一種發(fā)光二極管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管，屬于光電子制造【技術領域】，包括依次層疊的襯底、緩沖層、分布布拉格反射鏡、n型限制層、有源層、p型限制層、GaP窗口層、p型歐姆接觸層，襯底的與緩沖層相對的一面上設置有n型歐姆接觸電極，p型歐姆接觸層的與GaP窗口層相反的一面上設置有p面焊線電極，GaP窗口層與p型歐姆接觸層之間層疊有C元素重摻雜GaP層，p型歐姆接觸層為氧化銦錫膜，p面焊線電極為Al電極。通過采用高透過率導電膜氧化銦錫代替Au/AuBe/Au做p型歐姆接觸層，p面焊線電極采用以金屬Al為主的電極，可以極大地減少芯片制作過程中的黃金消耗，有效地大幅降低成本。
【專利說明】一種發(fā)光二極管及其制造方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及光電子制造【技術領域】，特別涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法。

【背景技術】
[0002]LED作為一種全新的照明技術，它是利用半導體芯片作為發(fā)光材料、直接將電能轉換為光能。半導體LED及其應用以其發(fā)光效率高、耗電量少、使用壽命長、安全可靠性強、環(huán)保衛(wèi)生等優(yōu)越性，被認為是21世紀最具發(fā)展前景的高【技術領域】之一。目前LED的芯片的制造成本的70%左右來源于貴金屬，尤其是黃金Au材料的成本，如何能在瘋狂的價格戰(zhàn)上站穩(wěn)腳跟，降低成本是其中的重要因素。
[0003]目前，傳統(tǒng)的紅黃光四元發(fā)光二極管芯片結構包括P面焊線電極、P型歐姆接觸層、GaP窗口層、上限制層、有源層、下限制層、布拉格反射鏡、緩沖層、襯底、η型歐姆接觸電極，這種結構的LED在P型歐姆接觸層通常采用AuBe或AuZn合金，η型歐姆接觸電極采用AuGe或AuGeNi合金，ρ面焊線電極通常用彡2um厚的Au電極。
[0004]在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術至少存在以下問題:
[0005]傳統(tǒng)的紅黃光四元發(fā)光二極管芯片中的絕大部分金屬采用黃金Au，芯片制造過程中的黃金消耗量很大，導致成本較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術的問題，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管及其制造方法，技術方案如下:
[0007]—方面，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管，包括依次層疊的襯底、緩沖層、分布布拉格反射鏡、η型限制層、有源層、ρ型限制層、GaP窗口層、ρ型歐姆接觸層，所述襯底的與所述緩沖層相對的一面上設置有η型歐姆接觸電極，所述ρ型歐姆接觸層的與所述GaP窗口層相反的一面上設置有P面焊線電極，
[0008]所述GaP窗口層與所述ρ型歐姆接觸層之間層疊有C元素重摻雜GaP層，所述P型歐姆接觸層為氧化銦錫膜，所述P面焊線電極為Al電極。
[0009]進一步地，所述C元素重摻雜GaP層中C元素的摻雜濃度大于lxl019Cm_3，所述C元素重摻雜GaP層的厚度為400-1000nm。
[0010]進一步地，所述氧化銦錫膜的厚度為80-280nm。
[0011 ] 進一步地，所述ρ面焊線電極包括依次層疊的Al電極焊線層，T1、N1、Cr中的1-2種金屬粘附層及Pt、N1、Cr中的1-2種金屬阻擋層，所述金屬阻擋層與所述ρ型歐姆接觸層貼合。
[0012]進一步地，所述η型歐姆接觸電極采用含Ge的金屬材料，所述η型歐姆接觸電極中還包括N1、T1、Al、Ag、Mo中的1-3種粘附層金屬。
[0013]進一步地，所述ρ型歐姆接觸層與所述C元素重摻雜GaP層之間層疊有表面粗化層。
