一種應(yīng)用于等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)及等離子體設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)及等離子設(shè)備，包括射頻線圈、石英耦合窗、腔體、襯底、下電極、等離子聚焦結(jié)構(gòu)和磁性件，所述射頻線圈設(shè)置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗設(shè)置在所述腔體的上部，所述襯底設(shè)置在所述下電極的上部，所述襯底和所述下電極設(shè)置在所述腔體的下部，所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述腔體的內(nèi)部，且設(shè)置在所述腔體中設(shè)置的等離子體的下部，用于控制所述等離子體的流體分布，所述磁性件與所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)連接，且為中空結(jié)構(gòu)，用于施加磁場。本申請(qǐng)實(shí)施例通過提供一種應(yīng)用于等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)及等離子體設(shè)備，能夠控制等離子體的流體分布，使得等離子體與產(chǎn)品的表面反應(yīng)更充分。
【專利說明】一種應(yīng)用于等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)及等離子體設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及等離子體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種應(yīng)用于等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)及等尚子體設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著等離子技術(shù)的飛速發(fā)展，大面積高密度的等離子體源，如ECR，ICP和TCP等離子體等都被運(yùn)用于大規(guī)模集成電路制造，其制造工藝會(huì)被等離子體密度、電子溫度、氣體流量和反應(yīng)溫度等參數(shù)的影響，進(jìn)而可以通過對(duì)等離子體設(shè)備的硬件參數(shù)和工藝參數(shù)進(jìn)行控制，以更佳的工藝條件對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行加工，使得產(chǎn)品的合格率和成品率更高。
[0003]現(xiàn)有的等離子體設(shè)備在對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行加工時(shí)，通常是將產(chǎn)品放入等離子體設(shè)備中的腔室結(jié)構(gòu)中進(jìn)行等離子反應(yīng)，而現(xiàn)有的腔室結(jié)構(gòu)如圖1所示，所述腔室結(jié)構(gòu)包括射頻線圈10、石英耦合窗11、腔體12、襯底13和下電極14，射頻線圈10設(shè)置在石英耦合窗11的上部，石英耦合窗11設(shè)置在腔體12的上部，襯底13設(shè)置在下電極14的上部，襯底13和下電極14設(shè)置在腔體12的下部，腔體12的內(nèi)部設(shè)置有等離子體15，其中，襯底13根據(jù)加工的產(chǎn)品進(jìn)行相應(yīng)的選擇，將產(chǎn)品放入襯底13上，通過射頻線圈11和下電極14的共同作用下，使得等離子體15的中粒子與產(chǎn)品的表面進(jìn)行反應(yīng)，將產(chǎn)品的表面的部分刻蝕掉，以及反應(yīng)所生成的副產(chǎn)物在其表面沉積，從而完全對(duì)產(chǎn)品的等離子體刻蝕。
[0004]但是，現(xiàn)有的等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)中產(chǎn)品設(shè)置在襯底13上，而襯底13與等離子體15之間是真空，使得等離子體15與產(chǎn)品的表面進(jìn)行反應(yīng)時(shí)，不能控制等離子體15的等離子的流動(dòng)方向，進(jìn)而使得等離子體15與產(chǎn)品的表面反應(yīng)的控制也受影響的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本申請(qǐng)實(shí)施例通過提供一種應(yīng)用于等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)及等離子體設(shè)備，能夠控制等離子體的流體分布，使得等離子體與產(chǎn)品的表面反應(yīng)更充分，使得產(chǎn)品的合格率和成品率得以提尚。
[0006]本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種應(yīng)用于等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)，包括射頻線圈、石英耦合窗、腔體、襯底、下電極、等離子聚焦結(jié)構(gòu)和磁性件，所述射頻線圈設(shè)置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗設(shè)置在所述腔體的上部，所述襯底設(shè)置在所述下電極的上部，所述襯底和所述下電極設(shè)置在所述腔體的下部，所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述腔體的內(nèi)部，且設(shè)置在所述腔體中設(shè)置的等離子體的下部，用于控制所述等離子體的流體分布，所述磁性件與所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)連接，且為中空結(jié)構(gòu)，用于施加磁場。
