陣列基板和顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)了一種陣列基板和顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠使柵極絕緣層和有源層在一次構(gòu)圖工藝中形成，減少構(gòu)圖工藝次數(shù)。該陣列基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域和所述非顯示區(qū)域上設(shè)置有柵極金屬層和位于所述柵極金屬層上方的數(shù)據(jù)線金屬層，所述柵極金屬層包括位于所述非顯示區(qū)域的布線柵極金屬部分和位于所述顯示區(qū)域的柵線，所述數(shù)據(jù)線金屬層包括位于所述顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線，所述顯示區(qū)域上設(shè)置有薄膜晶體管，所述柵線包括與所述數(shù)據(jù)線交叉的交叉柵線部分和用于構(gòu)成所述薄膜晶體管的柵極，所述布線柵極金屬部分、所述交叉柵線部分和所述柵極所在區(qū)域，包括依次設(shè)置的圖形相同的柵極絕緣層和有源層。
【專(zhuān)利說(shuō)明】陣列基板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器是一種平面超薄的顯示裝置，其主要包括陣列基板，陣列基板上設(shè)置有柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層等膜層。
[0003]進(jìn)一步地，陣列基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，其中，整個(gè)顯示區(qū)域上覆蓋有柵極絕緣層，用于使柵極金屬層與其他膜層絕緣；非顯示區(qū)域處的柵極絕緣層具有一定的圖形，以使得一部分柵極金屬層暴露，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)柵極金屬層和其他導(dǎo)電膜層的電連接。有源層僅位于顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管所在區(qū)域內(nèi)，用以構(gòu)成薄膜晶體管的溝道。
[0004]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于陣列基板具有上述結(jié)構(gòu)，因此，在陣列基板的制作過(guò)程中需要使用兩張掩膜板，經(jīng)過(guò)兩次構(gòu)圖工藝分別形成柵極絕緣層的圖形和有源層的圖形。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種陣列基板和顯示裝置，能夠使柵極絕緣層和有源層在一次構(gòu)圖工藝中形成，減少構(gòu)圖工藝次數(shù)。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板，該陣列基板采用如下技術(shù)方案:
[0007]一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域和所述非顯示區(qū)域上設(shè)置有柵極金屬層和位于所述柵極金屬層上方的數(shù)據(jù)線金屬層，所述柵極金屬層包括位于所述非顯示區(qū)域的布線柵極金屬部分和位于所述顯示區(qū)域的柵線，所述數(shù)據(jù)線金屬層包括位于所述顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線，所述顯示區(qū)域上設(shè)置有薄膜晶體管，所述柵線包括與所述數(shù)據(jù)線交叉的交叉柵線部分和用于構(gòu)成所述薄膜晶體管的柵極，所述布線柵極金屬部分、所述交叉柵線部分和所述柵極所在區(qū)域，包括依次設(shè)置的圖形相同的柵極絕緣層和有源層。
[0008]所述數(shù)據(jù)線金屬層還包括位于所述非顯示區(qū)域的布線數(shù)據(jù)線金屬部分，所述布線柵極金屬部分所在區(qū)域包括依次設(shè)置的所述布線柵極金屬部分、所述柵極絕緣層、所述有源層和所述布線數(shù)據(jù)線金屬部分，所述柵極絕緣層和所述有源層上設(shè)置有過(guò)孔，所述布線數(shù)據(jù)線金屬部分通過(guò)所述過(guò)孔與所述布線柵極金屬部分電連接。
[0009]所述交叉柵線部分所在區(qū)域包括依次設(shè)置的所述交叉柵線部分、所述柵極絕緣層、所述有源層和所述數(shù)據(jù)線。
[0010]所述數(shù)據(jù)線金屬層還包括漏極，所述柵極所在區(qū)域包括依次設(shè)置的所述柵極、所述柵極絕緣層、所述有源層和所述漏極。
