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      一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法

      文檔序號:9305846閱讀:383來源:國知局
      一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及半導體制造工藝,尤其涉及一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]隨著聲表面波技術(shù)的快速發(fā)展,聲表面波器件已經(jīng)廣泛的應用在國防工程,這些領(lǐng)域?qū)β暠砻娌ㄆ骷募夹g(shù)指標和可靠性要求也很高,聲表面波濾波器內(nèi)引線是實現(xiàn)聲表面波器件性能的重要紐帶,因此,對聲表面波器件芯片的設計和制作工藝的要求越來越高,而器件關(guān)鍵指標和可靠性的實現(xiàn)離不開設計和制作工藝的良好結(jié)合。
      [0003]眾所周知,剝離工藝技術(shù)作為先進的工藝技術(shù)在集成電路制作工藝中已經(jīng)較好的取代了傳統(tǒng)的濕法腐蝕工藝,使用剝離工藝技術(shù)實現(xiàn)聲表面波芯片制作的關(guān)鍵和難點就在于如何保證器件內(nèi)引線鍵合的合格率和可靠性。
      [0004]使用剝離工藝技術(shù)的產(chǎn)品規(guī)范以內(nèi)引線鍵合的破壞性拉力測試值的大小來判定,在實際工藝開發(fā)的過程中發(fā)現(xiàn),當高頻器件的功能膜厚度在50至10nm以內(nèi)時,存在焊點易虛焊或在拉力測試時表現(xiàn)出焊點脫落的現(xiàn)象,導致器件存在工藝不穩(wěn)定,可靠性不能保證的情況,使用剝離工藝技術(shù)制作高頻聲表面波器件,需要解決器件內(nèi)引線鍵合拉力問題,而如何增強引線鍵合的拉力則成為了提升聲表面波濾波器性能的關(guān)鍵。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于發(fā)明一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法,本發(fā)明在傳統(tǒng)聲表面波器件生產(chǎn)工藝的功能膜生長前增加一種過渡膜,使附著在基片表面的功能膜的附著力大大增加,此舉提高了芯片電極的可焊性,實現(xiàn)了實現(xiàn)器件的內(nèi)引線鍵合可靠性的增長。
      [0006]本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的,一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法,包括以下步驟:
      [0007]S1、對基板使用光刻膠進行光刻處理;
      [0008]S2、對光刻后的基板蒸鍍過渡膜;
      [0009]S3、對所述基板蒸鍍功能膜;
      [0010]S4、檢驗基板的光刻效果和蒸鍍效果,并對檢驗合格的基板進行切割,獲得具有預定功能結(jié)構(gòu)的芯片;
      [0011]S5、將所述芯片與管殼通過粘接劑進行粘芯操作,實現(xiàn)所述芯片與管殼的物理連接;
      [0012]S6、通過超聲波對所述芯片電極和所述管殼電極進行引線鍵合。
      [0013]優(yōu)選的,S2中通過BAK501電子束蒸鍍過渡膜。
      [0014]優(yōu)選的,所述過渡膜材料為鈦。
      [0015]優(yōu)選的,所述過渡膜厚度為15-25埃米。
      [0016]實施本發(fā)明,具有如下有益效果:
      [0017]本發(fā)明提供了一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法,所述方法的核心在于在功能膜生長前增加一種過渡膜,并進行過渡膜材料的選擇和過渡膜厚度的選擇,經(jīng)過眾多實驗研究,得到使用鈦金屬過渡膜能夠顯著提升功能膜附著力的結(jié)論,并且過渡膜厚度在15-25埃米的情況下,引線鍵合拉力提升、可焊性提升以及膜層附著效果達到綜合最優(yōu)化,從而解決了高頻聲表面波器件制作工藝中內(nèi)引線鍵合拉力的問題,可實現(xiàn)增強聲表面波器件芯片內(nèi)引線鍵合的牢固度的目標,減少產(chǎn)品內(nèi)引線鍵合隱患,從而提高產(chǎn)品的合格率和可靠性。
      【附圖說明】
      [0018]圖1是本發(fā)明實施例聲表面波濾波器芯片與管殼結(jié)合處的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0019]其中:1_管殼,2-粘接劑,3-基板,4-鈦膜,5-功能膜,6-硅鋁絲,7-焊點。
      【具體實施方式】
      [0020]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述。
      [0021]本發(fā)明實施例提供了一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法,包括以下步驟:
      [0022]S1、對基板使用光刻膠進行光刻處理;
      [0023]S2、對光刻后的基板通過BAK501電子束蒸鍍過渡鈦膜,所述鈦膜厚度為20埃米;
      [0024]S3、對所述基板蒸鍍功能膜;
      [0025]S4、檢驗基板的光刻效果和蒸鍍效果,并對檢驗合格的基板進行切割,獲得具有預定功能結(jié)構(gòu)的芯片;
      [0026]S5、將所述芯片與管殼通過粘接劑進行粘芯操作,實現(xiàn)所述芯片與管殼的物理連接;
      [0027]S6、通過超聲波對所述芯片電極和所述管殼電極進行引線鍵合。
      [0028]另一個實施例,一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法,包括以下步驟:
      [0029]S1、對基板使用光刻膠進行光刻處理;
      [0030]S2、對光刻后的基板通過BAK501電子束蒸鍍過渡鈦膜,所述鈦膜厚度為15埃米;
      [0031]S3、對所述基板蒸鍍功能膜;
      [0032]S4、檢驗基板的光刻效果和蒸鍍效果,并對檢驗合格的基板進行切割,獲得具有預定功能結(jié)構(gòu)的芯片;
      [0033]S5、將所述芯片與管殼通過粘接劑進行粘芯操作,實現(xiàn)所述芯片與管殼的物理連接;
      [0034]S6、通過超聲波對所述芯片電極和所述管殼電極進行引線鍵合.
