顯示基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，屬于顯示領(lǐng)域。其中，顯示基板包括：形成在襯底基板上的緩沖金屬層的圖形；位于形成有所述緩沖金屬層的圖形的襯底基板上的無機緩沖層；位于所述無機緩沖層上的顯示器件；其中，所述緩沖金屬層的熱膨脹系數(shù)在所述無極緩沖層的熱膨脹系數(shù)和所述基板的熱膨脹系數(shù)之間。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠緩沖基板對無機緩沖層造成的熱應(yīng)力的作用，防止無機緩沖層破裂，并提升顯示器件的顯示效果。
【專利說明】顯示基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是指一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，顯示器市場發(fā)展很快，尤其是平板顯示領(lǐng)域，如IXD(液晶顯示器）， rop (等離子體顯示器），OLED (有機電致發(fā)光顯示器）等，得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
[0003] 但是，液晶顯示器、有機電致發(fā)光顯示器的載體主要采用玻璃基板，玻璃基板具有 脆性、易損壞等缺點，在要求便攜化、輕薄化、質(zhì)輕的移動顯示設(shè)備領(lǐng)域以及大尺寸顯示設(shè) 備領(lǐng)域的應(yīng)用上受到了限制。因此，近年來以柔性基板如塑料基板、金屬箔片等代替玻璃基 板制備的柔性顯示器件受到了廣泛關(guān)注，在未來顯示領(lǐng)域也將有更廣闊的發(fā)展空間。
[0004] 有機柔性基板采用的材料主要包括PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯）、PI (聚酰亞 胺）、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯）等，這些材料具有較高的溫度穩(wěn)定性、尺寸穩(wěn)定性和化學(xué) 穩(wěn)定性。PI是耐溫等級最高的聚合物材料，且具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和尺寸穩(wěn)定性，是最有 前途的柔性基板材料。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)一般需要在PI基板上制備無機緩沖層（采用SiNx和SiO2等），用以緩沖 PI表面的粗糙度，之后再在無機緩沖層上制備顯示器件。但是由于PI的熱膨脹系數(shù)與無機 緩沖層相差較大（PI的熱膨脹系數(shù)為16ppm/°C，SiNx和SiO 2的熱膨脹系數(shù)小于5ppm/°C )， 且無機緩沖層一般需要采用PECVD (等離子體增強化學(xué)氣相沉積法）高溫制備，在高溫下 PI層會對無機緩沖層有較大的熱應(yīng)力（壓應(yīng)力），嚴重時甚至?xí)篃o機緩沖層破裂；另外， 采用PECVD制備的無機緩沖層的本征應(yīng)力也為較大的壓應(yīng)力，這樣會使無機緩沖層更易破 裂。
[0006] 現(xiàn)有解決上述問題的方法是通過調(diào)整工藝參數(shù)，將與PI層接觸的無機緩沖層的 本征應(yīng)力調(diào)整為拉應(yīng)力，即將無機緩沖層制備成結(jié)構(gòu)疏松的膜層，但是調(diào)整應(yīng)力的過程比 較復(fù)雜，并且膜層疏松不利于阻隔水汽，因此，現(xiàn)有技術(shù)并不能很好的解決無機緩沖層破裂 的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，能夠緩 沖基板對無機緩沖層造成的熱應(yīng)力的作用，防止無機緩沖層破裂，并提升顯示器件的顯示 效果。
[0008] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供技術(shù)方案如下：
[0009] 一方面，提供一種顯不基板，包括：
[0010] 形成在襯底基板上的緩沖金屬層的圖形；
[0011] 位于形成有所述緩沖金屬層的圖形的襯底基板上的無機緩沖層；
[0012] 位于所述無機緩沖層上的顯示器件；
[0013] 其中，所述緩沖金屬層的熱膨脹系數(shù)在所述無極緩沖層的熱膨脹系數(shù)和所述基板 的熱膨脹系數(shù)之間。
[0014] 進一步地，所述襯底基板為柔性基板。
[0015] 進一步地，所述顯示器件包括：
[0016] 利用多晶硅層形成的有源層的圖形；
