一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池，包括導(dǎo)電襯底、電子傳輸層、絕緣緩沖層、鈣鈦礦光吸收層、空穴傳輸層、金屬電極，所述鈣鈦礦光吸收層采用氣相輔助溶液法制備，所述空穴傳輸層為乙酰丙酮銅和Spiro?OMeTAD復(fù)合層。本發(fā)明還公開了該高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法。本發(fā)明制備的鈣鈦礦型太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率高，穩(wěn)定性好，制備工藝簡單，成本低。
【專利說明】
一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
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[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域，具體的涉及一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池。
【背景技術(shù)】
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[0002]鈣鈦礦太陽能電池是一種在染料敏化太陽能電池(DSSC)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型的太陽能電池。它最早是由日本科學(xué)家Kojima等于2009年提出的，其結(jié)構(gòu)完全套用DSSC電池，只是常用的有機(jī)染料被CH3NH3PbI3或CH3NH3PbBr3替代，其一般光電轉(zhuǎn)化效率超過3 %。鹵化甲胺鉛(CH3NH3PbX3)具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，因此這類太陽能電池被稱為鈣鈦礦太陽能電池。制七甲胺鉛具有合適的禁帶寬度(CH3NH3PbI3禁帶寬度為1.5eV，CH3NH3PbBr3禁帶寬度為2.3eV)和較高的光吸收系數(shù)，伴隨著有機(jī)空穴半導(dǎo)體傳輸材料的引入，尤其是使用Spiro-OMeTAD代替?zhèn)鹘y(tǒng)的液態(tài)電解質(zhì)，基于鹵化甲胺鉛材料的新型太陽能電池器件的光電轉(zhuǎn)化效率得到了極大的提高，從而使這類太陽能電池表現(xiàn)出了非常誘人的應(yīng)用前景，成為近年來眾多研究者和太陽能電池業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
[0003]但是Spiro-OMeTAD材料價格昂貴，穩(wěn)定性不好，且利用傳統(tǒng)方法制得的鈣鈦礦薄膜針孔多，粗糙度大，質(zhì)量不好，嚴(yán)重影響了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，且鈣鈦礦光吸收層與電子傳輸層的界面也會發(fā)生電子和空穴復(fù)合，從而影響太陽能電池的光電性能。
【發(fā)明內(nèi)容】
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[0004]本發(fā)明的目的是提供一種高效率低成本鈣鈦礦太陽能電池，該太陽能電池穩(wěn)定性好，光電轉(zhuǎn)換效率高，制備成本低。
[0005]本發(fā)明的另一個目的是提供該高效率低成本鈣鈦礦太陽能電池的制備方法。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0007]—種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池，該鈣鈦礦型太陽能電池包括導(dǎo)電襯底、電子傳輸層、絕緣緩沖層、鈣鈦礦光吸收層、空穴傳輸層、金屬電極，所述鈣鈦礦光吸收層采用氣相輔助溶液法制備，所述空穴傳輸層為乙酰丙酮銅和Spiro-OMeTAD復(fù)合層。
[0008]作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，所述電子傳輸層為多層結(jié)構(gòu)，包括η型摻雜半導(dǎo)體氧化物層和η型本征半導(dǎo)體氧化物層，η型摻雜半導(dǎo)體氧化物層的厚度為10-30nm，n型本征半導(dǎo)體氧化物層的厚度為30-50nmo
