本技術(shù)涉及刻蝕加工領(lǐng)域，特別涉及一種刻蝕裝置。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有技術(shù)采用單向的直流電源對刻蝕腔室中的電路板進(jìn)行等離子體刻蝕，在刻蝕的過程中，由于離子源相對待刻蝕的電路板位置固定，但由于電流方向是單一的，也即，等離子體的擴(kuò)散方向是單一的，這就導(dǎo)致了在刻蝕的過程中，容易出現(xiàn)了靠近等離子體擴(kuò)散端的電路板容易被過度刻蝕，而在遠(yuǎn)離的一端往往則會出現(xiàn)刻蝕不足的情況。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的主要目的是提出一種刻蝕裝置，旨在解決上述提出的技術(shù)問題。

2、為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提出的一種刻蝕裝置，包括：

3、裝置本體，具有刻蝕腔，所述刻蝕腔內(nèi)具有刻蝕區(qū)，所述裝置本體能夠沿第一方向向所述刻蝕區(qū)注入等離子體；

4、安裝組件，設(shè)于所述刻蝕腔內(nèi)，所述安裝組件用于固定或者定位待刻蝕的電路板于所述刻蝕區(qū)；

5、驅(qū)動機構(gòu)，所述驅(qū)動機構(gòu)與所述安裝組件驅(qū)動連接，所述驅(qū)動機構(gòu)用于驅(qū)動所述安裝組件在所述刻蝕腔內(nèi)轉(zhuǎn)動，以使所述安裝組件上的電路板能夠切換部位朝向所述第一方向。

6、在一實施例中，所述刻蝕腔內(nèi)還具有注入?yún)^(qū)，所述注入?yún)^(qū)至所述刻蝕區(qū)的方向為所述第一方向，所述裝置本體能夠自所述注入?yún)^(qū)向所述刻蝕區(qū)注入等離子體。

7、在一實施例中，所述安裝組件至少能夠在第一轉(zhuǎn)動位和第二轉(zhuǎn)動位之間可切換的設(shè)于所述刻蝕腔內(nèi)；所述驅(qū)動機構(gòu)用于驅(qū)動所述安裝組件在所述刻蝕腔內(nèi)轉(zhuǎn)動，并在處于所述第一轉(zhuǎn)動位時，使所述電路板的第一側(cè)朝向所述注入?yún)^(qū)，在所述第二轉(zhuǎn)動位時，使所述電路板的第二側(cè)朝向所述注入?yún)^(qū)，所述第一轉(zhuǎn)動位和第二轉(zhuǎn)動位之間的轉(zhuǎn)動角度為180度。

8、在一實施例中，所述裝置本體包括：

9、刻蝕容器，形成有所述刻蝕腔，所述刻蝕容器的第一側(cè)設(shè)置有氣體注入口；

10、氣體組件，具有氣體輸出口，所述氣體輸出口與所述氣體注入口連通，以在所述刻蝕腔靠近所述刻蝕容器的第一側(cè)的區(qū)域形成所述注入?yún)^(qū)；

11、等離子體組件，所述等離子體組件設(shè)于所述刻蝕腔外部，并用于對氣體組件產(chǎn)生的氣體進(jìn)行等離子體化，以使得注入所述刻蝕腔內(nèi)的氣體為等離子體，或者，所述等離子體組件設(shè)于所述刻蝕腔內(nèi)且靠近所述氣體注入口設(shè)置，以對注入所述刻蝕腔內(nèi)的氣體進(jìn)行等離子體化。

12、在一實施例中，所述驅(qū)動機構(gòu)設(shè)于所述刻蝕腔，所述刻蝕裝置還包括密封板，所述密封板設(shè)于所述安裝組件與所述驅(qū)動機構(gòu)之間，所述驅(qū)動機構(gòu)穿設(shè)所述密封板與所述安裝組件驅(qū)動連接。

