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      一種異性釤鈷磁體結構的制作方法

      文檔序號:11521592閱讀:211來源:國知局
      一種異性釤鈷磁體結構的制造方法與工藝

      本發(fā)明涉及磁鐵技術領域,尤其涉及到一種異性釤鈷磁體結構。



      背景技術:

      現(xiàn)有技術中的釹鐵硼磁鋼,其結構復雜,當磁體超出相應的溫度時,如果仍然繼續(xù)使用,就會導致零件的損壞,進而會影響整個設備的正常運轉(zhuǎn)。為了解決上述問題,就有一些驅(qū)動電機生產(chǎn)廠家就對此問題進行了研究。例如一項授權公告號為cn204696813u,專利名稱為“驅(qū)動電機用弧形釤鈷磁體”的中國發(fā)明專利,該專利其通過在釤鈷磁體的內(nèi)表面上設置有環(huán)形內(nèi)凸臺,可以使得其整體具備很好的機械性能,具備極高的磁能積和矯磁力,并且通過設置有的溫度傳感器來時刻關注磁體工作時內(nèi)部的溫度,保證整個結構處于一個正常的工作溫度范圍度運行。但是,在實際使用過程中,由于釤鈷磁體其本身體積較小,且其本身還設計成弧形結構,另外還在釤鈷磁體的內(nèi)表面上設置有環(huán)形內(nèi)凸臺,因而經(jīng)上述結構得到的弧形釤鈷磁體其上應力集中現(xiàn)象尤其明顯,在長期使用后,其結構質(zhì)量得不到保證,極易出現(xiàn)問題。有鑒于此,對于如何尋找到一種結構簡單、使用穩(wěn)定且能夠有效消除應力集中現(xiàn)象的釤鈷磁體結構就顯得尤為重要。



      技術實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足,提供一種結構簡單、使用穩(wěn)定且能夠有效消除應力集中現(xiàn)象的用于電機上的異性釤鈷磁體結構。

      為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明所提供的技術方案為:一種異性釤鈷磁體結構,所述異性釤鈷磁體結構包括呈內(nèi)凹的弧形片狀釤鈷磁體本體、設置在該釤鈷磁體本體內(nèi)端面上的環(huán)形內(nèi)凸臺以及設置在該環(huán)形內(nèi)凸臺端面上的溫度傳感器安裝孔和位移傳感器安裝孔,其特征在于:所述環(huán)形內(nèi)凸臺其端面上沿其弧形方向還分別開設有多條弧形凹槽,每一所述弧形凹槽其槽深為3mm-6mm,所述弧形凹槽其寬度為1mm-3mm,并且相鄰之間的所述弧形凹槽其間距不小于5mm。

      進一步地,所述環(huán)形凸臺與所述釤鈷磁體本體在豎直方向兩側之間還設置有用于減輕應力集中的過渡槽。

      優(yōu)選地,所述過渡槽開設在所述釤鈷磁體本體的中間位置。

      優(yōu)選地,所述過渡槽的槽深為1mm-3mm,其槽寬為4mm-7mm。

      進一步地,所述過渡槽與所述環(huán)形凸臺相交處設置有圓弧過渡位結構。

      再進一步地,所述釤鈷磁體本體其端面上沿其弧形方向還開設有多個間隔布置的用于減輕應力集中的圓柱孔。

      與現(xiàn)有技術相比,本方案通過在環(huán)形內(nèi)凸臺其端面上沿其弧形方向開設有的多條弧形凹槽結構,可以使得整個異性釤鈷磁體結構在加工制作過程中所產(chǎn)生的應力可以得到有效的消除,保證其在后續(xù)使用中得以正常運行,具備很好的使用效果。

      附圖說明

      圖1為本發(fā)明的結構示意圖。

      圖2為本發(fā)明的另一角度方向結構示意圖。

      圖中:1-釤鈷磁體本體,2-圓柱孔,3-過渡槽,4-環(huán)形內(nèi)凸臺,5-溫度傳感器安裝孔,6-位移傳感器安裝孔,7-弧形凹槽。

      具體實施方式

      下面結合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明:

      參見附圖1和2所示,本實施例所述的一種異性釤鈷磁體結構,改異性釤鈷磁體結構包括呈內(nèi)凹的弧形片狀釤鈷磁體本體1、設置在該釤鈷磁體本體1內(nèi)端面上的環(huán)形內(nèi)凸臺4以及設置在該環(huán)形內(nèi)凸臺4端面上的溫度傳感器安裝孔5和位移傳感器安裝孔6。所述環(huán)形內(nèi)凸臺4其端面上沿其弧形方向還分別開設有多條弧形凹槽7,每一弧形凹槽7其槽深為3mm-6mm,弧形凹槽7其寬度為1mm-3mm,并且相鄰之間的弧形凹槽7其間距不小于5mm。對于上述弧形凹槽7的參數(shù)設置,可以有效地保證環(huán)形內(nèi)凸臺4的應力集中現(xiàn)象得到明顯改善,保證整個結構的穩(wěn)定可靠運行。

      進一步地,本方案中的上述環(huán)形凸臺與釤鈷磁體本體1在豎直方向兩側之間還設置有用于減輕應力集中的過渡槽3。優(yōu)選的,該過渡槽3開設在釤鈷磁體本體1的中間位置。進一步地,上述過渡槽3的槽深為1mm-3mm,其槽寬為4mm-7mm。

      此外相應地,上述過渡槽3與環(huán)形凸臺相交處設置有圓弧過渡位結構。最后,為了進一步地提高釤鈷磁體結構的應力集中現(xiàn)象,釤鈷磁體本體1其端面上沿其弧形方向還開設有多個間隔布置的用于減輕應力集中的圓柱孔2。

      以上所述之實施例子只為本發(fā)明之較佳實施例,并非以此限制本發(fā)明的實施范圍,故凡依本發(fā)明之形狀、原理所作的變化,均應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。



      技術特征:

      技術總結
      本發(fā)明提供一種異性釤鈷磁體結構,其包括呈內(nèi)凹的弧形片狀釤鈷磁體本體、設置在該釤鈷磁體本體內(nèi)端面上的環(huán)形內(nèi)凸臺以及設置在該環(huán)形內(nèi)凸臺端面上的溫度傳感器安裝孔和位移傳感器安裝孔,其特征在于:所述環(huán)形內(nèi)凸臺其端面上沿其弧形方向還分別開設有多條弧形凹槽,每一所述弧形凹槽其槽深為3mm?6mm,所述弧形凹槽其寬度為1mm?3mm,并且相鄰之間的所述弧形凹槽其間距不小于5mm;與現(xiàn)有技術相比,本方案通過在環(huán)形內(nèi)凸臺其端面上沿其弧形方向開設有的多條弧形凹槽結構,可以使得整個異性釤鈷磁體結構在加工制作過程中所產(chǎn)生的應力可以得到有效的消除,保證其在后續(xù)使用中得以正常運行,具備很好的使用效果。

      技術研發(fā)人員:張華川
      受保護的技術使用者:張華川
      技術研發(fā)日:2017.06.09
      技術公布日:2017.08.18
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