[0007]可選的，所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)是由金屬、陶瓷或石英材料制成。
[0008]可選的，所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)具體為圓筒體或橢圓筒體。
[0009]可選的，所述磁性件與所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)連接。
[0010]可選的，所述磁性件設(shè)置在所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)的上部。
[0011]可選的，所述磁性件設(shè)置在所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)的下部。
[0012]可選的，所述磁性件設(shè)置在所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)的內(nèi)部。
[0013]本申請(qǐng)另一實(shí)施例還提供了一種等離子體設(shè)備，所述設(shè)備包括:
[0014]等離子設(shè)備本體；
[0015]腔室結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述等離子設(shè)備本體中，所述腔室結(jié)構(gòu)包括射頻線圈、石英耦合窗、腔體、襯底、下電極、等離子聚焦結(jié)構(gòu)和磁性件，所述射頻線圈設(shè)置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗設(shè)置在所述腔體的上部，所述襯底設(shè)置在所述下電極的上部，所述襯底和所述下電極設(shè)置在所述腔體的下部，所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述腔體的內(nèi)部，且設(shè)置在所述腔體中設(shè)置的等離子體的下部，用于控制所述等離子體的流體分布，所述磁性件與所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)連接，且為中空結(jié)構(gòu)，用于施加磁場。
[0016]本發(fā)明有益效果如下:
[0017]本發(fā)明實(shí)施例中，本申請(qǐng)技術(shù)方案是將射頻線圈設(shè)置在石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗設(shè)置在腔體的上部，襯底設(shè)置在下電極的上部，所述襯底和所述下電極設(shè)置在所述腔體的下部，所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述腔體的內(nèi)部，且設(shè)置在所述腔體中設(shè)置的等離子體的下部，用于控制所述等離子體的流體分布，由于所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)能夠控制所述等離子體的流體分布，從而可以使得所述等離子體能夠向設(shè)置在所述襯底上的產(chǎn)品流動(dòng)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，使得產(chǎn)品在相同時(shí)間內(nèi)接觸所述等離子體中的中粒子的數(shù)量更高，使得產(chǎn)品的表面與所述等離子體反應(yīng)更充分，使得產(chǎn)品的合格率和成品率得以提高；而且所述磁性件與所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)連接，用于施加磁場，使得等離子體在磁場的作用下密度得以增大，能夠調(diào)節(jié)對(duì)應(yīng)的局部的工藝表現(xiàn)能力如刻蝕速度、刻蝕均勻性等，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的質(zhì)量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖；
[0019]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中應(yīng)用于等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)的第一種結(jié)構(gòu)圖；
[0020]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中磁性件的第一種結(jié)構(gòu)圖；
[0021]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中腔室結(jié)構(gòu)的第二種結(jié)構(gòu)圖；
[0022]圖5為本發(fā)明實(shí)施例中腔室結(jié)構(gòu)的第三種結(jié)構(gòu)圖；
[0023]圖6為本發(fā)明實(shí)施例中磁性件的第二種結(jié)構(gòu)圖。
[0024]圖中有關(guān)附圖標(biāo)記如下:
[0025]10——射頻線圈，11——石英耦合窗，12——腔體，13——腔體，14——下電極，15一一等離子體，20一一射頻線圈，21—一石英耦合窗，22一一腔體，23一一腔體，24一一下電極，25——等離子聚焦結(jié)構(gòu)，26——等離子體，27——開口結(jié)構(gòu)，30——磁性件，31——實(shí)體部分，32——中空部分，33——永磁體。

【具體實(shí)施方式】
