間隙填充材料及方法
【專利說明】
[0001] 優(yōu)先權(quán)聲明和交叉引用
[0002] 本申請要求于2013年12月30日提交的標(biāo)題為"Gap Filling Materials, "的美 國臨時專利申請第61/921，853號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明涉及間隙填充材料及方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 為響應(yīng)消費(fèi)者的需求，消費(fèi)器件變得越來越小，這些器件的單獨(dú)的組件也需要減 小其尺寸。器件（諸如手機(jī)、平板電腦等）的主要組件的半導(dǎo)體器件已經(jīng)被迫變得越來越 小，在也減小半導(dǎo)體器件內(nèi)的單獨(dú)的器件（例如，晶體管、電阻器、電容器等）的尺寸上具有 相應(yīng)的壓力。
[0005] 在半導(dǎo)體器件的制造工藝中使用的一個使能技術(shù)是使用光刻材料。將這些材料應(yīng) 用至表面，然后將其暴露于能使其自身圖案化能量下。這種曝光改變了光刻材料的暴露區(qū) 域的化學(xué)和物理性質(zhì)。光刻材料的未暴露區(qū)未改變，利用這種改變可以去除一個區(qū)域而不 去除其他區(qū)域。
[0006] 然而，隨著單個器件的尺寸已經(jīng)減小，用于光刻處理的工藝窗口變得越來越緊湊。 同樣，在諸如使用抗反射層以防止不期望的撞擊光線的反射的光刻處理領(lǐng)域的進(jìn)步已成為 必須以保持按比例縮小器件的能力，并且需要進(jìn)一步的改進(jìn)以滿足期望的設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)，從而 保持組件朝著越來越小的方向發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 為解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法 包括在襯底上放置底部抗反射圖層，其中，所述底部抗反射涂層包括表面能改性單體。
[0008] 在上述方法中，其中，所述表面能改性單體提高了所述底部抗反射涂層內(nèi)的聚合 物樹脂的表面能。
[0009] 在上述方法中，其中，所述表面能改性單體提高了所述底部抗反射涂層內(nèi)的聚合 物樹脂的表面能；其中，所述表面能改性單體包括丙烯酸單體。
[0010] 在上述方法中，其中，所述表面能改性單體提高了所述底部抗反射涂層內(nèi)的聚合 物樹脂的表面能；其中，所述表面能改性單體包括甲基丙烯酸單體。
[0011] 在上述方法中，其中，所述表面能改性單體提高了所述底部抗反射涂層內(nèi)的聚合 物樹脂的表面能；其中，所述表面能改性單體包括羥基苯乙烯單體。
[0012] 在上述方法中，其中，所述表面能改性單體降低了所述底部抗反射涂層內(nèi)的聚合 物樹脂的表面能。
[0013] 在上述方法中，其中，所述表面能改性單體降低了所述底部抗反射涂層內(nèi)的聚合 物樹脂的表面能；其中，所述表面能改性單體具有下列結(jié)構(gòu)中的一種：
[0014]
【主權(quán)項】
1. 一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括在襯底上放置底部抗反射圖層，其中，所 述底部抗反射涂層包括表面能改性單體。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述表面能改性單體提高了所述底部抗反射涂 層內(nèi)的聚合物樹脂的表面能。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述表面能改性單體包括丙烯酸單體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述表面能改性單體包括甲基丙烯酸單體。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述表面能改性單體包括羥基苯乙烯單體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述表面能改性單體降低了所述底部抗反射涂 層內(nèi)的聚合物樹脂的表面能。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述表面能改性單體具有下列結(jié)構(gòu)中的一種：
8. -種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括： 將底部抗反射涂層放置在襯底的開口內(nèi)，其中，所述底部抗反射涂層包括聚合物樹脂， 所述聚合物樹脂包括： 發(fā)色團(tuán)單元； 交聯(lián)單元；以及 表面能改性單元； 將光刻膠放置在所述底部抗反射涂層上方； 圖案化所述光刻膠以曝光所述底部抗反射涂層的至少一部分；以及 將所述光刻膠用作掩模圖案化所述底部抗反射涂層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述表面能改性單元包括羥基基團(tuán)、羧基基團(tuán)、 胺基基團(tuán)或酰胺基團(tuán)中的一種。
10. -種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括： 將第一材料應(yīng)用到襯底內(nèi)的開口內(nèi)，其中，所述第一材料包括聚合物樹脂，所述聚合物 樹脂包括： 發(fā)色團(tuán)單元； 交聯(lián)單元；以及 表面能改性單元，其中，所述發(fā)色團(tuán)單元、所述交聯(lián)單元和所述表面能改性單元中的至 少一個是無機(jī)基團(tuán)。
【專利摘要】根據(jù)實(shí)施例，底部抗反射層包括將聚合物樹脂的表面能改變至更接近匹配下面的材料的表面能改性基團(tuán)，從而幫助在結(jié)構(gòu)之間填充間隙。可以使用表面能改性基團(tuán)或通過使用無機(jī)結(jié)構(gòu)改變聚合物樹脂的表面能。本發(fā)明還涉及間隙填充材料及方法。
【IPC分類】H01L21-027
【公開號】CN104752171
【申請?zhí)枴緾N201410843592
【發(fā)明人】蘇煜中, 張慶裕
【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2014年12月30日
【公告號】US20150187565