[0011]相鄰兩個(gè)所述薄膜晶體管之間的區(qū)域處未設(shè)置所述有源層。
[0012]所述數(shù)據(jù)線金屬層還包括公共電極，所述公共電極位于相鄰兩所述數(shù)據(jù)線之間，所述公共電極與所述薄膜晶體管之間未設(shè)置所述有源層。
[0013]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種如上所述的陣列基板，該陣列基板上柵極金屬層包括的布線柵極金屬部分、交叉柵線部分和柵極所在區(qū)域，包括依次設(shè)置的圖形相同的柵極絕緣層和有源層，因此，柵極絕緣層和有源層可以使用同一張掩膜板，在同一次構(gòu)圖工藝中形成，從而減少構(gòu)圖工藝次數(shù)。
[0014]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括以上任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中的第一種陣列基板的平面示意圖；
[0017]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中的圖1所示的陣列基板沿A-A’方向的截面示意圖；
[0018]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例中的第二種陣列基板的平面示意圖；
[0019]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例中的圖3所示的陣列基板沿A-A’方向的截面示意圖；
[0020]附圖標(biāo)記說(shuō)明: [0021]I 一顯示區(qū)域；2—非顯示區(qū)域；3—布線柵極金屬部分；
[0022]4一柵線；41 一交叉柵線部分；42—柵極；
[0023]5—數(shù)據(jù)線；6—柵極絕緣層；7—有源層；
[0024]8—布線數(shù)據(jù)線金屬部 9—過(guò)孔；10—漏極；
[0025]分；
[0026]11一鈍化層；12—公共電極。
【具體實(shí)施方式】
[0027]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，能夠使柵極絕緣層和有源層在一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0028]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖1和圖2所示，該陣列基板包括顯示區(qū)域I和非顯示區(qū)域2，顯示區(qū)域I和非顯示區(qū)域2上設(shè)置有柵極金屬層和位于柵極金屬層上方的數(shù)據(jù)線金屬層，柵極金屬層包括位于非顯示區(qū)域2的布線柵極金屬部分3和位于顯示區(qū)域的柵線4，數(shù)據(jù)線金屬層包括位于顯示區(qū)域I的數(shù)據(jù)線5，顯示區(qū)域I上設(shè)置有薄膜晶體管，柵線4包括與數(shù)據(jù)線5交叉的交叉柵線部分41和用于構(gòu)成薄膜晶體管的柵極42，其中，布線柵極金屬部分3、交叉柵線部分41和柵極42所在區(qū)域，包括依次設(shè)置的圖形相同的柵極絕緣層6和有源層7。其中，有源層7可以為多層結(jié)構(gòu)也可以為單層結(jié)構(gòu)。
[0030]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種如上所述的陣列基板，該陣列基板上柵極金屬層包括的布線柵極金屬部分、交叉柵線部分和柵極所在區(qū)域，包括依次設(shè)置的圖形相同的柵極絕緣層和有源層，因此，柵極絕緣層和有源層可以使用同一張掩膜板，在同一次構(gòu)圖工藝中形成，從而減少構(gòu)圖工藝次數(shù)。
[0031]為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員制作具有上述結(jié)構(gòu)的陣列基板，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法。示例性地，在陣列基板上的布線柵極金屬部分3、交叉柵線部分41和柵極42所在區(qū)域，形成圖形相同的柵極絕緣層6和有源層7的制作過(guò)程大體包括如下步驟:
[0032]步驟一，在襯底基板上形成柵極金屬層，經(jīng)過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)柵極金屬層進(jìn)行圖形化，圖形化后的柵極金屬層包括布線柵極金屬部分3、交叉柵線部分41和柵極42，當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，柵極金屬層還可以包括其他部分，本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0033]步驟二，在形成了柵極金屬層的襯底基板上，形成一層?xùn)艠O絕緣層6，然后再形成一層有源層7，然后經(jīng)過(guò)一次構(gòu)圖工藝對(duì)柵極絕緣層6和有源層7進(jìn)行圖形化，圖形化后的柵極絕緣層6和有源層7具有相同的圖形。
