具有底部屏蔽的有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【專利摘要】本公開涉及具有底部屏蔽的有機發(fā)光二極管顯示器。顯示器可具有有機發(fā)光二極管顯示器像素的陣列。每個顯示器像素可具有在驅動晶體管控制下發(fā)光的發(fā)光二極管。每個顯示器像素還可具有用于補償和編程操作的控制晶體管。顯示器像素的陣列可具有行和列。行線可用于向顯示器像素的行施加行控制信號。可以使用列線(數(shù)據(jù)線)向相應顯示器像素的列施加顯示數(shù)據(jù)和其他信號?？梢栽诿總€驅動晶體管下方形成底部導電屏蔽結構。底部導電屏蔽結構可用于將驅動晶體管從自相鄰行線和列線產(chǎn)生的任何電場屏蔽開。底部導電屏蔽結構可以是電浮置的或耦合到電源線路。
【專利說明】具有底部屏蔽的有機發(fā)光二極管顯示器
[0001]相關申請交叉引用
[0002]本專利申請要求2014年9月17日提交的美國專利申請14/488，725和2014年I月21日提交的美國臨時專利申請61/929，907的優(yōu)先權，上述專利申請據(jù)此全文以引用方式并入本文。

【技術領域】
[0003]本發(fā)明整體涉及具有顯示器的電子設備，更具體地，涉及用于顯示器諸如有機發(fā)光二極管顯示器的顯示驅動器電路。

【背景技術】
[0004]電子設備通常包括顯示器。例如，蜂窩電話和便攜式計算機包括用于向用戶呈現(xiàn)信息的顯示器。
[0005]顯示器，諸如有機發(fā)光二極管顯示器，具有基于發(fā)光二極管的顯示器像素陣列。在這種類型的顯示器中，每個顯示器像素都包括發(fā)光二極管和薄膜晶體管，薄膜晶體管用于控制向發(fā)光二極管施加信號以產(chǎn)生光。
[0006]有機發(fā)光二極管顯示器像素包括經(jīng)由接入薄膜晶體管連接到數(shù)據(jù)線的驅動薄膜晶體管。接入晶體管可具有柵極端子，其經(jīng)由對應的掃描線接收掃描信號。可以通過認定掃描信號以導通接入晶體管而將數(shù)據(jù)線上的圖像數(shù)據(jù)加載到顯示器像素中。
[0007]在常規(guī)的有機發(fā)光二極管顯示器像素中，掃描線較接近驅動晶體管而形成。在特定的操作情形中，可以偏置掃描線，從而可以在掃描線和驅動晶體管的溝道區(qū)之間產(chǎn)生水平電場。以這種方式產(chǎn)生的電場可能會干擾驅動薄膜晶體管的操作，從而導致不希望有的彩色偽影。
[0008]因此，希望能夠提供改進的顯示器，諸如改進的有機發(fā)光二極管顯示器。


【發(fā)明內容】

[0009]電子設備可包括具有顯示器像素陣列的顯示器。顯示器像素可以是有機發(fā)光二極管顯示器像素。每個顯示器像素可具有發(fā)光的有機發(fā)光二極管。每個顯示器像素中的驅動晶體管可以向該顯示器像素中的有機發(fā)光二極管施加電流。驅動晶體管可以通過閾值電壓來表征。
[0010]每個顯示器像素可具有控制晶體管，該控制晶體管用于針對閾值電壓中的變化來補償顯示器像素。在補償操作期間，可以向顯示器像素提供基準電壓。控制晶體管也可用于在編程操作期間向顯示器像素中加載顯示數(shù)據(jù)以及控制顯示器像素的發(fā)射操作。
[0011]可以為每個顯示器像素提供形成于驅動晶體管正下方的導電屏蔽結構，以防止因偏置控制晶體管而產(chǎn)生的任何水平電場干擾驅動晶體管的操作。導電屏蔽結構可以僅形成于驅動晶體管下方而不是控制晶體管下方。
[0012]導電屏蔽結構可由透明導電材料或不透明導電材料形成。導電屏蔽結構可以是電浮置的，或者可以短接到公共電源線路諸如公共陰極電極。具體地，導電屏蔽結構可形成于插置在驅動晶體管和其上方形成有驅動晶體管的透明基板之間的至少一個緩沖層。因此，有時將以這種方式形成的導電屏蔽稱為底部屏蔽。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是根據(jù)一個實施例的具有顯示器的例證性電子設備的圖示。
