半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置、檢查用半導(dǎo)體裝置及卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供能夠容易地對(duì)卡盤(pán)臺(tái)的載置面進(jìn)行檢查及管理的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置及卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法。本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置是對(duì)形成于半導(dǎo)體晶圓的多個(gè)半導(dǎo)體裝置的特性進(jìn)行評(píng)價(jià)的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置(1)，具有：卡盤(pán)臺(tái)(6)，其在評(píng)價(jià)時(shí)載置半導(dǎo)體晶圓；檢查工具(2)，其由板狀的絕緣材料構(gòu)成，且具有與該絕緣材料的多個(gè)貫通孔各自嵌合的電阻體(5)，在卡盤(pán)臺(tái)(6)的載置面的檢查時(shí)以電阻體(5)與載置面相接觸的方式將該檢查工具載置于卡盤(pán)臺(tái)(6)；以及接觸探針(9)，其以能夠接觸至電阻體(5)的與卡盤(pán)臺(tái)(6)接觸一側(cè)的面的相反側(cè)的面的方式進(jìn)行配置。
【專利說(shuō)明】
半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置、檢查用半導(dǎo)體裝置及卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及具有對(duì)載置半導(dǎo)體晶圓的卡盤(pán)臺(tái)的載置面進(jìn)行檢查的檢查工具或者檢查用半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置、檢查用半導(dǎo)體裝置及卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前，在以半導(dǎo)體晶圓的狀態(tài)對(duì)作為被測(cè)定物的半導(dǎo)體裝置的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)的情況下，在利用真空吸附等使半導(dǎo)體晶圓接觸并固定在卡盤(pán)臺(tái)的載置面上之后，通過(guò)將用于進(jìn)行電氣輸入輸出的接觸探針與半導(dǎo)體裝置的沒(méi)有和卡盤(pán)臺(tái)接觸一側(cè)的面接觸，從而進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的電氣特性的評(píng)價(jià)。這時(shí)，當(dāng)對(duì)在半導(dǎo)體裝置的縱向(面外方向)流過(guò)大電流的縱向型構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)的情況下，卡盤(pán)臺(tái)的載置面成為電極。另外，通過(guò)接觸探針的多針化，實(shí)現(xiàn)了通過(guò)施加大電流及高電壓而進(jìn)行的電氣特性的評(píng)價(jià)。
[0003]在對(duì)上述所示的半導(dǎo)體裝置的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，已知由于存在于卡盤(pán)臺(tái)的載置面的異物(例如，硅片等碎肩)、卡盤(pán)臺(tái)的載置面的損傷、或者卡盤(pán)臺(tái)處的吸附異常等，而引起在半導(dǎo)體晶圓與卡盤(pán)臺(tái)的載置面之間接觸電阻增大，主要會(huì)在電氣的輸入輸出時(shí)，發(fā)生半導(dǎo)體晶圓的破損等故障或者檢查異常。如果由于半導(dǎo)體晶圓所發(fā)生的破損等故障，而在半導(dǎo)體裝置發(fā)生同樣的故障，則該半導(dǎo)體裝置在之后的工序(對(duì)電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)的工序之后的工序)中變得不能使用。
[0004]另外，在半導(dǎo)體晶圓發(fā)生破損的情況下，有時(shí)由于破損時(shí)的沖擊導(dǎo)致卡盤(pán)臺(tái)的載置面變粗糙，或者破損后的半導(dǎo)體晶圓(半導(dǎo)體裝置)的一部分密接或嵌入卡盤(pán)臺(tái)的載置面。在之后進(jìn)行的電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)，卡盤(pán)臺(tái)的載置面的故障有時(shí)會(huì)使半導(dǎo)體晶圓與卡盤(pán)臺(tái)之間的密接性、接觸電阻惡化，使半導(dǎo)體裝置發(fā)生損傷、缺失，對(duì)電氣特性的評(píng)價(jià)的精度、成品率造成不良影響。因此，適當(dāng)?shù)毓芾聿⒈Ｗo(hù)卡盤(pán)臺(tái)的載置面是重要的。
[0005]作為上述問(wèn)題的對(duì)策，當(dāng)前公開(kāi)了下述技術(shù)，S卩:通過(guò)針對(duì)要測(cè)定電氣特性的全部半導(dǎo)體基板，形成將由于異物而引起的向半導(dǎo)體基板的應(yīng)力進(jìn)行緩和的膜或片，從而實(shí)現(xiàn)不良率的減少(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。另外，公開(kāi)了下述技術(shù)，g卩:通過(guò)在檢查裝置搭載將異物排出或者去除的機(jī)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)檢查裝置內(nèi)的潔凈度的提高(例如，參照專利文獻(xiàn)2、3)0
[0006]專利文獻(xiàn)I:日本特開(kāi)2008 — 4739號(hào)公報(bào)
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)平9一 153530號(hào)公報(bào)
[0008]專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2011 — 77077號(hào)公報(bào)
[0009]在專利文獻(xiàn)I中，由于需要針對(duì)全部半導(dǎo)體基板形成膜或片，因此存在增加制造工序、以及花費(fèi)用于形成膜或片的成本這樣的問(wèn)題。
[0010]另外，在專利文獻(xiàn)2、3中，由于需要變更卡盤(pán)臺(tái)、或者追加將異物排出或去除的機(jī)構(gòu)即送風(fēng)單元等，因此存在無(wú)法直接對(duì)具備現(xiàn)有卡盤(pán)臺(tái)及晶圓輸送機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置進(jìn)行利用的問(wèn)題。
[0011]另外，在專利文獻(xiàn)1、2、3中，未公開(kāi)任何關(guān)于對(duì)卡盤(pán)臺(tái)的載置面進(jìn)行檢查、管理的內(nèi)容。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明就是為了解決上述問(wèn)題而提出的，其目的在于提供能夠容易地對(duì)卡盤(pán)臺(tái)的載置面進(jìn)行檢查及管理的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置、檢查用半導(dǎo)體裝置及卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法。
[0013]為了解決上述的課題，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置對(duì)形成于半導(dǎo)體晶圓的多個(gè)半導(dǎo)體裝置的特性進(jìn)行評(píng)價(jià)，具有:卡盤(pán)臺(tái)，其在評(píng)價(jià)時(shí)載置半導(dǎo)體晶圓;檢查工具，其由板狀的絕緣材料構(gòu)成，且具有與該絕緣材料的多個(gè)貫通孔各自嵌合的電阻體，在卡盤(pán)臺(tái)的載置面的檢查時(shí)以電阻體與載置面相接觸的方式將該檢查工具載置于卡盤(pán)臺(tái)；以及探針，其以能夠接觸至電阻體的與卡盤(pán)臺(tái)接觸一側(cè)的面的相反側(cè)的面的方式進(jìn)行配置。
