本公開的示例實施例整體涉及使用引線(wire)鍵合進行嵌入式電磁場(emf)屏蔽保護的半導體封裝。

背景技術：

1、針對電子器件的半導體封裝件(package)在尺寸上不斷縮小并且被放置得更緊密。這些半導體封裝件以及電子器件中的其他組件生成電磁場。因此，半導體封裝件越來越多地被暴露于更大量的電磁場。半導體封裝件可能還需要以越來越快的速度下載和/或處理數(shù)據(jù)。emf暴露可能導致半導體封裝件出現(xiàn)故障和/或生成錯誤，包括在所下載和/或經(jīng)處理的數(shù)據(jù)中出現(xiàn)故障和/或生成錯誤。

2、需要用于半導體封裝的新系統(tǒng)、裝置和方法。發(fā)明人已確定了現(xiàn)有技術和工藝中的許多改進領域，這些改進領域是本文描述的實施例的主題。通過所應用的努力、獨創(chuàng)性和創(chuàng)新，這些缺陷、挑戰(zhàn)和問題中的許多缺陷、挑戰(zhàn)和問題已通過開發(fā)本公開的實施例中所包括的解決方案而得到解決，本公開的實施例的一些示例在本文中被詳細地描述。

技術實現(xiàn)思路

1、本文所描述的各種實施例涉及半導體封裝件，具體涉及使用引線鍵合進行嵌入式emf屏蔽保護的半導體封裝件。

2、根據(jù)本公開的一些實施例，提供了示例方法。示例方法是制造半導體封裝件并且可以包括：將管芯連接到基部(base)；創(chuàng)建多個引線鍵合，多個引線鍵合中的每個引線鍵合具有第一端部和第二端部，其中第一引線鍵合的第一端部被連接到管芯，并且第一引線鍵合的第二端部被連接到基部，并且其中第二引線鍵合的第一端部和第二引線鍵合的第二端部被各自連接到基部；施加模塑件(molding)，以封裝管芯和多個引線鍵合；去除模塑件的頂側，去除模塑件的頂側包括：將多個引線鍵合斷開為多個引線，其中多個引線中的每個引線是屏蔽引線或者信號引線，屏蔽引線在屏蔽引線的第一端部處被連接到基部，信號引線在信號引線的第一端部處被連接到管芯；在模塑件的第一側上形成一個或多個重分布層，其中一個或多個重分布層包括一個或多個信號焊盤和一個或多個地平面，其中一個或多個信號焊盤中的每個信號焊盤被連接到至少一個信號引線，至少一個信號引線被連接到管芯的至少一個信號引線，其中連接到基部的一個或多個屏蔽引線中的至少一個屏蔽引線被連接到地平面；向一個或多個信號焊盤施加一個或多個焊料凸塊。

3、在一些實施例中，多個引線鍵合包圍管芯。

4、在一些實施例中，多個引線鍵合包圍管芯的部分。

5、在一些實施例中，半導體封裝件是面板上的多個半導體封裝件中的一個半導體封裝件。

6、在一些實施例中，方法還包括：經(jīng)由切割(singulation)，將半導體封裝件與面板上的多個半導體封裝件中的另一半導體封裝件分離。

7、在一些實施例中，方法還包括：在施加模塑件之前，在第一方向上調(diào)整多個引線鍵合中的一個或多個引線鍵合的對齊。

8、在一些實施例中，方法還包括：在模塑件的第一側上形成一個或多個重分布層之前，在模塑件中創(chuàng)建一個或多個腔，其中腔各自與被連接到管芯的信號引線相關聯(lián)。

9、在一些實施例中，創(chuàng)建一個或多個腔利用激光燒蝕。

10、在一些實施例中，在模塑件的第一側上形成一個或多個重分布層利用導電材料填充一個或多個腔。

11、在一些實施例中，一個或多個地平面通過一個或多個介電層與一個或多個信號焊盤分離。

12、根據(jù)本公開的一些實施例，提供了示例半導體封裝件。示例半導體封裝件可以包括：管芯，管芯具有有源側；基部，基部被連接到管芯的側，該側與有源側相對；多個屏蔽引線，其中多個屏蔽引線被連接到基部并且被連接到一個或多個地平面；多個信號引線，多個信號引線被連接到管芯的有源側并且被連接到一個或多個信號焊盤；其中多個屏蔽引線和多個信號引線由多個引線鍵合的部分形成；模塑件，模塑件封裝管芯、屏蔽引線以及信號引線；重分布層，重分布層在模塑件的頂部上，其中重分布層包括一個或多個地平面以及一個或多個信號焊盤；以及多個焊料球，其中多個焊料球中的一個或多個焊料球被施加到一個或多個信號焊盤。

