晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著晶圓級封裝芯片尺寸面積縮小，前道圓片表面結(jié)構(gòu)簡化，表面再布線結(jié)構(gòu)復雜化、面積增加，需要多層有機物保護圓片，增強平坦化。傳統(tǒng)多層有機物結(jié)構(gòu)易產(chǎn)生分層等異常，導致可靠性不足。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在下文中給出關(guān)于本發(fā)明的簡要概述，以便提供關(guān)于本發(fā)明的某些方面的基本理解。應(yīng)當理解，這個概述并不是關(guān)于本發(fā)明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本發(fā)明的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細描述的前序。
[0004]本發(fā)明提供一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，包括具有導電金屬墊的芯片結(jié)構(gòu)，還包括:在所述芯片結(jié)構(gòu)上形成有第一保護層，且所述第一保護層具有露出所述導電金屬墊的開口，所述第一保護層的上表面呈波浪面；在所述第一保護層的上表面上形成有第二保護層，所述第二保護層也具有露出所述導電金屬墊的開口，所述第二保護層的上表面呈波浪面；在所述第二保護層的上表面形成再布線層；其中，所述第一保護層和所述第二保護層的上的波浪面，具有多凸起部，每相鄰的兩個凸起部之間形成凹陷部。
[0005]相比于現(xiàn)有技術(shù)，第一保護層和第二保護層上表面的凸起部和凹陷部，增大了表面積，增加了各層之間的結(jié)合力，有利于整體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定，解決了整體結(jié)構(gòu)分層的問題，同時提尚了廣品可靠性。
【附圖說明】
[0006]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0007]圖1為本發(fā)明晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0008]圖2為本發(fā)明中一種保護層的凸起部和凹陷部的截面示意圖；
[0009]圖3為本發(fā)明中另一種保護層的凸起部和凹陷部的截面示意圖。
[0010]附圖標記:101-芯片結(jié)構(gòu)；102_導電金屬墊；103_第一保護層；201_第二保護層；301-再布線層；401-第三保護層；501-凸點結(jié)構(gòu)。
【具體實施方式】
[0011]為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。在本發(fā)明的一個附圖或一種實施方式中描述的元素和特征可以與一個或更多個其它附圖或?qū)嵤┓绞街惺境龅脑睾吞卣飨嘟Y(jié)合。應(yīng)當注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本發(fā)明無關(guān)的、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0012]在本發(fā)明以下各實施例中，實施例的序號和/或先后順序僅僅便于描述，不代表實施例的優(yōu)劣。對各個實施例的描述都各有側(cè)重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實施例的相關(guān)描述。
[0013]參見圖1，本發(fā)明提供一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片結(jié)構(gòu)101，在芯片結(jié)構(gòu)上具有導電金屬墊102，在芯片結(jié)構(gòu)上還形成有第一保護層103，第一保護層103上具有開口，該開口使導電金屬墊露出，在第一保護層103的上表面形成第二保護層201，第二保護層201同樣具有開口露出導電金屬墊的；在第二保護層201的上表面形成再布線層301，且該再布線層301還覆蓋于導電金屬墊上。這里提及的第一保護層103的上表面，以及第二保護層201的上表面都具有凸起部和凹陷部。即，第一保護層103和第二保護層201的上表面都為非平面，這樣能夠增加表面積，提高兩層的結(jié)合能力。
[0014]可選的，凸起部和凹陷部彼此間隔設(shè)置。即一個凸起部然后一個凹陷部依次循環(huán)，如圖2所示，相鄰的凸起部和凹陷部可以連接在一起的，也可以是如圖3所示的，彼此相離的，應(yīng)該理解，只要能夠增加表面積，提高結(jié)合能力，都可以用于本發(fā)明。
[0015]可選的，凸起部和凹陷部可以形成波浪面。需要理解，這里波浪面可以是多種結(jié)構(gòu)，以截面為例，凸起部可以為三角形，也可以為梯形、弧形，或者其它形狀也可以，只要形成有凸起部，以及相鄰的凸起部之間具有凹陷部，就能夠起到增加兩層結(jié)合列的功能。
[0016]在具有多個凸起部和凹陷部時，每個凸起部的結(jié)構(gòu)、形狀等特征都可以不同，每個凹陷部也可以不同。
[0017]在一種可選的實施方式中，上述的凸起部和凹陷部的形成，是通過不同波長的光線對保護層曝光形成的。例如在形成第一保護層103后，對第一保護層103的上表面用不同波長的光線曝光，以第一波長的光線對其曝光，形成凸起部的頂部(以下稱為頂部)，用第二波長的光線對其曝光，形成凹陷部的底部(以下稱為底部)，而采用在第一和第二波長之間波長的管線對其曝光，形成頂部與底部之間的斜面部分。當然，在沒有曝光時就保持原來的高度。