[0014]另外，本發(fā)明所涉及的檢查用半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有:玻璃基板，其具有多個(gè)貫通孔;半導(dǎo)體基板，其與玻璃基板的一面?zhèn)认嘟雍?；以及電阻體，其在貫通孔內(nèi)形成在半導(dǎo)體基板上，半導(dǎo)體基板以對(duì)應(yīng)于各貫通孔而配置的方式分離地設(shè)置。
[0015]另外，本發(fā)明所涉及的檢查用半導(dǎo)體裝置具有:檢查用半導(dǎo)體晶圓；以及多個(gè)電阻體，它們?cè)跈z查用半導(dǎo)體晶圓的一面上分隔地設(shè)置。
[0016]另外，本發(fā)明所涉及的卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法對(duì)半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置的卡盤(pán)臺(tái)的載置面進(jìn)行檢查，該半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置對(duì)形成于半導(dǎo)體晶圓的多個(gè)半導(dǎo)體裝置的特性進(jìn)行評(píng)價(jià)，該卡盤(pán)臺(tái)用于載置半導(dǎo)體晶圓，該卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法具有:(a)將由板狀的絕緣材料構(gòu)成、且具有與該絕緣材料的多個(gè)貫通孔各自嵌合的電阻體的檢查工具，以電阻體與載置面相接觸的方式載置于卡盤(pán)臺(tái)的工序；以及(b)使半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置的探針接觸至電阻體的與卡盤(pán)臺(tái)接觸一側(cè)的面的相反側(cè)的面而進(jìn)行檢查的工序。
[0017]發(fā)明的效果
[0018]根據(jù)本發(fā)明，由于半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置對(duì)形成于半導(dǎo)體晶圓的多個(gè)半導(dǎo)體裝置的特性進(jìn)行評(píng)價(jià)，具有:卡盤(pán)臺(tái)，其在評(píng)價(jià)時(shí)載置半導(dǎo)體晶圓；檢查工具，其由板狀的絕緣材料構(gòu)成，且具有與該絕緣材料的多個(gè)貫通孔各自嵌合的電阻體，在卡盤(pán)臺(tái)的載置面的檢查時(shí)以電阻體與載置面相接觸的方式將該檢查工具載置于卡盤(pán)臺(tái)；以及探針，其以能夠接觸至電阻體的與卡盤(pán)臺(tái)接觸一側(cè)的面的相反側(cè)的面的方式進(jìn)行配置，因此能夠容易地對(duì)卡盤(pán)臺(tái)的載置面進(jìn)行檢查及管理。
[0019]另外，由于檢查用半導(dǎo)體裝置具有:玻璃基板，其具有多個(gè)貫通孔;半導(dǎo)體基板，其與玻璃基板的一面?zhèn)认嘟雍?；以及電阻體，其在貫通孔內(nèi)形成在半導(dǎo)體基板上，半導(dǎo)體基板以對(duì)應(yīng)于各貫通孔而配置的方式分離地設(shè)置，因此能夠容易地對(duì)卡盤(pán)臺(tái)的載置面進(jìn)行檢查及管理。
[0020]另外，由于檢查用半導(dǎo)體裝置具有:檢查用半導(dǎo)體晶圓；以及多個(gè)電阻體，它們?cè)跈z查用半導(dǎo)體晶圓的一面上分隔地設(shè)置，因此能夠容易地對(duì)卡盤(pán)臺(tái)的載置面進(jìn)行檢查及管理。
[0021 ]另外，由于卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法對(duì)半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置的卡盤(pán)臺(tái)的載置面進(jìn)行檢查，該半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置對(duì)形成于半導(dǎo)體晶圓的多個(gè)半導(dǎo)體裝置的特性進(jìn)行評(píng)價(jià)，該卡盤(pán)臺(tái)用于載置半導(dǎo)體晶圓，該卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法具有:(a)將由板狀的絕緣材料構(gòu)成、且具有與該絕緣材料的多個(gè)貫通孔各自嵌合的電阻體的檢查工具，以電阻體與載置面相接觸的方式載置于卡盤(pán)臺(tái)的工序；以及(b)使半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置的探針接觸至電阻體的與卡盤(pán)臺(tái)接觸一側(cè)的面的相反側(cè)的面而進(jìn)行檢查的工序，因此能夠容易地對(duì)卡盤(pán)臺(tái)的載置面進(jìn)行檢查及管理。
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。
[0023]圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的檢查工具的一個(gè)例子的俯視圖。
[0024]圖3是圖2所示的檢查工具的剖視圖。
[0025]圖4是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的接觸探針的圖。
[0026]圖5是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的接觸探針的圖。
[0027]圖6是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的接觸探針的圖。
[0028]圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的檢查工具的另一個(gè)例子的俯視圖。
[0029]圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的檢查工具的另一個(gè)例子的剖視圖。
[0030]圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的檢查工具的另一個(gè)例子的俯視圖。
[0031]圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的檢查工具的另一個(gè)例子的剖視圖。
[0032]圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的檢查工具的一個(gè)例子的俯視圖。
[0033]圖12是圖11所示的檢查工具的剖視圖。
[0034]圖13是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的檢查工具的另一個(gè)例子的剖視圖。
[0035]圖14是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的檢查工具的一個(gè)例子的俯視圖。
[0036]圖15是圖14所示的檢查工具的剖視圖。
[0037]圖16是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的檢查工具的另一個(gè)例子的俯視圖。
[0038]圖17是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的檢查工具的另一個(gè)例子的剖視圖。
[0039]圖18是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的檢查工具的另一個(gè)例子的俯視圖。
[0040]圖19是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的檢查工具的另一個(gè)例子的剖視圖。
[0041]圖20是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的檢查工具的另一個(gè)例子的剖視圖。
[0042]標(biāo)號(hào)的說(shuō)明
[0043]I半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，2檢查工具，3絕緣板，4貫通孔，5電阻體，6卡盤(pán)臺(tái)，7探針基體，8絕緣性基體，9接觸探針，1連接部，11連接部，12評(píng)價(jià)部，13信號(hào)線，14移動(dòng)臂，15晶圓輸送機(jī)構(gòu)，16框部，17接觸部，18前端部，19壓入部，20基體設(shè)置部，21電連接部，22電阻部，23鍍敷部，24連接部，25檢查工具，26玻璃基板，27貫通孔，28電阻體，29半導(dǎo)體基板，30電阻部，31連接部，32檢查工具，33硅晶圓，34電阻體，35電阻部，36連接部。
