本申請涉及半導(dǎo)體集成電路制造，具體涉及一種cis的制造方法。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，集成電路制造工藝正如摩爾定律(大約每18個月芯片上集成元件的數(shù)量就翻一番)器件密度不斷提高，性能持續(xù)提升，計(jì)算機(jī)、通信以及消費(fèi)電子的普及，極大地提高經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)力和生活質(zhì)量，其中cmos圖像傳感器芯片(cis)應(yīng)用非常廣泛，cis產(chǎn)品性能要求也越高。

2、白色像素，即wp(white?pixel)，是cis產(chǎn)品最重要性能參數(shù)，是指在暗場環(huán)境下，輸出高于周圍像素的平均輸出，一般dn值高于周圍像素50dn的稱為白色像素。

3、wp的主要形成原因在于受金屬離子、或晶格缺陷形成一個個活性很強(qiáng)的中間能級，中間能級極大的提升了電子和空穴復(fù)合幾率，從而形成了白色像素的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┝艘环Ncis的制造方法，可以改善相關(guān)技術(shù)中白色像素的問題。

2、為了解決背景技術(shù)中的技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┮环Ncis的制造方法，所述cis的制造方法包括以下步驟：

3、提供包含像素單元區(qū)的半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)；

4、通過不含等離子體的沉積工藝在所述半導(dǎo)體襯底的表面和所述柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積形成第一氧化層；

5、通過不含等離子體的沉積工藝在所述第一氧化層上沉積形成第二氧化層；

6、通過不含等離子體的沉積工藝在所述第二氧化層上沉積形成第一氮化硅層；

7、刻蝕所述第一氮化硅層、第二氧化層和所述第一氧化層形成位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一側(cè)墻；

8、通過不含等離子體的沉積工藝沉積形成第三氧化層，所述第三氧化層覆蓋在所述第一側(cè)墻、半導(dǎo)體襯底、和柵極結(jié)構(gòu)外露的表面；

9、通過不含等離子體的沉積工藝在所述第三氧化層上沉積形成第二氮化硅層；

10、刻蝕所述第二氮化硅層和所述第三氧化層，形成覆蓋在所述第一側(cè)墻外的第二側(cè)墻。

11、可選地，所述通過不含等離子體的沉積工藝在所述半導(dǎo)體襯底的表面和所述柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積形成第一氧化層的步驟，包括：

12、通過爐管沉積工藝在所述半導(dǎo)體襯底的表面和所述柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積形成第一氧化層。

13、可選地，在所述通過爐管沉積工藝在所述半導(dǎo)體襯底的表面和所述柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積形成第一氧化層的步驟完成后，還進(jìn)行以下步驟：

14、使得帶有所述第一氧化層的半導(dǎo)體襯底冷卻。

15、可選地，所述通過不含等離子體的沉積工藝在所述半導(dǎo)體襯底的表面和所述柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積形成第一氧化層的步驟，包括：

16、通過ald工藝在所述半導(dǎo)體襯底的表面和所述柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積形成第一氧化層。

17、可選地，在所述通過ald工藝在所述半導(dǎo)體襯底的表面和所述柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積形成第一氧化層的步驟完成后，還進(jìn)行以下步驟：

18、進(jìn)行源端漂移區(qū)和漏端ldd區(qū)的淡摻雜。

19、可選地，所述通過不含等離子體的沉積工藝在所述第一氧化層上沉積形成第二氧化層的步驟，包括：

20、通過爐管沉積工藝在所述第一氧化層上沉積形成第二氧化層，或者，通過ald工藝在所述第一氧化層上沉積形成第二氧化層。

21、可選地，所述通過爐管沉積工藝在所述第一氧化層上沉積形成第二氧化層的步驟完成后，還進(jìn)行以下步驟：

22、使得帶有第二氧化層的半導(dǎo)體襯底冷卻。

23、可選地，所述通過不含等離子體的沉積工藝在所述第二氧化層上沉積形成第一氮化硅層的步驟，包括：

24、通過爐管沉積工藝在所述第二氧化層上沉積形成第一氮化硅層，或，通過ald工藝在所述第二氧化層上沉積形成第一氮化硅層。

25、可選地，所述通過爐管沉積工藝在所述第二氧化層上沉積形成第一氮化硅層的步驟完成后，還進(jìn)行以下步驟：

26、使得帶有第一氮化硅層的半導(dǎo)體襯底冷卻。

27、可選地，所述通過不含等離子體的沉積工藝沉積形成第三氧化層，所述第三氧化層覆蓋在所述第一側(cè)墻、半導(dǎo)體襯底、和柵極結(jié)構(gòu)外露的表面的步驟，包括：

