電感骨架的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子元器件的組件，特別是涉及一種提高電感Q值的電感骨架。
【背景技術(shù)】
[0002]電感器是能夠把電能轉(zhuǎn)化為磁能而存儲起來的元件。電感器的結(jié)構(gòu)類似于變壓器，但只有一個繞組。電感器具有一定的電感，它只阻礙電流的變化。如果電感器在沒有電流通過的狀態(tài)下，電路接通時它將試圖阻礙電流流過它；如果電感器在有電流通過的狀態(tài)下，電路斷開時它將試圖維持電流不變。電感器又稱扼流器、電抗器、動態(tài)電抗器。
[0003]現(xiàn)有的電感磁心的結(jié)構(gòu)設(shè)計不合理，存在電感量達(dá)不到要求的弊端，因此，在設(shè)計電感時，要通過增加線圈的匝數(shù)來彌補(bǔ)，然而，增加線圈的匝數(shù)會帶過諸多問題，一方面，增加線圈匝數(shù)會過多的浪費(fèi)了大量的銅線，增大了電感的體積，與電子產(chǎn)品的設(shè)計主流不符，而且也增加了電感制造成本，另一方面，增加線圈匝數(shù)會進(jìn)一步增大銅數(shù)的電阻值，電感工作時發(fā)熱量過大，影響電子產(chǎn)品正常工作，而且降低電感的Q值，影響電感性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，本發(fā)明的在于提供一種電感骨架，自動切換出所指向家電的遙控界面，使用方便。
[0005]一種電感骨架，包括芯片組及一絕緣殼體，所述絕緣殼體包覆于芯片組外，所述芯片組由層層堆疊硅鋼片組成，每一所述硅鋼片包括一繞線部及連接于繞線部兩端的二極部，所述二極部及繞線部呈“工”字形分布，所述極部包括一平直段及一弧形段，其中，平直段設(shè)于內(nèi)側(cè)，弧形段設(shè)于外側(cè)，所述平直段呈矩形設(shè)置，所述弧形段呈弓形，平直段與弧形段的連接處等寬，所述弧形段的外側(cè)面呈外凸的圓弧形設(shè)置，所述弧形段外側(cè)面中部設(shè)有一向內(nèi)延伸的內(nèi)槽。
[0006]進(jìn)一步地，所述繞線部與極部的平直段的長度比為4?6:1，寬度比為0.35?0.55:1，所述外側(cè)面的弧面半徑與平直段的寬度比為0.7?0.8:1。
[0007]進(jìn)一步地，所述繞線部與極部的平直段的長度比為5:1，寬度比為0.44:1，所述外側(cè)面的弧面半徑與平直段的寬度比為0.74:1。
[0008]進(jìn)一步地，所述絕緣殼體包括第一套件、二第二套件，所述第一套件及二第二套件呈“工”字形分布，第一套件包覆在繞線部的外側(cè)，第二套件包覆在極部外側(cè)；所述電感骨架的硅鋼片相互堆疊，不同硅鋼片上的同側(cè)內(nèi)槽相互對齊，內(nèi)槽之間圍成一內(nèi)凹空間，第二套件的外側(cè)面中部內(nèi)凹并卡設(shè)于芯片組的內(nèi)凹空間上。
[0009]進(jìn)一步地，所述絕緣殼體還包括若干限位片，所述限位片垂直連接于二第二套件上下表面，限位片的內(nèi)側(cè)面與第一套件的內(nèi)側(cè)面平齊。
[0010]進(jìn)一步地，所述絕緣殼體還包括二固定腳，所述固定腳裝設(shè)于第二套件的底部，每一第二套件安裝一個固定腳，固定腳上設(shè)有安裝槽，所述固定腳的安裝槽與內(nèi)凹空間對齊，設(shè)置于第二套件下表面的限位片底部與固定腳的底部平齊。
[0011]進(jìn)一步地，所述第一套件上設(shè)有若排氣孔，所述繞線部設(shè)有若干上下貫穿的通孔，不同娃鋼片上的通孔對應(yīng)，相互對齊，相互對齊的通孔合成一穿孔，每一排氣孔與一穿孔對齊。
[0012]進(jìn)一步地，所述硅鋼片的材質(zhì)為硅鐵軟磁合金，其含硅量為2.5%?4.5%。
[0013]進(jìn)一步地，所硅鋼片的含硅量為3.2%?4.2%。
[0014]本發(fā)明的有益效果在于:在繞線部的兩端設(shè)置極部，增大硅鋼片的體積，增大磁導(dǎo)率，采用較少的銅線就可以使電感的電感量達(dá)到所需值，減少銅線的用量，并且降低銅線直流阻抗，減少發(fā)熱量，延長產(chǎn)品使用壽命，在極部的基礎(chǔ)上，對電感骨架的尺寸比例作進(jìn)一步優(yōu)化，進(jìn)一步提高磁導(dǎo)率，使電感Q值更高。
【附圖說明】