[0009]作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，所述η型本征半導(dǎo)體氧化物為氧化鋅、氧化鈦中的一種，所述摻雜元素為鋁、錳、鎂元素中的一種。
[0010]—種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0011](I)將導(dǎo)電襯底依次用去離子水、丙酮和異丙醇溶液浸泡并超聲，最后用氮?dú)獯蹈刹⒔?jīng)紫外臭氧處理15min，待用；
[0012](2)將η型摻雜半導(dǎo)體氧化物的溶液以2000-4000轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到導(dǎo)電襯底上，70-75°C低溫退火10-15min，然后將η型本征半導(dǎo)體氧化物的溶液以3000-5000轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到η型摻雜半導(dǎo)體氧化物層上，70-75°C退火15min，得到電子傳輸層；
[0013](3)將Al2O3前驅(qū)體溶液滴加到電子傳輸層上，靜置30-50s，然后在1000-3000轉(zhuǎn)/分的狀態(tài)下旋涂30s，在450-500°C下燒結(jié)50-100min，冷卻至室溫，得到絕緣緩沖層；
[0014](4)將PbX2前驅(qū)體溶液旋涂在絕緣緩沖層上，然后在80-100°C下加熱15-30min，自然冷卻后與碘化物粉末一起置于真空干燥箱內(nèi)，在壓強(qiáng)為10-20KPa，溫度為150-170°C下，加熱碘化物粉末，蒸發(fā)后與PbX2薄膜反應(yīng)50-120min，生成鈣鈦礦，自然冷卻后用異丙醇進(jìn)行清洗，最后在150-170°(:下干燥15-301^11，得到鈣鈦礦光吸收層；
[0015]( 5)在鈣鈦礦光吸收層上旋涂乙酰丙酮前驅(qū)體溶液，在8 O -10 O °C下加熱結(jié)晶20min，冷卻至室溫，再旋涂20μ1的Spiro-OMeTAD，得到復(fù)合空穴傳輸層；
[0016](6)在空穴傳輸層上蒸鍍一層厚度為60-100nm的金屬電極，得到高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池。
[0017]作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，步驟(4)中，所述PbX2前驅(qū)體溶液的溶劑為N，N_二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、γ -丁內(nèi)酯、N，N-二甲基乙酰胺中的一種，所述PbX2前驅(qū)體溶液中PbX2的濃度為400-500mg/mL。
[0018]作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，步驟(5)中，所述乙酰丙酮銅前驅(qū)體溶液的濃度為1.5-3mg/ml，其旋涂的轉(zhuǎn)速為4500r/s，時間為30s。
[0019]作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，步驟(5)中，所述Spiro-OMeTAD溶液旋涂的轉(zhuǎn)速為4000r/s，時間為20s。
[0020]作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，步驟(3)中，所述Al2O3前驅(qū)體溶液的溶劑為乙醇、異丙醇中的一種或兩種混合，其濃度為10_30mmol/L。
[0021]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0022]本發(fā)明采用η型摻雜半導(dǎo)體氧化物層和η型本征半導(dǎo)體氧化物層作為電子傳輸層，并采用氣相溶液輔助法制備鈣鈦礦光吸收層，才光吸收層和電子傳輸層中間有氧化鋁絕緣緩沖層，提高了鈣鈦礦光吸收層的質(zhì)量，制得的鈣鈦礦太陽能電池光電轉(zhuǎn)換率大大提高，穩(wěn)定性好；
[0023]另一方面本發(fā)明采用無機(jī)材料和有機(jī)材料復(fù)合作為太陽能電池的空穴傳輸層，其空穴迀移率高，減小了光生載流子的復(fù)合，大大提高了太陽能電池的光電性能，且其價格便宜，大大提高了鈣鈦礦太陽能電池的生產(chǎn)成本。
【具體實(shí)施方式】
