一種晶體硅太陽能電池片的標(biāo)記方法及太陽能電池片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽能電池片的標(biāo)記方法及太陽能電池片，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著太陽能電池組件的廣泛應(yīng)用，光伏發(fā)電在新能源中越來越占有重要比例，獲得了飛速發(fā)展。目前商業(yè)化的太陽電池產(chǎn)品中，晶體硅(單晶和多晶)太陽電池的市場份額最大，一直保持85%以上的市場占有率。
[0003]目前，限制光伏產(chǎn)業(yè)繼續(xù)發(fā)展的一個(gè)制約因素就是太陽能電池的成本和轉(zhuǎn)換效率。居高不下的高成本和相對(duì)的低效率是限制產(chǎn)業(yè)繼續(xù)發(fā)展的一個(gè)瓶頸。
[0004]其中一個(gè)主要限制因素在于傳統(tǒng)的晶體硅太陽電池生產(chǎn)過程中所使用的硅片往往都是采用自不同生產(chǎn)車間和不同流水線的硅片，在生產(chǎn)過程中往往很難一一甄別遴選，這對(duì)于實(shí)驗(yàn)研究和大批量的生產(chǎn)分類造成很大困難，如何對(duì)出產(chǎn)的硅片信息進(jìn)行合理的分類和識(shí)別跟蹤，這成為各大電池生產(chǎn)廠家和科研院所一直研究的課題。
[0005]對(duì)于硅片信息的跟蹤可以很好的體現(xiàn)出整個(gè)生產(chǎn)鏈的流程，包括硅料的選擇，鑄錠或者拉晶的方式，硅片雜質(zhì)濃度等，同時(shí)硅片的在線跟蹤也可以對(duì)于后續(xù)的電池制造產(chǎn)生很好的指導(dǎo)作用，包括實(shí)驗(yàn)的優(yōu)化，產(chǎn)業(yè)化的匹配等。例如，中國發(fā)明專利申請(qǐng)CN101395724A公開了一種太陽能電池標(biāo)記方法，在一個(gè)帶有一個(gè)基底表面的基底，用于制造具有一個(gè)活躍區(qū)的太陽能電池，運(yùn)用激光照射在基底表面上生成至少一個(gè)凹坑，數(shù)量為至少一個(gè)凹坑構(gòu)成用來標(biāo)示太陽能電池的標(biāo)記，且標(biāo)記位于由半導(dǎo)體晶片構(gòu)成的太陽能電池的活躍區(qū)內(nèi)。
[0006]然而，上述方法存在如下問題:(I)需要在電池片上額外制造一個(gè)活躍區(qū)，增加了工藝步驟，增加了成本；(2)由于采用激光照射的方式在基底表面上生成凹坑，因此成本較尚O
[0007]因此，開發(fā)一種低成本的晶體硅太陽能電池片的標(biāo)記方法，具有積極的現(xiàn)實(shí)意義。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種晶體硅太陽能電池片的標(biāo)記方法。
[0009]為達(dá)到上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種晶體硅太陽能電池片的標(biāo)記方法，在晶體硅片絲網(wǎng)印刷鋁背場的過程中，在硅片鋁背場上設(shè)置2~3個(gè)凹坑，通過選擇凹坑的數(shù)量、形狀、位置和排列方式中的2種或2種以上的組合進(jìn)行標(biāo)記。
[0010]上文中，所述凹坑是在硅片絲網(wǎng)印刷鋁背場的過程中形成的，例如在網(wǎng)版上設(shè)置盲點(diǎn)，在盲點(diǎn)處漿料無法滲透下去，從而形成凹坑。
[0011]上述技術(shù)方案中，所述標(biāo)記方法分成2部分，一是通過凹坑的數(shù)量、形狀和排列方式的組合來對(duì)不同的生產(chǎn)車間進(jìn)行標(biāo)記；二是通過凹坑的位置來對(duì)不同的流水線線別進(jìn)行
ο
[0012]上述技術(shù)方案中，所述凹坑的形狀選自圓形、三角形和方形中的一種或幾種。
[0013]優(yōu)選的，所述凹坑的形狀選自圓形，其半徑為1~2 _。
[0014]優(yōu)選的，所述凹坑的數(shù)量為2個(gè)。
[0015]上述技術(shù)方案中，所述凹坑的排列方式為水平排列、豎直排列或斜向排列。這里的斜向排列可以是左斜向排列或右斜向排列。對(duì)于凹坑數(shù)量為3個(gè)的情況，還可以采用折線排列。
[0016]上述技術(shù)方案中，所述凹坑的位置設(shè)于硅片的邊緣和/或背電極的上下左右位置。
[0017]上述技術(shù)方案中，所述凹坑的深度為10~30微米。
[0018]由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn):
1、本發(fā)明開發(fā)了一種新的晶體硅太陽能電池片的標(biāo)記方法，在硅片鋁背場上設(shè)置凹坑，并通過選擇凹坑的數(shù)量、形狀、位置和排列方式中的2種或2種以上的組合進(jìn)行標(biāo)記，實(shí)現(xiàn)了硅片的在線跟蹤，可以通過成品電池片外觀追溯制造過程信息，對(duì)異常電池片分析提供了基礎(chǔ)；并對(duì)后續(xù)的電池制造產(chǎn)生很好的指導(dǎo)作用，包括實(shí)驗(yàn)的優(yōu)化，產(chǎn)業(yè)化的匹配等；
2、本發(fā)明是在硅片鋁背場上設(shè)置凹坑，可以與絲網(wǎng)印刷步驟同步完成，不需要增加額外的工藝步驟，因此成本較低，明顯適于推廣應(yīng)用；
3、本發(fā)明通過鋁背場標(biāo)記點(diǎn)，每片成品電池都可快速的識(shí)別出生產(chǎn)車間和線別，利于異常追溯和解決；同時(shí)，由于標(biāo)記點(diǎn)的數(shù)量較少，對(duì)效率損失可以忽略不計(jì)，且兼顧了背鈍化效果，也起到了追溯作用。