[0014]另一方面，本發(fā)明實施例還提供一種發(fā)光二極管的制造方法，所述方法包括:
[0015]提供一襯底；
[0016]在所述襯底上依次形成緩沖層、分布布拉格反射鏡、η型限制層、有源層、ρ型限制層、GaP窗口層和C兀素重慘雜GaP層；
[0017]在所述C元素重摻雜GaP層上蒸發(fā)一層氧化銦錫膜，形成ρ型歐姆接觸層；
[0018]將所述襯底減薄，在所述襯底上蒸發(fā)含Ge的金屬材料形成η型歐姆接觸電極；
[0019]對P面和η面進行高溫退火處理；
[0020]在所述ρ面做負性光刻膠光刻并在顯影后蒸發(fā)含Al的金屬材料，蒸發(fā)完成后剝離光刻膠及所述含Al的金屬材料形成ρ面焊線電極；
[0021]切割所述襯底并進行光電測試。
[0022]進一步地，在所述形成ρ型歐姆接觸層之前，所述方法還包括:
[0023]在C元素重摻雜GaP層上進行表面粗化以形成表面粗化層。
[0024]進一步地，在所述將所述襯底減薄之前，所述方法還包括:
[0025]在所述氧化銦錫膜上做負性光刻膠光刻，顯影后腐蝕掉氧化銦錫膜的用于設置P面焊線電極的部分，并露出部分所述表面粗化層。
[0026]進一步地，所述在C元素重摻雜GaP層上進行表面粗化的過程中，使用的粗化液包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、磷酸銨、過氧化氫、次氯酸鈉中的1-5種。
[0027]本發(fā)明實施例提供的技術方案的有益效果是:
[0028]通過采用高透過率導電膜氧化銦錫代替Au/AuBe/Au做P型歐姆接觸層，P面焊線電極采用以金屬Al為主的電極，可以極大地減少芯片制作過程中的黃金消耗，有效地大幅降低成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1是常規(guī)發(fā)光二極管的結構圖；
[0031]圖2是本發(fā)明實施例1提供的一種發(fā)光二極管的結構圖；
[0032]圖3是本發(fā)明實施例1提供的一種發(fā)光二極管的結構圖；
[0033]圖4是本發(fā)明實施例1提供的一種發(fā)光二極管的結構圖；
[0034]圖5是本發(fā)明實施例2提供的一種發(fā)光二極管的制備方法流程圖；
[0035]圖6是本發(fā)明實施例3提供的一種發(fā)光二極管的制備方法流程圖；
[0036]圖7是本發(fā)明實施例4提供的一種發(fā)光二極管的制備方法流程圖。

【具體實施方式】
[0037]為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。
[0038]如圖1所示，為傳統(tǒng)的紅黃光四元發(fā)光二極管芯片結構，這種二極管芯片包括依次層疊的P面焊線電極la、p型歐姆接觸層lb、GaP窗口層2、上限制層3、有源層4、下限制層5、布拉格反射鏡6、緩沖層7、襯底8、η型歐姆接觸電極9。
[0039]實施例1
[0040]參見圖2，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管，包括依次層疊的襯底11、緩沖層12、分布布拉格反射鏡13、η型限制層14、有源層15、ρ型限制層16、GaP窗口層17、P型歐姆接觸層18，襯底11的與緩沖層12相反的一面上設置有η型歐姆接觸電極10，ρ型歐姆接觸層18的與GaP窗口層17相反的一面上設置有ρ面焊線電極19，GaP窗口層17與ρ型歐姆接觸層18之間層疊有C元素重摻雜GaP層20，ρ型歐姆接觸層18為氧化銦錫膜，ρ面焊線電極19為Al電極。