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[0024]為了更好的理解本發(fā)明，下面通過實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明，實(shí)施例只用于解釋本發(fā)明，不會對本發(fā)明構(gòu)成任何的限定。
[0025]實(shí)施例1
[0026]—種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0027](I)將FTO襯底依次用去離子水、丙酮和異丙醇溶液浸泡并超聲，最后用氮?dú)獯蹈刹⒔?jīng)紫外臭氧處理15min，待用；
[0028](2)將鋁摻氧化鋅的溶液以2000轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到導(dǎo)電襯底上，70-75 0C低溫退火lOmin，然后將氧化鋅的溶液以3000轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到鋁鎂摻氧化鋅層上，70-75°C退火15min，得到電子傳輸層；
[0029](3)將濃度為lOmmol/L的Al2O3前驅(qū)體溶液滴加到電子傳輸層上，靜置30s，然后在1000轉(zhuǎn)/分的狀態(tài)下旋涂30s，在450°C下燒結(jié)50min，冷卻至室溫，得到絕緣緩沖層；
[0030](4)將濃度為400mg/mL的PbCl2的N，N-二甲基甲酰胺溶液旋涂在絕緣緩沖層上，然后在80°C下加熱15min，自然冷卻后與碘化物粉末一起置于真空干燥箱內(nèi)，在壓強(qiáng)為10-20KPa，溫度為150 V下，加熱碘化物粉末，蒸發(fā)后與PbCl2薄膜反應(yīng)50min，生成鈣鈦礦，自然冷卻后用異丙醇進(jìn)行清洗，最后在150°C下干燥15min，得到鈣鈦礦光吸收層；
[0031](5)在鈣鈦礦光吸收層上旋涂濃度為1.5mg/ml的乙酰丙酮前驅(qū)體溶液，旋涂的轉(zhuǎn)速為4500r/s，時間為30s，然后在80°C下加熱結(jié)晶20min，冷卻至室溫，再在4000r/s的轉(zhuǎn)速下旋涂20μ1的Spiro-OMeTAD，旋涂時間為20s，得到復(fù)合空穴傳輸層；
[0032](6)在空穴傳輸層上蒸鍍一層厚度為60nm的Au電極，得到高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池。
[0033]實(shí)施例2
[0034]—種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0035](I)將FTO襯底依次用去離子水、丙酮和異丙醇溶液浸泡并超聲，最后用氮?dú)獯蹈刹⒔?jīng)紫外臭氧處理15min，待用；
[0036](2)將錳摻氧化鋅的溶液以4000轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到導(dǎo)電襯底上，70-75 0C低溫退火15min，然后將氧化鋅的溶液以5000轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到錳摻氧化鋅層上，70-75°C退火15min，得到電子傳輸層；
[0037](3)將濃度為30mmol/L的Al2O3前驅(qū)體溶液滴加到電子傳輸層上，靜置50s，然后在3000轉(zhuǎn)/分的狀態(tài)下旋涂30s，在500°C下燒結(jié)lOOmin，冷卻至室溫，得到絕緣緩沖層；
[0038](4)將濃度為500mg/mL的PbCl2的N，N-二甲基甲酰胺溶液旋涂在絕緣緩沖層上，然后在100°C下加熱30min，自然冷卻后與碘化物粉末一起置于真空干燥箱內(nèi)，在壓強(qiáng)為10-20KPa，溫度為170 V下，加熱碘化物粉末，蒸發(fā)后與PbCl2薄膜反應(yīng)120min，生成鈣鈦礦，自然冷卻后用異丙醇進(jìn)行清洗，最后在170°C下干燥30min，得到鈣鈦礦光吸收層；
[0039](5)在鈣鈦礦光吸收層上旋涂濃度為3mg/ml的乙酰丙酮前驅(qū)體溶液，旋涂的轉(zhuǎn)速為4500r/s，時間為30s，然后在100°C下加熱結(jié)晶20min，冷卻至室溫，再在4000r/s的轉(zhuǎn)速下旋涂20μ1的Spiro-OMeTAD，旋涂時間為20s，得到復(fù)合空穴傳輸層；