[0017] 柵絕緣層；
[0018] 利用柵金屬層形成的柵電極；
[0019] 中間絕緣層；
[0020] 利用源漏金屬層形成的源電極和漏電極；
[0021] 包括有第一過孔的鈍化層；
[0022] 利用透明導(dǎo)電層形成的像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏電極 連接。
[0023] 進一步地，所述緩沖金屬層的圖形包括所述顯示器件的第一電容的第一電極；
[0024] 所述顯示基板還包括：
[0025] 利用摻雜或離子注入后的所述多晶硅層形成的所述顯示器件的第一電容的第二 電極。
[0026] 進一步地，所述顯示基板還包括：
[0027] 利用摻雜或離子注入后的所述多晶硅層形成的所述顯示器件的第二電容的第一 電極；
[0028] 利用柵金屬層形成的所述顯示器件的第二電容的第二電極。
[0029] 進一步地，所述顯示基板還包括：
[0030] 貫穿所述鈍化層、所述中間絕緣層、所述柵絕緣層和所述無機緩沖層的第二過 孔；
[0031] 利用透明導(dǎo)電層形成的通過所述第二過孔與所述第一電容的第一電極連接的信 號引出線。
[0032] 本發(fā)明實施例還提供了 一種顯示裝置，包括上述的顯示基板。
[0033] 本發(fā)明實施例還提供了一種顯示基板的制作方法，包括：
[0034] 在襯底基板上形成緩沖金屬層的圖形；
[0035] 在形成有所述緩沖金屬層的圖形的襯底基板上形成無機緩沖層；
[0036] 在所述無機緩沖層上制備顯示器件；
[0037] 其中，所述緩沖金屬層的熱膨脹系數(shù)在所述無極緩沖層的熱膨脹系數(shù)和所述基板 的熱膨脹系數(shù)之間。
[0038] 進一步地，所述在襯底基板上形成緩沖金屬層的圖形之前還包括：
[0039] 對所述襯底基板的表面進行等離子體轟擊；或
[0040] 對所述襯底基板的表面進行金屬離子注入。
[0041] 進一步地，所述在所述無機緩沖層上制備顯示器件包括：
[0042] 在所述無機緩沖層上利用多晶硅層形成有源層的圖形；
[0043] 形成柵絕緣層；
[0044] 利用柵金屬層形成柵電極；
[0045] 形成中間絕緣層；
[0046] 利用源漏金屬層形成源電極和漏電極；
[0047] 形成包括有第一過孔的鈍化層；
[0048] 利用透明導(dǎo)電層形成像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏電極連 接。
[0049] 進一步地，所述緩沖金屬層的圖形包括所述顯示器件的第一電容的第一電極；
[0050] 利用多晶硅層形成有源層的圖形的同時還包括：
[0051] 利用所述多晶硅層形成所述第一電容的第二電極區(qū)域；
[0052] 所述利用所述多晶硅層形成所述第一電容的第二電極區(qū)域之后還包括：
[0053] 對所述第二電極區(qū)域進行摻雜或離子注入形成所述第一電容的第二電極。
[0054] 進一步地，利用多晶硅層形成有源層的圖形的同時還包括：
[0055] 利用多晶硅層形成所述顯示器件的第二電容的第一電極區(qū)域；
[0056] 利用多晶硅層形成所述顯示器件的第二電容的第一電極區(qū)域之后還包括：對所述 第一電極區(qū)域進行摻雜或離子注入形成所述第二電容的第一電極；
[0057] 利用柵金屬層形成柵電極的同時還包括：
[0058] 利用柵金屬層形成所述第二電容的第二電極。
[0059] 進一步地，所述利用透明導(dǎo)電層形成像素電極之前還包括：
[0060] 形成貫穿所述鈍化層、所述中間絕緣層、所述柵絕緣層和所述無機緩沖層的第二 過孔；
[0061] 利用透明導(dǎo)電層形成像素電極的同時還包括：
[0062] 利用透明導(dǎo)電層形成通過所述第二過孔與所述第一電容的第一電極連接的信號 引出線。
[0063] 本發(fā)明的實施例具有以下有益效果：
[0064] 上述方案中，在基板上形成無機緩沖層之前，先在襯底基板上形成緩沖金屬層的 圖形，之后再制備無機緩沖層，并在無機緩沖層上制備顯示器件。由于金屬的熱膨脹系數(shù)介 于基板和無機絕緣層之間，并且制備緩沖金屬層時的溫度較低，不會有較大的熱應(yīng)力，而金 屬本征應(yīng)力多為張應(yīng)力，能夠很好的緩沖熱應(yīng)力，因此可以緩沖基板對無機緩沖層造成的 熱應(yīng)力的作用，防止無機緩沖層破裂；另外，緩沖金屬層可以用作顯示裝置存儲電容的下電 極，無機絕緣層用作存儲電容的絕緣介質(zhì)層，這樣制備得到的存儲電容距離源漏電極和像 素電極較遠，能夠減低電容耦合的效應(yīng)，提升顯示器件的顯示效果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0065] 圖1為本發(fā)明實施例在PI基板上制備緩沖金屬層的圖形后的示意圖；