[0014]圖2是根據(jù)一個實施例的例證性顯示器諸如具有有機發(fā)光二極管顯示器像素陣列的有機發(fā)光二極管顯示器的圖示。
[0015]圖3是根據(jù)一個實施例的可用于顯示器中的類型的例證性有機發(fā)光二極管顯示器像素的圖示。
[0016]圖4是常規(guī)有機發(fā)光二極管顯示器像素結構的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0017]圖5是根據(jù)一個實施例的具有驅動晶體管和在驅動晶體管正下方形成的導電屏蔽結構的例證性有機發(fā)光二極管顯示器像素的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0018]圖6是根據(jù)一個實施例的具有電浮置的導電屏蔽結構的圖5中所示類型的多個顯示器像素的頂視圖。
[0019]圖7是根據(jù)一個實施例的具有彼此電短接的導電屏蔽結構的圖5中所示類型的多個顯示器像素的頂視圖。
[0020]圖8是示出了根據(jù)一個實施例如何可將顯示器像素陣列中的至少一些導電屏蔽結構短接到公共陰極電極的圖示。
[0021]圖9是顯示器像素陣列的周邊部分的橫截面?zhèn)纫晥D，示出了根據(jù)一個實施例如何可利用通孔將導電屏蔽結構連接到陰極電極。

【具體實施方式】
[0022]圖1中示出了可以裝備有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的類型的例證性電子設備。如圖1中所示，電子設備10可具有控制電路16?？刂齐娐?6可包括用于支持設備10的操作的存儲和處理電路。存儲和處理電路可包括存儲裝置，諸如硬盤驅動器存儲裝置、非易失性存儲器(例如，被配置為形成固態(tài)驅動器的閃存存儲器或其他電可編程只讀存儲器)、易失性存儲器(例如，靜態(tài)或動態(tài)隨機存取存儲器)，等等?？刂齐娐?6中的處理電路可用于控制設備10的操作。處理電路可基于一個或多個微處理器、微控制器、數(shù)字信號處理器、基帶處理器、電源管理單元、音頻編解碼芯片、專用集成電路、可編程集成電路等。
[0023]設備10中的輸入-輸出電路，諸如輸入-輸出設備12，可用于允許將數(shù)據(jù)提供給設備10以及允許將數(shù)據(jù)從設備10提供給外部設備。輸入-輸出設備12可包括按鈕、操縱桿、點擊輪、滾輪、觸控板、小鍵盤、鍵盤、麥克風、揚聲器、音頻發(fā)生器、振動器、攝像機、傳感器、發(fā)光二極管和其他狀態(tài)指示器、數(shù)據(jù)端口等。用戶可通過經(jīng)由輸入-輸出設備12提供命令來控制設備10的操作并且可使用輸入-輸出設備12的輸出資源從設備10接收狀態(tài)信息和其他輸出。
[0024]輸入-輸出設備12可包括一個或多個顯示器，諸如顯示器14。顯示器14可以是觸摸屏顯示器，其包括觸摸傳感器以用于從用戶采集觸摸輸入，或者顯示器14可以對觸摸不敏感。用于顯示器14的觸摸傳感器可以基于電容性觸摸傳感器電極、聲學觸摸傳感器結構、電阻性觸摸部件、基于力的觸摸傳感器結構、基于光的觸摸傳感器的陣列或其他適當?shù)挠|摸傳感器布置。
[0025]可以使用控制電路16在設備10上運行軟件，諸如操作系統(tǒng)代碼和應用程序。在設備10的操作期間，運行于控制電路16上的軟件可以在輸入-輸出設備中的顯示器14上顯示圖像。
[0026]圖2示出了顯示器14，其包括形成于一個或多個層諸如基板24上的結構。諸如基板24的層可由諸如平面玻璃層的材料的平面矩形層形成。顯示器14可具有顯示器像素22的陣列以用于為用戶顯示圖像。顯示器像素22的陣列可由基板24上的顯示器像素結構的行和列形成。這些結構可包括薄膜晶體管，諸如多晶硅薄膜晶體管、半導體氧化物薄膜晶體管等。在顯示器像素22的陣列中可以有任意適當數(shù)量的行和列(例如，十個或更多、一百個或更多、或者一千個或更多)。