[0040](6)在空穴傳輸層上蒸鍍一層厚度為10nm的Au電極，得到高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池。
[0041 ] 實(shí)施例3
[0042]—種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0043](I)將FTO襯底依次用去離子水、丙酮和異丙醇溶液浸泡并超聲，最后用氮?dú)獯蹈刹⒔?jīng)紫外臭氧處理15min，待用；
[0044](2)將鋁鎂摻氧化鈦的溶液以2500轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到導(dǎo)電襯底上，70-75 °C低溫退火I Imin，然后將氧化鈦的溶液以3500轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到鋁摻氧化鈦層上，70-75 °C退火15min，得到電子傳輸層；
[0045](3)將濃度為15mmol/L的Al2O3前驅(qū)體溶液滴加到電子傳輸層上，靜置35s，然后在1500轉(zhuǎn)/分的狀態(tài)下旋涂30s，在455 °C下燒結(jié)60min，冷卻至室溫，得到絕緣緩沖層；
[0046](4)將濃度為420mg/mL的PbBr2的N，N-二甲基甲酰胺溶液旋涂在絕緣緩沖層上，然后在85°C下加熱20min，自然冷卻后與碘化物粉末一起置于真空干燥箱內(nèi)，在壓強(qiáng)為10-20KPa，溫度為150 V下，加熱碘化物粉末，蒸發(fā)后與PbBr2薄膜反應(yīng)60min，生成鈣鈦礦，自然冷卻后用異丙醇進(jìn)行清洗，最后在150°C下干燥20min，得到鈣鈦礦光吸收層；
[0047](5)在鈣鈦礦光吸收層上旋涂濃度為1.8mg/ml的乙酰丙酮前驅(qū)體溶液，旋涂的轉(zhuǎn)速為4500r/s，時間為30s，然后在85°C下加熱結(jié)晶20min，冷卻至室溫，再在4000r/s的轉(zhuǎn)速下旋涂20μ1的Spiro-OMeTAD，旋涂時間為20s，得到復(fù)合空穴傳輸層；
[0048](6)在空穴傳輸層上蒸鍍一層厚度為70nm的Au電極，得到高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池。
[0049]實(shí)施例4
[0050]—種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0051](I)將FTO襯底依次用去離子水、丙酮和異丙醇溶液浸泡并超聲，最后用氮?dú)獯蹈刹⒔?jīng)紫外臭氧處理15min，待用；
[0052](2)將錳摻氧化鈦的溶液以3000轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到導(dǎo)電襯底上，70-75 0C低溫退火12min，然后將氧化鈦的溶液以4000轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到錳摻氧化鈦層上，70-75°C退火15min，得到電子傳輸層；
[0053](3)將濃度為18mmol/L的Al2O3前驅(qū)體溶液滴加到電子傳輸層上，靜置40s，然后在2000轉(zhuǎn)/分的狀態(tài)下旋涂30s，在470°C下燒結(jié)70min，冷卻至室溫，得到絕緣緩沖層；
[0054](4)將濃度為4400mg/mL的PbCl2的二甲基亞砜溶液旋涂在絕緣緩沖層上，然后在90°C下加熱25min，自然冷卻后與碘化物粉末一起置于真空干燥箱內(nèi)，在壓強(qiáng)為10-20KPa，溫度為1600C下，加熱碘化物粉末，蒸發(fā)后與PbCl2薄膜反應(yīng)90min，生成鈣鈦礦，自然冷卻后用異丙醇進(jìn)行清洗，最后在160 V下干燥25min，得到鈣鈦礦光吸收層；
[0055](5)在鈣鈦礦光吸收層上旋涂濃度為2mg/ml的乙酰丙酮前驅(qū)體溶液，旋涂的轉(zhuǎn)速為4500r/s，時間為30s，然后在90°C下加熱結(jié)晶20min，冷卻至室溫，再在4000r/s的轉(zhuǎn)速下旋涂20μ1的Spiro-OMeTAD，旋涂時間為20s，得到復(fù)合空穴傳輸層；
[0056](6)在空穴傳輸層上蒸鍍一層厚度為80nm的Ag電極，得到高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池。