      [0035]再一個實施例,一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法,包括以下步驟:
      [0036]S1、對基板使用光刻膠進行光刻處理;
      [0037]S2、對光刻后的基板通過BAK501電子束蒸鍍過渡鈦膜,所述鈦膜厚度為25埃米;
      [0038]S3、對所述基板蒸鍍功能膜;
      [0039]S4、檢驗基板的光刻效果和蒸鍍效果,并對檢驗合格的基板進行切割,獲得具有預定功能結(jié)構(gòu)的芯片;
      [0040]S5、將所述芯片與管殼通過粘接劑進行粘芯操作,實現(xiàn)所述芯片與管殼的物理連接;
      [0041]S6、通過超聲波對所述芯片電極和所述管殼電極進行引線鍵合。
      [0042]根據(jù)上述方法,如圖1所示,基板3和功能膜5之間存在起到過渡作用的20埃米的鈦膜4,所述鈦膜4起到增強引線鍵合的牢固度的重要作用;所述管殼I和所述基板3之間有S5中粘芯操作所使用的粘接劑;所述硅鋁絲與所述焊點通過超聲波進行引線鍵合,經(jīng)測試,存在15?25埃米的鈦膜4的情況下,所述鍵合處可承受13-18克的重量,不存在鈦膜4的情況下,所述鍵合處只能夠承受7-11克的重量。
      [0043]以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實施例而已,當然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍,因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化,仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
      【主權(quán)項】
      1.一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法,其特征在于,包括以下步驟: 51、對基板進行光刻處理; 52、對光刻后的基板蒸鍍過渡膜; 53、對所述基板蒸鍍功能膜; 54、檢驗基板的光刻效果和蒸鍍效果,并對檢驗合格的基板進行切割,獲得具有預定功能結(jié)構(gòu)的芯片; 55、將所述芯片與管殼進行粘芯操作,實現(xiàn)所述芯片與管殼的物理連接; 56、通過超聲波對所述芯片電極和所述管殼電極進行引線鍵合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法,其特征在于,S2中通過BAK501電子束蒸鍍過渡膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法,其特征在于,所述過渡膜材料為鈦。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法,其特征在于,所述過渡膜厚度為15-25埃米。
      【專利摘要】本發(fā)明提供了一種應用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法,所述方法的核心為過渡膜材料的選擇和過渡膜材料的厚度,經(jīng)過眾多實驗研究,得到使用鈦金屬,并且過渡鈦膜厚度在15-25埃米的情況下,引線鍵合拉力提升效果與其它機械性能最優(yōu)化的結(jié)論,本發(fā)明對提升功能膜與壓電基板之間的附著力和可焊性有很大的提升,從而解決了高頻聲表面波器件制作工藝中內(nèi)引線鍵合拉力的問題,可實現(xiàn)增強聲表面波器件芯片內(nèi)引線鍵合的牢固度的目標,減少產(chǎn)品內(nèi)引線鍵合隱患,從而提高產(chǎn)品的合格率和可靠性。
      【IPC分類】H01P11/00
      【公開號】CN105024130
      【申請?zhí)枴緾N201510255895
      【發(fā)明人】楊思川, 張厚玉, 張雅, 魏勇平, 黃歆, 李凱
      【申請人】北京中科飛鴻科技有限公司
      【公開日】2015年11月4日
      【申請日】2015年5月19日
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