13、在一實施例中，所述安裝組件上設(shè)有角度傳感器，所述角度傳感器用于檢測所述安裝組件的轉(zhuǎn)動角度。

14、在一實施例中，所述驅(qū)動機構(gòu)包括驅(qū)動電機，所述驅(qū)動電機朝向所述安裝組件的底壁凸出設(shè)有驅(qū)動軸，所述驅(qū)動軸與所述安裝組件的底壁中心固定連接，所述驅(qū)動軸與所述第一方向垂直。

15、在一實施例中，所述刻蝕裝置還包括升降機構(gòu)，所述升降機構(gòu)設(shè)于所述刻蝕腔，所述升降機構(gòu)包括驅(qū)動泵和伸縮桿，所述驅(qū)動泵與所述伸縮桿連通連接，所述伸縮桿設(shè)于所述安裝組件的底壁與所述密封板之間，所述安裝組件的底壁中心凸出設(shè)有連接球頭，所述密封板上設(shè)有承接座，所述承接座用以對所述連接球頭承接，所述安裝組件的底壁上設(shè)有環(huán)形驅(qū)動齒，所述環(huán)形驅(qū)動齒用以與所述驅(qū)動機構(gòu)傳動連接，所述驅(qū)動機構(gòu)底部設(shè)有彈性支撐組。

16、在一實施例中，所述驅(qū)動機構(gòu)包括驅(qū)動電機和驅(qū)動齒輪盤，所述驅(qū)動電機與所述驅(qū)動齒輪盤固定連接，所述驅(qū)動齒輪盤穿設(shè)所述密封板與所述環(huán)形驅(qū)動齒嚙合連接，所述環(huán)形驅(qū)動齒的寬度大于所述驅(qū)動齒輪盤的寬度或所述驅(qū)動齒輪盤的寬度大于所述環(huán)形驅(qū)動齒的寬度。

17、在一實施例中，所述第一方向沿水平方向，所述驅(qū)動機構(gòu)設(shè)于所述刻蝕腔的底部，所述驅(qū)動機構(gòu)的轉(zhuǎn)動軸線沿豎直方向設(shè)置，或者，所述第一方向沿豎直方向，所述驅(qū)動機構(gòu)設(shè)于所述刻蝕腔的側(cè)部，所述驅(qū)動機構(gòu)的轉(zhuǎn)動軸線沿水平方向設(shè)置。

18、本實用新型技術(shù)方案通過在安裝組件上安裝驅(qū)動機構(gòu)，并使驅(qū)動機構(gòu)與安裝組件轉(zhuǎn)動連接，使得設(shè)置在安裝組件內(nèi)固定或定位的待刻蝕電路板的第一側(cè)和第二側(cè)可切換的與注入?yún)^(qū)對應(yīng)而達(dá)到均勻的與等離子體進(jìn)行接觸并實現(xiàn)刻蝕，從而可有效的避免靠近注入?yún)^(qū)的電路板的第一側(cè)出現(xiàn)過度刻蝕，而遠(yuǎn)離注入?yún)^(qū)的電路板第二側(cè)出現(xiàn)刻蝕不足的情況。

技術(shù)特征：

1.一種刻蝕裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕腔內(nèi)還具有注入?yún)^(qū)，所述注入?yún)^(qū)至所述刻蝕區(qū)的方向為所述第一方向，所述裝置本體能夠自所述注入?yún)^(qū)向所述刻蝕區(qū)注入等離子體。

3.如權(quán)利要求2所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述安裝組件至少能夠在第一轉(zhuǎn)動位和第二轉(zhuǎn)動位之間可切換的設(shè)于所述刻蝕腔內(nèi)；所述驅(qū)動機構(gòu)用于驅(qū)動所述安裝組件在所述刻蝕腔內(nèi)轉(zhuǎn)動，并在處于所述第一轉(zhuǎn)動位時，使所述電路板的第一側(cè)朝向所述注入?yún)^(qū)，在所述第二轉(zhuǎn)動位時，使所述電路板的第二側(cè)朝向所述注入?yún)^(qū)，所述第一轉(zhuǎn)動位和第二轉(zhuǎn)動位之間的轉(zhuǎn)動角度為180度。