[0018]可選的，在再布線層301上形成有第三保護層401 ;第三保護層401上形成有開口，露出所述再布線層301 ;在露出的所述再布線層301上形成凸點結(jié)構(gòu)501。
[0019]在一種可選的實施方式中，第二保護層201完全覆蓋于第一保護層的上表面；再布線層301覆蓋于第二保護層201上表面的部分區(qū)域；第三保護層401形成于所述再布線層301的上表面，以及形成于從所述再布線層301露出的第二保護層的上表面上。這樣，可以保證第三保護層401的牢靠性，其通過與第二保護層的波浪面結(jié)合，從而更不以分層。
[0020]可選的，凸點結(jié)構(gòu)501與所述導電金屬墊在水平方向上彼此位置錯開。
[0021]在一種可選的實施方式中，第一保護層、第二保護層和第三保護層401為為聚酰亞胺保護層。在芯片結(jié)構(gòu)、第一保護層、第二保護層、第三保護層和所述凸點結(jié)構(gòu)外周，包裹有樹脂保護層，并且凸點結(jié)構(gòu)的頂部從所述樹脂保護層露出。
[0022]最后應(yīng)說明的是:雖然以上已經(jīng)詳細說明了本發(fā)明及其優(yōu)點，但是應(yīng)當理解在不超出由所附的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進行各種改變、替代和變換。而且，本發(fā)明的范圍不僅限于說明書所描述的過程、設(shè)備、手段、方法和步驟的具體實施例。本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員從本發(fā)明的公開內(nèi)容將容易理解，根據(jù)本發(fā)明可以使用執(zhí)行與在此所述的相應(yīng)實施例基本相同的功能或者獲得與其基本相同的結(jié)果的、現(xiàn)有和將來要被開發(fā)的過程、設(shè)備、手段、方法或者步驟。因此，所附的權(quán)利要求旨在在它們的范圍內(nèi)包括這樣的過程、設(shè)備、手段、方法或者步驟。
【主權(quán)項】
1.一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，包括具有導電金屬墊的芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 在所述芯片結(jié)構(gòu)上形成有第一保護層，且所述第一保護層具有露出所述導電金屬墊的開口，所述第一保護層的上表面具有凸起部，和凹陷部； 在所述第一保護層的上表面上形成有第二保護層，所述第二保護層也具有露出所述導電金屬墊的開口，所述第二保護層的上表面具有凸起部，和凹陷部； 在所述第二保護層的上表面形成再布線層，且所述再布線層還覆蓋于露出的所述導電金屬墊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述凸起部和所述凹陷部彼此間隔設(shè)置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述凸起部和所述凹陷部形成波浪面。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述第一保護層的所述凸起部和所述凹陷部、所述第二保護層的凸起部和凹陷部，均由不同波長的光線曝光而形成。5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 在所述再布線層上形成有第三保護層； 所述第三保護層上形成有開口，露出所述再布線層； 在露出的所述再布線層上形成凸點結(jié)構(gòu)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述第二保護層完全覆蓋于所述第一保護層的上表面； 所述再布線層覆蓋于第二保護層上表面的部分區(qū)域； 所述第三保護層形成于所述再布線層的上表面，以及形成于從所述再布線層露出的第二保護層的上表面上。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述凸點結(jié)構(gòu)與所述導電金屬墊在水平方向上彼此位置錯開。8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述第一保護層、第二保護層和第三保護層為聚酰亞胺保護層。9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述芯片結(jié)構(gòu)、所述第一保護層、所述第二保護層、所述第三保護層和所述凸點結(jié)構(gòu)外周，包裹有樹脂保護層，并且所述凸點結(jié)構(gòu)的頂部從所述樹脂保護層露出。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，包括具有導電金屬墊的芯片結(jié)構(gòu)，還包括：在所述芯片結(jié)構(gòu)上形成有第一保護層，且所述第一保護層具有露出所述導電金屬墊的開口，所述第一保護層的上表面具有凸起部，和凹陷部；在所述第一保護層的上表面上形成有第二保護層，所述第二保護層也具有露出所述導電金屬墊的開口，所述第二保護層的上表面具有凸起部，和凹陷部；在所述第二保護層的上表面形成再布線層，且所述再布線層還覆蓋于露出的所述導電金屬墊。第一保護層和第二保護層上行的凸起部和凹陷部，增大了表面積，增加了各層之間的結(jié)合力，有利于整體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定，解決了整體結(jié)構(gòu)分層的問題，同時提高了產(chǎn)品可靠性。
【IPC分類】H01L23/31, H01L23/482
【公開號】CN104900608
【申請?zhí)枴緾N201510260509
【發(fā)明人】高國華, 郭飛
【申請人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年5月20日