有機(jī)發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光器件，該器件包括依序?qū)盈B的基板層、第一電極層、發(fā)光層、第二電極層，還包括設(shè)置于第一電極層、發(fā)光層之間，或第二電極層、發(fā)光層之間的阻擋層，阻擋層包括發(fā)光主體材料，發(fā)光材料的三線態(tài)能級(jí)T1≥2.5ev。本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光器件由于設(shè)有包括發(fā)光主體材料的阻擋層，發(fā)光主體材料具有很高的三線態(tài)能級(jí)T1，當(dāng)作為阻擋層時(shí)，能夠阻擋三線態(tài)激子的擴(kuò)散，減少激子淬滅，從而提高有機(jī)發(fā)光器件的壽命。
【專利說(shuō)明】
有機(jī)發(fā)光器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體是指一種有機(jī)發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002] 由于AM0L抓（Active-matrix organic light emitting diode的縮寫，簡(jiǎn)稱 AMOLED)顯示面板相對(duì)于LCD面板具有自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、反應(yīng)速度快、廣視角、色飽 和度高、對(duì)比度高、輕薄等優(yōu)點(diǎn)，越來(lái)越多的智能手機(jī)W及可穿戴設(shè)備，都開(kāi)始采用AM化抓 面板。
[0003] 隨著大規(guī)模的應(yīng)用，對(duì)AM化ED的性能提出了更多更高的要求，如低電壓、高亮度、 高效率、低能耗、長(zhǎng)壽命等等。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光器件，W解決現(xiàn)有技術(shù)中AM化抓器件壽命短的技術(shù)問(wèn) 題。
[0005] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種有機(jī)發(fā)光器件，所 述器件包括：
[0006] 依序?qū)盈B的基板層、第一電極層、發(fā)光層、第二電極層，
[0007] 還包括設(shè)置于所述第一電極層、發(fā)光層之間，或第二電極層、發(fā)光層之間的阻擋 層，所述阻擋層包括發(fā)光主體材料，所述發(fā)光材料的Ξ線態(tài)能級(jí)T1 ^ 2.5ev。
[000引根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述第一電極層、第二電極層分別是陽(yáng)極層、陰極層；
[0009] 進(jìn)一步包括設(shè)置于所述阻擋層與所述陰極層之間的電子傳輸層，所述阻擋層與所 述電子傳輸層的最低未占分子軌道能級(jí)之差小于〇.2ev，所述阻擋層與所述電子傳輸層的 最高占據(jù)分子軌道能級(jí)之差大于0.2ev。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述發(fā)光層由第一發(fā)光主體材料和憐光發(fā)光滲雜劑制成， 所述阻擋層由第一發(fā)光主體材料制成。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述第一發(fā)光主體材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為
[0012]
[0013]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述第一發(fā)光主體材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為
[0014] ~··^
.C
[0015] 根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述第一發(fā)光主體材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為
[0016]
[0017] 根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述發(fā)光層由第一發(fā)光主體材料、第二發(fā)光主體材料和憐 光發(fā)光滲雜劑制成，所述阻擋層由第一發(fā)光主體材料制成。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述第一發(fā)光主體材料、所述第二發(fā)光主體材料W及所述 憐光發(fā)光滲雜劑的膜厚比為5:5:1。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述第二主體發(fā)光材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為
[0020]
[0021 ]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，所述阻擋層的厚度范圍為Inm~30nm。
[0022] 本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光器件由于 設(shè)有包括發(fā)光主體材料的阻擋層，發(fā)光主體材料具有很高的Ξ線態(tài)能級(jí)T1，當(dāng)作為阻擋層 時(shí)，能夠阻擋Ξ線態(tài)激子的擴(kuò)散，減少激子澤滅，從而提高有機(jī)發(fā)光器件的壽命。
【附圖說(shuō)明】
[0023] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使 用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可W根據(jù)運(yùn)些附圖獲得其他 的附圖，其中：
