本申請(qǐng)涉及腫瘤治療，具體涉及一種用于人體腫瘤治療的薄膜電容器及其制備方法、腫瘤治療電極貼片、腫瘤治療系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、目前，腫瘤的治療方法有多種，常見的治療方法有外科手術(shù)治療、放射治療、化學(xué)藥物治療、分子靶向治療等，但常見的治療方法都存在相應(yīng)的缺點(diǎn)，例如，放射治療或化學(xué)藥物治療會(huì)殺死正常的細(xì)胞，又例如，外科手術(shù)治療對(duì)早期腫瘤雖然可以治愈，但是個(gè)別患者容易因受到手術(shù)禁忌癥而產(chǎn)生損傷。

2、而利用交變的電場(chǎng)來治療腫瘤是目前研發(fā)前沿的腫瘤治療手段之一，腫瘤電場(chǎng)治療通過向人體治療部位施加交變電場(chǎng)，從而影響腫瘤微管蛋白的聚集并阻止紡錘體形成，進(jìn)而達(dá)到抑制癌細(xì)胞有絲分裂進(jìn)程以及誘導(dǎo)癌細(xì)胞凋亡的目的。具體的，現(xiàn)有的腫瘤電場(chǎng)治療主要將電極貼片貼附在患者治療部位相對(duì)的兩側(cè)，例如患者腰部的兩側(cè)，通過電極貼片內(nèi)的薄膜電容器阻斷電流直接流向患者，同時(shí)相對(duì)兩側(cè)薄膜電容器的電極板向通過患者治療部位施加交變電場(chǎng)，從而達(dá)到腫瘤治療目的。

3、在現(xiàn)有技術(shù)中，為保證腫瘤電場(chǎng)治療的治療效果，通常需要使薄膜電容器具有足夠大的電容，因此減小介電層的厚度是提高薄膜電容器電容量的主要途徑之一。然而，介電層表面通常不平整而存在表面缺陷，使得介電層與電極層之間存在微小空隙，而較薄的介電層在兩電極層電壓施加下會(huì)在微小空隙處發(fā)生氣隙電離現(xiàn)象，氣隙電離現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致電離的正、負(fù)離子在不同的層間傳遞并分別向薄膜電容器的負(fù)、正電極運(yùn)動(dòng)，在與電極接觸瞬間產(chǎn)生放電火花而導(dǎo)致電極損傷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N用于人體腫瘤治療的薄膜電容器及其制備方法、腫瘤治療電極貼片、腫瘤治療系統(tǒng)，旨在解決目前電容中介電層存在表面缺陷而導(dǎo)致氣隙電離現(xiàn)象的技術(shù)問題。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N用于人體腫瘤治療的薄膜電容器，包括：