[0066] 圖2為本發(fā)明實施例制備無機緩沖層和多晶硅層后的示意圖；
[0067] 圖3為本發(fā)明實施例制備TFT結(jié)構(gòu)后的示意圖；
[0068] 圖4為本發(fā)明實施例顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0069] 附圖標記
[0070] 1玻璃基板 2 PI基板 3緩沖金屬層 4無機緩沖層5有源層
[0071] 6附加電容下電極 7存儲電容上電極 8柵絕緣層
[0072] 9柵電極 10附加電容上電極 11中間絕緣層
[0073] 12源電極/漏電極 13鈍化層 14像素電極 15存儲電容
[0074] 16附加電容17信號引出線
【具體實施方式】
[0075] 為使本發(fā)明的實施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合 附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0076] 本發(fā)明的實施例提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，能夠緩沖基板對無 機緩沖層造成的熱應(yīng)力的作用，防止無機緩沖層破裂，并提升顯示器件的顯示效果。
[0077] 本發(fā)明實施例提供了一種顯示基板，包括：
[0078] 形成在襯底基板上的緩沖金屬層的圖形；
[0079] 位于形成有所述緩沖金屬層的圖形的襯底基板上的無機緩沖層；
[0080] 位于所述無機緩沖層上的顯示器件；
[0081] 其中，所述緩沖金屬層的熱膨脹系數(shù)在所述無極緩沖層的熱膨脹系數(shù)和所述基板 的熱膨脹系數(shù)之間。
[0082] 本發(fā)明的顯示基板包括位于襯底基板上的緩沖金屬層的圖形、無機緩沖層、位于 無機緩沖層上的顯示器件。由于金屬的熱膨脹系數(shù)介于基板和無機絕緣層之間，并且制備 緩沖金屬層時的溫度較低，不會有較大的熱應(yīng)力，而金屬本征應(yīng)力多為張應(yīng)力，能夠很好的 緩沖熱應(yīng)力，因此可以緩沖基板對無機緩沖層造成的熱應(yīng)力的作用，防止無機緩沖層破裂； 另外，緩沖金屬層可以用作顯示裝置存儲電容的下電極，無機絕緣層用作存儲電容的絕緣 介質(zhì)層，這樣制備得到的存儲電容距離源漏電極和像素電極較遠，能夠減低電容耦合的效 應(yīng)，提升顯示器件的顯示效果。
[0083] 其中，襯底基板可以為柔性基板，比如PET基板、PI基板、PEN基板等。進一步地， 襯底基板還可以為玻璃基板等硬質(zhì)基板，因為對于非柔性基板，同樣需要在非柔性基板上 形成一層無機緩沖層來阻隔非柔性基板中的金屬離子。
[0084] 進一步地，所述顯示器件包括：
[0085] 利用多晶硅層形成的有源層的圖形；
[0086] 柵絕緣層；
[0087] 利用柵金屬層形成的柵電極；
[0088] 中間絕緣層；
[0089] 利用源漏金屬層形成的源電極和漏電極；
[0090] 包括有第一過孔的鈍化層；
[0091] 利用透明導(dǎo)電層形成的像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏電極 連接。
[0092] 進一步地，所述緩沖金屬層的圖形包括所述顯示器件的第一電容的第一電極；
[0093] 所述顯示基板還包括：
[0094] 利用摻雜或離子注入后的所述多晶硅層形成的所述顯示器件的第一電容的第二 電極。
[0095] 進一步地，所述顯示基板還包括：
[0096] 利用摻雜或離子注入后的所述多晶硅層形成的所述顯示器件的第二電容的第一 電極；
[0097] 利用柵金屬層形成的所述顯示器件的第二電容的第二電極。
[0098] 進一步地，所述顯示基板還包括：
[0099] 貫穿所述鈍化層、所述中間絕緣層、所述柵絕緣層和所述無機緩沖層的第二過 孔；
[0100] 利用透明導(dǎo)電層形成的通過所述第二過孔與所述第一電容的第一電極連接的信 號引出線。
[0101] 本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。所述顯示裝置 可以為：液晶面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能 的產(chǎn)品或部件。
[0102] 本發(fā)明實施例提供了一種顯示基板的制作方法，包括：
[0103] 在襯底基板上形成緩沖金屬層的圖形；
[0104] 在形成有所述緩沖金屬層的圖形的襯底基板上形成無機緩沖層；
[0105] 在所述無機緩沖層上制備顯示器件；
