本申請涉及半導體，特別是涉及一種晶圓位置調(diào)整裝置及刻蝕機臺。

背景技術：

1、在半導體技術領域中，為滿足半導體結構微小型化（例如窄線寬、深溝槽等結構）的工藝需求，引入了先進圖形薄膜(advanced?patterning?film，簡稱apf)，在刻蝕工藝中替代光刻膠作為掩膜層。在apf工藝中，為避免先進圖形薄膜在晶圓的邊緣成膜（即無定型碳膜，amorphous?carbon,?簡稱α-c），需要在晶圓的邊緣覆蓋上蓋環(huán)（shadow?ring）；其中，為避免位置偏差問題，需要在進行蓋環(huán)（shadow?ring）之前，對晶圓在apf設備中的加熱器（heater）上的相對位置進行校準。

2、然而，相關技術中的對于晶圓的位置校準，通常是通過位于加熱器邊緣的接觸頭（finger）直接接觸晶圓表面對晶圓進行位置調(diào)整。這種通過物理接觸進行位置調(diào)整的方式，會造成晶圓表面的介質(zhì)層（例如氮化物層?nitride）出現(xiàn)損傷，容易造成顆粒異常，從而影響晶圓產(chǎn)品的良率。

技術實現(xiàn)思路

1、基于此，本申請實施例提供了一種晶圓位置調(diào)整裝置及刻蝕機臺，以實現(xiàn)非物理接觸式的晶圓位置調(diào)整，從而有效提升晶圓產(chǎn)品良率。

2、為了實現(xiàn)上述目的，第一方面，本申請一些實施例提供了一種晶圓位置調(diào)整裝置。該晶圓位置調(diào)整裝置包括加熱盤和至少三組噴氣組件；加熱盤用于承載晶圓；至少三組噴氣組件的出氣面均間隔分布于同一環(huán)繞晶圓的虛擬圓柱的側表面上，用于噴氣并調(diào)整晶圓的位置；虛擬圓柱位于加熱盤以內(nèi)；其中，至少三組噴氣組件中每一噴氣組件的出氣面均包括間隔陣列排布的多個出氣孔；多個出氣孔的出氣方向至少垂直于晶圓的側表面；至少三組噴氣組件中每一噴氣組件的進氣口均位于加熱盤以下。

3、在一些實施例中，至少三組噴氣組件中每一噴氣組件的出氣面的出氣孔均不高于晶圓的頂面，且不低于晶圓的底面。

4、在一些實施例中，至少三組噴氣組件中每一噴氣組件的出氣面的多個出氣孔，均勻間隔陣列排布。

5、在一些實施例中，至少三組噴氣組件被配置為：同時通入相同預設流量的惰性氣體。

6、在一些實施例中，惰性氣體包括氦氣、氬氣、氖氣中至少一種。

7、在一些實施例中，至少三組噴氣組件的出氣面均與晶圓具有間隙。

8、在一些實施例中，晶圓位置調(diào)整裝置還包括至少三組聯(lián)動組件；至少三組聯(lián)動組件與至少三組噴氣組件對應設置，用于調(diào)整至少三組噴氣組件的噴氣位置，使得至少三組噴氣組件的出氣面均間隔分布于同一環(huán)繞晶圓的虛擬圓柱的側表面上。

9、在一些實施例中，晶圓位置調(diào)整裝置還包括控制器；控制器與至少三組聯(lián)動組件均相連，用于控制至少三組聯(lián)動組件在第一狀態(tài)與第二狀態(tài)之間切換；第一狀態(tài)下，至少三組噴氣組件的出氣面均間隔分布于同一環(huán)繞晶圓的虛擬圓柱的側表面上；第二狀態(tài)下，至少三組噴氣組件的出氣面均位于加熱盤的外圍。

10、在一些實施例中，至少三組噴氣組件等間隔分布。

11、第二方面，本申請還根據(jù)一些實施例，提供了一種刻蝕機臺；該刻蝕機臺包括如本申請第一方面中任一項所述的晶圓位置調(diào)整裝置。

12、本申請實施例可以/至少具有以下優(yōu)點：

13、本申請實施例中，至少三組噴氣組件間隔分布于同一環(huán)繞晶圓的虛擬圓柱的側表面上的出氣面，各出氣面均包括間隔排列分布的多個出氣孔，且出氣孔的出氣方向至少垂直于晶圓的側表面，通過出氣面噴氣以推動晶圓位移，對晶圓在加熱盤上的相對位置進行校準并補償位置偏移，以使得晶圓的軸心線與加熱盤的軸心線重合，從而有利于后續(xù)工藝步驟（例如先進圖形薄膜工藝、蓋環(huán)安裝工藝等）的正常進行；如此，通過噴氣組件噴出的氣體推動晶圓位移，實現(xiàn)了非物理接觸式的晶圓位置調(diào)整，以避免了物理接觸可能造成的晶圓介質(zhì)層損傷以及晶圓顆粒缺陷問題，從而有效提高了晶圓產(chǎn)品的良率。

14、本申請的一個或多個實施例的細節(jié)在下面的附圖和描述中提出。本申請的其他特征、目的和優(yōu)點將從說明書、附圖以及權利要求書變得明顯。

技術特征：

1.一種晶圓位置調(diào)整裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的晶圓位置調(diào)整裝置，其特征在于，至少三組所述噴氣組件中每一所述噴氣組件的出氣面的所述出氣孔均不高于所述晶圓的頂面，且不低于所述晶圓的底面。

3.根據(jù)權利要求1所述的晶圓位置調(diào)整裝置，其特征在于，至少三組所述噴氣組件中每一所述噴氣組件的出氣面的多個所述出氣孔，均勻間隔陣列排布。

4.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的晶圓位置調(diào)整裝置，其特征在于，至少三組所述噴氣組件被配置為：同時通入相同預設流量的惰性氣體。

5.根據(jù)權利要求4所述的晶圓位置調(diào)整裝置，其特征在于，所述惰性氣體包括氦氣、氬氣、氖氣中至少一種。

6.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的晶圓位置調(diào)整裝置，其特征在于，至少三組所述噴氣組件的出氣面均與所述晶圓具有間隙。

7.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的晶圓位置調(diào)整裝置，其特征在于，還包括：

8.根據(jù)權利要求6所述的晶圓位置調(diào)整裝置，其特征在于，還包括：

9.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的晶圓位置調(diào)整裝置，其特征在于，至少三組所述噴氣組件等間隔分布。

10.一種刻蝕機臺，其特征在于，包括：

技術總結
本申請涉及一種晶圓位置調(diào)整裝置及刻蝕機臺。該晶圓位置調(diào)整裝置包括：加熱盤和至少三組噴氣組件；加熱盤用于承載晶圓；至少三組噴氣組件的出氣面均間隔分布于同一環(huán)繞晶圓的虛擬圓柱的側表面上，用于噴氣并調(diào)整晶圓的位置；虛擬圓柱位于加熱盤以內(nèi)；其中，至少三組噴氣組件中每一噴氣組件的出氣面均包括間隔陣列排布的多個出氣孔；多個出氣孔的出氣方向至少垂直于晶圓的側表面；至少三組噴氣組件中每一噴氣組件的進氣口均位于加熱盤以下。本申請有利于實現(xiàn)非物理接觸式的晶圓位置調(diào)整，從而有效提升晶圓產(chǎn)品良率。

技術研發(fā)人員：朱成龍,拉海忠,閆曉暉
受保護的技術使用者：上海積塔半導體有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/11/18