[0027]可以利用焊料或導電粘合劑將顯示驅動器電路諸如顯示驅動器集成電路15耦合到導電通路諸如基板24上的金屬跡線。顯示驅動器集成電路15(有時稱為定時控制器芯片)可包含用于通過通路25與系統(tǒng)控制電路16通信的通信電路。通路25可由柔性印刷電路上的跡線或其他纜線形成?？刂齐娐房晌挥陔娮釉O備中的主邏輯板上，電子設備包括諸如蜂窩電話、計算機、電視、機頂盒、媒體播放器、便攜式電子設備、或正在使用顯示器14的其他電子設備。在操作期間，控制電路可以為顯示驅動器集成電路15提供要在顯示器14上顯示的圖像的信息。為了在顯示器像素22上顯示圖像，顯示驅動器集成電路15可以向顯示驅動器電路，諸如行驅動器電路18和列驅動器電路20，提供時鐘信號和其他控制信號。行驅動器電路18和/或列驅動器電路20可由一個或多個集成電路和/或一個或多個薄膜晶體管電路形成。
[0028]行驅動器電路18可以位于顯示器14的左右邊緣，僅在顯示器14的單個邊緣，或顯示器14中的別處。在操作期間，行驅動器電路18可在水平線28(有時稱為行線或“掃描”線)上提供行控制信號。有時可將行驅動器電路稱為掃描線驅動器電路。
[0029]可使用列驅動器電路20向多個對應的垂直線26上提供來自顯示驅動器集成電路15的數(shù)據(jù)信號D。列驅動器電路20有時可以稱為數(shù)據(jù)線驅動器電路或源極驅動器電路。垂直線26有時稱為數(shù)據(jù)線。在補償操作期間，列驅動器電路20可以使用垂直線26來提供基準電壓。在編程操作期間，利用線路26向顯示器像素22中加載顯示數(shù)據(jù)。
[0030]每一數(shù)據(jù)線26都與相應列的顯示器像素22相關聯(lián)。多組水平信號線28通過顯示器14水平延伸。每組水平信號線28都與相應行的顯示器像素22相關聯(lián)。每行中的水平信號線的數(shù)目由被水平信號線獨立控制的顯示器像素22中的晶體管數(shù)目決定?？捎刹煌瑪?shù)量的掃描線來操作不同配置的顯示器像素。
[0031]行驅動器電路18可以認定控制信號，諸如顯示器14中的行線28上的掃描信號。例如，驅動器電路18可從顯示驅動器集成電路15接收時鐘信號和其他控制信號，并可響應于所接收的信號認定每行顯示器像素22中的掃描信號和發(fā)射信號?？梢砸来翁幚盹@示器像素22的行，(例如)針對每幀圖像數(shù)據(jù)的處理開始于顯示器像素陣列的頂部，并結束于陣列的底部。在認定行中的掃描線時，由電路16提供給列驅動器電路20的控制信號和數(shù)據(jù)信號指示電路20對關聯(lián)的數(shù)據(jù)信號D解復用并驅動到數(shù)據(jù)線26上，從而將利用出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線D上的顯示數(shù)據(jù)來對行中的顯示器像素進行編程。顯示器像素然后能夠顯示加載的顯示數(shù)據(jù)。
[0032]在有機發(fā)光二極管顯示器中，每個顯示器像素都包含相應的有機發(fā)光二極管。圖3中示出了例證性有機發(fā)光二極管顯示器像素22的示意圖。如圖3中所示，顯示器像素22可包括耦合到驅動晶體管TD的發(fā)光二極管30?？梢詫⒄娫措妷篤DDa提供給正電源端子34，而可以將接地電源電壓Vssa提供給接地電源端子36。驅動晶體管TD的狀態(tài)控制流經(jīng)二極管30的電流量，因此控制來自顯示器像素22的發(fā)射光40的量。