[0041]具體地，本實施例中襯底11可以選用GaAs基板，緩沖層12可以采用GaAs，分布布拉格反射鏡13可以采用AlInP/AlGaInP，n型限制層可以采用η_Α1ΙηΡ，有源層可以采用AlGaInP, ρ型限制層可以采用ρ_Α1ΙηΡ，容易知道，本實施例中發(fā)光二極管各層材料的選用僅為舉例，并不作為對本發(fā)明的限制；C元素重摻雜GaP層20是通過在GaP窗口層17的最表面采用C元素進行ρ型重摻雜形成，能夠與透明導電膜氧化銦錫形成良好的歐姆接觸，成型的發(fā)光二極管具有良好的電流擴展能力，同時可將界面反射率降到最低來形成增透作用，極大提高了外量子效率，經(jīng)試驗發(fā)光二極管芯片的裸芯亮度能夠提高10-20% ;p面焊線電極采用Al電極，同時下文提到的η型歐姆接觸電極采用含金屬Ge的但不帶Au的金屬材料代替Au/AuGe/Au，經(jīng)測定可以減少芯片制程中的黃金消耗90%，可有效地大幅降低成本。
[0042]進一步地，C元素重摻雜GaP層20中C元素的摻雜濃度大于lX1019cm_3，C元素重摻雜GaP層20的厚度為400-1000nm，優(yōu)選厚度500_600nm，使透明導電氧化銦錫膜(ρ型歐姆接觸層18)與C元素重摻雜GaP層20形成良好的ρ型歐姆接觸。
[0043]進一步地，氧化銦錫膜的厚度為80-280nm，優(yōu)選厚度為100-200nm。
[0044]進一步地，ρ面焊線電極19包括依次層疊的Al電極焊線層，T1、N1、Cr中的1_2種金屬粘附層及Pt、N1、Cr中的1-2種金屬阻擋層，所述金屬阻擋層與所述ρ型歐姆接觸層貼合。
[0045]進一步地，η型歐姆接觸電極10采用含Ge的金屬材料，η型歐姆接觸電極中還可以包括N1、T1、Al、Ag、Mo中的1-3種粘附層金屬。
[0046]進一步地，如圖3所示，在本實施例的另一種實現(xiàn)方式中，發(fā)光二極管的ρ型歐姆接觸層18與C兀素重慘雜GaP層20之間層置有表面粗化層21。
[0047]表面粗化層21由C元素重摻雜GaP層上進行表面粗化形成，使用的粗化液包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、磷酸銨、過氧化氫、次氯酸鈉中的1-5種，表面粗化之后發(fā)光二極管上形成表面高摻區(qū)，能夠實現(xiàn)P型歐姆接觸層18與C元素重摻雜GaP層20之間良好的歐姆接觸。
[0048]進一步地，如圖4所示，在本實施例的另一種實現(xiàn)方式中，發(fā)光二極管的ρ型歐姆接觸層18與C元素重摻雜GaP層20之間層疊有表面粗化層21，且氧化銦錫膜的中部用于設置P面焊線電極19處被腐蝕掉一部分形成孔隙22，ρ面焊線電極19與表面粗化層21接觸。
[0049]表面粗化層21是在C元素重摻雜GaP層20上使用粗化液表面粗化后形成的，P型歐姆接觸層18 (氧化銦錫膜)與表面粗化層21結合對二極管的發(fā)光亮度有所提高。
[0050]本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管通過采用高透過率導電膜氧化銦錫代替Au/AuBe/Au做ρ型歐姆接觸層，ρ面焊線電極采用金屬Al電極，芯片η面的η型歐姆接觸電極采用含金屬Ge的材料代替Au/AuGe/Au，可以極大地減少芯片制作過程中的黃金消耗，有效地大幅降低成本；使用氧化銦錫使得二極管在實現(xiàn)良好的電流擴展的同時，能夠將界面反射率降到最低來形成增透作用，極大提高了外量子效率，使芯片裸芯亮度提高。
[0051]實施例2
[0052]參見圖5，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管的制造方法，可用于制備實施例1提供的發(fā)光二極管(尤其是紅黃光發(fā)光二極管)，該方法包括:
[0053]SlO:提供一襯底；
[0054]本實施例中，發(fā)光二極管的襯底選用GaAs基板。
[0055]Sll:在襯底上依次形成緩沖層、分布布拉格反射鏡、η型限制層、有源層、P型限制層、GaP窗口層和表面C兀素重摻雜層；
[0056]其中，C元素的摻雜濃度大于lxl019cm_3，C元素重摻雜GaP層20的度為400_1000nm。
[0057]S12:在C元素重摻雜GaP層上蒸發(fā)一層氧化銦錫膜，形成P型歐姆接觸層；
