一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】 [0001] ：本發(fā)明涉及太陽能光伏領(lǐng)域，特別是一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的 方法。
【背景技術(shù)】 [0002] ：現(xiàn)有生產(chǎn)出的晶硅電池片有部分在使用中會因其內(nèi)的并聯(lián)電阻（Rsh) <30Q而產(chǎn)生漏電，使得晶硅電池的電能產(chǎn)生損失，降低晶硅電池的光電轉(zhuǎn)化率?，F(xiàn)有對 并聯(lián)電阻（Rsh) <30Q的晶硅電池片進行改善，即提高其內(nèi)的并聯(lián)電阻，使其內(nèi)的并聯(lián)電 阻>30 Q的方法，主要有手工打磨、金剛沙磨邊等手段。手工打磨是以人工方式，使用挫刀 類工具對低并聯(lián)電阻電池片（并聯(lián)電阻（Rsh) < 30 Q，以下同）進行邊緣打磨，使其轉(zhuǎn)化成 正常并聯(lián)電阻的電池片；該種方式在使用中不足是：生產(chǎn)效率低，極易造成碎片、隱裂、缺 邊等缺陷片。金剛沙磨邊是將電池片置于備有金剛沙的設(shè)備中以機械運動方式進行磨蝕， 原理與手工打磨類似，雖然生產(chǎn)效率高，但使低并聯(lián)電阻電池片的逆向轉(zhuǎn)化率低。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] ：本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有在改善低并聯(lián)電阻電池片所用的技術(shù)中所存 在的上述不足，而提出一種既可提高低并聯(lián)電阻電池片的電阻使其達到標準值，又具有生 產(chǎn)效率高，不會對低并聯(lián)電阻電池片造成損傷及不影響其性能的提高晶硅電池片并聯(lián)電阻 的方法。
[0004] 通過下述技術(shù)方案，可實現(xiàn)本發(fā)明的目的，一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的方法， 其特征在于，它由如下步驟組成 ：
[0005] 第一步：啟動激光切割機，設(shè)置好切割參數(shù)及切割軌跡；
[0006] 第二步：將低并聯(lián)電阻電池片置于激光切割機操作平臺上，打開真空閥將低并聯(lián) 電阻電池片固定；
[0007] 第三步：在氮氣保護下，按所設(shè)定的切割軌跡對低并聯(lián)電阻電池片邊緣進行切 割；
[0008] 第四步：關(guān)閉真空閥，取下電池片；
[0009] 第五步：對電池片性能測試及組件功率測試；
[0010] 第一步中所述切割參數(shù)的設(shè)置是：切割電流參數(shù)設(shè)置值為6. 2~8. 6A ;激光光斑 大小為0? 5mm~0? 2mm，切割速率為5~10mm/s ;第一步中所述切割軌跡是：單邊直線分4 段切割或4邊方形連續(xù)切割。
[0011] 第三步中所述對電池片邊緣進行切割是：在電池片邊緣切以單邊槽形式切割。
[0012] 第五步中所述對電池片性能測試及組件功率測試，采用的是Halm測試儀。
[0013] 本發(fā)明的效果是：1、改善效果好，為企業(yè)降低了損失，提高了經(jīng)濟效益，從表1和 表2的測試結(jié)果不難看到，通過用本方法對低并聯(lián)電阻電池片進行改善，并聯(lián)電阻提升明 顯，Rsh >30 Q比例達60%以上，這在于，本方法是采用激光對低并聯(lián)電阻電池片進行處 理，它不會對電池片施加機械力，所以，不會出現(xiàn)碎片、隱裂、缺邊等缺陷片，從而提高合格 率；2、生產(chǎn)效率高，因為本方法采用的是全自動機械化作業(yè)，所以，它比手工打磨的方式要 提高生產(chǎn)效率數(shù)十倍；3、經(jīng)改良后的電池組件功率封裝損耗低，封裝損耗小于3%。
【具體實施方式】 [0014] ：以下通過實施例對本發(fā)明進行進一步具體描述，有必要在此指出 的是以下實施例是對本發(fā)明的進一步說明，而不是限制本發(fā)明的范圍。
[0015] 實施例1:
[0016] 隨機抽取100片低并聯(lián)電阻片作為本實施例的樣本；
[0017] 第一步：啟動激光切割機，切割電流參數(shù)設(shè)置值為6. 2A，激光光斑大小為0. 1mm， 切割速率為80mm/s，切割軌跡為單邊直線分4段切割；
[0018] 第二步：將低并聯(lián)電阻電池片置于激光切割機操作平臺，打開真空閥，將低并聯(lián)電 阻電池片固定；
[0019] 第三步：在氮氣保護下，按設(shè)定的切割軌跡對低并聯(lián)電阻電池片邊緣以單邊槽形 式切割；
[0020] 第四步：關(guān)閉真空閥，取下電池片；