[0033]顯示器像素22可具有存儲電容器Cstl和Cst2以及一個或多個用作開關的晶體管，諸如晶體管SW1、SW2和SW3。利用行線28向一行顯示器像素22提供信號EM和掃描信號SCANl與SCAN2。經(jīng)由數(shù)據(jù)線26向一列顯示器像素22提供數(shù)據(jù)D。
[0034]信號EM用于控制發(fā)射晶體管SW3的操作。晶體管SWl用于向連接到驅動晶體管TD的柵極的節(jié)點A施加數(shù)據(jù)線26的電壓。晶體管SW2用于在補償操作期間向節(jié)點B施加直流(DC)偏壓Vini以進行電路初始化。
[0035]在補償操作期間，針對像素間的變化，諸如晶體管閾值電壓變化，來補償顯示器像素22。補償周期包括初始化階段和閾值電壓生成階段。在補償之后(即，在已經(jīng)完成補償周期的補償操作之后)，向顯示器像素中加載數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)加載過程有時稱為數(shù)據(jù)編程，其發(fā)生于編程周期期間。在彩色顯示器中，編程可涉及對數(shù)據(jù)解復用以及向紅、綠和藍像素中加載解復用的數(shù)據(jù)。
[0036]在補償和編程之后(即在補償和編程周期到期之后)，可以使用該行的顯示器像素來發(fā)光。正使用顯示器像素來發(fā)光的時間周期(即發(fā)光二極管30發(fā)光40期間的時間)有時稱為發(fā)射周期。
[0037]在初始化階段期間，電路18認定SCANl和SCAN2 ( S卩，取SCANl和SCAN2的高值)。這將導通晶體管SWl和SW2，使得分別向節(jié)點A和B施加基準電壓信號Vref和初始化電壓信號Vini。在補償周期的閾值電壓生成階段期間，認定信號EM并導通開關SW3，使得電流流經(jīng)驅動晶體管TD以為節(jié)點B處的電容充電。隨著節(jié)點B處的電壓升高，通過驅動晶體管TD的電流將減小，因為驅動晶體管TD的柵極-源極電壓Vgs將接近驅動晶體管TD的閾值電壓Vt。節(jié)點B處的電壓將因此達到Vref-Vt。
[0038]在補償之后(即，在初始化和閾值電壓生成之后)，將數(shù)據(jù)編程到經(jīng)補償?shù)娘@示器像素中。在編程期間，通過解除認定信號EM來截止發(fā)射晶體管SW3，并利用數(shù)據(jù)線26向節(jié)點A施加期望的數(shù)據(jù)電壓D。在編程之后節(jié)點A處的電壓是顯示數(shù)據(jù)電壓Vdata0因為與節(jié)點A耦合，所以節(jié)點B處的電壓會升高。具體地講，取節(jié)點B處的電壓為Vref-Vt+ (Vdata-Vref) *K,其中 K 等于 Cstl/ (Cstl+Cst2+Coled),其中 Coled 是與二極管30相關聯(lián)的電容。
[0039]在已經(jīng)完成補償和編程操作之后，顯示器14的顯示驅動器電路將經(jīng)過補償和編程的顯示器像素置于發(fā)射模式(即，開始發(fā)射周期)。在發(fā)射期間，針對每個經(jīng)補償和編程的顯示器像素認定信號EM，以導通晶體管SW3。節(jié)點B處的電壓達到Voled，即與二極管30相關聯(lián)的電壓。節(jié)點A處的電壓達到Vdata+Voled-(Vref-Vt)-(Vdata-Vref) *K。針對驅動晶體管的Vgs-Vt值等于節(jié)點A處電壓Va和節(jié)點B處電壓Vb之間的差值。Va-Vb的值為(Vdata-Vref)*(1-K)，其與Vt無關。因此，已經(jīng)針對閾值電壓的變化為每個顯示器像素22進行了補償，使得由該行中每個顯示器像素22發(fā)射的光40的量僅與用于那些顯示器像素的每個的數(shù)據(jù)信號D的量值成比例。