[0106] 其中，所述緩沖金屬層的熱膨脹系數(shù)在所述無極緩沖層的熱膨脹系數(shù)和所述基板 的熱膨脹系數(shù)之間。
[0107] 本發(fā)明的制作方法，在基板上形成無機緩沖層之前，先在襯底基板上形成緩沖金 屬層的圖形，之后再制備無機緩沖層，并在無機緩沖層上制備顯示器件。由于金屬的熱膨脹 系數(shù)介于基板和無機絕緣層之間，并且制備緩沖金屬層時的溫度較低，不會有較大的熱應(yīng) 力，而金屬本征應(yīng)力多為張應(yīng)力，能夠很好的緩沖熱應(yīng)力，因此可以緩沖基板對無機緩沖層 造成的熱應(yīng)力的作用，防止無機緩沖層破裂；另外，緩沖金屬層可以用作顯示裝置存儲電容 的下電極，無機絕緣層用作存儲電容的絕緣介質(zhì)層，這樣制備得到的存儲電容距離源漏電 極和像素電極較遠，能夠減低電容耦合的效應(yīng)，提升顯示器件的顯示效果。
[0108] 其中，襯底基板可以為柔性基板，比如PET基板、PI基板、PEN基板等。進一步地， 襯底基板還可以為玻璃基板等硬質(zhì)基板，因為對于非柔性基板，同樣需要在非柔性基板上 形成一層無機緩沖層來阻隔非柔性基板中的金屬離子。
[0109] 進一步地，所述在襯底基板上形成緩沖金屬層的圖形之前還包括：
[0110] 對所述襯底基板的表面進行等離子體轟擊；或
[0111] 對所述襯底基板的表面進行金屬離子注入，以達到清潔襯底基板表面的目的。
[0112] 進一步地，所述在所述無機緩沖層上制備顯示器件包括：
[0113] 在所述無機緩沖層上利用多晶硅層形成有源層的圖形；
[0114] 形成柵絕緣層；
[0115] 利用柵金屬層形成柵電極；
[0116] 形成中間絕緣層；
[0117] 利用源漏金屬層形成源電極和漏電極；
[0118] 形成包括有第一過孔的鈍化層；
[0119] 利用透明導(dǎo)電層形成像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏電極連 接。
[0120] 進一步地，所述緩沖金屬層的圖形包括所述顯示器件的第一電容的第一電極；
[0121] 利用多晶硅層形成有源層的圖形的同時還包括：
[0122] 利用所述多晶硅層形成所述第一電容的第二電極區(qū)域；
[0123] 所述利用所述多晶硅層形成所述第一電容的第二電極區(qū)域之后還包括：
[0124] 對所述第二電極區(qū)域進行摻雜或離子注入形成所述第一電容的第二電極。
[0125] 上述第一電容可以為顯示裝置的存儲電容，這樣緩沖金屬層可以用作存儲電容的 下電極，無機絕緣層用作存儲電容的絕緣介質(zhì)層，制備得到的存儲電容距離源漏電極和像 素電極較遠，能夠減低電容耦合的效應(yīng)，提升顯示器件的顯示效果。
[0126] 進一步地，利用多晶硅層形成有源層的圖形的同時還包括：
[0127] 利用多晶硅層形成所述顯示器件的第二電容的第一電極區(qū)域；
[0128] 利用多晶硅層形成所述顯示器件的第二電容的第一電極區(qū)域之后還包括：對所述 第一電極區(qū)域進行摻雜或離子注入形成所述第二電容的第一電極；
[0129] 利用柵金屬層形成柵電極的同時還包括：
[0130] 利用柵金屬層形成所述第二電容的第二電極。
[0131] 上述第二電容可以作為顯示裝置的補償電容。
[0132] 進一步地，所述利用透明導(dǎo)電層形成像素電極之前還包括：
[0133] 形成貫穿所述鈍化層、所述中間絕緣層、所述柵絕緣層和所述無機緩沖層的第二 過孔；
[0134] 利用透明導(dǎo)電層形成像素電極的同時還包括：
[0135] 利用透明導(dǎo)電層形成通過所述第二過孔與所述第一電容的第一電極連接的信號 引出線，信號引出線可以將信號傳輸至所述第一電極。
[0136] 下面結(jié)合附圖以及具體的實施例對本發(fā)明的顯示基板及其制作方法進行進一步 地介紹：
[0137] 本實施例中的襯底基板為柔性的聚酰亞胺基板，本實施例的顯示基板的制作方法 具體包括以下步驟：
[0138] 步驟a :如圖1所示，在制備了 PI基板2的玻璃基板1上沉積一層緩沖金屬層3， 并通過構(gòu)圖工藝形成緩沖金屬層3的圖形；
[0139] 具體地，可以采用磁控濺射或者熱蒸鍍的方法在PI基板2上沉積一層厚度為 200-500A的緩沖金屬層，為了降低濺射過程對PI基板2的損傷，需要控制濺射功率使其 不要過高。另外為了增加緩沖金屬層3與PI基板2的附著力，在沉積緩沖金屬層3前，需 要對PI基板2表面進行氬氣等離子體轟擊，增加 PI基板2表面親水性；或者對PI基板2 表面進行金屬Ni離子注入，同時需要控制轟擊強度，能夠保證PI基板2表面不被破壞。
