本發(fā)明涉及太陽能電池制造領(lǐng)域，尤其是一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池復(fù)合tco的制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著異質(zhì)結(jié)太陽能電池的發(fā)展，降低電池制造成本成為眾人關(guān)注的重點(diǎn)。而其中的透明導(dǎo)電薄膜層常用銦錫氧化物(i?nd?i?um?t?i?n?ox?i?de，i?to)，i?to具有高透過率、低電阻率的特點(diǎn)，性能優(yōu)良，但由于銦元素的稀缺性和高價(jià)格，其成本較高，使i?to在未來的異質(zhì)結(jié)電池發(fā)展中受到一定的限制，所以，透明導(dǎo)電膜層少銦化或無銦化，成為異質(zhì)結(jié)電池降低成本的一個(gè)重要方向；另外，異質(zhì)結(jié)電池導(dǎo)電漿料的銀耗量多于其它類型的硅基電池，降低耗銀成為異質(zhì)結(jié)電池降低成本的另一個(gè)重要方向。

2、而相對(duì)于i?to而言，摻雜al的氧化鋅(azo)透明導(dǎo)電薄膜，擁有原料豐富、價(jià)格便宜的優(yōu)點(diǎn)，目前金屬zn和a?l的價(jià)格約為是金屬i?n的1％，金屬錫的10％；另外，azo熱穩(wěn)定性好，具有熱處理過程中(相對(duì)i?to)不易失氧的優(yōu)點(diǎn)；因此，用azo薄膜取代了i?to薄膜,成為了目前研究的重要方向；但是，azo薄膜的電阻率略差導(dǎo)致同半導(dǎo)體硅的接觸特性較差，且azo的耐酸堿能力較差，大氣耐候性也較差，大氣環(huán)境下靜置電阻率會(huì)上升，這些因素影響了azo薄膜在異質(zhì)結(jié)電池中的應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池復(fù)合tco的制備方法，既能保證正面對(duì)于透光率的需求又同時(shí)滿足電池正面透明導(dǎo)電膜的大氣耐候性及同半導(dǎo)體硅的良好接觸。

2、為了解決上述問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

3、一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池復(fù)合tco的制備方法，選擇n型硅片作為硅襯底，進(jìn)行清洗、制絨，以獲得雙面為是金字塔形狀的絨面，將n型硅片的一側(cè)面以正面表述，另一側(cè)面以背面表述；采用pecvd，在正面絨面依次沉積正面本征非晶硅層、n型摻雜非晶硅層；在背面絨面依次沉積背面本征非晶硅層、p型摻雜非晶硅層；

4、在p型摻雜非晶硅層上沉積第一透明導(dǎo)電層，在所述第一透明導(dǎo)電層上沉積第二透明導(dǎo)電層，在所述第二透明導(dǎo)電層上沉積金屬導(dǎo)電層；

5、在n型摻雜非晶硅層上沉積第三透明導(dǎo)電層，在所述第三透明導(dǎo)電層上沉積第四透明導(dǎo)電層，在所述第四透明導(dǎo)電層上沉積第五透明導(dǎo)電層；

