一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置。所述方法包括步驟S1：選用NMP對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗，以去除所述半導(dǎo)體器件在蝕刻過(guò)程中形成的殘留物；步驟S2：選用含有O3的去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗，以去除所述步驟S1中殘留的NMP微粒。本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，選用NMP對(duì)半導(dǎo)體器件(例如NMOS中虛擬開口的側(cè)壁)進(jìn)行清洗之后，進(jìn)一步選用含有O3的去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗，以代替現(xiàn)有技術(shù)中去離子水的清洗，通過(guò)所述方法不僅能夠去除所述半導(dǎo)體器件在蝕刻過(guò)程中殘留的聚合物，而且還能去除在NMP清洗過(guò)程中NMP微粒的殘留，使半導(dǎo)體器件具有更好的輪廓，提高了所述半導(dǎo)體器件的性能和良率。
【專利說(shuō)明】
一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路性能的提高主要是通過(guò)不斷縮小集成電路器件的尺寸、以提高它的速度來(lái)實(shí)現(xiàn)的。目前，追求高器件密度、高性能和低成本的半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)進(jìn)步到納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)，特別是當(dāng)半導(dǎo)體器件尺寸降到更低納米級(jí)別時(shí)，半導(dǎo)體器件的制備收到各種物理極限的限制。
[0003]當(dāng)半導(dǎo)體器件的尺寸降到更低納米級(jí)別時(shí)，器件中柵極關(guān)鍵尺寸(gate⑶)相應(yīng)的縮小為24nm。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的降低，傳統(tǒng)的柵介質(zhì)層不斷變薄，晶體管漏電量隨之增加，引起半導(dǎo)體器件功耗浪費(fèi)等問題。為解決上述問題，同時(shí)避免高溫處理過(guò)程，現(xiàn)有技術(shù)提供一種將高K金屬柵極替代多晶硅柵極的解決方案。
[0004]為了減小溫度負(fù)載效應(yīng)(thermal budget effect)，目前“后柵極(high-K&gatelast) ”工藝為形成高K金屬柵極的一個(gè)主要工藝。使用“后柵極(high-K&gate last)”工藝形成高K金屬柵極的方法包括:提供基底，所述基底上形成有虛擬柵結(jié)構(gòu)(dummy gate)、及位于所述基底上覆蓋所述虛擬柵結(jié)構(gòu)的層間介質(zhì)層；以所述虛擬柵結(jié)構(gòu)作為停止層，對(duì)所述層間介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝；除去所述虛擬柵結(jié)構(gòu)后形成溝槽；最后對(duì)所述溝槽填充高K介質(zhì)和金屬層，以形成高K金屬柵。
[0005]在高K金屬柵制備過(guò)程中由于NMOS和PMOS具有不同的功函數(shù)層，因此需要先去除PMOS虛擬柵極、形成PMOS金屬柵，然后再去除NMMOS虛擬柵極、形成NMOS金屬柵極。
[0006]通過(guò)對(duì)制備得到的器件進(jìn)行檢測(cè)發(fā)現(xiàn)，在去除虛擬柵極的過(guò)程中形成的所述虛擬開口的側(cè)壁上殘留物較多，對(duì)半導(dǎo)體器件性能的制備造成很大的影響。
[0007]因此，需要對(duì)目前所述殘留物的去除方法作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0009]本發(fā)明為了克服目前存在問題，提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括:
[0010]步驟S1:選用NMP對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗，以去除所述半導(dǎo)體器件在蝕刻過(guò)程中形成的殘留物；
[0011]步驟S2:選用含有O3的去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗，以去除所述步驟SI中殘留的NMP微粒。
[0012]可選地，在所述步驟S2中，所述含有O3的去離子中O 3的濃度為l-100ppm。
[0013]可選地，在所述步驟S2中，選用所述含有O3的去離子水進(jìn)行清洗時(shí)的轉(zhuǎn)數(shù)為300-400rpmo
[0014]可選地，在所述步驟S2中，選用噴管混合模式對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗。
[0015]可選地，在所述步驟SI和/或所述步驟S2中，所述清洗溫度大于25°C。
[0016]可選地，在所述步驟SI中，選用所述NMP進(jìn)行清洗的轉(zhuǎn)數(shù)為450-550rpm。
[0017]可選地，所述方法還進(jìn)一步包括:
