一種快恢復(fù)二極管模塊的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供的一種快恢復(fù)二極管模塊，包括一外殼及與其配合構(gòu)成一腔體的底板，所述腔體內(nèi)設(shè)有至少一個(gè)快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組，所述快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組包括至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板、第一電極和第二電極，所述的至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板和第一電極均設(shè)于底板上，所述第二電極設(shè)于絕緣基板上，其中，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第一極與第一電極相連，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極與第二電極相連，其中，至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極與第二電極的連接距離相等。與現(xiàn)有技術(shù)相比，提高了各芯片之間的回路電流的均流性，提高FRD模塊的穩(wěn)定性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種快恢復(fù)二極管模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種快恢復(fù)二極管模塊。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著電力電子技術(shù)向高頻化、模塊化方向發(fā)展，F(xiàn)RD(Fast Recovery D1de，快恢復(fù)二極管)作為一種高頻器件也得到了蓬勃發(fā)展，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于各種高頻逆變裝置和斬波調(diào)速裝置內(nèi)，起到高頻整流、續(xù)流、吸收和隔離作用。為提高模塊的過(guò)電流能力、功率密度，模塊化封裝的FRD采用并聯(lián)的方式，將多顆小電流芯片并聯(lián)，以得到大電流FRD模塊。隨著電力技術(shù)的發(fā)展，需要并聯(lián)的芯片數(shù)量增多，如果均流性差，F(xiàn)RD模塊容易出現(xiàn)因過(guò)流擊穿損壞、失效的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種快恢復(fù)二極管模塊。
[0004]包括一外殼及與其配合構(gòu)成一腔體的底板，所述腔體內(nèi)設(shè)有至少一個(gè)快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組，所述快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組包括至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板、第一電極和第二電極，所述的至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板和第一電極均設(shè)于底板上，所述第二電極設(shè)于絕緣基板上，其中，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第一極與第一電極相連，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極與第二電極相連，其中，至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極與第二電極的連接距離相等。
[0005]進(jìn)一步地，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極均通過(guò)導(dǎo)電引線(xiàn)與所述第二電極相連，其中，所述導(dǎo)電引線(xiàn)的材質(zhì)、線(xiàn)徑以及長(zhǎng)度相等；所述底板為金屬底板，所述第一電極由其構(gòu)成，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第一極均通過(guò)焊接層與第一電極連接。
[0006]進(jìn)一步地，所述第二電極通過(guò)引出電極引出至所述外殼的外部。
[0007]進(jìn)一步地，所述相同極性的第一極為陰極，相同極性的第二極為陽(yáng)極。
[0008]進(jìn)一步地，所述相同極性的第一極為陽(yáng)極，相同極性的第二極為陰極。
[0009]進(jìn)一步地，所述腔體填充有硅凝膠。
[0010]本實(shí)用新型提供的一種快恢復(fù)二極管模塊，包括一外殼及與其配合構(gòu)成一腔體的底板，所述腔體內(nèi)設(shè)有至少一個(gè)快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組，所述快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組包括至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板、第一電極和第二電極，所述的至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板和第一電極均設(shè)于底板上，所述第二電極設(shè)于絕緣基板上，其中，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第一極與第一電極相連，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極與第二電極相連，其中，至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極與第二電極的連接距離相等。與現(xiàn)有技術(shù)相比，提高了各芯片之間的回路電流的均流性，提高FRD模塊的穩(wěn)定性。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例快恢復(fù)二極管模塊的結(jié)構(gòu)剖面圖；
[0012]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例快恢復(fù)二極管模塊內(nèi)部芯片布置圖。

【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明:
