背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造中，封裝可以對(duì)應(yīng)于用于保持半導(dǎo)體裸片的合適的容器和/或組合件。封裝可以保護(hù)裸片、散熱、將裸片連接到其它裸片或組件，和/或執(zhí)行其它重要功能。

2、隨著技術(shù)的進(jìn)步，需要電子電路緊湊且小型，并且具有增加的功能。因此，組件的大小和/或組件之間的間距可能是半導(dǎo)體封裝中的重要因素。例如，組件通常是單獨(dú)制造并組裝在一起的，使得半導(dǎo)體裸片并排放置或堆疊在彼此之上，彼此之間具有互連件。另外，例如，鑄造廠或其它生產(chǎn)商可能具有關(guān)于各個(gè)組件之間可允許的最小間距的特定規(guī)則，以便于制造。因此，封裝的設(shè)計(jì)通?？赡苁艿酱笮『?或間距考慮的限制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述多個(gè)裸片中的每個(gè)裸片包括至少一個(gè)功率域，其中所述電容裸片包括電耦合到所述多個(gè)裸片的多個(gè)功率域的電容器陣列。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述多個(gè)裸片經(jīng)由中介層安裝在所述襯底上，所述中介層定位在所述多個(gè)裸片和所述襯底之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述電容裸片經(jīng)由所述中介層連接到所述多個(gè)裸片。

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述電容器陣列的電容器彼此解耦，并且其中所述電容器和所述多個(gè)功率域之間的連接具有低到足以阻止在操作期間生成的高頻噪聲的阻抗。

6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述電容器陣列的第一電容器具有第一電容值，所述第一電容值不同于所述電容器陣列的第二電容器的第二電容值。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述電容裸片包括：第一組電容器，其配置成滿足所述多個(gè)裸片中的第一裸片的第一電壓規(guī)范；及第二組電容器，其配置成滿足所述多個(gè)裸片中的第二裸片的第二電壓規(guī)范。

8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述電容裸片促使相比于與位于被所述多個(gè)裸片和所述額外空間覆蓋的裸片區(qū)域外部的電容器的連接的長(zhǎng)度，與所述多個(gè)裸片中的所述一個(gè)或多個(gè)裸片的連接的長(zhǎng)度更短。

9.根據(jù)權(quán)利要求2至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述多個(gè)裸片包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第二裸片和所述第三裸片具有相同大小，并且小于所述第一裸片的所述第一大小。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝，其進(jìn)一步包括不電耦合到所述多個(gè)裸片中的任一個(gè)的占位裸片。

12.一種方法，其包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其進(jìn)一步包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的方法，其進(jìn)一步包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體封裝可包含電容裸片。所述封裝可具有安裝在襯底上的多個(gè)裸片(例如，邏輯裸片、存儲(chǔ)器裸片)。每個(gè)裸片可包含功率域。所述裸片可以分布在所述襯底上，使得所述襯底上在所述裸片中的至少一些之間存在額外空間。例如，額外空間可以存在于兩個(gè)裸片之間、在所述襯底的拐角處或在其它位置。所述額外空間可破壞所述半導(dǎo)體封裝的共面性。所述電容裸片可位于所述額外空間中，以便建立與其它裸片的共面性。所述電容裸片可包含電耦合到所述多個(gè)裸片的多個(gè)功率域的電容器陣列。

技術(shù)研發(fā)人員：B·阿布德?tīng)?戴姆,T·A·沃爾普
受保護(hù)的技術(shù)使用者：亞馬遜技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10