【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一中凹坑的排列方式示意圖。
[0020]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一中凹坑位置的設(shè)置示意圖。
[0021]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一中凹坑位置的又一設(shè)置示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步描述。
[0023]實(shí)施例一:
一種晶體硅太陽能電池片的標(biāo)記方法，在晶體硅片絲網(wǎng)印刷鋁背場的過程中，在硅片鋁背場上設(shè)置2~3個(gè)凹坑，通過選擇凹坑的數(shù)量、形狀、位置和排列方式中的2種或2種以上的組合進(jìn)行標(biāo)記。
[0024]所述標(biāo)記方法分成2部分，一是通過凹坑的數(shù)量、形狀和排列方式的組合來對(duì)不同的生產(chǎn)車間進(jìn)行標(biāo)記；二是通過凹坑的位置來對(duì)不同的流水線線別進(jìn)行標(biāo)記。
[0025]所述凹坑的形狀選自圓形，其半徑為1~2 mm。
[0026]所述凹坑的排列方式為水平排列、豎直排列或斜向排列。3個(gè)點(diǎn)還可以采用折線排列；參見圖1所示的14種排列方式。
[0027]所述凹坑的位置設(shè)于硅片的邊緣和/或背電極的上下左右位置。參見圖2~3所示的幾種排列方式；對(duì)于流水線線別的標(biāo)記，為便于觀察和記憶，可選用靠近背電極位置標(biāo)記；標(biāo)記方法可選用:1)按順時(shí)針或逆時(shí)針方向，在背電極與硅片邊沿之間標(biāo)記；2)在背電極上方、下方或左右側(cè)邊按規(guī)則標(biāo)記。圖2示例按順時(shí)針方向，在背電極與硅片邊沿之間標(biāo)記，圖示了 9種方式；圖3示例在背電極上方、下方或左右側(cè)邊標(biāo)記，圖示了 9種方式。
[0028]所述凹坑的深度為25~30微米。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體硅太陽能電池片的標(biāo)記方法，其特征在于:在晶體片絲網(wǎng)印刷鋁背場的過程中，在硅片鋁背場上設(shè)置2~3個(gè)凹坑，通過選擇凹坑的數(shù)量、形狀、位置和排列方式中的2種或2種以上的組合進(jìn)行標(biāo)記。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記方法，其特征在于:所述標(biāo)記方法分成2部分，一是通過凹坑的數(shù)量、形狀和排列方式的組合來對(duì)不同的生產(chǎn)車間進(jìn)行標(biāo)記；二是通過凹坑的位置來對(duì)不同的流水線線別進(jìn)行標(biāo)記。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記方法，其特征在于:所述凹坑的形狀選自圓形、三角形和方形中的一種或幾種。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的標(biāo)記方法，其特征在于:所述凹坑的形狀選自圓形，其半徑為I?2 mm05.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記方法，其特征在于:所述凹坑的數(shù)量為2個(gè)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記方法，其特征在于:所述凹坑的排列方式為水平排列、豎直排列或斜向排列。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記方法，其特征在于:所述凹坑的位置設(shè)于硅片的邊緣和/或背電極的上下左右位置。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記方法，其特征在于:所述凹坑的深度為10~30微米。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的標(biāo)記方法獲得的太陽能電池片。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池片的標(biāo)記方法，在晶體硅片絲網(wǎng)印刷鋁背場的過程中，在硅片鋁背場上設(shè)置2~3個(gè)凹坑，通過選擇凹坑的數(shù)量、形狀、位置和排列方式中的2種或2種以上的組合進(jìn)行標(biāo)記。本發(fā)明在硅片鋁背場上設(shè)置凹坑，并通過選擇凹坑的數(shù)量、形狀、位置和排列方式中的2種或2種以上的組合進(jìn)行標(biāo)記，實(shí)現(xiàn)了硅片的在線跟蹤，可以通過成品電池片外觀追溯制造過程信息，對(duì)異常電池片分析提供了基礎(chǔ)；并對(duì)后續(xù)的電池制造產(chǎn)生很好的指導(dǎo)作用，包括實(shí)驗(yàn)的優(yōu)化，產(chǎn)業(yè)化的匹配等。
【IPC分類】H01L23/544, H01L31/0224
【公開號(hào)】CN105161549
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510527695
【發(fā)明人】費(fèi)正洪, 衡陽, 潘勵(lì)剛, 周彬
【申請(qǐng)人】蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司, 鹽城阿特斯協(xié)鑫陽光電力科技有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請(qǐng)日】2015年8月25日