【具體實(shí)施方式】
[0044]下面，基于附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0045]〈實(shí)施方式1>
[0046]首先，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
[0047]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置I的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。另外，圖2是表示檢查工具2的一個(gè)例子的俯視圖，圖3是圖2的Al—A2剖視圖。
[0048]如圖1所示，半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置I通過(guò)在對(duì)形成于半導(dǎo)體晶圓(未圖示)的多個(gè)半導(dǎo)體裝置的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)之前，將檢查工具2載置于卡盤(pán)臺(tái)6上，經(jīng)由檢查工具2的電阻體5進(jìn)行電阻體5與卡盤(pán)臺(tái)6之間的接觸電阻的檢查(下面，簡(jiǎn)稱為接觸電阻的檢查)，從而進(jìn)行卡盤(pán)臺(tái)6的載置面的檢查及管理。此外，使用檢查工具2進(jìn)行的檢查卡盤(pán)臺(tái)6的載置面的方法與評(píng)價(jià)半導(dǎo)體裝置的特性的方法相同。
[0049]如圖2、3所示，檢查工具2具有在成為基體的、板狀(薄板)的絕緣板3(絕緣材料)形成的多個(gè)貫通孔4，在各貫通孔4嵌合(配置)有電阻體5。在本實(shí)施方式I中，檢查工具2(即，絕緣板3)的外周形狀呈圓形。通過(guò)將檢查工具2的外周形狀設(shè)為與通常的半導(dǎo)體晶圓相同的圓形，從而在將檢查工具2輸送至卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)，能夠使用現(xiàn)有的晶圓輸送機(jī)構(gòu)15。
[0050]另外，將檢查工具2載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)的電阻體5的位置，與電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)將半導(dǎo)體晶圓載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)的半導(dǎo)體裝置的位置相同。
[0051]絕緣板3不具有導(dǎo)電性，由諸如樹(shù)脂材料這樣的絕緣材料(例如，PPS樹(shù)脂等工程塑料)制作而成。絕緣板3由于是樹(shù)脂材料，所以能夠通過(guò)成型加工進(jìn)行制作。
[0052]貫通孔4也可以與絕緣板3同時(shí)形成，如果是諸如PPS樹(shù)脂這樣的、具有能夠進(jìn)行機(jī)械加工的硬度的材料，則也可以在絕緣板3的制作時(shí)形成(加工)貫通孔4。此外，圖2、圖3所示的貫通孔4以成為四方柱形狀的方式形成。
[0053]電阻體5是用于檢查該電阻體5與卡盤(pán)臺(tái)6之間的接觸電阻的負(fù)載，例如由諸如銅鎳合金這樣的電阻材料制作而成。此外，在圖2、3的例子中，電阻體5由單一的材料制作而成。另外，俯視觀察時(shí)的電阻體5的形狀是四方形狀。
[0054]通常，設(shè)想的是卡盤(pán)臺(tái)6在載置半導(dǎo)體晶圓時(shí)，將該半導(dǎo)體晶圓吸附而進(jìn)行固定。半導(dǎo)體晶圓由于具有一定量的撓曲，所以密接而固定于卡盤(pán)臺(tái)6。另一方面，檢查工具2通過(guò)將電阻體5配置于樹(shù)脂材料的薄板即絕緣板3而構(gòu)成，因此沒(méi)有諸如半導(dǎo)體晶圓這樣的撓曲。因此，在將檢查工具2載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)，在檢查工具2的外周部可能會(huì)發(fā)生阻礙檢查工具2與卡盤(pán)臺(tái)6之間的密接性的吸附泄漏(在由卡盤(pán)臺(tái)6吸附時(shí)，空氣從存在于檢查工具2的外周部的間隙流入)。
[0055]為了防止上述的吸附泄漏，在本實(shí)施方式I中，將圖3所示的框部16設(shè)置于檢查工具2的載置于卡盤(pán)臺(tái)6的那一側(cè)的面的外周部分?？虿?6是具有柔軟性的厚度較薄的材料，優(yōu)選是例如由口 X特氟龍)”(注冊(cè)商標(biāo))構(gòu)成的密封帶材料，但也不限于此。此外，如圖3所示，在將框部16設(shè)置于檢查工具2的情況下，電阻體5也可以設(shè)置為，與卡盤(pán)臺(tái)6接觸一側(cè)的面相對(duì)于檢查工具2的載置于卡盤(pán)臺(tái)6的那一側(cè)的面呈凸?fàn)睢Ｍㄟ^(guò)形成凸?fàn)?，從而能夠使電阻體5與卡盤(pán)臺(tái)6可靠地進(jìn)行接觸。另外，通過(guò)形成凸?fàn)?，雖然會(huì)在電阻體5與卡盤(pán)臺(tái)6之間產(chǎn)生微小的空間，但由于設(shè)置有框部16，因此能夠防止吸附泄漏。
[0056]此外，在圖2中，示出了在I個(gè)檢查工具2配置32個(gè)電阻體5的情況，但并不限于此。例如，也可以與在評(píng)價(jià)半導(dǎo)體裝置的電氣特性時(shí)載置于卡盤(pán)臺(tái)6的半導(dǎo)體晶圓形成的半導(dǎo)體裝置的個(gè)數(shù)及位置相對(duì)應(yīng)地，改變電阻體5的個(gè)數(shù)及位置。
[0057]在圖3中，示出了電阻體5的與卡盤(pán)臺(tái)6接觸一側(cè)的面相對(duì)于檢查工具2的載置于卡盤(pán)臺(tái)6的那一側(cè)的面以成為凸?fàn)畹姆绞竭M(jìn)行設(shè)置的情況，但并不限于此。例如，在圖3中，電阻體5的與卡盤(pán)臺(tái)6接觸一側(cè)的面也可以相對(duì)于檢查工具2的載置于卡盤(pán)臺(tái)6的那一側(cè)的面以成為共面的方式進(jìn)行設(shè)置(參照?qǐng)D4?6)。在這種情況下，也能夠防止將檢查工具2載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)的吸附泄漏。
[0058]如圖1所示，在進(jìn)行電阻體5與卡盤(pán)臺(tái)6之間的接觸電阻的檢查時(shí)，用于與外部連接的一方的電極成為與配置于檢查工具2的電阻體5的上表面(與卡盤(pán)臺(tái)6接觸一側(cè)的面的相反側(cè)的面)相接觸的接觸探針9。另外，另一方的電極成為與電阻體5的下表面(與卡盤(pán)臺(tái)6接觸一側(cè)的面)相接觸的卡盤(pán)臺(tái)6的載置面。
[0059]探針基體7具有絕緣性基體8、安裝于該絕緣性基體8的接觸探針9及連接部10，通過(guò)移動(dòng)臂14能夠向任意的方向移動(dòng)。例如，在接觸電阻的檢查時(shí)，探針基體7通過(guò)移動(dòng)臂14向卡盤(pán)臺(tái)6側(cè)移動(dòng)。
[0060]接觸探針9以在接觸電阻的檢查時(shí)，能夠與電阻體5的上表面相接觸的方式進(jìn)行設(shè)置。另外，接觸探針9經(jīng)由連接部10及信號(hào)線13與評(píng)價(jià)部12電連接。接觸探針9與連接部10例如經(jīng)由在探針基體7上所設(shè)置的金屬板(未圖示)而進(jìn)行連接。
[0061]此外，在圖1中，示出了利用I個(gè)移動(dòng)臂14支撐探針基體7的結(jié)構(gòu)，但并不限于此。例如，也可以是利用多個(gè)移動(dòng)臂14支撐探針基體7的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，能夠穩(wěn)定地支撐探針基體7。
[0062]卡盤(pán)臺(tái)6是接觸并固定檢查工具2或者半導(dǎo)體晶圓的底座，作為固定手段而具有真空吸附的功能。在卡盤(pán)臺(tái)6的載置面設(shè)置有吸附槽，在該吸附槽的底面的一部分設(shè)置有用于真空吸附的吸附孔。檢查工具2或者半導(dǎo)體晶圓通過(guò)真空吸附被固定在卡盤(pán)臺(tái)6的載置面。另外，卡盤(pán)臺(tái)6具有連接部11，卡盤(pán)臺(tái)6的載置面經(jīng)由連接部11及信號(hào)線13與評(píng)價(jià)部12電連接。