[0140] 緩沖金屬層的材料可以為Cu, Al，Ag, Mo, Cr, Nd, Ni, Mn, Ti, Ta, W等金屬以及這些 金屬的合金。緩沖金屬層可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti， Mo\Al\Mo等。在緩沖金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形 成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于緩沖金屬層3的圖 形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進行顯影處理，光刻膠未保留 區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻 蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成緩沖金屬層3的圖形，緩沖金 屬層3的圖形包括存儲電容下電極。
[0141] 步驟b :如圖2所不，制備無機緩沖層4和非晶娃層，并對非晶娃晶化形成多晶娃 層，并通過構(gòu)圖工藝利用多晶硅層形成有源層5的圖形、存儲電容上電極區(qū)域和附加電容 下電極區(qū)域，之后對存儲電容上電極區(qū)域和附加電容下電極區(qū)域進行摻雜分別形成存儲電 容上電極7和附加電容下電極6 ;
[0142] 具體地，可以采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD)方法在完成步驟a的PI基 板2上沉積厚度為丨500 ~ 2500 A的無機緩沖層4,無機緩沖層4可以選用氧化物、氮化物 或者氧氮化合物，具體可以為氮化硅/氧化硅的復(fù)合膜層。
[0143] 之后可以采用PECVD方法形成厚度為300-700A的非晶硅層，對非晶硅晶化形成 多晶硅層，在多晶硅層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光 刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于有源層5的圖形、存儲電 容上電極區(qū)域和附加電容下電極區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進 行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持 不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的多晶硅層，剝離剩余的光刻膠，形成有 源層5的圖形、存儲電容上電極區(qū)域和附加電容下電極區(qū)域，對存儲電容上電極區(qū)域和附 加電容下電極區(qū)域進行摻雜分別形成存儲電容上電極7和附加電容下電極6。
[0144] 步驟c :如圖3所示，制備TFT結(jié)構(gòu)；
[0145] 可以采用PECVD方法在完成步驟b的PI基板2上沉積厚度為500 ~ 2500 A的柵 絕緣層8,柵絕緣層8可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，具體地，柵絕緣層8可以為 氮化硅/氧化硅復(fù)合膜層。
[0146] 之后可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積厚度約為200 ~ 500A的柵金屬層，柵金 屬層可以是Cu, Al, Ag, Mo, Cr, Nd, Ni, Mn, Ti, Ta, W等金屬以及這些金屬的合金，柵金屬層 可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο等。在柵金屬層 上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光 刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵電極9和附加電容上電極10的圖形所在區(qū) 域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光 刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻 膠未保留區(qū)域的柵金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成柵電極9和附加電容上電極10。
[0147] 采用PECVD方法沉積厚度為4000 ~ 6000 A的中間絕緣層11，中間絕緣層11可 以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對中間絕緣層11進行刻蝕形成過孔。