[0026]本申請(qǐng)實(shí)施例通過提供一種應(yīng)用于等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)及等離子體設(shè)備，能夠控制等離子體的流體分布，使得等離子體與產(chǎn)品的表面反應(yīng)更充分，使得產(chǎn)品的合格率和成品率得以提尚。
[0027]下面結(jié)合各個(gè)附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案的主要實(shí)現(xiàn)原理、【具體實(shí)施方式】及其對(duì)應(yīng)能夠達(dá)到的有益效果進(jìn)行詳細(xì)地闡述。
[0028]本發(fā)明一實(shí)施例提出了一種應(yīng)用于等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)，參見圖2，包括射頻線圈20、石英耦合窗21、腔體22、襯底23、下電極24、等離子聚焦結(jié)構(gòu)25和磁性件30，射頻線圈20設(shè)置在石英耦合窗21的上部，石英耦合窗21設(shè)置在腔體22的上部，襯底23設(shè)置在下電極24的上部，襯底23和下電極24設(shè)置在腔體22的下部，等離子聚焦結(jié)構(gòu)25設(shè)置在腔體24的內(nèi)部，且設(shè)置在腔體22中設(shè)置的等離子體26的下部，用于控制等離子體26的流體分布，以使得等離子體26向設(shè)置在襯底13上的產(chǎn)品流動(dòng)，磁性件30與等離子聚焦結(jié)構(gòu)25連接，且為中空結(jié)構(gòu)，用于施加磁場，其中，磁性件30例如是磁體、軟磁等組成。
[0029]其中，等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25是由金屬、陶瓷或石英等中的一種或多種材料制成，等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25具體為一個(gè)圓筒體或橢圓筒體，第一等離子聚焦結(jié)構(gòu)25的外側(cè)與腔體22的內(nèi)壁固接，且等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25設(shè)置在腔室22的上部，由于等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25具體為一個(gè)圓筒體或橢圓筒體，使得等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25的豎剖面形成一個(gè)開口結(jié)構(gòu)27，且開口結(jié)構(gòu)27下部正對(duì)襯底23，以使得產(chǎn)品放入襯底23上進(jìn)行反應(yīng)時(shí)，等離子體26從開口結(jié)構(gòu)27向下流向襯底23，與現(xiàn)有技術(shù)相比，使得產(chǎn)品在相同時(shí)間內(nèi)接觸等離子體26中的中粒子的數(shù)量更高，使得產(chǎn)品的表面與等離子體26反應(yīng)更充分，使得產(chǎn)品的合格率和成品率得以提尚。
[0030]具體的，參見圖2和圖3，磁性件30與等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25連接，磁性件30具體可以為圓筒體、錐形體等形狀，且磁性件30可以是由N級(jí)永磁體和S級(jí)永磁體組成，其中，磁性件30與等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25可以是一體成型的，當(dāng)然磁性件30還可以通過焊接的方式與等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25連接。
[0031]具體的，參見圖2，磁性件30設(shè)置在等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25的下部，使得磁性件30的下端與等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25的末端的下表面連接，所述末端是指等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25中的靠近中空結(jié)構(gòu)的一端，使得磁性件30對(duì)等離子體26施加磁場，而等離子體26在磁場的作用下密度會(huì)增大，從而能夠調(diào)節(jié)對(duì)應(yīng)的局部的工藝表現(xiàn)能力如刻蝕速度、刻蝕均勻性等，進(jìn)一步提尚廣品的質(zhì)量。
[0032]具體的，參見圖4，磁性件30設(shè)置在等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25的上部，使得磁性件30的下端與等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25的末端的上表面連接，所述末端是指等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25中的靠近中空結(jié)構(gòu)的一端，使得磁性件30對(duì)等離子體26施加磁場，而等離子體26在磁場的作用下密度會(huì)增大，從而能夠調(diào)節(jié)對(duì)應(yīng)的局部的工藝表現(xiàn)能力如刻蝕速度、刻蝕均勻性等，進(jìn)一步提尚廣品的質(zhì)量。