[0063]評(píng)價(jià)部12進(jìn)行電阻體5與卡盤(pán)臺(tái)6之間的接觸電阻的檢查，進(jìn)行卡盤(pán)臺(tái)6的載置面的檢查及管理。另外，進(jìn)行在半導(dǎo)體晶圓形成的半導(dǎo)體裝置的電氣特性的評(píng)價(jià)。
[0064]晶圓輸送機(jī)構(gòu)15在評(píng)價(jià)半導(dǎo)體裝置的電氣特性時(shí)，將半導(dǎo)體晶圓輸送至卡盤(pán)臺(tái)6。另外，晶圓輸送機(jī)構(gòu)15在進(jìn)行接觸電阻的檢查時(shí)，將檢查工具2輸送至卡盤(pán)臺(tái)6。
[0065]在上述中，對(duì)利用移動(dòng)臂14使探針基體7向卡盤(pán)臺(tái)6側(cè)進(jìn)行移動(dòng)的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此。例如，也可以在固定了移動(dòng)臂14的狀態(tài)下使卡盤(pán)臺(tái)6進(jìn)行移動(dòng)，也可以使移動(dòng)臂14及卡盤(pán)臺(tái)6兩者進(jìn)行移動(dòng)。
[0066]下面，使用圖4?6對(duì)接觸探針9進(jìn)行說(shuō)明。
[0067]如圖4?6所示，接觸探針9具有前端部18、壓入部19、基體設(shè)置部20以及電連接部
21ο
[0068]前端部18具有與檢查工具2的電阻體5機(jī)械且電氣地接觸的接觸部17。接觸部17也能夠與在半導(dǎo)體裝置的表面形成的連接焊盤(pán)(未圖示)機(jī)械且電氣地接觸。
[0069]壓入部19能夠經(jīng)由裝在內(nèi)部的彈簧等彈性部件，在接觸部17與電阻體5接觸時(shí)滑動(dòng)。即，壓入部19被向接觸部17的方向(一Z方向)進(jìn)行了預(yù)緊。
[0070]基體設(shè)置部20是作為接觸探針9的基座而設(shè)置的，與絕緣性基體8連接。電連接部21是作為向外部的輸出端而設(shè)置的。
[0071]接觸探針9具有導(dǎo)電性，由例如銅、鎢、鎢錸合金等金屬材料構(gòu)成，但并不限于此。特別地，從導(dǎo)電性、耐久性的提高等觀點(diǎn)考慮，也可以在接觸部17覆蓋其他部件，例如金、鈀、鉭、鉑等。
[0072]在圖4所示的初始狀態(tài)下，如果使接觸探針9向電阻體5的方向(一Z方向)下降，則如圖5所示，接觸部17與電阻體5接觸。然后，如果使接觸探針進(jìn)一步下降，則如圖6所示，壓入部19經(jīng)由彈性部件被壓入基體設(shè)置部20內(nèi)，因此使接觸部17與電阻體5的接觸更可靠。
[0073]此外，關(guān)于接觸探針9，設(shè)想為施加大電流(例如，大于或等于5A)，配置為多個(gè)接觸探針9與各個(gè)電阻體5(在進(jìn)行電氣特性的評(píng)價(jià)的情況下是各個(gè)半導(dǎo)體裝置)進(jìn)行接觸。
[0074]另外，在上述中，對(duì)接觸探針9是沿Z軸方向具有滑動(dòng)性的彈簧式的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此。例如，接觸探針9也可以是懸臂式。另外，在沿Z軸方向具有滑動(dòng)性的接觸探針9的情況下，不限于彈簧式，也可以是層疊探針或線探針(wire probe)等。
[0075]另外，連接部10及連接部11優(yōu)選設(shè)置在經(jīng)由各接觸探針9的任一個(gè)與連接部10和連接部11之間的距離均大體一致的位置，以使施加至各接觸探針9的電流密度大體一致。具體地說(shuō)，連接部1及連接部11優(yōu)選設(shè)置在隔著接觸探針9相對(duì)的位置。
[0076]下面，對(duì)半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置I的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。
[0077]首先，利用晶圓輸送機(jī)構(gòu)15將檢查工具2載置于卡盤(pán)臺(tái)6的載置面。然后，卡盤(pán)臺(tái)6利用真空吸附固定檢查工具2。然后，使接觸探針9與電阻體5接觸，進(jìn)行所希望的關(guān)于接觸電阻的檢查。在檢查結(jié)束后，使接觸探針9與電阻體5分離。
[0078]然后，使檢查工具2與卡盤(pán)臺(tái)6分離，作為檢查的結(jié)果，如果接觸電阻沒(méi)有異常，則判斷為卡盤(pán)臺(tái)6的載置面沒(méi)有異常，將檢查工具2與要進(jìn)行電氣特性的評(píng)價(jià)的半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行交換，進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的電氣特性的評(píng)價(jià)。另一方面，在接觸電阻存在異常的情況下，對(duì)異常的原因進(jìn)行調(diào)查。接下來(lái)，在消除了異常的原因之后，進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的電氣特性的評(píng)價(jià)。這時(shí)，在異常的原因是在卡盤(pán)臺(tái)6處有異物附著等的情況下，利用吹風(fēng)等進(jìn)行卡盤(pán)臺(tái)6的載置面的清掃。另外，在異常的原因是在卡盤(pán)臺(tái)6的載置面發(fā)生的損傷(例如，凸起)的情況下，也可以利用研磨等進(jìn)行卡盤(pán)臺(tái)6的載置面的平坦化。此外，在卡盤(pán)臺(tái)6的載置面的恢復(fù)(修復(fù))較為困難的情況下，進(jìn)行卡盤(pán)臺(tái)6本體的更換。
[0079]S卩，關(guān)于半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置I，作為對(duì)載置半導(dǎo)體晶圓的卡盤(pán)臺(tái)6的載置面進(jìn)行檢查的卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法而具有下述工序:(a)將具有電阻體5的檢查工具2以電阻體5與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面相接觸的方式載置于卡盤(pán)臺(tái)6;以及(b)使接觸探針9接觸至電阻體5的與卡盤(pán)臺(tái)6接觸一側(cè)的面的相反側(cè)的面而進(jìn)行檢查。
[0080]在上述中，對(duì)使用圖2、3所示的檢查工具2進(jìn)行接觸電阻的檢查的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此。下面，對(duì)檢查工具2的其他例子(變形例I?4)進(jìn)行說(shuō)明。
[0081]〈變形例1>
[0082]圖7是表示變形例I所涉及的檢查工具2的俯視圖。
[0083]如圖7所示，在變形例I中，其特征在于，俯視觀察時(shí)的電阻體5的形狀是圓形。此夕卜，圖7所示的貫通孔4以成為圓柱形狀的方式形成。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，僅通過(guò)對(duì)筒狀(線狀)的電阻材料進(jìn)行切割，就能夠容易地制作電阻體5。
[0084]〈變形例2>
[0085]圖8表示變形例2所涉及的檢查工具2，是與圖2的Al— A2相對(duì)應(yīng)的剖視圖。
[0086]如圖8所示，在變形例2中，其特征在于，與貫通孔4的載置于卡盤(pán)臺(tái)6的那一側(cè)的開(kāi)口部的面積相比，增大與載置于卡盤(pán)臺(tái)6的那一側(cè)相反側(cè)的開(kāi)口部的面積，而使貫通孔4的剖面呈錐形狀。此外，俯視觀察時(shí)的電阻體5的形狀也可以是四方形狀(參照?qǐng)D2)，也可以是圓形狀(參照?qǐng)D7)。通過(guò)采用上述的結(jié)構(gòu)，從而能夠防止電阻體5從貫通孔4脫離。
[0087]〈變形例3>
[0088]圖9是表示變形例3所涉及的檢查工具2的俯視圖。