[0018]步驟S3:對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行離心干燥。
[0019]可選地，所述離心干燥的轉(zhuǎn)數(shù)為>1000rpm。
[0020]可選地，在所述步驟SI中，所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底以及在所述半導(dǎo)體襯底上去除虛擬柵極之后形成的虛擬開口，選用所述NMP對(duì)所述虛擬開口的側(cè)壁進(jìn)行清洗。
[0021]本發(fā)明還提供了一種基于上述的方法制備得到的半導(dǎo)體器件。
[0022]本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括上述的半導(dǎo)體器件。
[0023]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，選用NMP對(duì)半導(dǎo)體器件(例如NMOS中虛擬開口的側(cè)壁)進(jìn)行清洗之后，進(jìn)一步選用含有03的去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗，以代替現(xiàn)有技術(shù)中去離子水的清洗，通過(guò)所述方法不僅能夠去除所述半導(dǎo)體器件在蝕刻過(guò)程中殘留的聚合物，而且還能去除在NMP清洗過(guò)程中NMP微粒的殘留，使半導(dǎo)體器件具有更好的輪廓，提高了所述半導(dǎo)體器件的性能和良率。
【附圖說(shuō)明】
[0024]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0025]圖1a-1c為本發(fā)明一具體地實(shí)施中所述半導(dǎo)體器件的制備過(guò)程示意圖；
[0026]圖2a為現(xiàn)有技術(shù)中制備得到的所述半導(dǎo)體器件的SEM圖；
[0027]圖2b為本發(fā)明一具體地實(shí)施中制備得到的所述半導(dǎo)體器件的SEM圖；
[0028]圖3為本發(fā)明一具體地實(shí)施中所述半導(dǎo)體器件的制備的工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0030]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0031]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接至IJ”或“耦合至IJ”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由稀⑴c之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0032]空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。
[0033]在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說(shuō)明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0034]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0035]在高K金屬柵制備過(guò)程中由于NMOS和PMOS具有不同的功函數(shù)層，因此需要先去除PMOS虛擬柵極、形成PMOS金屬柵，然后再去除NMOS虛擬柵極、形成NMOS金屬柵極。目前在去除所述NMOS虛擬柵極之后，得到虛擬開口，為了去除所述虛擬開口中蝕刻時(shí)殘留的聚合物，需要對(duì)所述開口的側(cè)壁進(jìn)行清洗，通常選用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)對(duì)所述虛擬開口的側(cè)壁進(jìn)行清洗，以去除所述側(cè)壁上殘留的聚合物，然后選用去離子水再次進(jìn)行清洗，但是通過(guò)所述方法制備得到的器件上仍有殘留的微粒(particle)，如圖2a右側(cè)圖形所示。
[0036]發(fā)明人通過(guò)進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)和分析發(fā)現(xiàn)，所述殘留的微粒為NMP的微粒，所述NMP微粒的失敗率(fail rat1)非常高，通常會(huì)導(dǎo)致器件性能嚴(yán)重下降。
[0037]通過(guò)進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)和分析發(fā)現(xiàn)導(dǎo)致NMP的微粒殘留的原因在于，所述NMP為5元環(huán)的內(nèi)酰胺結(jié)構(gòu)，與水混溶后呈淡黃色，但是隨著溫度的升高，NMP與水的混溶越來(lái)越低，因此很難完全的去除側(cè)壁上殘留的NMP，因此側(cè)壁上殘留的NMP微粒很多。
[0038]在通過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)和分析之后找到了殘留微粒的組成以及殘留的原因，在該基礎(chǔ)上發(fā)明人對(duì)所述器件的清洗方法做了進(jìn)一步改進(jìn)。
[0039]實(shí)施例1