[0033]具體的，參見圖5，磁性件30設(shè)置在等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25的內(nèi)部，使得磁性件30的上下兩端分別與等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25的末端的上表面和下表面連接，所述末端是指等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25中的靠近中空結(jié)構(gòu)的一端，使得磁性件30對(duì)等離子體26施加磁場，而等離子體26在磁場的作用下密度會(huì)增大，從而能夠調(diào)節(jié)對(duì)應(yīng)的局部的工藝表現(xiàn)能力如刻蝕速度、刻蝕均勻性等，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0034]具體的，參見圖6，磁性件30為中空結(jié)構(gòu)，所述中空結(jié)構(gòu)的橫截面可以圓形，磁性件30包括實(shí)體部分31、中空部分32和永磁體33，永磁體33包括N級(jí)永磁體和S級(jí)永磁體，成間隔分布，即每兩個(gè)N級(jí)永磁體之間有一個(gè)S級(jí)永磁體，每兩個(gè)S級(jí)永磁體之間有一個(gè)N級(jí)永磁體，當(dāng)然所述中空結(jié)構(gòu)的橫截面還可以矩形、橢圓形等形狀，本申請(qǐng)不作具體限制。
[0035]在實(shí)際應(yīng)用過程中，由于第一等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25具體為一個(gè)圓筒體或橢圓筒體，使得第一等離子體聚焦結(jié)構(gòu)25的豎剖面形成一個(gè)開口結(jié)構(gòu)27，使得等離子體26在流動(dòng)過程中，在開口結(jié)構(gòu)27的作用下，從上到下，從下到上進(jìn)行流動(dòng)，而開口結(jié)構(gòu)27正下方正對(duì)襯底23，而產(chǎn)品正設(shè)置在襯底23上，從而使得等離子體26持續(xù)流向產(chǎn)品，與現(xiàn)有技術(shù)相比，使得產(chǎn)品在相同時(shí)間內(nèi)接觸等離子體26中的中粒子的數(shù)量更高，使得產(chǎn)品的表面與等離子體26反應(yīng)更充分，使得產(chǎn)品的合格率和成品率得以提高。
[0036]本發(fā)明有益效果如下:
[0037]本發(fā)明實(shí)施例中，本申請(qǐng)技術(shù)方案是將射頻線圈設(shè)置在石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗設(shè)置在腔體的上部，襯底設(shè)置在下電極的上部，所述襯底和所述下電極設(shè)置在所述腔體的下部，所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述腔體的內(nèi)部，且設(shè)置在所述腔體中設(shè)置的等離子體的下部，用于控制所述等離子體的流體分布，由于所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)能夠控制所述等離子體的流體分布，從而可以使得所述等離子體能夠向設(shè)置在所述襯底上的產(chǎn)品流動(dòng)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，使得產(chǎn)品在相同時(shí)間內(nèi)接觸所述等離子體中的中粒子的數(shù)量更高，使得產(chǎn)品的表面與所述等離子體反應(yīng)更充分，使得產(chǎn)品的合格率和成品率得以提高；而且所述磁性件與所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)連接，用于施加磁場，使得等離子體在磁場的作用下密度得以提高，能夠進(jìn)一步調(diào)節(jié)對(duì)應(yīng)的局部的工藝表現(xiàn)能力如刻蝕速度、刻蝕均勻性等，進(jìn)一步提尚廣品的質(zhì)量。
[0038]本申請(qǐng)另一實(shí)施例還提供了一種等離子體設(shè)備，包括等離子設(shè)備本體；腔室結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述等離子設(shè)備本體中，所述腔室結(jié)構(gòu)包括射頻線圈、石英耦合窗、腔體、襯底、下電極、等離子聚焦結(jié)構(gòu)和磁性件，所述射頻線圈設(shè)置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗設(shè)置在所述腔體的上部，所述襯底設(shè)置在所述下電極的上部，所述襯底和所述下電極設(shè)置在所述腔體的下部，所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述腔體的內(nèi)部，且設(shè)置在所述腔體中設(shè)置的等離子體的下部，用于控制所述等離子體的流體分布，所述磁性件與所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)連接，且呈中空結(jié)構(gòu)，用于施加磁場。
[0039]較佳的，所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)是由金屬、陶瓷或石英材料制成。
[0040]較佳的，所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)具體為圓筒體或橢圓筒體。
[0041]較佳的，所述磁性件與所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)連接。
[0042]較佳的，所述磁性件設(shè)置在所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)的上部。
[0043]較佳的，所述磁性件設(shè)置在所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)的下部。
[0044]較佳的，所述磁性件設(shè)置在所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)的內(nèi)部。