[0058]本實施例中，使用電子束蒸發(fā)一層透明導電氧化銦錫膜，膜的厚度在80_280nm之間。
[0059]S13:將襯底減薄，在襯底上蒸發(fā)含Ge的金屬材料形成η型歐姆接觸電極；
[0060]具體地，會將GaAs基板減薄至180_210um，并在基板的與緩沖層相反的一面上蒸發(fā)含金屬Ge的材料。
[0061]S14:對ρ面和η面進行高溫退火處理；
[0062]具體地，進行高溫退火處理時會將襯底放入通N2的高溫退火爐中，在360-500度的溫度下進行退火處理。
[0063]S15:在P面做負性光刻膠光刻并在顯影后蒸發(fā)含Al的金屬材料，蒸發(fā)完成后剝離光刻膠及含Al的金屬材料形成ρ面焊線電極；
[0064]本實施例中，在發(fā)光二極管的ρ面氧化銦錫膜上做負性光刻膠光刻，在顯影后蒸發(fā)純Al，將材料剝離后即形成ρ面焊線電極。
[0065]S16:切割襯底并進行光電測試。
[0066]將減薄后的GaAs基板進行機械半切割，切割深度30_50um，進行光電參數(shù)測試后對基板實施全切割以得到二極管芯片。
[0067]本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管通過采用高透過率導電膜氧化銦錫代替Au/AuBe/Au做ρ型歐姆接觸層，ρ面焊線電極采用金屬Al電極，芯片η面的η型歐姆接觸電極采用含金屬Ge的材料代替Au/AuGe/Au，可以極大地減少芯片制作過程中的黃金消耗，有效地大幅降低成本；使用氧化銦錫使得二極管在實現(xiàn)良好的電流擴展的同時，能夠將界面反射率降到最低來形成增透作用，極大提高了外量子效率，使芯片裸芯亮度提高。
[0068]實施例3
[0069]參見圖6，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管的制造方法，可用于制備實施例1提供的發(fā)光二極管(尤其是紅黃光發(fā)光二極管)，與實施例2中二極管的制造方法的不同之處在于增加了一層表面粗化層，該方法包括:
[0070]S20:提供一襯底；
[0071]本實施例中，發(fā)光二極管的襯底選用GaAs基板。
[0072]S21:在襯底上依次形成緩沖層、分布布拉格反射鏡、η型限制層、有源層、P型限制層、GaP窗口層和表面C兀素重摻雜層；
[0073]其中，C元素的摻雜濃度大于lX1019cm_3，C元素重摻雜GaP層20的度為400_1000nm。
[0074]S22:在C元素重摻雜GaP層上進行表面粗化。
[0075]其中，在C元素重摻雜GaP層上進行表面粗化的過程中，使用的粗化液包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、磷酸銨、過氧化氫、次氯酸鈉中的1-5種，粗化層與氧化銦錫膜結合對二極管的發(fā)光売度有所提聞。
[0076]S23:在C元素重摻雜GaP層上蒸發(fā)一層氧化銦錫膜，形成P型歐姆接觸層；
[0077]本實施例中，使用電子束蒸發(fā)一層透明導電氧化銦錫膜，膜的厚度在80_280nm之間。
[0078]S24:將襯底減薄，在襯底上蒸發(fā)含Ge的金屬材料形成η型歐姆接觸電極；
[0079]具體地，會將GaAs基板減薄至180_210um，并在基板的與緩沖層相反的一面上蒸發(fā)含金屬Ge的材料。
[0080]S25:對ρ面和η面進行高溫退火處理；
[0081]具體地，進行高溫退火處理時會將襯底放入通N2的高溫退火爐中，在360-500度的溫度下進行退火處理。
[0082]S26:在P面做負性光刻膠光刻并在顯影后蒸發(fā)含Al的金屬材料，蒸發(fā)完成后剝離形成P面焊線電極；
[0083]本實施例中，在發(fā)光二極管的ρ面氧化銦錫膜上做負性光刻膠光刻，在顯影后蒸發(fā)含Al的金屬材料，將光刻膠及含Al的金屬材料剝離后即形成ρ面焊線電極。
[0084]S27:切割襯底并進行光電測試。