[0040]圖4是常規(guī)OLED顯示器像素結構的橫截面?zhèn)纫晥D。如圖4中所示，像素結構形成于透光的聚酰亞胺(PI)基板100上。多個緩沖層102形成于PI基板100上。在緩沖層102上使多晶硅108圖案化以形成用于驅動晶體管106的有源區(qū)。在多晶硅108上方的緩沖層102上形成柵極絕緣層104。金屬柵極導體110形成于柵極絕緣層104上并充當驅動晶體管106的柵極端子。與晶體管106相鄰形成的金屬通路130可以充當用于顯示器像素的掃描線之一。氮化娃鈍化層(圖4中未不出)可形成于金屬結構110和130上方的柵極絕緣層104上。
[0041]通過這種方式形成的薄膜驅動晶體管106在發(fā)光二極管119的陰極58 (即氧化銦錫電極)和陽極116(即金屬層)之間傳遞電流。由于這一電流通過有機發(fā)光二極管發(fā)射電致發(fā)光層(發(fā)射層)118，所以產(chǎn)生光122。以這種方式產(chǎn)生光122的顯示器像素通常稱為頂部發(fā)射顯示器像素。
[0042]在正常顯示操作期間，有時將掃描線130偏置到負電壓(即，掃描線130可以被偏置到-5V)。假設緩沖層102包括兩個緩沖層，在PI基板100的頂部會引發(fā)負電荷。以這種方式引發(fā)的負電荷可能會不利地降低流經(jīng)驅動晶體管106的電流量(即，如線132所示，在掃描線130和晶體管106的溝道之間產(chǎn)生的電場會對晶體管106的性能產(chǎn)生負面影響)。因此，可能希望形成不受此水平場效應影響的顯示器像素。
[0043]根據(jù)一個實施例，提供了一種具有底部導電屏蔽的顯示器像素22(例如，參見圖5)。如圖5中所示,薄膜晶體管結構諸如薄膜驅動晶體管TD可形成于由玻璃、聚酰亞胺或其他透明電介質材料制成的透明基板200上。薄膜晶體管TD可以充當結合圖3描述的顯示器像素驅動晶體管TD。
[0044]可在基板200上形成諸如緩沖層306的一個或多個緩沖層。緩沖層306可包括有時稱為多緩沖(MB)層的層、有源氧化物層和由任何適當透明電介質材料形成的其他層。
[0045]可在緩沖層202上形成用于晶體管TD的有源材料208。有源材料208可以是多晶硅、氧化銦鎵鋅、非晶硅或其他半導體材料的層。柵極絕緣層諸如柵極絕緣層204可形成于緩沖層202上和有源材料上方。柵極絕緣體204可由電介質諸如氧化硅形成。導電柵極結構諸如柵極導體210可以設置于柵極絕緣體204上方。柵極導體210可以充當用于薄膜晶體管TD的柵極端子。柵極210正下方的有源材料208部分可以充當晶體管TD的溝道區(qū)。
[0046]導電通路諸如通路230可以形成為密切接近晶體管TD。例如通路230可以是用于向顯示器像素22傳輸控制/數(shù)據(jù)信號之一的控制線的一部分。在一種布置中，通路230可以是用于向像素22(圖3)中的對應開關SWl輸送信號SCANl的掃描線的一部分。在另一種布置中，通路230可以是用于向像素22中的對應開關SW2輸送信號SCAN2的掃描線的一部分。在另一種布置中，通路230可以是用于向像素22中的對應開關SW3輸送信號EM的控制線的一部分。
[0047]可以任選地在柵極絕緣層204上和柵極210上方形成鈍化層，諸如氮化硅層(圖5中未示出)。在沉積鈍化層之后，可以施加氫化退火工藝以鈍化薄膜晶體管結構。
[0048]可在薄膜晶體管結構上方形成一個或多個電介質層212 (有時稱為層間電介質或“ILD”層)。形成柵極210和通路230的材料有時稱為“Ml”金屬。因此，可以將其中形成Ml金屬的電介質層稱為Ml金屬路由層。
[0049]諸如薄膜晶體管TD的薄膜晶體管結構可以在發(fā)光二極管219的陰極220 (例如，透明導電層諸如氧化銦錫或氧化銦鋅)和陽極216(例如，光反射金屬層)之間傳遞電流。由于這一電流穿過有機發(fā)光二極管發(fā)射電致發(fā)光層(發(fā)射層)218，因此可以產(chǎn)生光。以這種方式產(chǎn)生的光可以穿過對應的濾色元件(未示出)，其為發(fā)射的光賦予期望的顏色。通常，可以為顯示器14實施頂部發(fā)射或底部發(fā)射顯示器像素配置。