[0040]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種新的半導(dǎo)體器件的制備方法，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明所述方法作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0041]其中，圖1a-1c為本發(fā)明一具體地實(shí)施中所述半導(dǎo)體器件的制備過(guò)程示意圖。
[0042]首先，執(zhí)行步驟101，提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成虛擬柵極和包圍所述虛擬柵極的層間介電層。
[0043]具體地，首先提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底可以是以下所提到的材料中的至少一種:硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。
[0044]此外，半導(dǎo)體襯底上可以被定義有源區(qū)。在該有源區(qū)上還可以包含有其他的有源器件，為了方便，在所示圖形中并沒有標(biāo)示。
[0045]然后在所述半導(dǎo)體襯底中形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法可以選用現(xiàn)有技術(shù)中常用的方法，例如首先，在半導(dǎo)體襯底101上依次形成第一氧化物層和第一氮化物層。接著，執(zhí)行干法刻蝕工藝，依次對(duì)第一氮化物層、第一氧化物層和半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕以形成溝槽。具體地，可以在第一氮化物層上形成具有圖案的光刻膠層，以該光刻膠層為掩膜對(duì)第一氮化物層進(jìn)行干法刻蝕，以將圖案轉(zhuǎn)移至第一氮化物層，并以光刻膠層和第一氮化物層為掩膜對(duì)第一氧化物層和半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕，以形成溝槽。當(dāng)然還可以采用其它方法來(lái)形成溝槽，由于該工藝以為本領(lǐng)域所熟知，因此不再做進(jìn)一步描述。
[0046]然后，在溝槽內(nèi)填充淺溝槽隔離材料，以形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。具體地，可以在第一氮化物層上和溝槽內(nèi)形成淺溝槽隔離材料，所述淺溝槽隔離材料可以為氧化硅、氮氧化硅和/或其它現(xiàn)有的低介電常數(shù)材料；執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝并停止在第一氮化物層上，以形成所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。
[0047]在本發(fā)明中所述淺溝槽隔離可以將所述半導(dǎo)體襯底分為NMOS區(qū)域以及PMOS區(qū)域。
[0048]接著，在所述NMOS區(qū)域形成NMOS虛擬柵極，在所述PMOS區(qū)域形成PMOS虛擬柵極。
[0049]具體地，在所述半導(dǎo)體襯底上依次沉積氧化物絕緣層、柵極材料層，然后對(duì)所述氧化物絕緣層、柵極材料層進(jìn)行刻蝕得到虛擬柵極。
[0050]其中，所述氧化物絕緣層優(yōu)選為二氧化硅，其形成方法可以為沉積二氧化硅材料層或者高溫氧化所述半導(dǎo)體襯底來(lái)形成絕緣層，所述柵極材料層可包括硅或者多晶硅層。
[0051]可選地，所述方法還進(jìn)一步包括在所述NMOS虛擬柵極以及PMOS虛擬柵極的兩側(cè)形成偏移側(cè)墻(offset spacer)。所述偏移側(cè)墻的材料例如是氮化娃，氧化娃或者氮氧化娃等絕緣材料。隨著器件尺寸的進(jìn)一步變小，器件的溝道長(zhǎng)度越來(lái)越小，源漏極的粒子注入深度也越來(lái)越小，偏移側(cè)墻的作用在于以提高形成的晶體管的溝道長(zhǎng)度，減小短溝道效應(yīng)和由于短溝道效應(yīng)引起的熱載流子效應(yīng)。在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成偏移側(cè)墻的工藝可以為化學(xué)氣相沉積，本實(shí)施例中，所述偏移側(cè)墻的厚度可以小到80埃。
[0052]可選地，在所述NMOS虛擬柵極以及PMOS虛擬柵極兩側(cè)執(zhí)行LDD離子注入步驟并活化。
[0053]可選地，在所述NMOS虛擬柵極的間隙壁上和所述PMOS虛擬柵極的偏移側(cè)墻上形成間隙壁。
[0054]具體地，在所形成的偏移側(cè)墻上形成間隙壁(Spacer)，所述間隙壁可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一種或者它們組合構(gòu)成。作為本實(shí)施例的一中實(shí)施方式，所述間隙壁為氧化硅、氮化硅共同組成，具體工藝為:在半導(dǎo)體襯底上形成第一氧化硅層、第一氮化硅層以及第二氧化硅層，然后采用蝕刻方法形成間隙壁。
[0055]然后，沉積層間介電層，以覆蓋所述虛擬柵極，其中所述層間介電層可以選用常用的材料，例如在本發(fā)明中選用S12，但是需要說(shuō)明的是，層間介電層并不局限于該材料。
[0056]接著執(zhí)行步驟202，去除所述虛擬柵極，以形成虛擬開口。