[0148] 采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層厚度約為2000 ~ 4000 A的源 漏金屬層，源漏金屬層可以是Cu, Al, Ag,Mo, Cr, Nd, Ni,Mn, Ti, Ta, W等金屬以及這些金屬的 合金。源漏金屬層可以是單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)比如Cu\Mo, Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο 等。在源漏金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠 未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于源電極和漏電極12的圖形所 在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域 的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉 光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬層，剝離剩余的光刻膠，形成源電極和漏電極12,源電極和漏 電極12通過過孔與有源層5連接。
[0149] 步驟d :如圖4所示，制備鈍化層和像素電極。
[0150] 鈍化層由PVX和PLN組成，可以采用PECVD方法沉積氧化物、氮化物或者氧氮化合 物形成PVX，沉積有機材料形成PLN，對鈍化層進行干刻形成像素電極過孔和信號引出線過 孔。
[0151] 通過濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積厚度約為300 ~ 1500 A的透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電 層可以是ITO、IZO或者其他的透明金屬氧化物，在透明導(dǎo)電層上涂覆一層光刻膠，采用掩 膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠 保留區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極14和信號引出線17的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于 上述圖形以外的區(qū)域；進行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留 區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的透明導(dǎo)電層薄 膜，剝離剩余的光刻膠，形成像素電極14和信號引出線17的圖形，像素電極14通過像素電 極過孔與漏電極12連接，信號引出線17通過信號引出線過孔與緩沖金屬層3的圖形連接。
[0152] 圖4中，15為經(jīng)摻雜的多晶硅層的圖形7與緩沖金屬層3構(gòu)成的存儲電容，16為 經(jīng)摻雜的多晶硅層的圖形6與柵金屬層的圖形10構(gòu)成的附加電容，附加電容在電路設(shè)計時 可以用為補償電容。
[0153] 本實施例的制作方法先在聚酰亞胺基板上制備一層緩沖金屬層并進行光刻、刻 蝕，形成圖形作為存儲電容的下電極，之后再在上面制備無機緩沖層，同時無機緩沖層被用 作存儲電容的絕緣介質(zhì)層，然后再在無機緩沖層上制備顯示器件。金屬的熱膨脹系數(shù)一般 為10-20ppm/K,介于聚酰亞胺（16ppm/K)與無機絕緣層（SiNx:2.7ppm/K)之間，且制備緩 沖金屬層時的溫度較低，不會有較大的熱應(yīng)力，而金屬本征應(yīng)力多為張應(yīng)力，能夠起到緩沖 聚酰亞胺基板對無機緩沖層造成的熱應(yīng)力的作用，防止無機緩沖層出現(xiàn)裂痕。另外，存儲電 容距離源電極、漏電極和像素電極較遠，能夠減低電容耦合的效應(yīng)，提升顯示裝置的顯示效 果。