[0050]如上所述，有時可能在晶體管TD和相鄰控制通路諸如通路230之間產(chǎn)生電場，如虛線場力線232所示。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，可在緩沖層202之內的驅動晶體管TD正下方形成導電屏蔽結構諸如屏蔽250。屏蔽250不應與有源材料208和柵極絕緣層204直接接觸。屏蔽結構250可由透明導電材料諸如氧化銦錫、鑰和鑰鎢或不透明導電材料諸如鈦、銅、鋁或其他金屬形成。以這種方式形成后，導電底部屏蔽250可用于遮擋從金屬通路230或用于晶體管TD的任何其他相鄰控制線產(chǎn)生的任何水平場(例如，屏蔽250可防止任何不希望的水平電場不利地影響晶體管TD的操作)。因此，有時將以這種方式形成于晶體管TD下方的屏蔽250稱為“底部”屏蔽或電場屏蔽。
[0051]通常，可能僅希望在每個像素中的驅動晶體管正下方形成底部導電屏蔽。換句話講，不必為周邊開關晶體管SW1、SW2和SW3(圖3)形成底部導電屏蔽。僅在驅動薄膜晶體管TD下方形成屏蔽250能夠幫助減小像素22之內的任何不希望的寄生電容，從而使動態(tài)功率消耗最小化。
[0052]圖5的結構形成特定顏色的單個子像素。在顯示器14中，每個顯示器像素22可以有三個或四個子像素或每個顯示器像素22可以有其他適當數(shù)量的子像素。圖6是具有三個子像素22-R、22-G和22-B的示例性顯示器像素22的圖示。子像素22-R可包括用于顯示紅光的電路(例如，子像素22-R可包括通過紅色濾色元件發(fā)光的發(fā)光二極管)。子像素22-G可包括用于顯示綠光的電路(例如，子像素22-G可包括通過綠色濾色元件發(fā)光的發(fā)光二極管)。子像素22-B可包括用于顯示藍光的電路(例如，子像素22-B可包括通過藍色濾色元件發(fā)光的發(fā)光二極管)。這僅是例證性的。通常，顯示器像素22可包括任意數(shù)量的配置為傳輸紅光、綠光、藍光、青光、品紅光、黃光、白光和/或可見光譜中其他類型光的子像素。
[0053]如圖6中所示，每個子像素包括驅動晶體管TD和相應導電光屏蔽250，該光屏蔽直接與驅動晶體管TD的覆蓋區(qū)重疊。以這種方式配置后，光屏蔽結構250用于防止因施加于控制通路230上的偏壓而產(chǎn)生的任何電場干擾驅動晶體管的操作。圖6的實例僅僅是例證性的，其中底部屏蔽250是電浮置的(即，屏蔽250未被任何上拉或下拉電路有源地驅動且未彼此連接)。在其他適當?shù)牟贾弥?，可利用導電短接通?52(例如，參見圖7)短接底部屏蔽250。
[0054]如圖7中所示，可在與導電屏蔽250相同的層中形成導電短接通路252 (例如，可在圖5的緩沖層202中形成導電短接通路252)。導電短接通路252也可由與屏蔽250相同的材料形成(例如，短接通路252可由透明導電材料諸如氧化銦錫、鑰和鑰鎢或不透明導電材料諸如鈦、銅、鋁或其他金屬形成)。經(jīng)由導電通路252將底部屏蔽短接在一起能夠提供改善的屏蔽能力，尤其是在將通路252短接到一些電源線路時。
[0055]圖8是示出了顯示器14中的像素22的陣列的圖示。如圖8中所示，可經(jīng)由通路252將底部屏蔽250的至少一部分(例如，導電屏蔽250-R、250-G與250-B)短接到電源線路254 (例如，提供接地電源電壓Vssa的電源線路)。可僅在顯示器14的周邊將底部屏蔽短接通路252耦合到地線254。通過以這種方式連接，將每個顯示器子像素中的底部屏蔽驅動到恒定電壓Vssa,這使得驅動晶體管能夠在整個顯示器像素陣列上以更一致的方式操作。