[0089]在上述的圖2或圖7中，說(shuō)明了以下情況，S卩，將檢查工具2載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)的電阻體5的位置，與電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)將半導(dǎo)體晶圓載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)的半導(dǎo)體裝置的位置相同。在本變形例3中，如圖9所示，其特征在于，將檢查工具2載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)的電阻體5的位置，與電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)將半導(dǎo)體晶圓載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)的半導(dǎo)體裝置的位置不相同。其他的結(jié)構(gòu)與圖7(變形例I)相同，所以此處省略說(shuō)明。
[0090]例如，在使用圖7所示的檢查工具2對(duì)接觸電阻進(jìn)行檢查的情況下，在異物不存在于電阻體5的正下方而存在于其附近的情況下，接觸電阻會(huì)發(fā)生異常。但是，根據(jù)異物的大小、位置的不同，有時(shí)不能檢測(cè)出異物。在這種情況下，如果使用在圖9所示的位置(S卩，例如圖7的未配置電阻體5的位置)配置電阻體5的檢查工具2對(duì)接觸電阻進(jìn)行檢查，則能夠高精度地對(duì)無(wú)法利用圖7所示的檢查工具2來(lái)檢查的部位的接觸電阻進(jìn)行檢查，因此能夠檢測(cè)出無(wú)法利用圖7所示的檢查工具2檢測(cè)出的異物。另外，如果使用圖7所示的檢查工具2和圖9所示的檢查工具2兩者對(duì)接觸電阻進(jìn)行檢查，則能夠容易地針對(duì)卡盤(pán)臺(tái)6的載置面中的與半導(dǎo)體裝置相接觸的所有面進(jìn)行接觸電阻的檢查及管理。
[0091 ]〈變形例4>
[0092]圖10表示變形例4所涉及的檢查工具2，是與圖2的Al— A2相對(duì)應(yīng)的剖視圖。
[0093]在上述的圖3中，對(duì)電阻體5由單一的材料構(gòu)成的情況進(jìn)行了說(shuō)明。在本變形例4中，其特征在于，電阻體5由多種(在圖10的例子中是3種)材料構(gòu)成。其他結(jié)構(gòu)與圖3相同，所以此處省略說(shuō)明。
[0094]如圖10所示，電阻體5具有電阻部22、鍍敷部23、以及連接部24。此外，電阻部22由與圖3所示的電阻體5相同的材料構(gòu)成，所以此處省略說(shuō)明。
[0095]鍍敷部23被設(shè)置在與卡盤(pán)臺(tái)6的接觸面?zhèn)?。在電阻體5與微小且硬度高于電阻體5的異物發(fā)生了接觸的情況下，有時(shí)因該異物嵌入電阻體5而使接觸電阻不發(fā)生異常。為了避免這種狀況，在電阻體5的與卡盤(pán)臺(tái)6接觸一側(cè)的面設(shè)置鍍敷部23，實(shí)現(xiàn)了硬度的提高。此夕卜，作為鍍敷部23，例如可以例舉鎳一磷膜，但并不限于此。另外，鍍敷部23也可以在將電阻體5配置(嵌合)于貫通孔4的前后，利用濺射法等形成。
[0096]連接部24被設(shè)置在與接觸探針9的接觸面?zhèn)?。例如在圖3中，如果使接觸探針9與電阻體5直接接觸，則電阻體5會(huì)發(fā)生損傷、磨損，有時(shí)因此會(huì)導(dǎo)致接觸電阻惡化。為了避免這種情況，在電阻體5的與接觸探針9接觸一側(cè)的面，設(shè)置了具有導(dǎo)電性的緩和層而作為連接部24。此外，作為連接部24，例如可以例舉鋁，但并不限于此。另外，連接部24也可以在將電阻體5配置(嵌合)于貫通孔4的前后，利用濺射法等形成。
[0097]根據(jù)上述內(nèi)容，通過(guò)設(shè)置鍍敷部23，從而能夠提高電阻體5的與卡盤(pán)臺(tái)6接觸一側(cè)的面的硬度。另外，通過(guò)設(shè)置連接部24，從而能夠防止由接觸探針9的接觸所引起的接觸電阻的惡化。
[0098]由此，根據(jù)本實(shí)施方式I，能夠容易地對(duì)卡盤(pán)臺(tái)6的載置面進(jìn)行檢查及管理。另外，由于檢查工具2的外周形狀與半導(dǎo)體晶圓的形狀相同，因此能夠直接利用具備現(xiàn)有卡盤(pán)臺(tái)及晶圓輸送機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，能夠有助于低成本化。另外，通過(guò)對(duì)卡盤(pán)臺(tái)6的載置面進(jìn)行檢查及管理，能夠防止進(jìn)行電氣特性評(píng)價(jià)的半導(dǎo)體晶圓的破損。
[0099]〈實(shí)施方式2>
[0100]圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的檢查工具25(檢查用半導(dǎo)體裝置)的一個(gè)例子的俯視圖，圖12是圖11的B I — B2剖視圖。此外，本實(shí)施方式2所涉及的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置的結(jié)構(gòu)及動(dòng)作與實(shí)施方式1(參照?qǐng)D1)相同，所以此處省略說(shuō)明。
[0101]如圖11、12所示，檢查工具25具有:玻璃基板26，其具有多個(gè)貫通孔27;半導(dǎo)體基板29，其與玻璃基板26的一面?zhèn)认嘟雍?；以及電阻體28，其在貫通孔27內(nèi)形成在半導(dǎo)體基板29上。檢查工具25的外周形狀是與通常的半導(dǎo)體晶圓相同的圓形。因此，在將檢查工具25向卡盤(pán)臺(tái)6輸送時(shí)，能夠使用現(xiàn)有的晶圓輸送機(jī)構(gòu)15。
[0102]在卡盤(pán)臺(tái)6的載置面的檢查時(shí)，檢查工具25以半導(dǎo)體基板29與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面相接觸的方式載置于卡盤(pán)臺(tái)6。這時(shí)，電阻體28的位置與在電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)將半導(dǎo)體晶圓載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)的半導(dǎo)體裝置相同。
[0103]玻璃基板26的貫通孔27是利用噴砂、激光加工、或鉆孔等機(jī)械加工或者化學(xué)蝕刻進(jìn)行加工的，但并不限于此。此外，圖11、12所示的貫通孔27以成為四方柱形狀的方式形成。
[0104]電阻體28是用于檢查半導(dǎo)體基板29與卡盤(pán)臺(tái)6之間的接觸電阻的負(fù)載，例如由諸如銅鎳合金這樣的電阻材料制作而成。電阻體28例如經(jīng)由金屬掩模而以與貫通孔27內(nèi)的半導(dǎo)體基板29接觸的方式利用濺射法等形成。此外，電阻體28也可以形成在貫通孔27內(nèi)的底部(半導(dǎo)體基板29側(cè))，也可以以填充貫通孔27的方式形成。此外，在圖11、12的例子中，電阻體28由單一的材料制作而成。另外，俯視觀察時(shí)的電阻體28的形狀是四方形狀。
[0105]半導(dǎo)體基板29與形成有半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體晶圓同樣地，具有導(dǎo)電性，例如是300μπι左右的厚度，但并不限于此。半導(dǎo)體基板29與玻璃基板26相接合(例如，陽(yáng)極接合)。另外，為了使各個(gè)電阻體28相互不發(fā)生電干涉，針對(duì)半導(dǎo)體基板29，在與玻璃基板26接合之后，以與各貫通孔27的位置相對(duì)應(yīng)地進(jìn)行配置的方式通過(guò)蝕刻等進(jìn)行分離。
[0106]此外，在圖11中，示出了在I個(gè)檢查工具25配置32個(gè)電阻體28的情況，但并不限于此。例如，也可以與在評(píng)價(jià)半導(dǎo)體裝置的電氣特性時(shí)載置于卡盤(pán)臺(tái)6的半導(dǎo)體晶圓形成的半導(dǎo)體裝置的個(gè)數(shù)及位置相對(duì)應(yīng)地，改變電阻體28的個(gè)數(shù)及位置。
[0107]在圖12中，示出了電阻體28形成在貫通孔27內(nèi)的情況，但并不限于此。例如，電阻體28也可以形成在半導(dǎo)體基板29的與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面相接觸一側(cè)(半導(dǎo)體基板29的與貫通孔27的相反側(cè))的面上(未圖示)。但是，從形成電阻體28時(shí)的金屬掩模的對(duì)位容易度(相鄰的貫通孔27的間隔比相鄰的半導(dǎo)體基板29的間隔大)的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選電阻體28形成在貫通孔27內(nèi)。
