本技術(shù)屬于半導(dǎo)體硅片加工，具體涉及一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體硅片是半導(dǎo)體、光伏等行業(yè)廣泛使用的基底材料，其主要加工流程包括拉晶→滾磨→切片→切割片清洗→倒角→研磨→研磨片清洗→腐蝕→清洗→拋光→清洗→包裝；半導(dǎo)體硅片在經(jīng)過金剛線切割以及研磨等機(jī)械加工后，其表面會(huì)受到嚴(yán)重沾污，沾污主要分為有機(jī)雜質(zhì)沾污、顆粒沾污和金屬離子沾污三種類型，本領(lǐng)域去除沾污的常規(guī)做法為：通過sc-1溶液或有機(jī)試劑并結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除有機(jī)雜質(zhì)沾污及顆粒沾污，通過sc-2溶液去除金屬離子沾污，其中，sc-1溶液為h2o2+nh4oh的堿性溶液，有機(jī)溶劑一般呈堿性，sc-2溶液是h2o2+hcl的酸性溶液。

2、現(xiàn)有半導(dǎo)體硅片清洗機(jī)采用配套的基本為不銹鋼清洗架或pvdf清洗架，不銹鋼清洗架造價(jià)低廉、耐用性好、穩(wěn)固性好，但是對(duì)sc-2酸性溶液不具有耐腐蝕性，因此，在使用不銹鋼清洗架的工藝過程中，需要將裝載半導(dǎo)體硅片的pp片盒取出，手動(dòng)進(jìn)行sc-2酸性溶液的清洗操作，該工藝過程不僅需要耗費(fèi)人工，降低產(chǎn)能，且在pp片盒轉(zhuǎn)移過程中也降低了半導(dǎo)體硅片的清洗效果；pvdf清洗架雖然具有良好的耐酸堿性、耐高溫性，但是受pvdf材質(zhì)及加工成本的影響，pvdf清洗架造價(jià)高昂，耐用性低，遠(yuǎn)不如不銹鋼清洗架。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型提出一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)，目的在于通過采用pp材質(zhì)且在隔檔板內(nèi)設(shè)置配重鋼板、在清洗架耳朵內(nèi)設(shè)置加強(qiáng)筋的新型清洗架，解決了現(xiàn)有半導(dǎo)體硅片清洗架不具有耐酸堿性和耐用性低的問題。

2、本實(shí)用新型一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)所采用的技術(shù)方案包括開口向上且內(nèi)部為空腔結(jié)構(gòu)的清洗框架，清洗框架的內(nèi)部設(shè)有隔檔板，且清洗框架的底部開設(shè)蜂窩孔狀結(jié)構(gòu)、周向側(cè)壁開設(shè)濾水孔，所述蜂窩孔狀結(jié)構(gòu)的蜂窩孔直徑大于濾水孔直徑，清洗框架成相對(duì)設(shè)置的側(cè)面外壁上均設(shè)有清洗架耳朵。

3、具體的，所述清洗架框架、隔檔板均為pp材質(zhì)；

4、具體的，設(shè)有清洗架耳朵的側(cè)壁高度大于其他側(cè)壁的高度；

5、具體的，所述蜂窩孔狀結(jié)構(gòu)和濾水孔按陣列均勻分布；

6、具體的，所述隔檔板內(nèi)置配重鋼板；

7、具體的，所述清洗架耳朵內(nèi)置加強(qiáng)筋；

8、具體的，所述清洗架耳朵為pvdf材質(zhì)，且其數(shù)量不少于四個(gè)。

9、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果：

10、1、本實(shí)用新型一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)，采用價(jià)格低廉、加工工藝成熟的pp材質(zhì)，實(shí)現(xiàn)清洗架的耐酸堿特性，省去了傳統(tǒng)不銹鋼清洗架單獨(dú)進(jìn)行sc-2酸性溶液的手動(dòng)清洗過程，簡化了半導(dǎo)體硅片的清洗步驟，提高了清洗效率。

11、2、本實(shí)用新型半導(dǎo)體硅片新型清洗架的底部開設(shè)有蜂窩孔狀結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行超聲波清洗時(shí)增強(qiáng)了對(duì)清洗架壁的穿透性，能夠有效去除沾污，提高了清洗效果。

12、3、本實(shí)用新型半導(dǎo)體硅片新型清洗架的兩側(cè)設(shè)有清洗架耳朵、內(nèi)部設(shè)有隔檔板，清洗架耳朵內(nèi)部設(shè)置加強(qiáng)筋用以提高清洗架的抗壓性和耐用性，隔檔板內(nèi)部設(shè)置配重鋼板用以提高清洗架的穩(wěn)定性，增大了新型清洗架的使用壽命。

技術(shù)特征：

1.一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括開口向上且內(nèi)部為空腔結(jié)構(gòu)的清洗框架(1)，清洗框架(1)的內(nèi)部設(shè)有隔檔板(5)，且清洗框架的底部開設(shè)蜂窩孔狀結(jié)構(gòu)(4)、周向側(cè)壁開設(shè)濾水孔(2)，所述蜂窩孔狀結(jié)構(gòu)的蜂窩孔直徑大于濾水孔直徑，清洗框架成相對(duì)設(shè)置的側(cè)面外壁上均設(shè)有清洗架耳朵(3)。

2.如權(quán)利要求1所述的一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述清洗框架(1)、隔檔板(5)均為pp材質(zhì)。

3.如權(quán)利要求1所述的一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)，其特征在于，設(shè)有清洗架耳朵的側(cè)壁高度大于其他側(cè)壁的高度。

4.如權(quán)利要求1所述的一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述蜂窩孔狀結(jié)構(gòu)(4)和濾水孔(2)均按陣列均勻分布。

5.如權(quán)利要求1所述的一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔檔板(5)內(nèi)置配重鋼板。

6.如權(quán)利要求1所述的一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述清洗架耳朵(3)內(nèi)置加強(qiáng)筋。

7.如權(quán)利要求1所述的一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述清洗架耳朵(3)為pvdf材質(zhì)，且其數(shù)量不少于四個(gè)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提出了一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)，具體包括開口向上且內(nèi)部為空腔結(jié)構(gòu)的清洗框架，清洗框架的內(nèi)部設(shè)有隔檔板，且清洗框架的底部開設(shè)蜂窩孔狀結(jié)構(gòu)、周向側(cè)壁開設(shè)濾水孔，清洗框架成相對(duì)設(shè)置的側(cè)面外壁上均設(shè)有清洗架耳朵。本技術(shù)一種適用于半導(dǎo)體硅片清洗的新型清洗架結(jié)構(gòu)，采用價(jià)格低廉、加工工藝成熟的PP材質(zhì)，實(shí)現(xiàn)清洗架的耐酸堿特性，提高了清洗效率，且新型清洗架的兩側(cè)設(shè)有清洗架耳朵、內(nèi)部設(shè)有隔檔板，提高了清洗架的抗壓性、耐用性、穩(wěn)定性；此外，本技術(shù)清洗架的底部開設(shè)有蜂窩孔狀結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行超聲波清洗時(shí)增強(qiáng)了對(duì)清洗架壁的穿透性，能夠有效去除沾污，提高了清洗效果。

技術(shù)研發(fā)人員：姚劍龍,趙娜,田波峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：洛陽鴻泰半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231017
技術(shù)公布日：2024/6/30