[0056]仍然參考圖8，至少一些顯示器像素22中的底部屏蔽是浮置的，未連接到電源線路254。這僅是例證性的。又如，整個像素陣列中的每個子像素的導電屏蔽250都可以是電浮置的。又如，可將整個像素陣列中的每個子像素的導電屏蔽250全部短接到接地電源線路、正電源線路或其他電源線路。
[0057]如上文結合圖5所述，底部屏蔽結構250可形成于緩沖層202中。在將底部屏蔽結構250短接到接地線(例如，公共陰極電極)的布置中，可通過經(jīng)薄膜晶體管層形成的導電通孔或“通孔”結構將底部屏蔽結構耦合到陰極。
[0058]圖9中示出了顯示器14的周邊部分260的橫截面?zhèn)纫晥D，示出了可以如何將底部屏蔽結構短接到陰極電極。如圖9中所示，導電短接通路252形成于緩沖層202中并可延伸到顯示器14的周邊中?？稍跂艠O絕緣層204上形成一個或多個Ml金屬路由通路，諸如金屬結構231?？赏ㄟ^層212和204形成第一通孔結構290以形成與底部導電通路252的接觸。具體地講，通孔290可以建立通路252和陽極216之間的電連接。可通過層218形成第二通孔結構292以形成與陽極216的接觸。具體地講，通孔282可用于建立陽極216和陰極220之間的電連接。通過以這種方式配置，可通過導電通路252和通孔290和292將圖5、圖7和圖8中所示類型的底部屏蔽結構250短接到接地陰極電極。
[0059]根據(jù)一個實施例，提供了一種顯示器，該顯示器包括基板、形成于基板上方的薄膜晶體管、插入薄膜晶體管和基板之間的至少一個緩沖層、以及形成于薄膜晶體管正下方的緩沖層中的導電屏蔽結構。
[0060]根據(jù)另一個實施例，導電屏蔽結構由透明導電材料形成。
[0061]根據(jù)另一個實施例，導電屏蔽結構由不透明導電材料形成。
[0062]根據(jù)另一個實施例，導電屏蔽結構是電浮置的。
[0063]根據(jù)另一個實施例，顯示器包括電源線路，導電屏蔽結構短接到電源線路。
[0064]根據(jù)另一個實施例，顯示器包括通過通孔短接到導電屏蔽結構的陰極電極。
[0065]根據(jù)另一個實施例，薄膜晶體管具有在柵極絕緣層上形成的柵極，導電屏蔽結構不與柵極絕緣層直接接觸。
[0066]根據(jù)另一個實施例，顯示器包括另外的薄膜晶體管，導電屏蔽結構僅形成于薄膜晶體管下方而不在另外的薄膜晶體管下方。
[0067]根據(jù)一個實施例，提供了一種制造顯示器像素的方法，包括在基板上方形成薄膜晶體管，形成插置于薄膜晶體管和基板之間的緩沖層，以及在緩沖層中形成用于薄膜晶體管的電場屏蔽。
[0068]根據(jù)另一個實施例，形成電場屏蔽包括在薄膜晶體管正下方形成導電屏蔽結構。
[0069]根據(jù)另一個實施例，該方法包括形成耦合到薄膜晶體管的發(fā)光二極管。
[0070]根據(jù)另一個實施例，發(fā)光二極管具有陰極電極，該方法包括通過導電通孔結構將電場屏蔽短接到陰極電極。
[0071]根據(jù)另一個實施例，電場屏蔽不是有源驅動的。
[0072]根據(jù)另一個實施例，該方法包括在基板上方形成另外的薄膜晶體管，以及在緩沖層中為另外薄膜晶體管形成另外的電場屏蔽。
[0073]根據(jù)另一個實施例，該方法包括在緩沖層中形成短接電場屏蔽和另外的電場屏蔽的導電通路。
[0074]根據(jù)一個實施例，提供了一種電子設備顯示器，包括布置成陣列的顯示器像素，陣列中的每個顯示器像素包括驅動晶體管和在驅動晶體管下方形成的導電屏蔽。
[0075]根據(jù)另一個實施例，陣列中的每個顯示器像素還包括耦合到驅動晶體管的發(fā)光二極管。
[0076]根據(jù)另一個實施例，陣列中的每個顯示器像素中的導電屏蔽是電浮置的。
[0077]根據(jù)另一個實施例，陣列中的每個顯示器像素中的導電屏蔽短接到公共電極。
[0078]根據(jù)另一個實施例，陣列的第一部分中的每個顯示器像素中的導電屏蔽是電浮置的，并且陣列的第二部分中的每個顯示器像素中的導電屏蔽短接到公共電極。
