本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種晶體管及其制造方法。本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種包括半導(dǎo)體裝置的顯示裝置。注意，本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于上述。作為本說明書等所公開的本發(fā)明的一個(gè)方式的的例子，可以舉出半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、存儲(chǔ)裝置、電子設(shè)備、照明裝置、輸入裝置、輸入輸出裝置、這些裝置的驅(qū)動(dòng)方法或這些裝置的制造方法。半導(dǎo)體裝置是指能夠通過利用半導(dǎo)體特性而工作的所有裝置。

背景技術(shù)：

1、有使晶體管微型化的需求。例如，在顯示裝置中，用于像素的晶體管的占有面積越小越可以縮小像素的尺寸，所以可以實(shí)現(xiàn)高清晰化。另外，可以增加可在單位面積內(nèi)配置的晶體管，所以可以以不增大像素的尺寸的方式在像素內(nèi)配置多個(gè)晶體管而例如將校正功能等組裝于像素。

2、近年來，顯示面板的高清晰化得到了推進(jìn)。作為需求高清晰顯示面板的設(shè)備，除了平板終端、智能手機(jī)、手表型終端之外例如還積極地開發(fā)應(yīng)用于虛擬現(xiàn)實(shí)(vr：virtualreality)或增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(ar：augmented?reality)的設(shè)備。高清晰顯示面板中主要使用有機(jī)el(electro?luminescence：電致發(fā)光)元件或發(fā)光二極管(led：light?emitting?diode)等發(fā)光元件。

3、專利文獻(xiàn)1公開了使用有機(jī)el器件(也稱為有機(jī)el元件)的高清晰顯示裝置。

4、[專利文獻(xiàn)1]國際公開第2016/038508號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、晶體管被要求微型化及高可靠性。尤其在將晶體管用于顯示裝置的像素的情況下，有時(shí)晶體管的電特性的變動(dòng)大幅度地影響到各像素的顏色及明亮度等的不均勻。尤其在vr用設(shè)備中，有因這種顯示不良導(dǎo)致沉浸感的下降的擔(dān)憂。

2、本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)微型化的晶體管。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種可以以高密度配置晶體管的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種電特性良好的晶體管。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種可以使大電流流過的晶體管。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種溝道長度極小的晶體管。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種占有面積小的晶體管。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種同時(shí)實(shí)現(xiàn)微型化及高可靠性的晶體管。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種容易實(shí)現(xiàn)高清晰化的顯示裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種可靠性高的晶體管、半導(dǎo)體裝置或顯示裝置。

3、本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種具有新穎結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置、顯示裝置或電子設(shè)備。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是至少改善現(xiàn)有技術(shù)問題中的至少一個(gè)。

4、注意，這些目的的記載并不妨礙其他目的的存在。注意，本發(fā)明的一個(gè)方式并不需要實(shí)現(xiàn)所有上述目的。注意，可以從說明書、附圖、權(quán)利要求書的記載中抽取上述目的以外的目的。

5、本發(fā)明的一個(gè)方式是包括晶體管及第一絕緣層的半導(dǎo)體裝置。晶體管包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層及第二絕緣層。第一絕緣層包括第一層及該第一層上的第二層。第一絕緣層位于第一導(dǎo)電層上，并包括到達(dá)第一導(dǎo)電層的第一開口。第二導(dǎo)電層位于第二層上。半導(dǎo)體層具有與第一導(dǎo)電層接觸的部分、與第二導(dǎo)電層接觸的部分以及與第一開口內(nèi)側(cè)的第一層的側(cè)面接觸的部分。第二絕緣層在第一開口內(nèi)覆蓋半導(dǎo)體層，第三導(dǎo)電層在第一開口內(nèi)覆蓋第二絕緣層。第一絕緣層在與第一開口不同的位置上包括第二開口。第二絕緣層具有在第二開口內(nèi)側(cè)與第一層接觸的部分。第一層包括氧化物絕緣膜，第二層包括具有氧阻擋性的絕緣膜。