[0015]圖1本發(fā)明電感骨架的芯片組的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2為圖1所示芯片組上單個硅鋼片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖3為本發(fā)明電感骨架的絕緣殼體的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0018]為了使本發(fā)明的技術(shù)方案能更清晰地表示出來，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0019]請參照圖1及圖2，為本發(fā)明提供一種電感骨架，該電感骨架包括芯片組10及一絕緣殼體70，所述絕緣殼體70包覆于芯片組10外，絕緣殼體70的外表面中部纏有銅線繞組(圖未示)，電感骨架與銅線繞組之間形成一電感。
[0020]所述芯片組10由層層堆疊硅鋼片20組成，硅鋼片20的材質(zhì)采用含碳極低的硅鐵軟磁合金，其含娃量為2.5%?4.5%，優(yōu)選地，娃鋼片20的含娃量為3.2%?4.2%。每一所述硅鋼片20包括一繞線部30及連接于繞線部30兩端的二極部40，所述二極部40及繞線部30呈“工”字形分布。
[0021]所述極部40包括一平直段50及一弧形段60，其中，平直段50設(shè)于內(nèi)側(cè)，弧形段60設(shè)于外側(cè)，所述平直段50呈矩形設(shè)置，所述弧形段60呈弓形設(shè)置，平直段50與弧形段60的連接處等寬，所述弧形段60的外側(cè)面(即遠(yuǎn)離繞線部30的側(cè)面)呈外凸的圓弧形設(shè)置，所述弧形段60外側(cè)面中部設(shè)有一向內(nèi)延伸的內(nèi)槽61，所述繞線部30設(shè)有若干上下貫穿的通孔31，電感骨架的硅鋼片20相互堆疊后，不同硅鋼片20上的同側(cè)內(nèi)槽61相互對齊，內(nèi)槽61之間圍成一內(nèi)凹空間21，相應(yīng)地，不同硅鋼片20上的通孔31 —一對應(yīng)，相互對齊，相互對齊的通孔31合成一穿孔32，用于散熱、排氣。
[0022]所述繞線部30的長度為LI，寬度為Hl ;所述平直段50的長度為L2，寬度為H2，所述弧形段60外側(cè)面的弧面半徑為R，為保證電感較好的電氣特性，所述繞線部30與極部40的平直段50的長度比為4?6:1，寬度比為0.35?0.55:1，所述外側(cè)面的弧面半徑與平直段50的寬度比值為0.7?0.8，優(yōu)先地，所述繞線部30與極部40的平直段50的長度比為5:1，寬度比為0.44:1，所述外側(cè)面的弧面半徑與平直段50的寬度比值為0.74:1，通過對電感骨架的尺寸比例作進(jìn)一步優(yōu)化，使電感骨架達(dá)到最小的磁通量耗散，并能增多有效磁導(dǎo)率，增大電感量，保證磁場的高滲透性，同時使電感骨架獲得極低的直流阻抗和有效的減少失真，全地避免了任何磁伸縮失真。
[0023]請一并參閱圖3，所述絕緣殼體70采用透明的塑膠材質(zhì)制成，包括第一套件71、二第二套件72、若干限位片74及二固定腳73，第一套件71及二第二套件72呈“工”字形分布，第一套件71包覆在繞線部30的外側(cè)，第二套件72包覆在極部40外側(cè)，第二套件72的外側(cè)面中部內(nèi)凹并卡設(shè)于芯片組10的內(nèi)凹空間21上，所述第一套件71上設(shè)有若排氣孔711，與穿孔32對齊的。所述限位片垂直連接于二第二套件72上下表面，限位片74的內(nèi)側(cè)面與第一套件71的內(nèi)側(cè)面平齊，所述固定腳73裝設(shè)于第二套件72的底部，每一第二套件72安裝一個固定腳73，固定腳73上設(shè)有安裝槽731，所述固定腳73的安裝槽731與內(nèi)凹空間21對齊，外部的固定件穿過內(nèi)凹空間21及安裝槽731槽底，將管腳固設(shè)于電路板上，藉此，達(dá)到固定電感的目的。較佳地，為保證較好的定位效果，設(shè)置于絕緣殼體70下方的限位片74底部與固定腳73的底部平齊。
[0024]本發(fā)明的有益效果在于:在繞線部30的兩端設(shè)置極部40，增大硅鋼片20的體積，增大磁導(dǎo)率，采用較少的銅線就可以使電感的電感量達(dá)到所需值，減少銅線的用量，并且降低銅線直流阻抗，減少發(fā)熱量，延長產(chǎn)品使用壽命，在極部40的基礎(chǔ)上，對電感骨架的尺寸比例作進(jìn)一步優(yōu)化，進(jìn)一步提高磁導(dǎo)率，使電感Q值更高。
