本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種修復(fù)芯片形變的方法。

背景技術(shù)：

1、在芯片的加工過程中，芯片材料受到諸多外力的影響而產(chǎn)生了形變。該形變會作用在芯片的半導(dǎo)體元器件上，對半導(dǎo)體元器件造成不同的傷害，從而影響其今后的性能。目前改善該形變的辦法通常通過研磨和熱處理。但是，研磨會造成芯片材料的減薄，造成不必要的過度加工；而熱處理中，形變雖然有所緩解，但效果始終不夠理想。

2、因此，亟待提供一種修復(fù)芯片形變的方法以克服以上缺陷。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種修復(fù)芯片形變的方法，以釋放芯片的形變應(yīng)力，從而在一定程度上修復(fù)芯片的形變，使其滿足生產(chǎn)要求，而且在修復(fù)過程不會導(dǎo)致芯片的損傷。

2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的修復(fù)芯片形變的方法，包括以下步驟：

3、芯片固定在第一玻璃基板和第二玻璃基板之間；

4、從所述第一玻璃基板或所述第二玻璃基板的外側(cè)向所述芯片進行離子轟擊；

5、將所述第一玻璃基板、所述第二玻璃基板以及固定在其內(nèi)的芯片整體置于超聲波震蕩裝置中清洗；以及

6、使所述芯片與所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板分離。

7、

8、兩側(cè)均受到玻璃基板的保護，因此，從第一玻璃基板或第二玻璃基板的外側(cè)向芯片進行離子轟擊時，與直接對芯片進行離子轟擊對比，芯片可以得到更好的保護不會對芯片造成損壞，使芯片在適當(dāng)范圍下的應(yīng)力通過兩側(cè)的玻璃基板釋放，從而使芯片的形變得以恢復(fù)，例如其彎曲度被降低以滿足生產(chǎn)的要求；繼而，芯片和玻璃基板置于超聲波震蕩裝置中清洗后分離獲得具有改進性能的芯片。

9、較佳地，所述離子轟擊包括控制離子束的流量為500-600sccm，源功率為100-150w，偏壓源功率為1500-1600w，離子束的轟擊時間為60-100分鐘。

10、較佳地，所述離子束包括氬離子或氮離子。

11、較佳地，第一玻璃基板或所述第二玻璃基板的內(nèi)側(cè)設(shè)有凹槽，所述芯片收容于所述凹槽中。

12、較佳地，所述芯片固定在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之間之前，用防靜電薄膜包裹。

13、較佳地，所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之間的縫隙由粘接膠密封。

14、較佳地，所述粘接膠為uv膠。

15、較佳地，使所述芯片與所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板分離包括：用紫外光照射所述粘接膠。

技術(shù)特征：

1.一種修復(fù)芯片形變的方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的修復(fù)芯片形變的方法，其特征在于，所述離子轟擊包括控制離子束的流量為500-600sccm，源功率為100-150w，偏壓源功率為1500-1600w，離子束的轟擊時間為60-100分鐘。

3.如權(quán)利要求2所述的修復(fù)芯片形變的方法，其特征在于，所述離子束包括氬離子或氮離子。

4.如權(quán)利要求1所述的修復(fù)芯片形變的方法，其特征在于，第一玻璃基板或所述第二玻璃基板的內(nèi)側(cè)設(shè)有凹槽，所述芯片收容于所述凹槽中。

5.如權(quán)利要求1所述的修復(fù)芯片形變的方法，其特征在于，所述芯片固定在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之間之前，用防靜電薄膜包裹。

6.如權(quán)利要求1所述的修復(fù)芯片形變的方法，其特征在于，所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之間的縫隙由粘接膠密封。

7.如權(quán)利要求6所述的修復(fù)芯片形變的方法，其特征在于，所述粘接膠為uv膠。

8.如權(quán)利要求6所述的修復(fù)芯片形變的方法，其特征在于，使所述芯片與所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板分離包括：用紫外光照射所述粘接膠。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開的修復(fù)芯片形變的方法，包括以下步驟：芯片固定在第一玻璃基板和第二玻璃基板之間；從所述第一玻璃基板或所述第二玻璃基板的外側(cè)向所述芯片進行離子轟擊；將所述第一玻璃基板、所述第二玻璃基板以及固定在其內(nèi)的芯片整體置于超聲波震蕩裝置中清洗；以及使所述芯片與所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板分離。本發(fā)明可釋放芯片的形變應(yīng)力，在一定程度上修復(fù)芯片的形變，使其滿足生產(chǎn)要求，而且在修復(fù)過程不會導(dǎo)致芯片的損傷。

技術(shù)研發(fā)人員：鄧三軍
受保護的技術(shù)使用者：東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10