[0057]具體地，在該步驟中去除PMOS虛擬柵極，然后再所述PMOS虛擬開口中形成PMOS
金屬柵極。
[0058]例如，首先在所述虛擬開口中沉積高K介電層，其中所述高K介電層可以選用本領(lǐng)域常用的介電材料，例如在HfO2中引入S1、Al、N、La、Ta等元素并優(yōu)化各元素的比率來(lái)得到的高K材料等。
[0059]形成所述高K介電層的方法可以是物理氣相沉積工藝或原子層沉積工藝。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在凹槽中形成HfAlON柵極介電層，其厚度為15到60埃。
[0060]然后在高K介電層上形成覆蓋層，所述覆蓋層可以選用TiN，進(jìn)一步，還可以在所述覆蓋層上形成擴(kuò)散阻擋層，可以是TaN層或AlN層。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在CVD反應(yīng)腔中進(jìn)行所述TaN層或AlN層的沉積，所選擇的工藝條件包括壓強(qiáng)為1-100乇，溫度為500-1000攝氏度。所沉積的TaN層或AlN層具有10-50埃的厚度。
[0061]最后形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層可以是鋁層，也可以是銅或鎢層。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中使用Al形成所述導(dǎo)電層，可以用CVD或PVD的方法進(jìn)行沉積。在該導(dǎo)電層形成之后，在300-500攝氏度溫度下進(jìn)行退火。其在含氮環(huán)境中反應(yīng)的時(shí)間為10-60分鐘。
[0062]在形成PMOS虛擬柵極之后，形成NMOS虛擬柵極，首先去除所述NMOS虛擬柵極，在去除NMOS虛擬柵極之后得到NMOS虛擬開口，所述NMOS虛擬開口的側(cè)壁上殘留大量的蝕刻聚合物。
[0063]執(zhí)行步驟203，將包含半導(dǎo)體器件的晶圓101固定，固定在中心固定裝置102上。
[0064]具體地，如圖1a所示，在該步驟中，將所述晶圓101固定在所述清洗裝置上，然后選用NMP對(duì)所述NMOS虛擬開口的側(cè)壁進(jìn)行清洗，以去除在蝕刻虛擬柵極過(guò)程中在所述虛擬開口側(cè)壁上殘留的聚合物。
[0065]可選地，在該步驟中，選用所述NMP進(jìn)行清洗的溫度大于25°C。
[0066]進(jìn)一步，可選地選用所述NMP進(jìn)行清洗的轉(zhuǎn)數(shù)為450-550rpm，例如所述轉(zhuǎn)數(shù)為500rpm。但是并不局限于該數(shù)值范圍。
[0067]進(jìn)一步，可選地在步驟中可以選用噴管混合模式對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗。
[0068]執(zhí)行步驟204，選用含有O3的去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗，以去除殘留的NMP微粒。
[0069]具體的，如圖1b所示，在該步驟中所述含有O3的去離子水的濃度可以選用1-1OOppm0
[0070]可選地，在該步驟中選用較低的轉(zhuǎn)數(shù)對(duì)所述器件進(jìn)行清洗，例如選用清洗裝置最低轉(zhuǎn)數(shù)附近的轉(zhuǎn)數(shù)進(jìn)行清洗，轉(zhuǎn)數(shù)越低越能更徹底的去除NMP微粒。
[0071]可選地，在本發(fā)明中選用所述含有O3的去離子水進(jìn)行清洗時(shí)的轉(zhuǎn)數(shù)為300_400rpm，例如選用 305rpm。
[0072]進(jìn)一步，可選地在步驟中可以選用噴管混合模式對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗。
[0073]可選地，在該步驟中，選用所述含有O3的去離子水進(jìn)行清洗的溫度大于25°C。
[0074]執(zhí)行步驟205，對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行離心干燥。
[0075]具體的，如圖1c所示，在該步驟中，所述離心干燥的轉(zhuǎn)數(shù)為>1000rpm。
[0076]可選地，所述離心干燥的轉(zhuǎn)數(shù)為1500rpm。
[0077]在所述步驟之后還可以進(jìn)一步包含形成NMOS金屬柵極的步驟。
[0078]至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制備的相關(guān)步驟的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實(shí)施例的制備方法還可以在上述各個(gè)步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。
[0079]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，選用NMP對(duì)半導(dǎo)體器件(例如NMOS中虛擬開口的側(cè)壁)進(jìn)行清洗之后，進(jìn)一步選用含有03的去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗，以代替現(xiàn)有技術(shù)中去離子水的清洗，通過(guò)所述方法不僅能夠去除所述半導(dǎo)體器件在蝕刻過(guò)程中殘留的聚合物，而且還能去除在NMP清洗過(guò)程中NMP微粒的殘留，如圖2b所示，使半導(dǎo)體器件具有更好的輪廓，提高了所述半導(dǎo)體器件的性能和良率。