4.如權(quán)利要求2所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述裝置本體包括：

5.如權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述驅(qū)動機構(gòu)設(shè)于所述刻蝕腔，所述刻蝕裝置還包括密封板，所述密封板設(shè)于所述安裝組件與所述驅(qū)動機構(gòu)之間，所述驅(qū)動機構(gòu)穿設(shè)所述密封板與所述安裝組件驅(qū)動連接。

6.如權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述安裝組件上設(shè)有角度傳感器，所述角度傳感器用于檢測所述安裝組件的轉(zhuǎn)動角度。

7.如權(quán)利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述驅(qū)動機構(gòu)包括驅(qū)動電機，所述驅(qū)動電機朝向所述安裝組件的底壁凸出設(shè)有驅(qū)動軸，所述驅(qū)動軸與所述安裝組件的底壁中心固定連接，所述驅(qū)動軸與所述第一方向垂直。

8.如權(quán)利要求5所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕裝置還包括升降機構(gòu)，所述升降機構(gòu)設(shè)于所述刻蝕腔，所述升降機構(gòu)包括驅(qū)動泵和伸縮桿，所述驅(qū)動泵與所述伸縮桿連通連接，所述伸縮桿設(shè)于所述安裝組件的底壁與所述密封板之間，所述安裝組件的底壁中心凸出設(shè)有連接球頭，所述密封板上設(shè)有承接座，所述承接座用以對所述連接球頭承接，所述安裝組件的底壁上設(shè)有環(huán)形驅(qū)動齒，所述環(huán)形驅(qū)動齒用以與所述驅(qū)動機構(gòu)傳動連接，所述驅(qū)動機構(gòu)底部設(shè)有彈性支撐組。

9.如權(quán)利要求8所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述驅(qū)動機構(gòu)包括驅(qū)動電機和驅(qū)動齒輪盤，所述驅(qū)動電機與所述驅(qū)動齒輪盤固定連接，所述驅(qū)動齒輪盤穿設(shè)所述密封板與所述環(huán)形驅(qū)動齒嚙合連接，所述環(huán)形驅(qū)動齒的寬度大于所述驅(qū)動齒輪盤的寬度或所述驅(qū)動齒輪盤的寬度大于所述環(huán)形驅(qū)動齒的寬度。

10.如權(quán)利要求1-8中任意一項所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述第一方向沿水平方向，所述驅(qū)動機構(gòu)設(shè)于所述刻蝕腔的底部，所述驅(qū)動機構(gòu)的轉(zhuǎn)動軸線沿豎直方向設(shè)置，或者，所述第一方向沿豎直方向，所述驅(qū)動機構(gòu)設(shè)于所述刻蝕腔的側(cè)部，所述驅(qū)動機構(gòu)的轉(zhuǎn)動軸線沿水平方向設(shè)置。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種刻蝕裝置，包括裝置本體、安裝組件和驅(qū)動機構(gòu)，裝置本體具有刻蝕腔，刻蝕腔內(nèi)具有刻蝕區(qū)，裝置本體能夠沿第一方向向刻蝕區(qū)注入等離子體；安裝組件設(shè)于刻蝕腔內(nèi)，安裝組件用于固定或者定位待刻蝕的電路板于刻蝕區(qū)；驅(qū)動機構(gòu)與安裝組件驅(qū)動連接，驅(qū)動機構(gòu)用于驅(qū)動安裝組件在刻蝕腔內(nèi)轉(zhuǎn)動，以使安裝組件上的電路板能夠切換部位朝向第一方向。通過這樣的設(shè)置可有效的避免靠近注入?yún)^(qū)的電路板的第一側(cè)過度刻蝕，而遠(yuǎn)離注入?yún)^(qū)的電路板的第二側(cè)刻蝕不足的情況出現(xiàn)，使得固定或者定位于安裝組件的電路板可在驅(qū)動機構(gòu)的驅(qū)動下切換不同側(cè)的部位朝向注入?yún)^(qū)，實現(xiàn)均勻刻蝕的效果。

技術(shù)研發(fā)人員：劉濤,樂衛(wèi)平,宋成,張文杰,謝幸光,王霞,吳鳳波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市恒運昌真空技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240218
技術(shù)公布日：2024/11/26