[0108]在上述中，對(duì)使用圖11、12所示的檢查工具25的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此。下面，對(duì)檢查工具25的其他例子(變形例I?3)進(jìn)行說(shuō)明。
[0109]〈變形例1>
[0110]在變形例I中，其特征在于，貫通孔27的形狀是圓柱形狀。貫通孔27從制作容易的觀點(diǎn)(例如，能夠利用機(jī)械加工容易地形成)考慮也可以采用圓柱形狀。在這種情況下，俯視觀察時(shí)的電阻體28的形狀成為圓形(例如，參照?qǐng)D7)。
[0111]〈變形例2>
[0112]在上述的圖11或者變形例I中，說(shuō)明了以下情況，S卩，將檢查工具25載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)的電阻體28的位置，與電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)將半導(dǎo)體晶圓載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)的半導(dǎo)體裝置的位置相同。在本變形例2中，其特征在于，將檢查工具25載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)的電阻體28的位置，與電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)將半導(dǎo)體晶圓載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)的半導(dǎo)體裝置的位置不相同(例如，參照?qǐng)D9)。其他的結(jié)構(gòu)與變形例I相同，所以此處省略說(shuō)明。
[0113]例如，在使用變形例I所涉及的檢查工具25對(duì)接觸電阻進(jìn)行檢查的情況下，在異物不存在于半導(dǎo)體基板29的正下方時(shí)，有時(shí)不能檢測(cè)出異物。在這種情況下，如果使用例如在變形例I的未配置半導(dǎo)體基板29的位置處配置半導(dǎo)體基板29的檢查工具25對(duì)接觸電阻進(jìn)行檢查，則能夠高精度地對(duì)無(wú)法利用變形例I所涉及的檢查工具25來(lái)檢查的部位的接觸電阻進(jìn)行檢查，因此能夠檢測(cè)出無(wú)法利用變形例I所涉及的檢查工具25檢測(cè)出的異物。另外，如果使用變形例I所涉及的檢查工具25和本變形例2所涉及的檢查工具25兩者對(duì)接觸電阻進(jìn)行檢查，則能夠容易地針對(duì)卡盤(pán)臺(tái)6的載置面中的與半導(dǎo)體裝置相接觸的所有面進(jìn)行接觸電阻的檢查及管理。
[0114]〈變形例3>
[0115]圖13表示變形例3所涉及的檢查工具25，是與圖11的BI — B2相對(duì)應(yīng)的剖視圖。
[0116]在上述的圖12中，對(duì)電阻體28由單一的材料構(gòu)成的情況進(jìn)行了說(shuō)明。在本變形例3中，其特征在于，電阻體28由多種(在圖13的例子中是2種)材料構(gòu)成。其他結(jié)構(gòu)與圖12相同，所以此處省略說(shuō)明。
[0117]如圖13所示，電阻體28具有電阻部30和連接部31。此外，電阻部30由與圖12所示的電阻體28相同的材料構(gòu)成，所以此處省略說(shuō)明。
[0118]連接部31被設(shè)置在與接觸探針9的接觸面?zhèn)?。例如在圖12中，如果使接觸探針9與電阻體28直接接觸，則電阻體28會(huì)發(fā)生損傷、磨損，有時(shí)因此會(huì)導(dǎo)致接觸電阻惡化。為了避免這種情況，在電阻體28的與接觸探針9相接觸一側(cè)的面(S卩，與半導(dǎo)體基板29相反側(cè)的面)，設(shè)置了具有導(dǎo)電性的緩和層而作為連接部31。此外，作為連接部31，例如可以例舉鋁，但并不限于此。另外，連接部31也可以利用濺射法等形成。
[0119]根據(jù)上述內(nèi)容，通過(guò)設(shè)置連接部31，能夠防止由接觸探針9的接觸所引起的接觸電阻的惡化。
[0120]由此，根據(jù)本實(shí)施方式2，能夠容易地對(duì)卡盤(pán)臺(tái)6的載置面進(jìn)行檢查及管理。另外，由于檢查工具25的外周形狀與半導(dǎo)體晶圓的形狀相同，因此能夠直接利用具備現(xiàn)有卡盤(pán)臺(tái)及晶圓輸送機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，能夠有助于低成本化。另外，通過(guò)對(duì)卡盤(pán)臺(tái)6的載置面進(jìn)行檢查及管理，能夠防止進(jìn)行電氣特性評(píng)價(jià)的半導(dǎo)體晶圓的破損。
[0121]〈實(shí)施方式3>
[0122]圖14是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的檢查工具32(檢查用半導(dǎo)體裝置)的一個(gè)例子的俯視圖。圖15是圖14的Cl一C2剖視圖。此外，本實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置的結(jié)構(gòu)及動(dòng)作與實(shí)施方式1(參照?qǐng)D1)相同，所以此處省略說(shuō)明。
[0123]如圖14、15所示，檢查工具32具有:硅晶圓33(檢查用半導(dǎo)體晶圓)、以及在硅晶圓33的一個(gè)面上分隔地設(shè)置的多個(gè)電阻體34。檢查工具32的外周形狀是與通常的半導(dǎo)體晶圓相同的圓形。因此，在將檢查工具32向卡盤(pán)臺(tái)6進(jìn)行輸送時(shí)，能夠使用現(xiàn)有的晶圓輸送機(jī)構(gòu)15ο
[0124]在卡盤(pán)臺(tái)6的載置面的檢查時(shí)，檢查工具32以硅晶圓33與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面相接觸的方式載置于卡盤(pán)臺(tái)6。
[0125]電阻體34是用于檢查硅晶圓33與卡盤(pán)臺(tái)6之間的接觸電阻的負(fù)載，例如由諸如銅鎳合金這樣的電阻材料制作而成。另外，為了相互不發(fā)生電干涉，各個(gè)電阻體34例如也可以經(jīng)由金屬掩模利用濺射法等形成，也可以經(jīng)由圖案化的阻隔層(resist)而利用濺射法形成，并通過(guò)剝離而形成。此外，在圖14、15的例子中，電阻體34由單一的材料制作而成。另外，俯視觀察時(shí)的電阻體34的形狀是四方形狀。
[0126]硅晶圓33是與形成有半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體晶圓同樣地具有導(dǎo)電性的晶圓，例如是300μπι左右的厚度，但并不限于此。
[0127]此外，在圖14中，示出了在I個(gè)檢查工具32配置32個(gè)電阻體34的情況，但并不限于此。例如，也可以與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面處的異物位置的檢測(cè)精度及檢查時(shí)間的限制等相對(duì)應(yīng)地，改變電阻體34的個(gè)數(shù)、大小、及位置。
[0128]在上述中，對(duì)使用圖14、15所示的檢查工具32的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于此。下面，對(duì)檢查工具32的其他例子(變形例I?4)進(jìn)行說(shuō)明。
[0129]<變形例1>
[0130]圖16是表示變形例I所涉及的檢查工具32的俯視圖。
[0131]如圖16所示，在變形例I中，其特征在于，俯視觀察時(shí)的電阻體34的形狀是圓形。如果通過(guò)剝離而形成具有角部的形狀(例如，四方形狀)的電阻體34，則有時(shí)會(huì)在形成后的電阻體34的角部或者其附近殘留蒸鍍膜的一部分。因此，從制作容易的觀點(diǎn)考慮，也可以通過(guò)剝離形成圓形的電阻體34。
[0132]<變形例2>
[0133]圖17表示變形例2所涉及的檢查工具32，是與圖14的Cl一C2相對(duì)應(yīng)的剖視圖。
[0134]如圖17所示，在變形例2中，其特征在于，在將檢查工具32載置于卡盤(pán)臺(tái)6時(shí)，以各電阻體34與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面相接觸的方式載置于卡盤(pán)臺(tái)6。即，將圖15所示的檢查工具32的上下顛倒而載置于卡盤(pán)臺(tái)6。在卡盤(pán)臺(tái)6的載置面的檢查時(shí)，探針9與硅晶圓33接觸。