28、通過爐管沉積工藝沉積形成第三氧化層，所述第三氧化層覆蓋在所述第一側(cè)墻、半導(dǎo)體襯底、和柵極結(jié)構(gòu)外露的表面，或，通過ald工藝沉積形成第三氧化層，所述第三氧化層覆蓋在所述第一側(cè)墻、半導(dǎo)體襯底、和柵極結(jié)構(gòu)外露的表面。

29、可選地，所述通過不含等離子體的沉積工藝在所述第三氧化層上沉積形成第二氮化硅層的步驟，包括：

30、通過爐管沉積工藝在所述第三氧化層上沉積形成第二氮化硅層，或，通過ald工藝在所述第三氧化層上沉積形成第二氮化硅層。

31、本申請技術(shù)方案，至少包括如下優(yōu)點(diǎn)：本申請通過使用不含等離子體的沉積工藝形成第一氧化層、第二氧化層、第一氮化硅層、第三氧化層和第二氮化硅層提高所形成膜層的質(zhì)量，避免等離子體對膜層造成的晶格缺陷。高質(zhì)量的膜層能夠阻擋后續(xù)工藝中引入的金屬離子進(jìn)入像素單元區(qū)，從而降低cis器件的白色像素的問題。

技術(shù)特征：

1.一種cis的制造方法，其特征在于，所述cis的制造方法包括以下步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的cis的制造方法，其特征在于，所述通過不含等離子體的沉積工藝在所述半導(dǎo)體襯底的表面和所述柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積形成第一氧化層的步驟，包括：

3.如權(quán)利要求2所述的cis的制造方法，其特征在于，在所述通過爐管沉積工藝在所述半導(dǎo)體襯底的表面和所述柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積形成第一氧化層的步驟完成后，還進(jìn)行以下步驟：

4.如權(quán)利要求1所述的cis的制造方法，其特征在于，所述通過不含等離子體的沉積工藝在所述半導(dǎo)體襯底的表面和所述柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積形成第一氧化層的步驟，包括：

5.如權(quán)利要求4所述的cis的制造方法，其特征在于，在所述通過ald工藝在所述半導(dǎo)體襯底的表面和所述柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積形成第一氧化層的步驟完成后，還進(jìn)行以下步驟：

6.如權(quán)利要求1所述的cis的制造方法，其特征在于，所述通過不含等離子體的沉積工藝在所述第一氧化層上沉積形成第二氧化層的步驟，包括：

7.如權(quán)利要求6所述的cis的制造方法，其特征在于，所述通過爐管沉積工藝在所述第一氧化層上沉積形成第二氧化層的步驟完成后，還進(jìn)行以下步驟：

8.如權(quán)利要求1所述的cis的制造方法，其特征在于，所述通過不含等離子體的沉積工藝在所述第二氧化層上沉積形成第一氮化硅層的步驟，包括：

9.如權(quán)利要求8所述的cis的制造方法，其特征在于，所述通過爐管沉積工藝在所述第二氧化層上沉積形成第一氮化硅層的步驟完成后，還進(jìn)行以下步驟：

10.如權(quán)利要求1所述的cis的制造方法，其特征在于，所述通過不含等離子體的沉積工藝沉積形成第三氧化層，所述第三氧化層覆蓋在所述第一側(cè)墻、半導(dǎo)體襯底、和柵極結(jié)構(gòu)外露的表面的步驟，包括：

11.如權(quán)利要求1所述的cis的制造方法，其特征在于，所述通過不含等離子體的沉積工藝在所述第三氧化層上沉積形成第二氮化硅層的步驟，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種CIS的制造方法。包括：通過不含等離子體的沉積工藝在半導(dǎo)體襯底的表面和柵極結(jié)構(gòu)的表面沉積形成第一氧化層；通過不含等離子體的沉積工藝在第一氧化層上沉積形成第二氧化層；通過不含等離子體的沉積工藝在第二氧化層上沉積形成第一氮化硅層；刻蝕第一氮化硅層、第二氧化層和第一氧化層形成位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一側(cè)墻；通過不含等離子體的沉積工藝沉積形成第三氧化層，第三氧化層覆蓋在第一側(cè)墻、半導(dǎo)體襯底、和柵極結(jié)構(gòu)外露的表面；通過不含等離子體的沉積工藝在第三氧化層上沉積形成第二氮化硅層；刻蝕第二氮化硅層和第三氧化層，形成覆蓋在第一側(cè)墻外的第二側(cè)墻。

技術(shù)研發(fā)人員：張棟,范曉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/18