6、另外，在上述中，第二開口優(yōu)選在從平面看時(shí)設(shè)置在不與第二導(dǎo)電層重疊的位置上。此時(shí)，第二開口優(yōu)選具有與第三導(dǎo)電層重疊的部分。另外，第二開口優(yōu)選具有與第一導(dǎo)電層重疊的部分。

7、另外，在上述任意個(gè)中，第二開口優(yōu)選穿過第二層到達(dá)第一層。此時(shí)，第一層優(yōu)選具有與第二開口重疊的凹部。并且，第二絕緣層優(yōu)選在第二開口內(nèi)側(cè)與第一層的凹部表面接觸。

8、另外，在上述任意個(gè)中，第二開口優(yōu)選穿過第二層及第一層。并且，第二絕緣層優(yōu)選在第二開口內(nèi)側(cè)與第一絕緣層的側(cè)面接觸。

9、另外，在上述任意個(gè)中，第一絕緣層優(yōu)選包括位于第一層下方的第三層。并且，第二開口優(yōu)選穿過第二層及第一層到達(dá)第三層。

10、另外，在上述任意個(gè)中，第一絕緣層優(yōu)選包括位于第一層下方的第三層。并且，第二開口優(yōu)選穿過第二層、第一層及第三層。

11、另外，在上述中，優(yōu)選的是，第一層包含氧化硅，第二層包含氮化硅或氧化鋁。

12、另外，在上述中，從平面看時(shí)的第一開口與第二開口的最短距離優(yōu)選為0.1μm以上且100μm以下。

13、另外，本發(fā)明的另一個(gè)方式是包括下述工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法。也就是說，在第一導(dǎo)電層上形成第一層及第二層，在第二層上形成第二導(dǎo)電層，在第一層及第二層中形成到達(dá)第一導(dǎo)電層的第一開口且在遠(yuǎn)離第一開口的位置上形成第二開口，在形成覆蓋第一開口及第二開口且與第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層的每一個(gè)接觸的半導(dǎo)體膜之后進(jìn)行加熱處理，對(duì)半導(dǎo)體膜的一部分進(jìn)行蝕刻來使第二開口露出，形成覆蓋半導(dǎo)體膜及第二開口的絕緣層，在絕緣層上形成與半導(dǎo)體層重疊的第三導(dǎo)電層。在此，第一層包括氧化物絕緣膜，第二層包括具有氧阻擋性的絕緣膜。

14、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)微型化的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種可以以高密度配置晶體管的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種電特性良好的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種可以使大電流流過的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種溝道長度極小的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種占有面積小的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種同時(shí)實(shí)現(xiàn)微型化及高可靠性的晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種容易實(shí)現(xiàn)高清晰化的顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種可靠性高的晶體管、半導(dǎo)體裝置或顯示裝置。

15、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種具有新穎結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置、顯示裝置或電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，至少可以改善現(xiàn)有技術(shù)問題中的至少一個(gè)。

16、注意，這些效果的記載并不妨礙其他效果的存在。注意，本發(fā)明的一個(gè)方式不一定需要具有所有上述效果。注意，可以從說明書、附圖、權(quán)利要求書的記載中抽取上述效果以外的效果。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。提供一種同時(shí)實(shí)現(xiàn)微型化及高可靠性的晶體管。本發(fā)明的一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。該半導(dǎo)體裝置包括晶體管及第一絕緣層。晶體管包括第一至第三導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、第二絕緣層。第一絕緣層包括第一層及該第一層上的第二層。第一絕緣層位于第一導(dǎo)電層上，并包括到達(dá)第一導(dǎo)電層的第一開口。第二導(dǎo)電層位于第二層上。半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層接觸，并與第一開口內(nèi)側(cè)的第一層的側(cè)面接觸。第二絕緣層在第一開口內(nèi)覆蓋半導(dǎo)體層，第三導(dǎo)電層在第一開口內(nèi)覆蓋第二絕緣層。第一絕緣層在與第一開口不同的位置上包括第二開口。第二絕緣層在第二開口內(nèi)側(cè)與第一層接觸。第一層包括氧化物絕緣膜，第二層包括具有氧阻擋性的絕緣膜。

技術(shù)研發(fā)人員：神長正美,土橋正佳,肥冢純一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19