一種薄膜電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子電路中所用的薄膜電容器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]—直以來，此種薄膜電容器是通過在Si基板上依次形成下部導(dǎo)體、電介質(zhì)薄膜、上部導(dǎo)體而形成的。在利用該方法制作薄膜電容器的情況下，無法將薄膜電容器的厚度設(shè)為對容量沒有貢獻(xiàn)的Si基板的厚度以下，所以，為了促進(jìn)小型化及薄型化，需要實現(xiàn)不需要基板的構(gòu)造或制造方法。
[0003]為了降低制造成本，可以考慮通過在成為電介質(zhì)層的電介質(zhì)生片的兩個主面上，
[0004]壓接成為導(dǎo)體層的導(dǎo)體生片而進(jìn)行燒成，來制造薄膜電容器的方法。
[0005]但是，由于用電介質(zhì)生片和導(dǎo)體生片形成的電容器部是厚度通常在100 μπι以下的薄膜，因此有可能因在燒成中產(chǎn)生的熱收縮，產(chǎn)生翹曲或起伏。
[0006]作為防止該翹曲或起伏的方法，可以考慮像上述專利文獻(xiàn)2中記載的那樣的將氧化鋁生片作為偽生片壓接在疊層體的兩面的方法。該情況下，由于偽生片中所含的氧化鋁在燒成中會固著在導(dǎo)體生片上，因此在燒成后需要進(jìn)行研磨處理等來除去氧化鋁。
[0007]但是，由于薄膜電容器的厚度在100 μπι以下，因此有可能因研磨處理等而損傷電介質(zhì)層，使得導(dǎo)體層之間發(fā)生電短路。而且，電介質(zhì)層的厚度越薄，則由研磨處理引起的電介質(zhì)層的損傷就越明顯，由此就會對薄膜電容器的薄型化或大容量化造成很大的妨礙。
[0008]另一方面，為了防止氧化鋁向?qū)w生片上的固著，可以考慮增大氧化鋁的粒徑，然而該情況下，就會產(chǎn)生導(dǎo)體生片的主面的表面粗糙度有可能變大的新的問題。
[0009]為此，將專利文獻(xiàn)2中記載的陶瓷多層基板的制造方法簡單地應(yīng)用于薄膜電容器中，將很難獲得成本低且不會對電介質(zhì)層造成不良影響的薄膜電容器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明是鑒于此種情況而完成的，其目的在于，提供可以高效率地制造成本低且
[0011]不會對電介質(zhì)層造成不良影響的薄膜電容器的薄膜電容器的制造方法。
[0012]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的薄膜電容器的制造方法是具有電介質(zhì)層、分別形成于該電介質(zhì)層的兩個主面上的導(dǎo)體層的薄膜電容器的制造方法，其特征是，包括:分別制作含有電介質(zhì)陶瓷粉末的電介質(zhì)生片、含有金屬粉末的導(dǎo)體生片、含有氧化物無機(jī)材料粉末的燒成輔助用生片的生片制作工序；在上述電介質(zhì)生片的兩個主面分別配置上述導(dǎo)體生片而形成電容器部，并且以將上述電容器部用上述燒成輔助用生片保持的方式配置上述燒成輔助用生片而形成疊層體的疊層體形成工序；將上述疊層體燒成的燒成工序，在上述燒成工序的燒成處理中，降低上述導(dǎo)體生片與上述燒成輔助用生片的界面的粘接強(qiáng)度，并且將燒成氣氛的氧分壓至少改變1次，將作為上述電容器部的燒結(jié)體的薄膜電容器與作為上述燒成輔助用生片的燒結(jié)體的燒成輔助構(gòu)件分離。
[0013]而且，所謂將上述薄膜電容器與上述燒成輔助用構(gòu)件分離」除了包括將薄膜電容器的導(dǎo)體層與燒成輔助用構(gòu)件完全分離的情況以外，還包括僅用夾具等輕輕地觸碰就可以極為容易地分離那樣的以非常弱的結(jié)合力接觸的情況，即，包括可以評價為實質(zhì)上分離的情況。