[0045]本發(fā)明有益效果如下:
[0046]本發(fā)明實(shí)施例中，本申請(qǐng)技術(shù)方案是將射頻線圈設(shè)置在石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗設(shè)置在腔體的上部，襯底設(shè)置在下電極的上部，所述襯底和所述下電極設(shè)置在所述腔體的下部，所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述腔體的內(nèi)部，且設(shè)置在所述腔體中設(shè)置的等離子體的下部，用于控制所述等離子體的流體分布，由于所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)能夠控制所述等離子體的流體分布，從而可以使得所述等離子體能夠向設(shè)置在所述襯底上的產(chǎn)品流動(dòng)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，使得產(chǎn)品在相同時(shí)間內(nèi)接觸所述等離子體中的中粒子的數(shù)量更高，使得產(chǎn)品的表面與所述等離子體反應(yīng)更充分，使得產(chǎn)品的合格率和成品率得以提高；而且所述磁性件與所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)連接，用于施加磁場，使得等離子體在磁場的作用下密度得以提高，能夠進(jìn)一步調(diào)節(jié)對(duì)應(yīng)的局部的工藝表現(xiàn)能力如刻蝕速度、刻蝕均勻性等，進(jìn)一步提尚廣品的質(zhì)量。
[0047]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于等離子體設(shè)備的腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括射頻線圈、石英耦合窗、腔體、襯底、下電極、等離子聚焦結(jié)構(gòu)和磁性件，所述射頻線圈設(shè)置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗設(shè)置在所述腔體的上部，所述襯底設(shè)置在所述下電極的上部，所述襯底和所述下電極設(shè)置在所述腔體的下部，所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述腔體的內(nèi)部，且設(shè)置在所述腔體中設(shè)置的等離子體的下部，用于控制所述等離子體的流體分布，所述磁性件與所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)連接，且為中空結(jié)構(gòu)，用于施加磁場。
2.如權(quán)利要求1所述的腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)是由金屬、陶瓷或石英材料制成。
3.如權(quán)利要求2所述的腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)具體為圓筒體或橢圓筒體。
4.如權(quán)利要求4所述的腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述磁性件所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)連接。
5.如權(quán)利要求4所述的腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述磁性件設(shè)置在所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)的上部。
6.如權(quán)利要求4所述的腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述磁性件設(shè)置在所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)的下部。
7.如權(quán)利要求4所述的腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述磁性件設(shè)置在所述等離子體聚焦結(jié)構(gòu)的內(nèi)部。
8.一種等離子體設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括: 等尚子設(shè)備本體； 腔室結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述等離子設(shè)備本體中，所述腔室結(jié)構(gòu)包括射頻線圈、石英耦合窗、腔體、襯底、下電極、等離子聚焦結(jié)構(gòu)和磁性件，所述射頻線圈設(shè)置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗設(shè)置在所述腔體的上部，所述襯底設(shè)置在所述下電極的上部，所述襯底和所述下電極設(shè)置在所述腔體的下部，所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述腔體的內(nèi)部，且設(shè)置在所述腔體中設(shè)置的等離子體的下部，用于控制所述等離子體的流體分布，所述磁性件與所述等離子聚焦結(jié)構(gòu)連接，且為中空結(jié)構(gòu)，用于施加磁場。
【文檔編號(hào)】H01L21/3065GK104505326SQ201410797353
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月19日
【發(fā)明者】張慶釗 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院嘉興微電子儀器與設(shè)備工程中心