6、在所述金屬導(dǎo)電層上印刷背面柵線，在所述第五透明導(dǎo)電層上印刷正面柵線。

7、優(yōu)選地，所述第一透明導(dǎo)電層為i?to，所述第一透明導(dǎo)電層采用磁控濺射的方式進(jìn)行沉積，厚度為25-100nm。

8、優(yōu)選地，所述第二透明導(dǎo)電層為azo，所述第二透明導(dǎo)電層采用磁控濺射的方式進(jìn)行沉積，厚度為25-100nm。

9、優(yōu)選地，所述金屬導(dǎo)電層為高導(dǎo)電性銅薄膜，所述銅薄膜采用磁控濺射的方式進(jìn)行沉積，厚度為200-500nm。

10、優(yōu)選地，所述第三透明導(dǎo)電層為i?to，所述第三透明導(dǎo)電層采用磁控濺射的方式進(jìn)行沉積，厚度為25-100nm。

11、優(yōu)選地，所述第四透明導(dǎo)電層為azo，所述第四透明導(dǎo)電層采用磁控濺射的方式進(jìn)行沉積，厚度為25-100nm。

12、優(yōu)選地，所述第五透明導(dǎo)電層為i?to，所述第五透明導(dǎo)電層采用磁控濺射的方式進(jìn)行沉積，厚度為25-100nm。

13、通過采用上述的技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果是：

14、目前tco膜層使用的是i?to透明導(dǎo)電膜，但i?n元素資源稀少，價(jià)格昂貴，本發(fā)明可大幅度降低銦用量，且該疊層擁有與i?to相似的光電特性，金屬薄膜的導(dǎo)電性較好，可代替部分銀漿傳輸電子，與銀漿的功函數(shù)匹配較好，可在降低銦用量的同時(shí)降低耗銀。

技術(shù)特征：

1.一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池復(fù)合tco的制備方法，其特征在于，選擇n型硅片作為硅襯底，進(jìn)行清洗、制絨，以獲得雙面為是金字塔形狀的絨面，將n型硅片的一側(cè)面以正面表述，另一側(cè)面以背面表述；采用pecvd，在正面絨面依次沉積正面本征非晶硅層、n型摻雜非晶硅層；在背面絨面依次沉積背面本征非晶硅層、p型摻雜非晶硅層；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池復(fù)合tco的制備方法，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層為i?to，所述第一透明導(dǎo)電層采用磁控濺射的方式進(jìn)行沉積，厚度為25-100nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池復(fù)合tco的制備方法，其特征在于，所述第二透明導(dǎo)電層為azo，所述第二透明導(dǎo)電層采用磁控濺射的方式進(jìn)行沉積，厚度為25-100nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池復(fù)合tco的制備方法，其特征在于，所述金屬導(dǎo)電層為高導(dǎo)電性銅薄膜，所述銅薄膜采用磁控濺射的方式進(jìn)行沉積，厚度為200-500nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池復(fù)合tco的制備方法，其特征在于，所述第三透明導(dǎo)電層為ito，所述第三透明導(dǎo)電層采用磁控濺射的方式進(jìn)行沉積，厚度為25-100nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池復(fù)合tco的制備方法，其特征在于，所述第四透明導(dǎo)電層為azo，所述第四透明導(dǎo)電層采用磁控濺射的方式進(jìn)行沉積，厚度為25-100nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池復(fù)合tco的制備方法，其特征在于，所述第五透明導(dǎo)電層為ito，所述第五透明導(dǎo)電層采用磁控濺射的方式進(jìn)行沉積，厚度為25-100nm。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池復(fù)合TCO的制備方法，選擇N型硅片作為硅襯底，進(jìn)行處理獲得雙面為是金字塔形狀的絨面；采用PECVD，在正面絨面依次沉積正面本征非晶硅層、N型摻雜非晶硅層；在背面絨面依次沉積背面本征非晶硅層、P型摻雜非晶硅層；在P型摻雜非晶硅層上沉積第一透明導(dǎo)電層，第二透明導(dǎo)電層和金屬導(dǎo)電層；在N型摻雜非晶硅層上沉積第三透明導(dǎo)電層，第四透明導(dǎo)電層和第五透明導(dǎo)電層；在金屬導(dǎo)電層上印刷背面柵線，在第五透明導(dǎo)電層上印刷正面柵線；采用該疊層擁有與ITO相似的光電特性，金屬薄膜的導(dǎo)電性較好，可代替部分銀漿傳輸電子，在降低銦用量的同時(shí)降低耗銀。

技術(shù)研發(fā)人員：張茂斌,陳凱雯,陳雄,林曉潮,黃輝明,薛俊明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：福建鉅能電力有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17