3、第一電極層以及第二電極層；

4、介電層，介電層位于第一電極層與第二電極層之間；

5、第一缺陷修復(fù)層，第一缺陷修復(fù)層位于第二電極層與介電層之間；

6、其中，第一缺陷修復(fù)層具有導(dǎo)電性，第一缺陷修復(fù)層一面與介電層緊密結(jié)合，另外一面與第二電極層直接或間接地電接觸。

7、在一些實(shí)施例中，第二電極層為成品金屬片，第二電極層的抗張指數(shù)大于第一缺陷修復(fù)層的抗張指數(shù)。

8、在一些實(shí)施例中，第二電極層的厚度大于所述第一缺陷修復(fù)層的厚度。

9、在一些實(shí)施例中，介電層背離第一電極層的一面具有第一粗糙度，第一缺陷修復(fù)層背離介電層的一面具有第二粗糙度；

10、其中，第二粗糙度小于或等于第一粗糙度。

11、在一些實(shí)施例中，所述第一缺陷修復(fù)層包括多層子金屬層。

12、在一些實(shí)施例中，第一缺陷修復(fù)層為金屬層。

13、在一些實(shí)施例中，所述第一缺陷修復(fù)層包括重疊的鋁金屬層以及鋅金屬層；或者

14、所述第一缺陷修復(fù)層包括重疊的鋁金屬層以及金金屬層；或者

15、所述第一缺陷修復(fù)層包括重疊的鋁金屬層以及鈦金屬層。

16、在一些實(shí)施例中，第一電極層與介電層貼合。

17、在一些實(shí)施例中，薄膜電容器還包括第二缺陷修復(fù)層，第二缺陷修復(fù)層位于第一電極層與介電層之間；

18、其中，第二缺陷修復(fù)層具有導(dǎo)電性，第二缺陷修復(fù)層一面與介電層表面緊密結(jié)合，另外一面與第一電極層直接或間接地電接觸。

19、在一些實(shí)施例中，第一電極層的抗張指數(shù)大于第二缺陷修復(fù)層的抗張指數(shù)。

20、在一些實(shí)施例中，介電層朝向第一電極層的一面具有第三粗糙度，第二缺陷修復(fù)層背離介電層的一面具有第四粗糙度；

21、其中，第四粗糙度小于或等于第三粗糙度。

22、在一些實(shí)施例中，介電層包括相互緊密結(jié)合的第一絕緣層以及第二絕緣層；

23、第一缺陷修復(fù)層與第二絕緣層背離第一絕緣層的一面緊密結(jié)合，第二絕緣層的絕緣強(qiáng)度大于第一絕緣層的絕緣強(qiáng)度。

24、在一些實(shí)施例中，第一缺陷修復(fù)層的厚度為10nm至1000nm，第一缺陷修復(fù)層的公差值為其厚度值的±10％。

25、在一些實(shí)施例中，第一缺陷修復(fù)層的厚度為10nm至800nm。

26、在一些實(shí)施例中，第一缺陷修復(fù)層的厚度為50nm至450nm。

27、在一些實(shí)施例中，第一缺陷修復(fù)層中電導(dǎo)率優(yōu)于或等于金屬鋁的子金屬層的總厚度為10nm-400nm；

28、在一些實(shí)施例中，第一缺陷修復(fù)層中電導(dǎo)率優(yōu)于或等于金屬鋁的子金屬層的總厚度為50nm-400nm；

29、在一些實(shí)施例中，介電層的厚度為1um至100um。

30、在一些實(shí)施例中，介電層的厚度為1um至10um。

31、在一些實(shí)施例中，介電層的厚度為2um至8um。

32、在一些實(shí)施例中，薄膜電容器還包括柔性襯底；

33、第一電極層與柔性襯底貼合。

34、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N用于人體腫瘤治療的薄膜電容器的制備方法，包括：

35、提供一第一電極層；

36、在第一電極層上形成介電層；

37、在介電層背離第一電極層的一面形成第一缺陷修復(fù)層；

38、在介電層背離第一缺陷修復(fù)層的一面形成第二電極層；

39、第一缺陷修復(fù)層具有導(dǎo)電性，第一缺陷修復(fù)層一面與介電層表面緊密結(jié)合，另外一面與第二電極層直接或間接地電接觸。

40、在一些實(shí)施例中，介電層背離第一電極層的一面具有第一粗糙度，第一缺陷修復(fù)層背離介電層的一面具有第二粗糙度；

41、其中，第二粗糙度小于或等于第一粗糙度。

42、第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N腫瘤治療電極貼片，包括如第一方面所述的薄膜電容器。

43、第四方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N腫瘤治療系統(tǒng)，包括如第三方面所述的腫瘤治療電極貼片。

44、現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜電容器，由于介電層表面存在形貌缺陷或不平整等原因，造成了介電層與電極層無法緊密結(jié)合，產(chǎn)生了氣隙電離現(xiàn)象；本申請(qǐng)通過在介電層與電極層之間設(shè)置了缺陷修復(fù)層，從而避免了介電層與對(duì)應(yīng)電極層之間產(chǎn)生微小空隙并引發(fā)的氣隙電離現(xiàn)象；同時(shí)，由于采用了導(dǎo)電缺陷修復(fù)層，使得與電極層之間的電連接更為穩(wěn)定，有利于保證腫瘤治療電極貼片內(nèi)薄膜電容器的安全性。

技術(shù)特征：

1.一種用于人體腫瘤治療的薄膜電容器，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，所述第二電極層的抗張指數(shù)大于所述第一缺陷修復(fù)層的抗張指數(shù)。

3.如權(quán)利要求2所述的薄膜電容器，其特征在于，所述第二電極層的厚度大于所述第一缺陷修復(fù)層的厚度。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，所述介電層背離所述第一電極層的一面具有第一粗糙度，所述第一缺陷修復(fù)層背離所述介電層的一面具有第二粗糙度；

5.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，所述第一缺陷修復(fù)層為金屬層。

6.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，所述第一缺陷修復(fù)層包括多層子金屬層。

7.如權(quán)利要求6所述的薄膜電容器，其特征在于，所述第一缺陷修復(fù)層包括重疊的鋁金屬層以及鋅金屬層；或者

8.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，還包括第二缺陷修復(fù)層，所述第二缺陷修復(fù)層位于所述第一電極層與所述介電層之間；

9.如權(quán)利要求8所述的薄膜電容器，其特征在于，所述第一電極層的抗張指數(shù)大于所述第二缺陷修復(fù)層的抗張指數(shù)。

10.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，所述介電層包括相互緊密結(jié)合的第一絕緣層以及第二絕緣層；

11.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，所述第一缺陷修復(fù)層的厚度為10nm至1000nm；所述第一缺陷修復(fù)層的公差值為其厚度值的±10％。

12.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，所述第一缺陷修復(fù)層的厚度為10nm至800nm。

13.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，所述第一缺陷修復(fù)層的厚度為50nm至450nm。

14.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容器，其特征在于，所述介電層的厚度為1um至100um；優(yōu)選地，所述介電層的厚度為1um至10um；優(yōu)選地，所述介電層的厚度為2um至8um。

15.如權(quán)利要求6所述的薄膜電容器，其特征在于，

16.一種用于人體腫瘤治療的薄膜電容器的制備方法，其特征在于，包括：

17.一種腫瘤治療電極貼片，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至15任一項(xiàng)所述的薄膜電容器。

18.一種腫瘤治療系統(tǒng)，其特征在于，包括如權(quán)利要求17所述的腫瘤治療電極貼片。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N用于人體腫瘤治療的薄膜電容器及其制備方法、腫瘤治療電極貼片、腫瘤治療系統(tǒng)，薄膜電容器包括：第一電極層以及第二電極層；介電層，介電層位于第一電極層與第二電極層之間；第一缺陷修復(fù)層，第一缺陷修復(fù)層位于第二電極層與介電層之間；其中，第一缺陷修復(fù)層具有導(dǎo)電性，介電層朝向第一缺陷修復(fù)層的一面具有微觀凹坑，第一缺陷修復(fù)層一面與介電層表面的微觀凹坑緊密結(jié)合，另外一面與第二電極層直接或間接地電接觸。本申請(qǐng)通過在介電層背離第一電極層的一面設(shè)置第一缺陷修復(fù)層，利用第一缺陷修復(fù)層彌補(bǔ)介電層背離第一電極層的一面的表面缺陷，避免介電層與對(duì)應(yīng)電極層之間產(chǎn)生微小空隙并引發(fā)的氣隙電離現(xiàn)象。

技術(shù)研發(fā)人員：楊澤宇,郭儀
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都柔電云科科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/26