[0085]將減薄后的GaAs基板進行機械半切割，切割深度30_50um，進行光電參數(shù)測試后對基板實施全切割以得到二極管芯片。
[0086]本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管通過采用高透過率導電膜氧化銦錫代替Au/AuBe/Au做ρ型歐姆接觸層，ρ面焊線電極采用金屬Al電極，芯片η面的η型歐姆接觸電極采用含金屬Ge的材料代替Au/AuGe/Au，可以極大地減少芯片制作過程中的黃金消耗，有效地大幅降低成本；使用氧化銦錫使得二極管在實現(xiàn)良好的電流擴展的同時，能夠將界面反射率降到最低來形成增透作用，極大提高了外量子效率，使芯片裸芯亮度提高。
[0087]實施例4
[0088]參見圖7，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管的制造方法，可用于制備實施例1提供的發(fā)光二極管(尤其是紅黃光發(fā)光二極管)，與實施例3中二極管的制造方法的不同之處在于對氧化銦錫膜進行了部分腐蝕，使得表面粗化層與P面焊線電極接觸，該方法包括:
[0089]S30:提供一襯底；
[0090]本實施例中，發(fā)光二極管的襯底選用GaAs基板。
[0091]S31:在襯底上依次形成緩沖層、分布布拉格反射鏡、η型限制層、有源層、P型限制層、GaP窗口層和表面C兀素重摻雜層；
[0092]其中，C元素的摻雜濃度大于lxl019cnT3，C元素重摻雜GaP層20的度為400_1000nm。
[0093]S32:在C元素重摻雜GaP層上進行表面粗化；
[0094]其中，在C元素重摻雜GaP層上進行表面粗化的過程中，使用的粗化液包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、磷酸銨、過氧化氫、次氯酸鈉中的1-5種，粗化層與氧化銦錫膜結合對二極管的發(fā)光売度有所提聞。
[0095]S33:在C元素重摻雜GaP層上蒸發(fā)一層氧化銦錫膜，形成P型歐姆接觸層；
[0096]本實施例中，使用電子束蒸發(fā)一層透明導電氧化銦錫膜，膜的厚度在80_280nm之間。
[0097]S34:在氧化銦錫膜上做負性光刻膠光刻，顯影后腐蝕掉氧化銦錫膜的用于設置P面焊線電極的部分，并露出部分表面粗化層；
[0098]本實施例中腐蝕掉部分氧化銦錫膜對設置ρ面焊線電極較好，電極做在粗化層上相比于實施例3中做在氧化銦錫膜上有更好的牢固性。
[0099]S35:將襯底減薄，在襯底上蒸發(fā)含Ge的金屬材料形成η型歐姆接觸電極；
[0100]具體地，會將GaAs基板減薄至180_210um，并在基板的與緩沖層相反的一面上蒸發(fā)含金屬Ge的材料。
[0101]S36:對P面和η面進行高溫退火處理；
[0102]具體地，進行高溫退火處理時會將襯底放入通N2的高溫退火爐中，在360-500度的溫度下進行退火處理。
[0103]S37:在P面做負性光刻膠光刻并在顯影后蒸發(fā)含Al的金屬材料，蒸發(fā)完成后剝離光刻膠及含Al的金屬材料形成ρ面焊線電極；
[0104]本實施例中，在發(fā)光二極管的ρ面氧化銦錫膜上做負性光刻膠光刻，在顯影后蒸發(fā)含Al的金屬材料，將含Al的金屬材料剝離后即形成ρ面焊線電極。
[0105]S38:切割襯底并進行光電測試。
[0106]將減薄后的GaAs基板進行機械半切割，切割深度30_50um，進行光電參數(shù)測試后對基板實施全切割以得到二極管芯片。
[0107]本發(fā)明實施例提供的發(fā)光二極管通過采用高透過率導電膜氧化銦錫代替Au/AuBe/Au做ρ型歐姆接觸層，ρ面焊線電極采用金屬Al電極，芯片η面的η型歐姆接觸電極采用含金屬Ge的材料代替Au/AuGe/Au，可以極大地減少芯片制作過程中的黃金消耗，有效地大幅降低成本；使用氧化銦錫使得二極管在實現(xiàn)良好的電流擴展的同時，能夠將界面反射率降到最低來形成增透作用，極大提高了外量子效率，使芯片裸芯亮度提高。