[0014]圖1是本實(shí)用新型快恢復(fù)二極管模塊的結(jié)構(gòu)剖面圖；如圖1所示:一種快恢復(fù)二極管模塊，包括一外殼10及與其配合構(gòu)成一腔體的底板20，所述腔體內(nèi)設(shè)有至少一個(gè)快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組，所述快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組包括至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片(30a、30b)、絕緣基板40、第一電極50和第二電極60，所述的至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板和第一電極均設(shè)于底板上，所述第二電極設(shè)于絕緣基板上，其中，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第一極與第一電極相連，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極與第二電極相連，至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極與第二電極的連接距離相等。因此，在制造過(guò)程中，采用材料及線(xiàn)徑一致的導(dǎo)電引線(xiàn)，以及采用一致的焊接工藝進(jìn)行連接，便可使所述的至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片電流回路的內(nèi)阻盡可能地接近，提高其均流性。
[0015]具體地，在某些實(shí)施例中，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片的第二極均通過(guò)導(dǎo)電引線(xiàn)70與所述第二電極相連，其中，所述導(dǎo)電引線(xiàn)的材質(zhì)、線(xiàn)徑及長(zhǎng)度均相同；以保證至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片與第二電極的連接電阻相同，提高快恢復(fù)二極管模塊的均流性。所述底板為金屬底板，所述第一電極由其構(gòu)成，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第一極均通過(guò)焊接層與第一電極連接。
[0016]具體地，在某些實(shí)施例中，如圖1所示，所述的快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組為兩個(gè)，且相對(duì)于整個(gè)快恢復(fù)二極管的中軸線(xiàn)相對(duì)稱(chēng)分布。其中每個(gè)快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組中的快恢復(fù)二極管可以為奇數(shù)個(gè)，也可以為偶數(shù)個(gè)。
[0017]具體地，在某些實(shí)施例中，所述第二電極60通過(guò)引出電極90引出至所述外殼的外部。
[0018]圖2是本實(shí)用新型快恢復(fù)二極管模塊內(nèi)部芯片布置圖，如圖2所示，其中每個(gè)快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組包含四個(gè)快恢復(fù)二極管芯片，其中快恢復(fù)二極管芯片35-38、絕緣基板41、第二電極62、引出電極92均設(shè)于底板中軸線(xiàn)左側(cè)，底板材料為紫銅，，第二電極62即為覆蓋在陶瓷基板上的片狀銅層，快恢復(fù)二極管芯片35-38及絕緣基板通過(guò)焊接材料釬焊于底板上；快恢復(fù)二極管35和36、37和38與片狀銅層的連接距離相等，且均通過(guò)材質(zhì)、線(xiàn)徑及材料相同的導(dǎo)電引線(xiàn)與第二電極連接，底板中軸線(xiàn)的右側(cè)設(shè)置有快恢復(fù)二極管芯片31-34、絕緣基板42、第二電極61、引出電極91，其連接關(guān)系跟左側(cè)相同，不再贅述。
[0019]具體地，所述相同極性的第一極為陰極，相同極性的第二極為陽(yáng)極。
[0020]具體地，所述相同極性的第一極為陽(yáng)極，相同極性的第二極為陰極。
[0021]進(jìn)一步地，所述腔體填充有硅凝膠80，以對(duì)快恢復(fù)二極管芯片進(jìn)行保護(hù)及散熱。
[0022]本實(shí)用新型實(shí)施例所公開(kāi)的快恢復(fù)二極管模塊，提高了各芯片之間的回路電流的均流性，提高FRD模塊的穩(wěn)定性。
[0023]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種快恢復(fù)二極管模塊，包括一外殼及與其配合構(gòu)成一腔體的底板，所述腔體內(nèi)設(shè)有至少一個(gè)快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組，所述快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組包括至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板、第一電極和第二電極，其特征在于:所述的至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板和第一電極均設(shè)于底板上，所述第二電極設(shè)于絕緣基板上，其中，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第一極與第一電極相連，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極與第二電極相連，并且所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極與第二電極的連接距離相等。
2.如權(quán)利要求1所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于:所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極均通過(guò)導(dǎo)電引線(xiàn)與所述第二電極相連，其中，所述導(dǎo)電引線(xiàn)的材質(zhì)、線(xiàn)徑以及長(zhǎng)度相同；所述底板為金屬底板，所述第一電極由其構(gòu)成，所述至少兩個(gè)快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第一極均通過(guò)焊接層與第一電極連接。
3.如權(quán)利要求1或2所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于:所述第二電極通過(guò)引出電極引出至所述外殼的外部。
4.如權(quán)利要求1或2所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于:所述相同極性的第一極為陰極，相同極性的第二極為陽(yáng)極。
5.如權(quán)利要求1或2所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于:所述相同極性的第一極為陽(yáng)極，相同極性的第二極為陰極。
6.如權(quán)利要求1或2所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于:所述腔體填充有硅凝膠。
【文檔編號(hào)】H01L23/538GK204155917SQ201420657174
【公開(kāi)日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月5日
【發(fā)明者】周文定 申請(qǐng)人:成都晶川電力技術(shù)有限公司