[0014]另外，所謂「將氧分壓至少改變1次包括以作為內(nèi)部電極的主成分的金屬的氧化還原反應(yīng)的平衡氧分壓為基準(zhǔn)，在還原氣氛內(nèi)或中性氣氛內(nèi)產(chǎn)生氧分壓的輕微的變化的情況，然而最好像從還原氣氛變?yōu)橹行臍夥眨驈闹行臍夥兆優(yōu)檫€原氣氛那樣，使氧分壓明顯地變化。
[0015]另外，本發(fā)明的薄膜電容器的制造方法的特征是，上述金屬粉末是Ni及以Ni為主成分的合金當(dāng)中的某種。
[0016]另外，本發(fā)明的薄膜電容器的制造方法的特征是，將上述燒成輔助用生片制成框狀，以與上述導(dǎo)體生片的外周接觸的方式，或以鄰近上述外周的方式配置該燒成輔助用生片。
[0017]另外，本發(fā)明的薄膜電容器的制造方法的特征是，上述氧化物無機(jī)材料粉末為A1203粉末。
[0018]另外，本發(fā)明的薄膜電容器的制造方法的特征是，上述電介質(zhì)層的厚度與上述導(dǎo)體層的厚度的總和在100 μ m以下。
[0019]根據(jù)上述薄膜電容器的制造方法，由于包括:制作電介質(zhì)生片、導(dǎo)體生片及燒成輔助用生片的生片制作工序；在上述電介質(zhì)生片的兩個主面上分別配置上述導(dǎo)體生片而形成電容器部，并且以將上述電容器部用上述燒成輔助用生片保持的方式配置上述燒成輔助用生片而形成疊層體的疊層體形成工序；將上述疊層體燒成的燒成工序，在上述燒成工序的燒成處理中，降低上述導(dǎo)體生片與上述燒成輔助用生片的界面的粘接強(qiáng)度，并且將燒成氣氛的氧分壓至少改變1次，將薄膜電容器與燒成輔助構(gòu)件分離，因此就不需要研磨處理之類的機(jī)械加工，所以就不會有損傷薄膜電容器的情況，也不會有導(dǎo)體層之間發(fā)生電短路的情況。
[0020]另外，上述金屬粉末是Ni或以Ni為主成分的合金當(dāng)中的某種，將比較廉價且熔點高的Ni (熔點:1455°C )作為主要的導(dǎo)電成分使用。所以，就能夠經(jīng)受1000°C以上的燒成溫度，可以獲得具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)層的薄膜電容器。
[0021]另外，通過將上述燒成輔助用生片制成框狀，以與上述導(dǎo)體生片的外周接觸的方式，或以鄰近上述外周的方式配置該燒成輔助用生片，導(dǎo)體生片的一部分就會露出而直接暴露于爐內(nèi)氣氛中，從而提高燒成氣氛對電容器部的控制性。
[0022]另外，由于氧化物無機(jī)材料為A1203粉末，而A1203粉末不僅可以比較廉價地獲得，而且基本上不會對電容器的特性造成影響，所以可以容易地制造成本低且特性良好的薄膜電容器。
[0023]另外，由于上述電介質(zhì)層的厚度與上述導(dǎo)體層的厚度的總和在100 μm以下，因此可以高效率地制造成本低且對電介質(zhì)層不會造成不良影響的所需的薄膜電容器。
[0024]本發(fā)明取得的有益效果是:可以實現(xiàn)能夠高效率地制造成本低且不會對特性造成影響的可靠性優(yōu)良的薄膜電容器。
【具體實施方式】
[0025]—種薄膜電容器的制造方法，是在電介質(zhì)層的兩個主面上形成了導(dǎo)體層的薄膜電容器的制造方法，其特征是，包括:分別制作含有電介質(zhì)陶瓷粉末的電介質(zhì)生片、含有金屬粉末的導(dǎo)體生片、含有氧化物無機(jī)材料粉末的燒成輔助用生片的生片制作工序；在上述電介質(zhì)生片的兩個主面分別配置上述導(dǎo)體生片而形成電容器部，并且以將上述電容器部用上述燒成輔助用生片保持的方式配置上述燒成輔助用生片而形成疊層體的疊層體形成工序；將上述疊層體燒成的燒成工序，在上述燒成工序的燒成處理中，降低上述導(dǎo)體生片與上述燒成輔助用生片的界面的粘接強(qiáng)度，并且將燒成氣氛的氧分壓至少改變1次，將作為上述電容器部的燒結(jié)體的薄膜電容器與作為上述燒成輔助用生片的燒結(jié)體的燒成輔助構(gòu)件分離。