[0080]參照?qǐng)D3，其中示出了本發(fā)明制備所述半導(dǎo)體器件的工藝流程圖，用于簡(jiǎn)要示出整個(gè)制造工藝的流程，包括以下步驟:
[0081]步驟S1:選用NMP對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗，以去除所述半導(dǎo)體器件在蝕刻過(guò)程中形成的殘留物；
[0082]步驟S2:選用含有O3的去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗，以去除所述步驟SI中殘留的NMP微粒。
[0083]實(shí)施例2
[0084]本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件選用實(shí)施例1所述的方法制備。通過(guò)本發(fā)明所述方法制備得到的半導(dǎo)體器件中不存在殘留的聚合物、以及清洗過(guò)程中清洗試劑微粒的殘留，使所述半導(dǎo)體器件的側(cè)壁輪廓更好，進(jìn)一步提高了所述半導(dǎo)體器件的性能和良率。
[0085]實(shí)施例3
[0086]本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括實(shí)施例2所述的半導(dǎo)體器件。其中，半導(dǎo)體器件為實(shí)施例2所述的半導(dǎo)體器件，或根據(jù)實(shí)施例1所述的制備方法得到的半導(dǎo)體器件。
[0087]本實(shí)施例的電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、V⑶、DVD、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、MP3、MP4、PSP等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括所述半導(dǎo)體器件的中間產(chǎn)品。本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置，由于使用了上述的半導(dǎo)體器件，因而具有更好的性能。
[0088]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括: 步驟S1:選用NMP對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗，以去除所述半導(dǎo)體器件在蝕刻過(guò)程中形成的殘留物； 步驟S2:選用含有O3的去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗，以去除所述步驟SI中殘留的NMP微粒。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述含有O3的去離子中03的濃度為l-100ppm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，選用所述含有O3的去離子水進(jìn)行清洗時(shí)的轉(zhuǎn)數(shù)為300-400rpm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，選用噴管混合模式對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行清洗。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟SI和/或所述步驟S2中，所述清洗溫度大于25°C。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟SI中，選用所述NMP進(jìn)行清洗的轉(zhuǎn)數(shù)為450-550rpm。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進(jìn)一步包括: 步驟S3:對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行離心干燥。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述離心干燥的轉(zhuǎn)數(shù)為>1000rpm。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟SI中，所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底以及在所述半導(dǎo)體襯底上去除虛擬柵極之后形成的虛擬開口，選用所述NMP對(duì)所述虛擬開口的側(cè)壁進(jìn)行清洗。10.一種基于權(quán)利要求1至9之一所述的方法制備得到的半導(dǎo)體器件。11.一種電子裝置，包括權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK105845547SQ201510021532
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年1月15日
【發(fā)明人】梁海慧
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司