13、在一些實施例中，多個屏蔽引線包圍管芯。

14、在一些實施例中，多個屏蔽引線包圍管芯的部分。

15、在一些實施例中，管芯利用膠合劑(glue)被連接到基部。

16、在一些實施例中，半導體封裝件還包括凸塊下金屬化(under?bumpmetallization)，凸塊下金屬化在每個焊料球下方。

17、在一些實施例中，凸塊下金屬化包括鎳金、鈦金或鎳鈀。

18、在一些實施例中，至少一個信號引線與重分布層之間的連接包括腔，所述腔被填充有導電材料。

19、在一些實施例中，腔利用激光燒蝕被形成。

20、在一些實施例中，至少一個信號焊盤包括多個銅層，多個銅層包括第一銅層和第二銅層，第一銅層被連接到第一信號引線，第二銅層被連接到第一銅層，其中第一銅層具有第一寬度，其中第二銅層具有第二寬度，第二寬度大于第一寬度，并且包括第二銅層的延伸超出第一銅層的寬度的部分，并且其中延伸超出第一銅層的寬度的第二銅層被連接到凸塊下金屬化，凸塊下金屬化與多個焊料球中的一個焊料球相關聯(lián)。

21、在一些實施例中，一個或多個地平面通過一個或多個介電層與一個或多個信號焊盤分離。

22、提供以上
技術實現(xiàn)要素：
僅用于總結一些示例實施例的目的，以提供對本公開的一些方面的基本理解。因此，可以理解，上述實施例僅是示例并且不應被解釋為以任何方式縮窄本公開的范圍或精神。還應理解，除了此處總結的實施例之外，本公開的范圍還涵蓋許多潛在的實施例，其中一些實施例將在下面被進一步描述。

技術特征：

1.一種制造半導體封裝件的方法，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的制造半導體封裝件的方法，其中所述多個引線鍵合包圍所述管芯。

3.根據(jù)權利要求1所述的制造半導體封裝件的方法，其中所述多個引線鍵合包圍所述管芯的部分。

4.根據(jù)權利要求1所述的制造半導體封裝件的方法，其中所述半導體封裝件是面板上的多個半導體封裝件中的一個半導體封裝件。

5.根據(jù)權利要求4所述的制造半導體封裝件的方法，還包括：

6.根據(jù)權利要求1所述的制造半導體封裝件的方法，還包括：

7.根據(jù)權利要求1所述的制造半導體封裝件的方法，還包括：

8.根據(jù)權利要求7所述的制造半導體封裝件的方法，其中創(chuàng)建一個或多個腔利用激光燒蝕。

9.根據(jù)權利要求7所述的制造半導體封裝件的方法，其中在所述模塑件的第一側上形成一個或多個重分布層利用導電材料填充所述一個或多個腔。

10.根據(jù)權利要求1所述的制造半導體封裝件的方法，其中所述一個或多個地平面通過一個或多個介電層與所述一個或多個信號焊盤分離。

11.一種半導體封裝件，包括：

12.根據(jù)權利要求11所述的半導體封裝件，其中所述多個屏蔽引線包圍所述管芯。

13.根據(jù)權利要求11所述的半導體封裝件，其中所述多個屏蔽引線包圍所述管芯的部分。

14.根據(jù)權利要求11所述的半導體封裝件，其中所述管芯利用膠合劑被連接到所述基部。

15.根據(jù)權利要求11所述的半導體封裝件，還包括凸塊下金屬化，所述凸塊下金屬化在每個焊料球下方。

16.根據(jù)權利要求15所述的半導體封裝件，其中所述凸塊下金屬化包括鎳金、鈦金或者鎳鈀。

17.根據(jù)權利要求11所述的半導體封裝件，其中至少一個信號引線與所述重分布層之間的連接包括腔，所述腔被填充有導電材料。

18.根據(jù)權利要求17所述的半導體封裝件，其中所述腔利用激光燒蝕被形成。

19.根據(jù)權利要求11所述的半導體封裝件，其中至少一個信號焊盤包括多個銅層，所述多個銅層包括第一銅層和第二銅層，所述第一銅層被連接到第一信號引線，所述第二銅層被連接到所述第一銅層，其中所述第一銅層具有第一寬度，其中所述第二銅層具有第二寬度，所述第二寬度大于所述第一寬度，并且包括所述第二銅層的延伸超出所述第一銅層的所述寬度的部分，并且其中延伸超出所述第一銅層的所述寬度的第二銅層被連接到凸塊下金屬化，所述凸塊下金屬化與所述多個焊料球中的一個焊料球相關聯(lián)。

20.根據(jù)權利要求11所述的半導體封裝件，其中所述一個或多個地平面通過一個或多個介電層與所述一個或多個信號焊盤分離。

技術總結
本公開的實施例涉及使用引線鍵合進行嵌入式EMF屏蔽保護的半導體封裝。提供了使用引線鍵合進行嵌入式電磁場(EMF)屏蔽保護的半導體封裝件。半導體可以包括多個屏蔽引線和信號引線。屏蔽引線可以包圍管芯的部分的全部，以將管芯從EMF屏蔽。屏蔽引線和信號引線可以由引線鍵合的部分形成。在制造半導體封裝件時，這些引線鍵合可以被創(chuàng)建，連接到基部和/或管芯。引線鍵合然后可以被斷開，以形成屏蔽引線和信號引線。這些引線可以被連接到地平面和/或信號焊盤，地平面和/或信號焊盤通過介電材料分離。

技術研發(fā)人員：L·P·L·雷納德
受保護的技術使用者：意法半導體國際公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19