[0057]實(shí)施例5
[0058]一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0059](I)將FTO襯底依次用去離子水、丙酮和異丙醇溶液浸泡并超聲，最后用氮?dú)獯蹈刹⒔?jīng)紫外臭氧處理15min，待用；
[0060](2)將鎂摻氧化鋅的溶液以3500轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到導(dǎo)電襯底上，70-75 0C低溫退火13min，然后將氧化鋅的溶液以4000轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到鎂摻氧化鋅層上，70-75°C退火15min，得到電子傳輸層；
[0061](3)將濃度為25mmol/L的Al2O3前驅(qū)體溶液滴加到電子傳輸層上，靜置45s，然后在3000轉(zhuǎn)/分的狀態(tài)下旋涂30s，在480°C下燒結(jié)80min，冷卻至室溫，得到絕緣緩沖層；
[0062](4)將濃度為460mg/mL的PbCl2的γ _丁內(nèi)酯溶液旋涂在絕緣緩沖層上，然后在95°C下加熱30min，自然冷卻后與碘化物粉末一起置于真空干燥箱內(nèi)，在壓強(qiáng)為10_20KPa，溫度為165°C下，加熱碘化物粉末，蒸發(fā)后與PbCl2薄膜反應(yīng)lOOmin，生成鈣鈦礦，自然冷卻后用異丙醇進(jìn)行清洗，最后在165 °C下干燥30min，得到鈣鈦礦光吸收層；
[0063](5)在鈣鈦礦光吸收層上旋涂濃度為2.5mg/ml的乙酰丙酮前驅(qū)體溶液，旋涂的轉(zhuǎn)速為4500r/s，時間為30s，然后在100°C下加熱結(jié)晶20min，冷卻至室溫，再在4000r/s的轉(zhuǎn)速下旋涂20μ1的Spiro-OMeTAD，旋涂時間為20s，得到復(fù)合空穴傳輸層；
[0064](6)在空穴傳輸層上蒸鍍一層厚度為90nm的Ag電極，得到高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池。
[0065]實(shí)施例6
[0066]—種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0067](I)將FTO襯底依次用去離子水、丙酮和異丙醇溶液浸泡并超聲，最后用氮?dú)獯蹈刹⒔?jīng)紫外臭氧處理15min，待用；
[0068](2)將鎂摻氧化鈦的溶液以3800轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到導(dǎo)電襯底上，70-75 °C低溫退火14min，然后將氧化鈦的溶液以4800轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到鎂摻氧化鈦層上，70-75°C退火15min，得到電子傳輸層；
[0069](3)將濃度為28mmol/L的Al2O3前驅(qū)體溶液滴加到電子傳輸層上，靜置50s，然后在2800轉(zhuǎn)/分的狀態(tài)下旋涂30s，在490°C下燒結(jié)90min，冷卻至室溫，得到絕緣緩沖層；
[0070](4)將濃度為480mg/mL的PbI2的N，N-二甲基乙酰胺溶液旋涂在絕緣緩沖層上，然后在95°C下加熱30min，自然冷卻后與碘化物粉末一起置于真空干燥箱內(nèi)，在壓強(qiáng)為10-20KPa，溫度為170 V下，加熱碘化物粉末，蒸發(fā)后與PbI2薄膜反應(yīng)I1min，生成鈣鈦礦，自然冷卻后用異丙醇進(jìn)行清洗，最后在170°C下干燥20min，得到鈣鈦礦光吸收層；
[0071](5)在鈣鈦礦光吸收層上旋涂濃度為2.8mg/ml的乙酰丙酮前驅(qū)體溶液，旋涂的轉(zhuǎn)速為4500r/s，時間為30s，然后在90°C下加熱結(jié)晶20min，冷卻至室溫，再在4000r/s的轉(zhuǎn)速下旋涂20μ1的Spiro-OMeTAD，旋涂時間為20s，得到復(fù)合空穴傳輸層；