[0025]以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的一種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種電感骨架，其特征在于:包括芯片組及一絕緣殼體，所述絕緣殼體包覆于芯片組外，所述芯片組由層層堆疊硅鋼片組成，每一所述硅鋼片包括一繞線部及連接于繞線部兩端的二極部，所述二極部及繞線部呈“工”字形分布，所述極部包括一平直段及一弧形段，其中，平直段設(shè)于內(nèi)側(cè)，弧形段設(shè)于外側(cè)，平直段與弧形段的連接處等寬，所述弧形段的外側(cè)面呈外凸的圓弧形設(shè)置，所述弧形段外側(cè)面中部設(shè)有一向內(nèi)延伸的內(nèi)槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感骨架，其特征在于:所述平直段呈矩形設(shè)置，所述弧形段呈弓形設(shè)置，所述繞線部與極部的平直段的長度比為4?6:1，寬度比為0.35?0.55:1，所述外側(cè)面的弧面半徑與平直段的寬度比為0.7?0.8:1。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感骨架，其特征在于:所述繞線部與極部的平直段的長度比為5:1，寬度比為0.44:1，所述外側(cè)面的弧面半徑與平直段的寬度比為0.74:1。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感骨架，其特征在于:所述絕緣殼體包括第一套件、二第二套件，所述第一套件及二第二套件呈“工”字形分布，第一套件包覆在繞線部的外側(cè)，第二套件包覆在極部外側(cè)；所述電感骨架的硅鋼片相互堆疊，不同硅鋼片上的同側(cè)內(nèi)槽相互對齊，內(nèi)槽之間圍成一內(nèi)凹空間，第二套件的外側(cè)面中部內(nèi)凹并卡設(shè)于芯片組的內(nèi)凹空間上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電感骨架，其特征在于:所述絕緣殼體還包括若干限位片，所述限位片垂直連接于二第二套件上下表面，限位片的內(nèi)側(cè)面與第一套件的內(nèi)側(cè)面平齊。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電感骨架，其特征在于:所述絕緣殼體還包括二固定腳，所述固定腳裝設(shè)于第二套件的底部，每一第二套件安裝一個固定腳，固定腳上設(shè)有安裝槽，所述固定腳的安裝槽與內(nèi)凹空間對齊，設(shè)置于第二套件下表面的限位片底部與固定腳的底部平齊。7.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電感骨架，其特征在于:所述第一套件上設(shè)有若排氣孔，所述繞線部設(shè)有若干上下貫穿的通孔，不同硅鋼片上的通孔一一對應(yīng)，相互對齊，相互對齊的通孔合成一穿孔，每一排氣孔與一穿孔對齊。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感骨架，其特征在于:所述硅鋼片的材質(zhì)為硅鐵軟磁合金，其含硅量為2.5%?4.5%。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電感骨架，其特征在于:所述硅鋼片的含硅量為3.2%?.4.
【專利摘要】一種電感骨架，包括芯片組及一絕緣殼體，所述絕緣殼體包覆于芯片組外，所述芯片組由層層堆疊硅鋼片組成，每一所述硅鋼片包括一繞線部及連接于繞線部兩端的二極部，所述二極部及繞線部呈“工”字形分布，所述極部包括一平直段及一弧形段，其中，平直段設(shè)于內(nèi)側(cè)，弧形段設(shè)于外側(cè)，所述平直段呈矩形設(shè)置，所述弧形段呈弓形，所述弧形段的外側(cè)面呈外凸的圓弧形設(shè)置，所述弧形段外側(cè)面中部設(shè)有一向內(nèi)延伸的內(nèi)槽。本發(fā)明在繞線部的兩端設(shè)置極部，增大硅鋼片的體積，增大磁導(dǎo)率，采用較少的銅線就可以使電感的電感量達(dá)到所需值，減少銅線的用量，并且降低銅線直流阻抗，減少發(fā)熱量，延長產(chǎn)品使用壽命，使得電感Q值更高。
【IPC分類】H01F17/04, H01F27/02, H01F27/30, H01F1/147
【公開號】CN105070489
【申請?zhí)枴緾N201510476799
【發(fā)明人】覃開金
【申請人】覃開金
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年8月6日