[0154] 以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也 應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種顯示基板，其特征在于，包括： 形成在襯底基板上的緩沖金屬層的圖形； 位于形成有所述緩沖金屬層的圖形的襯底基板上的無機緩沖層； 位于所述無機緩沖層上的顯示器件； 其中，所述緩沖金屬層的熱膨脹系數(shù)在所述無極緩沖層的熱膨脹系數(shù)和所述基板的熱 膨脹系數(shù)之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述襯底基板為柔性基板。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示器件包括： 利用多晶硅層形成的有源層的圖形； 柵絕緣層； 利用柵金屬層形成的柵電極； 中間絕緣層； 利用源漏金屬層形成的源電極和漏電極； 包括有第一過孔的鈍化層； 利用透明導(dǎo)電層形成的像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏電極連 接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述緩沖金屬層的圖形包括所述顯 不器件的第一電容的第一電極； 所述顯示基板還包括： 利用摻雜或離子注入后的所述多晶硅層形成的所述顯示器件的第一電容的第二電極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括： 利用摻雜或離子注入后的所述多晶硅層形成的所述顯示器件的第二電容的第一電 極； 利用柵金屬層形成的所述顯示器件的第二電容的第二電極。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括： 貫穿所述鈍化層、所述中間絕緣層、所述柵絕緣層和所述無機緩沖層的第二過孔； 利用透明導(dǎo)電層形成的通過所述第二過孔與所述第一電容的第一電極連接的信號引 出線。
7. -種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6中任一項所述的顯示基板。
8. -種顯示基板的制作方法，其特征在于，包括： 在襯底基板上形成緩沖金屬層的圖形； 在形成有所述緩沖金屬層的圖形的襯底基板上形成無機緩沖層； 在所述無機緩沖層上制備顯示器件； 其中，所述緩沖金屬層的熱膨脹系數(shù)在所述無極緩沖層的熱膨脹系數(shù)和所述基板的熱 膨脹系數(shù)之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成 緩沖金屬層的圖形之前還包括： 對所述襯底基板的表面進行等離子體轟擊；或 對所述襯底基板的表面進行金屬離子注入。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述無機緩沖層 上制備顯示器件包括： 在所述無機緩沖層上利用多晶硅層形成有源層的圖形； 形成柵絕緣層； 利用柵金屬層形成柵電極； 形成中間絕緣層； 利用源漏金屬層形成源電極和漏電極； 形成包括有第一過孔的鈍化層； 利用透明導(dǎo)電層形成像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏電極連接。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示基板的制作方法，其特征在于， 所述緩沖金屬層的圖形包括所述顯示器件的第一電容的第一電極； 利用多晶硅層形成有源層的圖形的同時還包括： 利用所述多晶硅層形成所述第一電容的第二電極區(qū)域； 所述利用所述多晶硅層形成所述第一電容的第二電極區(qū)域之后還包括： 對所述第二電極區(qū)域進行摻雜或離子注入形成所述第一電容的第二電極。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示基板的制作方法，其特征在于， 利用多晶硅層形成有源層的圖形的同時還包括： 利用多晶硅層形成所述顯示器件的第二電容的第一電極區(qū)域； 利用多晶硅層形成所述顯示器件的第二電容的第一電極區(qū)域之后還包括：對所述第一 電極區(qū)域進行摻雜或離子注入形成所述第二電容的第一電極； 利用柵金屬層形成柵電極的同時還包括： 利用柵金屬層形成所述第二電容的第二電極。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，所述利用透明導(dǎo)電層 形成像素電極之前還包括： 形成貫穿所述鈍化層、所述中間絕緣層、所述柵絕緣層和所述無機緩沖層的第二過 孔； 利用透明導(dǎo)電層形成像素電極的同時還包括： 利用透明導(dǎo)電層形成通過所述第二過孔與所述第一電容的第一電極連接的信號引出 線。
【文檔編號】H01L27/12GK104393005SQ201410680601
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年11月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月24日
【發(fā)明者】陳立強, 孫韜, 高濤, 楊靜, 許晨 申請人:京東方科技集團股份有限公司