[0108]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種發(fā)光二極管，包括依次層疊的襯底、緩沖層、分布布拉格反射鏡、η型限制層、有源層、P型限制層、GaP窗口層、P型歐姆接觸層，所述襯底的與所述緩沖層相對的一面上設置有η型歐姆接觸電極，所述P型歐姆接觸層的與所述GaP窗口層相反的一面上設置有P面焊線電極，其特征在于， 所述GaP窗口層與所述P型歐姆接觸層之間層疊有C元素重摻雜GaP層，所述ρ型歐姆接觸層為氧化銦錫膜，所述P面焊線電極為Al電極。
2.根據(jù)權利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于，所述C元素重摻雜GaP層中C元素的摻雜濃度大于lxl019cnT3，所述C元素重摻雜GaP層的厚度為400-1000nm。
3.根據(jù)權利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于，所述氧化銦錫膜的厚度為80-280nm。
4.根據(jù)權利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于，所述P面焊線電極包括依次層疊的Al電極焊線層，T1、N1、Cr中的1-2種金屬粘附層及Pt、N1、Cr中的1_2種金屬阻擋層，所述金屬阻擋層與所述P型歐姆接觸層貼合。
5.根據(jù)權利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于，所述η型歐姆接觸電極采用含Ge的金屬材料，所述η型歐姆接觸電極中還包括N1、T1、Al、Ag、Mo中的1_3種粘附層金屬。
6.根據(jù)權利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于，所述P型歐姆接觸層與所述C元素重摻雜GaP層之間層疊有表面粗化層。
7.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一襯底； 在所述襯底上依次形成緩沖層、分布布拉格反射鏡、η型限制層、有源層、ρ型限制層、GaP窗口層和C元素重摻雜GaP層； 在所述C元素重摻雜GaP層上蒸發(fā)一層氧化銦錫膜，形成ρ型歐姆接觸層； 將所述襯底減薄，在所述襯底上蒸發(fā)含Ge的金屬材料形成η型歐姆接觸電極； 對ρ面和η面進行高溫退火處理； 在所述P面做負性光刻膠光刻并在顯影后蒸發(fā)含Al的金屬材料，蒸發(fā)完成后剝離光刻膠及所述含Al的金屬材料形成ρ面焊線電極； 切割所述襯底并進行光電測試。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述形成ρ型歐姆接觸層之前，所述方法還包括: 在C元素重摻雜GaP層上進行表面粗化以形成表面粗化層。
9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述將所述襯底減薄之前，所述方法還包括: 在所述氧化銦錫膜上做負性光刻膠光刻，顯影后腐蝕掉氧化銦錫膜的用于設置P面焊線電極的部分，并露出部分所述表面粗化層。
10.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，所述在C元素重摻雜GaP層上進行表面粗化的過程中，使用的粗化液包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、磷酸銨、過氧化氫、次氯酸鈉中的1-5 種。
【文檔編號】H01L33/00GK104319332SQ201410597096
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月29日 優(yōu)先權日:2014年10月29日
【發(fā)明者】薛蕾, 肖千宇 申請人:華燦光電(蘇州）有限公司