[0021] 第五步：采用Halm測試儀，對加工后的電池片進行電性能測試，測試結(jié)果見表1 ; 在切割測試篩選后的電池片中，隨機抽取60片，制成P60標準組件并用Halm測試儀對組件 功率測試，測試結(jié)果見表2。
[0022] 實施例2 :
[0023] 隨機抽取100片低并聯(lián)電阻片作為本實施例的樣本；
[0024] 第一步：啟動激光切割機，切割電流參數(shù)設(shè)置值為7. 6A，激光光斑大小為0. 1mm， 切割速率為l〇〇mm/s，切割軌跡為單邊直線分4段切割；
[0025] 第二步：將低并聯(lián)電阻晶硅太陽電池片置于激光切割機操作平臺，打開真空閥，將 低并聯(lián)電阻電池片固定；
[0026] 第三步：在氮氣保護下，按設(shè)定的切割軌跡對電池片邊緣以單邊槽形式進行切 割；
[0027] 第四步：關(guān)閉真空閥，取下電池片；
[0028] 第五步：電池片電性能測試及組件功率測試；
[0029] 采用Halm測試儀，對加工后的電池片進行電性能測試，測試結(jié)果見表1;在切割測 試篩選后的電池片中，隨機抽取60片，制成P60標準組件并用Halm測試儀對組件功率測 試，測試結(jié)果見表2。
[0030] 實施例3 :
[0031] 隨機抽取100片低并聯(lián)電阻片作為本實施例的樣本；
[0032] 第一步：啟動激光切割機，切割電流參數(shù)設(shè)置值為8.5A，激光光斑大小為0. 1mm， 切割速率為l〇〇mm/s，切割軌跡為4邊方形連續(xù)切割；
[0033] 第二步：將低并聯(lián)電阻晶硅太陽電池片置于激光切割機操作平臺，打開真空閥，將 低并聯(lián)電阻電池片固定；
[0034]第三步：在氮氣保護下，按設(shè)定的切割軌跡對電池片邊緣以單邊槽形式進行切 割；
[0035] 第四步：關(guān)閉真空閥，取下電池片；
[0036] 第五步：電池片電性能測試及組件功率測試；
[0037] 采用Halm測試儀，對加工后的電池片進行電性能測試，測試結(jié)果見表1;在切割測 試篩選后的電池片中，隨機抽取60片，制成P60標準組件并用Halm測試儀對組件功率測 試，測試結(jié)果見表2。
[0038] 表1:實施例1~3所得試樣的電性能參數(shù)及Rsh > 30 Q比例。
[0039]
[0040] 表2 :實施例1~3所得試樣制成P60標準組件功率及封裝損耗。
[0041]
【主權(quán)項】
1. 一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的方法，其特征在于，它由如下步驟組成： 第一步：啟動激光切割機，設(shè)置好切割參數(shù)及切割軌跡； 第二步：將低并聯(lián)電阻電池片置于激光切割機操作平臺上，打開真空閥將低并聯(lián)電阻 電池片固定； 第三步：在氮氣保護下，按所設(shè)定的切割軌跡對低并聯(lián)電阻電池片邊緣進行切割； 第四步：關(guān)閉真空閥，取下電池片； 第五步：對電池片性能測試及組件功率測試。2. 按權(quán)利要求1所述的一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的方法，其特征在于，第一步中 所述切割參數(shù)的設(shè)置是：切割電流參數(shù)設(shè)置值為6. 2~8. 6A ;激光光斑大小為0. 5mm~ 0. 2mm，切割速率為5~lOmm/s ;第一步中所述切割軌跡是：單邊直線分4段切割或4邊方 形連續(xù)切割。3. 按權(quán)利要求1所述的一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的方法，其特征在于，第三步中 所述對電池片邊緣進行切割是：在電池片邊緣切以單邊槽形式切割。4. 按權(quán)利要求1或2或3所述的一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的方法，其特征在于，第 五步中所述對電池片性能測試及組件功率測試，采用的是Halm測試儀。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的方法，它通過激光切割機對低并聯(lián)電阻電池片按所設(shè)定的切割軌跡進行切割而成。它的效果是：1、改善效果好，通過用本方法對低并聯(lián)電阻電池片進行改善，并聯(lián)電阻提升明顯，Rsh＞30Ω比例達60％以上；2、生產(chǎn)效率高；3、經(jīng)改良后的電池組件功率封裝損耗小于3％。
【IPC分類】H01L31/18
【公開號】CN104882512
【申請?zhí)枴緾N201410212533
【發(fā)明人】習(xí)冬勇, 龔海波, 陳淳, 萬小強, 高楊
【申請人】江西瑞晶太陽能科技有限公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2014年5月12日