[0034]下面結(jié)合附圖對(duì)上述布線柵極金屬部分3、交叉柵線部分41和柵極42所在區(qū)域的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0035]具體地，如圖2所示，數(shù)據(jù)線金屬層還包括位于非顯示區(qū)域2的布線數(shù)據(jù)線金屬部分8，布線柵極金屬部分3所在區(qū)域包括依次設(shè)置的布線柵極金屬部分3、柵極絕緣層6、有源層7和布線數(shù)據(jù)線金屬部分8，柵極絕緣層6和有源層7上設(shè)置有過(guò)孔9，布線數(shù)據(jù)線金屬部分8通過(guò)過(guò)孔9與布線柵極金屬部分3電連接。
[0036]如圖2所示，交叉柵線部分41所在區(qū)域包括依次設(shè)置的交叉柵線部分41、柵極絕緣層6、有源層7和數(shù)據(jù)線5。
[0037]如圖2所示，數(shù)據(jù)線金屬層還包括漏極10，柵極42所在區(qū)域(即薄膜晶體管所在區(qū)域)包括依次設(shè)置的柵極42、柵極絕緣層6、有源層7、漏極10。需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中優(yōu)選數(shù)據(jù)線5直接作為源極，但并不局限于此種狀況，還可以在陣列基板上柵極42所在區(qū)域單獨(dú)設(shè)置源極，只要源極與數(shù)據(jù)線5之間存在電連接即可。需要說(shuō)明的是，當(dāng)有源層7為多層結(jié)構(gòu)時(shí)，例如包括依次設(shè)置于柵極絕緣層6上的氫化非晶硅有源層(a-S1:H)和歐姆接觸層(n+a-S1:H)時(shí)，在制作本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的過(guò)程中，可以在形成數(shù)據(jù)線金屬層的圖形的構(gòu)圖工藝中使用半透掩膜板，經(jīng)過(guò)第一次曝光、刻蝕后，形成包括數(shù)據(jù)線5和漏極10的圖形，經(jīng)過(guò)第二次曝光、刻蝕后，使數(shù)據(jù)線5和漏極10之間的有源層7的歐姆接觸層部分被刻蝕掉，從而使形成的薄膜晶體管具有更好的性能。
[0038]進(jìn)一步地，為了避免相鄰兩個(gè)薄膜晶體管之間形成類(lèi)似于薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，進(jìn)而影響顯示效果，如圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例中優(yōu)選相鄰兩個(gè)薄膜晶體管之間的區(qū)域處未設(shè)置有源層7。該區(qū)域處的有源層7在后續(xù)形成鈍化層11的同時(shí)將該區(qū)域處的有源層7去除，不會(huì)增加構(gòu)圖工藝次數(shù)。具體地，在形成了柵極金屬層、柵極絕緣層6、有源層7和數(shù)據(jù)線金屬層的陣列基板上形成一層鈍化層11，使用具有過(guò)孔圖案和待去除有源層圖案的掩膜板遮蓋，經(jīng)過(guò)一次構(gòu)圖工藝后，使鈍化層11形成所需圖形，此時(shí)，上述區(qū)域處的有源層7即被刻蝕掉，從而不會(huì)形成類(lèi)似于薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。在形成鈍化層11的過(guò)程中，還可以將其他不需要設(shè)置有源層7的區(qū)域處的有源層7刻蝕掉，本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0039]進(jìn)一步地，如圖3和圖4所示，數(shù)據(jù)線金屬層還包括位于相鄰兩數(shù)據(jù)線5之間的公共電極12，類(lèi)似地，為了避免相鄰的數(shù)據(jù)線5與公共電極12或者相鄰的漏極10與公共電極12之間形成類(lèi)似于薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，進(jìn)而影響顯示效果，優(yōu)選地，公共電極12與薄膜晶體管之間未設(shè)置有源層7。