[0135]如圖15所示，在硅晶圓33與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面相接觸的情況下，能夠不依賴存在于卡盤(pán)臺(tái)6的載置面的異物的位置而檢測(cè)出接觸電阻的變化。但是，由于硅晶圓33以露出的狀態(tài)與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面相接觸，因此在卡盤(pán)臺(tái)6的載置面存在異物的情況下，會(huì)由于該異物而使該硅晶圓容易發(fā)生破裂等破損。
[0136]另一方面，如圖17所示，在電阻體34與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面相接觸的情況下，因?yàn)楣杈A33不與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面直接接觸，所以能夠防止硅晶圓33的破裂等破損。另外，任意的電阻體34的下表面(卡盤(pán)臺(tái)6的載置面的與電阻體34相接觸的部位)是否異常的判斷容易，異物等的位置的確定容易。但是，存在電阻體34與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面未接觸的部位的異物難以得到檢測(cè)的問(wèn)題。
[0137]圖18是表示檢查工具32的另一個(gè)例子的俯視圖，示出了對(duì)圖17所示的電阻體34的位置進(jìn)行變更后的情況。此外，在圖18中，示出了電阻體34的俯視觀察時(shí)的形狀是圓形的情況。
[0138]由此，在電阻體34與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面相接觸的情況下，有時(shí)如果異物不存在于電阻體34與卡盤(pán)臺(tái)6的載置面相接觸的部位，則不能夠檢測(cè)出該異物。在這種情況下，如果使用在圖18所示位置配置電阻體34的檢查工具32對(duì)接觸電阻進(jìn)行檢查，則能夠高精度地對(duì)無(wú)法利用圖17所示的檢查工具32來(lái)檢查的部位的接觸電阻進(jìn)行檢查，因此能夠檢測(cè)出無(wú)法利用圖17所示的檢查工具32檢測(cè)出的異物。另外，如果使用圖17所示的檢查工具32和圖18所示的檢查工具32兩者對(duì)接觸電阻進(jìn)行檢查，則能夠容易地對(duì)卡盤(pán)臺(tái)6的載置面中的與半導(dǎo)體裝置相接觸的所有面進(jìn)行接觸電阻的檢查及管理。
[0139]<變形例3>
[0140]圖19表示變形例3所涉及的檢查工具32，是與圖14的Cl一C2相對(duì)應(yīng)的剖視圖。
[0141]在上述的圖15中，對(duì)電阻體34由單一的材料構(gòu)成的情況進(jìn)行了說(shuō)明。在本變形例3中，其特征在于，電阻體34由多種(在圖19的例子中是2種)材料構(gòu)成。其他結(jié)構(gòu)與圖15相同，所以此處省略說(shuō)明。
[0142]如圖19所示，電阻體34具有電阻部35和連接部36。此外，電阻部35由與圖15所示的電阻體34相同的材料構(gòu)成，所以此處省略說(shuō)明。
[0143]連接部36被設(shè)置在與接觸探針9的接觸面?zhèn)?。例如在圖15中，如果使接觸探針9與電阻體34直接接觸，則電阻體34會(huì)發(fā)生損傷、磨損，有時(shí)因此會(huì)導(dǎo)致接觸電阻惡化。為了避免這種狀況，在電阻體34的與接觸探針9接觸一側(cè)的面(S卩，與硅晶圓33相反側(cè)的面)，設(shè)置了具有導(dǎo)電性的緩和層而作為連接部36。此外，作為連接部36，例如可以例舉鋁，但并不限于此。另外，連接部36也可以利用濺射法等形成。
[0144]此外，即使是圖17所示的檢查工具32，如圖20所示，如果在硅晶圓33的與接觸探針9相接觸一側(cè)的面(S卩，與電阻體34相反側(cè)的面)形成連接部36，則能夠取得與上述(圖19)同樣的效果。
[0145]根據(jù)上述內(nèi)容，通過(guò)設(shè)置連接部36，從而能夠防止由接觸探針9的接觸所引起的接觸電阻的惡化。
[0146]由此，根據(jù)本實(shí)施方式3，能夠容易地對(duì)卡盤(pán)臺(tái)6的載置面進(jìn)行檢查及管理。另外，由于檢查工具32的外周形狀與半導(dǎo)體晶圓的形狀相同，因此能夠直接利用具備現(xiàn)有卡盤(pán)臺(tái)及晶圓輸送機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，能夠有助于低成本化。另外，通過(guò)對(duì)卡盤(pán)臺(tái)6的載置面進(jìn)行檢查及管理，從而能夠防止進(jìn)行電氣特性評(píng)價(jià)的半導(dǎo)體晶圓的破損。
[0147]在實(shí)施方式I?3中，設(shè)想并說(shuō)明了對(duì)卡盤(pán)臺(tái)6的載置面進(jìn)行檢查及管理的情況，但并不限于此。例如，也能夠利用于對(duì)形成于半導(dǎo)體晶圓的半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)通檢查、或者具有導(dǎo)電性的檢查面(例如，金屬底座)的凹凸檢查或起伏檢測(cè)等。
[0148]此外，本發(fā)明在該發(fā)明的范圍內(nèi)，能夠?qū)?shí)施方式進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖冃?、省略?br>【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其對(duì)形成于半導(dǎo)體晶圓的多個(gè)半導(dǎo)體裝置的特性進(jìn)行評(píng)價(jià)，具有: 卡盤(pán)臺(tái)，其在所述評(píng)價(jià)時(shí)載置所述半導(dǎo)體晶圓； 檢查工具，其由板狀的絕緣材料構(gòu)成，且具有與該絕緣材料的多個(gè)貫通孔各自嵌合的電阻體，在所述卡盤(pán)臺(tái)的載置面的檢查時(shí)以所述電阻體與所述載置面相接觸的方式將該檢查工具載置于所述卡盤(pán)臺(tái)；以及 探針，其以能夠接觸至所述電阻體的與所述卡盤(pán)臺(tái)接觸一側(cè)的面的相反側(cè)的面的方式進(jìn)行配置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述檢查工具的外周形狀是圓形。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 將所述檢查工具載置于所述卡盤(pán)臺(tái)時(shí)的所述電阻體的位置，與所述評(píng)價(jià)時(shí)將所述半導(dǎo)體晶圓載置于所述卡盤(pán)臺(tái)時(shí)的所述半導(dǎo)體裝置的位置相同。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 將所述檢查工具載置于所述卡盤(pán)臺(tái)時(shí)的所述電阻體的位置，與所述評(píng)價(jià)時(shí)將所述半導(dǎo)體晶圓載置于所述卡盤(pán)臺(tái)時(shí)的所述半導(dǎo)體裝置的位置不相同。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述檢查工具在載置于所述卡盤(pán)臺(tái)的那一側(cè)的面的外周部分還具有框部。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述框部具有柔軟性且厚度薄。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述電阻體的與所述卡盤(pán)臺(tái)相接觸一側(cè)的面設(shè)置為，相對(duì)于所述檢查工具的載置于所述卡盤(pán)臺(tái)的那一側(cè)的面成為凸?fàn)睢?.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述電阻體的與所述卡盤(pán)臺(tái)相接觸一側(cè)的面設(shè)置為，與所述檢查工具的載置于所述卡盤(pán)臺(tái)的那一側(cè)的面成為共面。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述電阻體由單一的材料構(gòu)成。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述電阻體由多種材料構(gòu)成。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述電阻體包含有銅鎳合金。