本公開內(nèi)容總體上涉及集成電路(ic)結(jié)構(gòu)和器件領(lǐng)域，更具體而言，涉及多管芯ic封裝中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、多管芯芯片正越來(lái)越多地用于高性能計(jì)算系統(tǒng)。在多管芯封裝中，若干管芯一起安裝在更大的管芯或中介層中。合并管芯的一種方式是使用銅接合，也稱為混合接合或直接接合。該技術(shù)使用每個(gè)管芯的面處的頂部金屬層來(lái)提供接合焊盤，然后面對(duì)面地安裝管芯。當(dāng)使用管芯的頂層接合管芯時(shí)，每個(gè)管芯內(nèi)的布線區(qū)域減小，因?yàn)轫攲觾H用于提供焊盤以互連管芯，而不用于在每個(gè)管芯內(nèi)傳送信號(hào)。

2、在ic管芯中，管芯的頂部?jī)蓪踊蛉龑油ǔ１冉饘俣询B體的其余部分厚。這些厚層可用于射頻(rf)系統(tǒng)以及高速和高功率布線。此外，由于較厚金屬線的較低電阻，如電感器或傳輸線的無(wú)源部件在較厚層中比在較低較薄層中實(shí)現(xiàn)更好的性能。使用用于管芯到管芯接合的厚頂層限制了可用于rf部件以及高功率和高速布線的面積。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

技術(shù)特征：

1.一種集成電路(ic)器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ic器件，其中，所述第一互連與所述第二互連部分重疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ic器件，其中，所述第一金屬層還包括沿所述下部面延伸的第三互連，所述第三互連與所述第一互連分隔開，其中，所述第二互連將所述第一互連耦合到所述第三互連。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ic器件，其中，所述第一金屬層還包括沿所述下部面延伸的第三互連，所述第三互連與所述第一互連分隔開，并且所述第一管芯還包括第二金屬層，所述第二金屬層包括第四互連，所述第四互連通過(guò)第一過(guò)孔耦合到所述第一互連，并且所述第四互連通過(guò)第二過(guò)孔耦合到所述第三互連。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ic器件，其中，所述第一互連和所述第二互連形成共面波導(dǎo)的信號(hào)路徑。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ic器件，其中，所述第一金屬層還包括與所述第一互連分隔開并且平行于所述第一互連延伸的第三互連，所述第二金屬層還包括與所述第二互連分隔開并且平行于所述第二互連延伸的第四互連，其中，所述接合界面將所述第三互連耦合到所述第四互連，所述第三互連和所述第四互連形成所述共面波導(dǎo)的接地結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ic器件，其中，所述第一互連和所述第二互連形成電感器的一側(cè)，所述電感器包括所述第一管芯和所述第二管芯中的附加的耦合互連對(duì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的ic器件，其中，所述第二互連具有沿著所述上部面的第二長(zhǎng)度和沿著所述上部面的第二寬度，所述第二長(zhǎng)度是所述第二寬度的至少三倍。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的ic器件，其中，所述第一互連包括具有形成在其中的第一孔的金屬，并且所述第二互連包括具有形成在其中的第二孔的金屬，所述第一孔從所述第二孔偏移。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的ic器件，其中，所述接合界面包括形成在所述第一互連和所述第二互連之間的接縫。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的ic器件，其中，所述接合界面還包括形成在所述第一管芯中的第一電介質(zhì)材料和所述第二管芯中的第二電介質(zhì)材料之間的接合材料。

12.一種器件，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中，所述第一溝槽互連與所述第二溝槽互連部分重疊。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中，所述晶圓的所述上部面還包括第三溝槽互連，所述第三溝槽互連與所述第一溝槽互連分隔開，其中，所述第二溝槽互連還物理地耦合到所述第三溝槽互連。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中，所述管芯還包括第二金屬層，所述第二金屬層在所述管芯的所述下部面上方，所述第二金屬層包括通過(guò)過(guò)孔耦合到所述第二互連的第三互連。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中，所述第一溝槽互連和所述第二溝槽互連形成共面波導(dǎo)的信號(hào)路徑。

17.一種電子組件，包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電子組件，其中，所述無(wú)源電路元件包括電感器。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電子組件，其中，所述無(wú)源電路元件是變壓器。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電子組件，其中，所述無(wú)源電路元件是濾波器。

21.根據(jù)權(quán)利要求17-19中任一項(xiàng)所述的電子組件，其中，所述無(wú)源電路元件耦合到所述第一器件的第三金屬層，所述第三金屬層在所述第一金屬層上方。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電子組件，其中，所述無(wú)源電路元件進(jìn)一步耦合到所述第二器件的第四金屬層，所述第四金屬層在所述第二金屬層下方。

技術(shù)總結(jié)
本公開內(nèi)容涉及直接接合層中的布線和無(wú)源部件。本文中描述了包括通過(guò)不同部件的直接接合(例如，兩個(gè)管芯的直接接合或管芯到晶圓的直接接合)而形成的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的集成電路器件。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)由部件中的每一個(gè)的頂部金屬化層形成。例如，頂部金屬化層處的細(xì)長(zhǎng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以被圖案化和接合以形成用于高頻和/或高功率信號(hào)的大互連。在另一示例中，接合導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可形成射頻無(wú)源器件，例如電感器或變壓器。

技術(shù)研發(fā)人員：C·莫蘭貴贊,P·鮑姆加特納,T·瓦格納,G·塞德曼,M·朗根布赫,M·雅克貢迪緯魯帕克沙帕,J·詹森,R·沙馳塔南丹,P·萊斯
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英特爾公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30