[0040]此外，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板上還可以包括其他結(jié)構(gòu)，例如，像素電極和公共電極等結(jié)構(gòu)。需要說(shuō)明的是本段中所述的公共電極不同于之前描述的公共電極12，此處的公共電極為使用ITO、IZO等透明導(dǎo)電物制成，用以和像素電極共同作用驅(qū)動(dòng)液晶分子偏轉(zhuǎn)。示例性地，當(dāng)陣列基板上還設(shè)置有位于鈍化層11上的板狀的像素電極，未設(shè)置有公共電極時(shí)，鈍化層11上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于像素電極的過(guò)孔，從而使得像素電極通過(guò)該過(guò)孔與薄膜晶體管的漏極10電連接。當(dāng)陣列基板上還設(shè)置有由絕緣層間隔開(kāi)的像素電極和公共電極時(shí)，此時(shí)，像素電極或者公共電極上設(shè)置有狹縫，或者像素電極或者公共電極為條狀電極，像素電極通過(guò)位于鈍化層11上的過(guò)孔與薄膜晶體管的漏極10電連接。當(dāng)陣列基板上還設(shè)置有同層設(shè)置的像素電極和公共電極時(shí)，像素電極和公共電極上設(shè)置有狹縫，或者像素電極和公共電極為條狀電極，此時(shí)，像素電極通過(guò)位于鈍化層11上的過(guò)孔與薄膜晶體管的漏極電連接，公共電極通過(guò)過(guò)孔與之前描述的公共電極12電連接，以降低公共電極的電阻，從而提高顯示裝置的顯示效果。
[0041]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括以上任一項(xiàng)所述的陣列基板。該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、有機(jī)發(fā)光顯示面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0042]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域和所述非顯示區(qū)域上設(shè)置有柵極金屬層和位于所述柵極金屬層上方的數(shù)據(jù)線金屬層，所述柵極金屬層包括位于所述非顯示區(qū)域的布線柵極金屬部分和位于所述顯示區(qū)域的柵線，所述數(shù)據(jù)線金屬層包括位于所述顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)線，所述顯示區(qū)域上設(shè)置有薄膜晶體管，所述柵線包括與所述數(shù)據(jù)線交叉的交叉柵線部分和用于構(gòu)成所述薄膜晶體管的柵極，其特征在于，所述布線柵極金屬部分、所述交叉柵線部分和所述柵極所在區(qū)域，包括依次設(shè)置的圖形相同的柵極絕緣層和有源層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線金屬層還包括位于所述非顯示區(qū)域的布線數(shù)據(jù)線金屬部分，所述布線柵極金屬部分所在區(qū)域包括依次設(shè)置的所述布線柵極金屬部分、所述柵極絕緣層、所述有源層和所述布線數(shù)據(jù)線金屬部分，所述柵極絕緣層和所述有源層上設(shè)置有過(guò)孔，所述布線數(shù)據(jù)線金屬部分通過(guò)所述過(guò)孔與所述布線柵極金屬部分電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述交叉柵線部分所在區(qū)域包括依次設(shè)置的所述交叉柵線部分、所述柵極絕緣層、所述有源層和所述數(shù)據(jù)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線金屬層還包括漏極，所述柵極所在區(qū)域包括依次設(shè)置的所述柵極、所述柵極絕緣層、所述有源層和所述漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述薄膜晶體管之間的區(qū)域處未設(shè)置所述有源層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線金屬層還包括公共電極，所述公共電極位于相鄰兩所述數(shù)據(jù)線之間，所述公共電極與所述薄膜晶體管之間未設(shè)置所述有源層。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L23/50GK203746853SQ201420142437
【公開(kāi)日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月27日
【發(fā)明者】徐少穎, 閻長(zhǎng)江, 李田生, 謝振宇 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司