[0072](6)在空穴傳輸層上蒸鍍一層厚度為95nm的Ag電極，得到高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，該鈣鈦礦型太陽能電池包括導(dǎo)電襯底、電子傳輸層、絕緣緩沖層、鈣鈦礦光吸收層、空穴傳輸層、金屬電極，所述鈣鈦礦光吸收層采用氣相輔助溶液法制備，所述空穴傳輸層為乙酰丙酮銅和Spiro-OMeTAD復(fù)合層。2.如權(quán)利要求1所述的一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，所述電子傳輸層為多層結(jié)構(gòu)，包括η型摻雜半導(dǎo)體氧化物層和η型本征半導(dǎo)體氧化物層，η型摻雜半導(dǎo)體氧化物層的厚度為10_30nm，n型本征半導(dǎo)體氧化物層的厚度為30-50nmo3.如權(quán)利要求2所述的一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，所述η型本征半導(dǎo)體氧化物為氧化鋅、氧化鈦中的一種，所述摻雜元素為鋁、錳、鎂元素中的一種。4.如權(quán)利要求1至3任一所述的一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)將導(dǎo)電襯底依次用去離子水、丙酮和異丙醇溶液浸泡并超聲，最后用氮?dú)獯蹈刹⒔?jīng)紫外臭氧處理15min，待用； (2)將η型摻雜半導(dǎo)體氧化物的溶液以2000-4000轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到導(dǎo)電襯底上，70-75°C低溫退火10-15min，然后將η型本征半導(dǎo)體氧化物的溶液以3000-5000轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋涂到η型摻雜半導(dǎo)體氧化物層上，70-75 °C退火15min，得到電子傳輸層； (3)將Al2O3前驅(qū)體溶液滴加到電子傳輸層上，靜置30-50s，然后在1000-3000轉(zhuǎn)/分的狀態(tài)下旋涂30s，在450-500°C下燒結(jié)50-100min，冷卻至室溫，得到絕緣緩沖層； (4)將PbX2前驅(qū)體溶液旋涂在絕緣緩沖層上，然后在80-100°C下加熱15-30min，自然冷卻后與碘化物粉末一起置于真空干燥箱內(nèi)，在壓強(qiáng)為10_20KPa，溫度為150-170°C下，加熱碘化物粉末，蒸發(fā)后與PbX2薄膜反應(yīng)50-120min，生成鈣鈦礦，自然冷卻后用異丙醇進(jìn)行清洗，最后在150-170°C下干燥15-30min，得到鈣鈦礦光吸收層； (5)在鈣鈦礦光吸收層上旋涂乙酰丙酮前驅(qū)體溶液，在80-1000C下加熱結(jié)晶20min，冷卻至室溫，再旋涂20μ1的Spiro-OMeTAD，得到復(fù)合空穴傳輸層； (6)在空穴傳輸層上蒸鍍一層厚度為60-100nm的金屬電極，得到高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池。5.如權(quán)利要求4所述的一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟(4)中，所述PbX2前驅(qū)體溶液的溶劑為N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、γ-丁內(nèi)酯、N，N-二甲基乙酰胺中的一種，所述PbX2前驅(qū)體溶液中PbX2的濃度為400-500mg/mL。6.如權(quán)利要求4所述的一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟(5)中，所述乙酰丙酮銅前驅(qū)體溶液的濃度為1.5-3mg/ml，其旋涂的轉(zhuǎn)速為4500r/s，時間為30s。7.如權(quán)利要求4所述的一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟(5)中，所述Spiro-OMeTAD溶液旋涂的轉(zhuǎn)速為4000r/s，時間為20s。8.如權(quán)利要求4所述的一種高效率低成本鈣鈦礦型太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，所述Al2O3前驅(qū)體溶液的溶劑為乙醇、異丙醇中的一種或兩種混合，其濃度為10_30mmol/Lo
【文檔編號】H01L51/48GK105826473SQ201610318860
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年5月12日
【發(fā)明人】王文慶
【申請人】東莞市聯(lián)洲知識產(chǎn)權(quán)運(yùn)營管理有限公司