圍，所述第二邊界線包圍所述第一邊界線。8.根據(jù)權利要求7所述的產(chǎn)生虛擬圖的方法，其中根據(jù)與所述掩模的相應的開口相比具有較大的寬度和長度的處理邊緣來設置所述第一邊界線?！疚臋n編號】H01L51/56GK104483811SQ201410584702【公開日】2015年4月1日申請日期:2010年1月29日優(yōu)先權日:2009年3月4日【發(fā)明者】趙贊衡,閔卿旭申請人:三星顯示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