[0026]另外，所謂「將氧分壓至少改變1次包括以作為內(nèi)部電極的主成分的金屬的氧化還原反應(yīng)的平衡氧分壓為基準(zhǔn)，在還原氣氛內(nèi)或中性氣氛內(nèi)產(chǎn)生氧分壓的輕微的變化的情況，然而最好像從還原氣氛變?yōu)橹行臍夥?，或從中心氣氛變?yōu)檫€原氣氛那樣，使氧分壓明顯地變化。
[0027]另外，本發(fā)明的薄膜電容器的制造方法的特征是，上述金屬粉末是Ni及以Ni為主成分的合金當(dāng)中的某種。
[0028]另外，本發(fā)明的薄膜電容器的制造方法的特征是，將上述燒成輔助用生片制成框狀，以與上述導(dǎo)體生片的外周接觸的方式，或以鄰近上述外周的方式配置該燒成輔助用生片。
[0029]另外，本發(fā)明的薄膜電容器的制造方法的特征是，上述氧化物無機(jī)材料粉末為A1203粉末。
[0030]另外，本發(fā)明的薄膜電容器的制造方法的特征是，上述電介質(zhì)層的厚度與上述導(dǎo)體層的厚度的總和在100 μ m以下。
[0031 ] 上述實施例，只是本發(fā)明的較佳實施例，并非用來限制本發(fā)明實施范圍，故凡以本發(fā)明權(quán)利要求所述內(nèi)容所做的等效變化，均應(yīng)包括在本發(fā)明權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜電容器的制造方法，是在電介質(zhì)層的兩個主面上形成了導(dǎo)體層的薄膜電容器的制造方法，其特征是，包括:分別制作含有電介質(zhì)陶瓷粉末的電介質(zhì)生片、含有金屬粉末的導(dǎo)體生片、含有氧化物無機(jī)材料粉末的燒成輔助用生片的生片制作工序；在上述電介質(zhì)生片的兩個主面分別配置上述導(dǎo)體生片而形成電容器部，并且以將上述電容器部用上述燒成輔助用生片保持的方式配置上述燒成輔助用生片而形成疊層體的疊層體形成工序；將上述疊層體燒成的燒成工序，在上述燒成工序的燒成處理中，降低上述導(dǎo)體生片與上述燒成輔助用生片的界面的粘接強(qiáng)度，并且將燒成氣氛的氧分壓至少改變1次，將作為上述電容器部的燒結(jié)體的薄膜電容器與作為上述燒成輔助用生片的燒結(jié)體的燒成輔助構(gòu)件分離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜電容器的制造方法，其特征是，上述金屬粉末是Ni及以Ni為主成分的合金當(dāng)中的某種。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜電容器的制造方法，其特征是，將上述燒成輔助用生片制成框狀，以與上述導(dǎo)體生片的外周接觸的方式，或以鄰近上述外周的方式配置該燒成輔助用生片。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜電容器的制造方法。分別制作含有電介質(zhì)陶瓷粉末的電介質(zhì)生片、含有金屬粉末的導(dǎo)體生片、含有氧化物無機(jī)材料粉末的燒成輔助用生片，在將這些燒成輔助用生片、導(dǎo)體生片、電介質(zhì)生片、導(dǎo)體生片及燒成輔助用生片依次疊層，形成了疊層體后，對該疊層體實施燒成處理。此外，在該燒成處理中，降低導(dǎo)體生片與燒成輔助用生片的界面的粘接強(qiáng)度，并且將燒成氣氛的氧分壓至少改變1次以上，將作為電容器部的燒結(jié)體的薄膜電容器與作為燒成輔助用生片的燒結(jié)體的燒成輔助構(gòu)件分離。這樣，就可以實現(xiàn)能夠高效率地制造成本低且不會對特性造成影響的可靠性優(yōu)良的薄膜電容器。
【IPC分類】H01G4/33
【公開號】CN105355431
【申請?zhí)枴緾N201510860953
【發(fā)明人】宗啟軍
【申請人】淮安盛宇電子有限公司
【公開日】2016年2月24日
【申請日】2015年11月30日