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述電阻體包含有銅鎳合金。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述電阻體在與所述卡盤(pán)臺(tái)相接觸一側(cè)的面具有鎳一磷膜。14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述貫通孔是四方柱形狀。15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述貫通孔是下述錐形狀，即，與載置于所述卡盤(pán)臺(tái)的那一側(cè)的開(kāi)口部的面積相比，與載置于所述卡盤(pán)臺(tái)的那一側(cè)相反側(cè)的開(kāi)口部的面積較大。16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述貫通孔是圓柱形狀。17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 俯視觀察時(shí)的所述電阻體的形狀是四方形狀。18.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 俯視觀察時(shí)的所述電阻體的形狀是圓形狀。19.一種半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 在權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置中，取代所述檢查工具而具有檢查用半導(dǎo)體裝置， 所述檢查用半導(dǎo)體裝置具有: 玻璃基板，其具有多個(gè)貫通孔； 半導(dǎo)體基板，其與所述玻璃基板的一面?zhèn)认嘟雍?；以?電阻體，其在所述貫通孔內(nèi)形成在所述半導(dǎo)體基板上， 所述半導(dǎo)體基板以對(duì)應(yīng)于各所述貫通孔而配置的方式分離地設(shè)置。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述電阻體在與所述半導(dǎo)體基板相反側(cè)的面具有導(dǎo)電性的緩和層。21.—種半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其中， 在權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置中，取代所述檢查工具而具有檢查用半導(dǎo)體裝置， 所述檢查用半導(dǎo)體裝置具有: 檢查用半導(dǎo)體晶圓；以及 多個(gè)電阻體，它們?cè)谒鰴z查用半導(dǎo)體晶圓的一面上分隔地設(shè)置。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述電阻體在與所述檢查用半導(dǎo)體晶圓相反側(cè)的面具有導(dǎo)電性的緩和層。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述檢查用半導(dǎo)體晶圓在與所述電阻體相反側(cè)的面具有導(dǎo)電性的緩和層。24.根據(jù)權(quán)利要求19至23中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 所述電阻體包含有銅鎳合金。25.根據(jù)權(quán)利要求19至23中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 將所述檢查用半導(dǎo)體裝置載置于所述卡盤(pán)臺(tái)時(shí)的所述電阻體的位置，與所述評(píng)價(jià)時(shí)將所述半導(dǎo)體晶圓載置于所述卡盤(pán)臺(tái)時(shí)的所述半導(dǎo)體裝置的位置相同。26.根據(jù)權(quán)利要求19至23中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置，其特征在于， 將所述檢查用半導(dǎo)體裝置載置于所述卡盤(pán)臺(tái)時(shí)的所述電阻體的位置，與所述評(píng)價(jià)時(shí)將所述半導(dǎo)體晶圓載置于所述卡盤(pán)臺(tái)時(shí)的所述半導(dǎo)體裝置的位置不相同。27.一種檢查用半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具有: 玻璃基板，其具有多個(gè)貫通孔； 半導(dǎo)體基板，其與所述玻璃基板的一面?zhèn)认嘟雍希灰约?電阻體，其在所述貫通孔內(nèi)形成在所述半導(dǎo)體基板上， 所述半導(dǎo)體基板以對(duì)應(yīng)于各所述貫通孔而配置的方式分離地設(shè)置。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的檢查用半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述電阻體在與所述半導(dǎo)體基板相反側(cè)的面具有導(dǎo)電性的緩和層。29.根據(jù)權(quán)利要求27或28所述的檢查用半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述電阻體包含有銅鎳合金。30.一種檢查用半導(dǎo)體裝置，其具有: 檢查用半導(dǎo)體晶圓；以及 多個(gè)電阻體，它們?cè)谒鰴z查用半導(dǎo)體晶圓的一面上分隔地設(shè)置。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的檢查用半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述電阻體在與所述檢查用半導(dǎo)體晶圓相反側(cè)的面具有導(dǎo)電性的緩和層。32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的檢查用半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述檢查用半導(dǎo)體晶圓在與所述電阻體相反側(cè)的面具有導(dǎo)電性的緩和層。33.根據(jù)權(quán)利要求30至32中任一項(xiàng)所述的檢查用半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述電阻體包含有銅鎳合金。34.—種卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法，其對(duì)半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置的卡盤(pán)臺(tái)的載置面進(jìn)行檢查，該半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置對(duì)形成于半導(dǎo)體晶圓的多個(gè)半導(dǎo)體裝置的特性進(jìn)行評(píng)價(jià)，該卡盤(pán)臺(tái)用于載置所述半導(dǎo)體晶圓， 該卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法具有: (a)將由板狀的絕緣材料構(gòu)成、且具有與該絕緣材料的多個(gè)貫通孔各自嵌合的電阻體的檢查工具，以所述電阻體與所述載置面相接觸的方式載置于所述卡盤(pán)臺(tái)的工序；以及 (b)使所述半導(dǎo)體評(píng)價(jià)裝置的探針接觸至所述電阻體的與所述卡盤(pán)臺(tái)接觸一側(cè)的面的相反側(cè)的面而進(jìn)行所述檢查的工序。35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法，其特征在于， 所述檢查工具的外周形狀是圓形。36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的卡盤(pán)臺(tái)的檢查方法，其特征在于， 在所述工序(a)中， 將所述檢查工具載置于所述卡盤(pán)臺(tái)時(shí)的所述電阻體的位置，與所述評(píng)價(jià)時(shí)將所述半導(dǎo)體晶圓載置于所述卡盤(pán)臺(tái)時(shí)的所述半導(dǎo)體裝置的位置相同。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK105826216SQ201610052913
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年1月26日
【發(fā)明人】岡田章, 野口貴也, 山下欽也
【申請(qǐng)人】三菱電機(jī)株式會(huì)社