[0079]以上內容僅僅是說明性的，本領域的技術人員可以在不脫離所述實施例的范圍和實質的情況下做出各種修改。上述實施例可單獨實施，也可以任意組合實施。
【權利要求】
1.一種顯不器，包括: 基板； 薄膜晶體管，其形成于所述基板上； 至少一個緩沖層，其插置于所述薄膜晶體管和所述基板之間；以及 導電屏蔽結構，其直接在所述薄膜晶體管之下而形成于所述緩沖層中。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示器，其中所述導電屏蔽結構由透明導電材料形成。
3.根據(jù)權利要求1所述的顯示器，其中所述導電屏蔽結構由不透明導電材料形成。
4.根據(jù)權利要求1所述的顯示器，其中所述導電屏蔽結構是電浮置的。
5.根據(jù)權利要求1所述的顯示器，還包括: 電源線路，其中所述導電屏蔽結構短接到所述電源線路。
6.根據(jù)權利要求1所述的顯示器，還包括: 陰極電極，其通過通孔而短接到所述導電屏蔽結構。
7.根據(jù)權利要求1所述的顯示器，其中所述薄膜晶體管具有在柵極絕緣層上形成的柵極，并且其中所述導電屏蔽結構不與所述柵極絕緣層直接接觸。
8.根據(jù)權利要求1所述的顯示器，還包括: 另外的薄膜晶體管，其中所述導電屏蔽結構僅形成于所述薄膜晶體管下方而不在所述另外的薄膜晶體管下方。
9.一種制造顯示器像素的方法，包括: 在基板上方形成薄膜晶體管； 形成插置于所述薄膜晶體管和所述基板之間的緩沖層；以及 在所述緩沖層中形成用于所述薄膜晶體管的電場屏蔽。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中形成所述電場屏蔽包括在所述薄膜晶體管正下方形成導電屏蔽結構。
11.根據(jù)權利要求9所述的方法，還包括: 形成耦合到所述薄膜晶體管的發(fā)光二極管。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述發(fā)光二極管具有陰極電極，所述方法還包括: 通過導電通孔結構將所述電場屏蔽短接到所述陰極電極。
13.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述電場屏蔽不是有源驅動的。
14.根據(jù)權利要求9所述的方法，還包括: 在所述基板上方形成另外的薄膜晶體管；以及 在所述緩沖層中形成用于所述另外的薄膜晶體管的另外電場屏蔽。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，還包括: 在所述緩沖層中形成短接所述電場屏蔽和所述另外電場屏蔽的導電通路。
16.—種電子設備顯不器,包括: 布置成陣列的顯示器像素，其中所述陣列中的每個顯示器像素包括: 驅動晶體管；以及 導電屏蔽，其形成于所述驅動晶體管下方。
17.根據(jù)權利要求16所述的電子設備顯示器，其中所述陣列中的每個顯示器像素還包括耦合到所述驅動晶體管的發(fā)光二極管。
18.根據(jù)權利要求17所述的電子設備顯示器，其中所述陣列中的每個顯示器像素中的所述導電屏蔽是電浮置的。
19.根據(jù)權利要求17所述的電子設備顯示器，其中所述陣列中的每個顯示器像素中的所述導電屏蔽短接到公共電極。
20.根據(jù)權利要求17所述的電子設備顯示器，其中所述陣列的第一部分中的每個顯示器像素中的所述導電屏蔽是電浮置的，并且其中所述陣列的第二部分中的每個顯示器像素中的所述導電屏蔽短接到公共電極。
【文檔編號】H01L51/56GK104393018SQ201410611792
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年11月4日 優(yōu)先權日:2014年1月21日
【發(fā)明者】崔宰源, J-P·吉洛, 張世昌, 蔡宗廷, V·格普塔, 樸英培 申請人:蘋果公司