物理法工頻擊穿點可控壓敏電阻器的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種物理法工頻擊穿點可控壓敏電阻器，包括壓敏電阻本體，所述的壓敏電阻本體表面設置有向壓敏電阻本體內(nèi)凹的凹坑；所述的凹坑的深度為壓敏電阻本體厚度的1％～1.5％；所述的凹坑處連接熱脫離器。本實用新型保證了壓敏電阻器因暫時過電壓時，或壓敏電阻器性能劣化時工頻電流流向指定區(qū)域范圍內(nèi)，以便壓敏電阻器在失效前利用其熱量能將熱脫離器迅速斷開。
【專利說明】物理法工頻擊穿點可控壓敏電阻器

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種壓敏電阻原件，尤其是一種應用在電涌保護器或TPMOV中的工頻擊穿點可控壓敏電阻器。

【背景技術】
[0002]在各種電氣設備和電源配電系統(tǒng)中，壓敏電阻器是一種使用最廣泛的過電壓保護元件。當電源系統(tǒng)出現(xiàn)暫時過電壓時，或壓敏電阻器性能劣化時，其特點是:工頻電流向壓敏電阻器薄弱點集中，從而造成該點擊穿而導致壓敏電阻器失效(絕大多數(shù)表現(xiàn)為“低阻化”)，從而造成電源短路事故。為了防止這樣的事故發(fā)生，通常在壓敏電阻上加裝熱脫離器，如電涌保護器、TPMOV等。其原理都是因為工頻過電壓使得壓敏電阻器在擊穿失效前，其產(chǎn)生的熱量將熱脫離器或TPMOV中的熱保護開關熔斷，但在實際應用過程中這種效果不太理想。其原因是:無論哪種電涌保護器或TPMOV，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)定型后，安裝熱脫離器的位置在壓敏電阻器上就確定了。而常規(guī)的壓敏電阻器的工頻擊穿點是隨機的(這主要取決于各制造企業(yè)的生產(chǎn)工藝，特別與攪拌、成型、高溫燒成有非常大的關系)。如工頻擊穿點不在熱脫離所在區(qū)域，只有靠壓敏電阻器本體熱傳導。但因為壓敏電阻器是陶瓷材料，本身導熱性很差，(經(jīng)查:壓敏陶瓷體的導熱率為0.057ff/cm2K,僅為銅的導熱率的1.5%左右)。這樣就會錯失快速脫離的良機，甚至釀成嚴重的安全事故。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型要解決的技術問題是:提供一種物理法工頻擊穿點可控壓敏電阻器，通過人為在壓敏電阻器上制造薄弱點，根據(jù)熱脫離器的位置或區(qū)域，使該擊穿點與熱脫離器位置一致或重疊。
[0004]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:一種物理法工頻擊穿點可控壓敏電阻器，包括壓敏電阻本體，所述的壓敏電阻本體表面設置有向壓敏電阻本體內(nèi)凹的凹坑；所述的凹坑的深度為壓敏電阻本體厚度的1%?1.5% ;所述的凹坑處連接熱脫離器。
[0005]進一步的說，本實用新型所述的壓敏電阻本體為圓形或方形。
[0006]再進一步的說，本實用新型所述的凹坑為圓形或方形。
[0007]本實用新型所述的凹坑為熱擊穿點，該熱擊穿點的壓敏電壓小于壓敏電阻本體其他部位的電壓的1%?2% ;其該熱擊穿點的電流密度最大。
[0008]本實用新型的有益效果是，解決了【背景技術】中存在的缺陷，保證了壓敏電阻器因暫時過電壓時，或壓敏電阻器性能劣化時工頻電流流向指定區(qū)域范圍內(nèi)，以便壓敏電阻器在失效前利用其熱量能將熱脫離器迅速斷開。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
[0010]圖1是本實用新型的優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖中:1、壓敏電阻本體；2、凹坑。

【具體實施方式】
[0012]現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實施例對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關的構(gòu)成。
[0013]如圖1所示的一種物理法工頻擊穿點可控壓敏電阻器，包括壓敏電阻本體1，所述的壓敏電阻本體表面設置有向壓敏電阻本體內(nèi)凹的凹坑2 ;所述的凹坑的深度為壓敏電阻本體厚度的1%?1.5% ;所述的凹坑處連接熱脫離器。
[0014]進一步的說，本實用新型所述的壓敏電阻本體為圓形或方形，也可以是任意形狀。
[0015]再進一步的說，本實用新型所述的凹坑為圓形或方形；凹坑可以設置在壓敏電阻本體任何一個位置，直徑和深度可以調(diào)整。
[0016]圖1所示的凹坑為圓形，凹坑為熱擊穿點，凹坑的外徑為5mm ;深度為壓敏電阻本體總厚度的1% ;該熱擊穿點的壓敏電壓小于壓敏電阻本體其他部位的電壓的1%?2% ；其該熱擊穿點的電流密度最大。
[0017]制作方法是:根據(jù)客戶要求或熱脫離器的位置，在壓敏電阻器成型時，通過在模具上增加凸點，使得在所要求的壓敏電阻器坯片上形成凹坑。
[0018]以上說明書中描述的只是本實用新型的【具體實施方式】，各種舉例說明不對本實用新型的實質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬【技術領域】的普通技術人員在閱讀了說明書后可以對以前所述的【具體實施方式】做修改或變形，而不背離實用新型的實質(zhì)和范圍。
【權利要求】
1.一種物理法工頻擊穿點可控壓敏電阻器，包括壓敏電阻本體(I)，其特征在于:所述的壓敏電阻本體(I)表面設置有向壓敏電阻本體內(nèi)凹的凹坑(2);所述的凹坑(2)的深度為壓敏電阻本體(I)厚度的1%?1.5% ;所述的凹坑(2)處連接熱脫離器。
2.如權利要求1所述的物理法工頻擊穿點可控壓敏電阻器，其特征在于:所述的壓敏電阻本體(I)為圓形或方形。
3.如權利要求1所述的物理法工頻擊穿點可控壓敏電阻器，其特征在于:所述的凹坑(2)為圓形或方形。
4.如權利要求1所述的物理法工頻擊穿點可控壓敏電阻器，其特征在于:所述的凹坑(2)為熱擊穿點，該熱擊穿點的壓敏電壓小于壓敏電阻本體(I)其他部位的電壓的1%?2% ;其該熱擊穿點的電流密度最大。
【文檔編號】H01C7/12GK204204538SQ201420741386
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年11月30日 優(yōu)先權日:2014年11月30日
【發(fā)明者】束靜 申請人:常州市創(chuàng)捷防雷電子有限公司