[0024] 圖1是本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光器件第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖2是本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光器件第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖3是本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光器件第Ξ實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖4是本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光器件第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0029] 請(qǐng)參閱圖1，圖1是本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光器件第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030] 如圖1所示，該有機(jī)發(fā)光器件100包括依序?qū)盈B的基板層110、第一電極層120、發(fā)光 層130、第二電極層140,還包括設(shè)置于第一電極層120、發(fā)光層130之間的阻擋層150,阻擋層 150包括發(fā)光主體材料，發(fā)光主體材料的Ξ線態(tài)能級(jí)T1含2.5ev，其中Ξ線態(tài)能級(jí)T1最大能 達(dá)到3.0ev或W上，其中一個(gè)具體應(yīng)用例中，Ξ線態(tài)能級(jí)T1可W為2.8ev。
[0031] 本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光器件100由于設(shè)有包括發(fā)光主體材料的阻擋層150,發(fā)光主 體材料具有很高的=線態(tài)能級(jí)T1，當(dāng)作為阻擋層150時(shí)，能夠阻擋Ξ線態(tài)激子的擴(kuò)散，減少 激子澤滅，從而提高有機(jī)發(fā)光器件的壽命。
[0032] 基板層110是透明基板，可W是玻璃基板也可W是柔性基板，其中柔性基板采用聚 醋類、聚酷亞胺類化合物中的一種或多種材料制成。
[0033] 第一電極層120為陽(yáng)極層，該陽(yáng)極層120可W采用無(wú)機(jī)材料或有機(jī)導(dǎo)電聚合物，其 中無(wú)機(jī)材料為金屬或金屬氧化物，金屬為功函數(shù)較高的金屬，包括金、銅、銀等，金屬氧化物 具體為氧化銅錫（IT0)、氧化鋒、氧化錫鋒等；有機(jī)導(dǎo)電聚合物為聚嚷吩、聚乙締基苯橫酸 鋼、聚苯胺中的一種材料。
[0034] 第二電極層140為陰極層，該陰極層140可W采用金屬或者金屬合金，其中金屬為 功函數(shù)較低的金屬，包括裡、儀、巧、鎖、侶、銅等，金屬合金為功函數(shù)較低的金屬合金或它們 與金、銀、銅的合金，還有其他實(shí)施例，采用金屬與金屬氣化物交替形成的陰極層，如氣化裡 與金屬銀、氣化裡與金屬侶形成的陰極層。
[0035] 發(fā)光層130由第一發(fā)光主體材料和憐光發(fā)光滲雜劑制成，阻擋層150由第一發(fā)光主 體材料制成。
[0036] 阻擋層的厚度范圍為Inm~30nm，進(jìn)一步可W為5nm~lOnm。
[0037] (1)應(yīng)用例一
[003引本應(yīng)用例中，有機(jī)發(fā)光器件100的發(fā)光層130和阻擋層150的第一發(fā)光主體材料為 冊(cè)ST1，憐光發(fā)光滲雜劑為綠色憐光染料Dopantl，憐光發(fā)光滲雜劑Dopantl在發(fā)光層130的 膜厚度百分比為10%，其中HOSTl的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為
〕opantl 的化學(xué)結(jié)構(gòu)式呆
[0039] (2)應(yīng)用例二
[0040] 本應(yīng)用例的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與應(yīng)用例一相同，不同的是，第一發(fā)光主體材料 為冊(cè)ST2,其中冊(cè)ST2的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為
[0041]
[0042] (3)應(yīng)用例 Ξ
[0043] 本應(yīng)用例的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與應(yīng)用例一相同，不同的是，第一發(fā)光主體材料 為冊(cè)ST3,其中冊(cè)ST3的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為
[0044]
[0045] 發(fā)光層130由第一發(fā)光主體材料、第二發(fā)光主體材料和憐光發(fā)光滲雜劑制成，阻擋 層150由第一發(fā)光主體材料制成。其中第一發(fā)光主體材料、第二發(fā)光主體材料W及憐光發(fā)光 滲雜劑的膜厚比為5:5:1。
[0046] (4)應(yīng)用例四
[0047] 本應(yīng)用例的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與應(yīng)用例一相同，不同的是，在發(fā)光層130中增加 了第二發(fā)光主體材料，第二發(fā)光主體材料為Co-冊(cè)ST，其中第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST1、第二發(fā) 光主體材料Co-冊(cè)STW及憐光發(fā)光滲雜劑Dopantl的膜厚比為5:5:1，其中Co-HOST的化學(xué)結(jié) 構(gòu)式為 [004引
[0049] (5)應(yīng)用例五
[0050] 本應(yīng)用例的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與應(yīng)用例四相同，不同的是，第一發(fā)光主體材料 為冊(cè)ST2。
[0051] (6)應(yīng)用例六
[0052] 本應(yīng)用例的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)與應(yīng)用例四相同，不同的是，第一發(fā)光主體材料 為冊(cè)ST3。
[0053] 還有其他應(yīng)用例中，可W不采用包括第一發(fā)光主體材料的阻擋層150。
[0054] 第一發(fā)光主體材料、第二發(fā)光主體材料的能級(jí)參數(shù)和遷移率見(jiàn)表1。
[0化5]
[0056]表1第一發(fā)光主體材料、第二發(fā)光主體材料的能級(jí)參數(shù)和遷移率 [0化7] 其中，H0M0(Hi曲est Occupied Molecular Orbital的縮寫）為最高占據(jù)分子軌 道，LUMCKLowest化occupied Molecular化b;Ual的縮寫）為最低未占分子軌道，單線態(tài)能 級(jí)S1是最低未占分子軌道(LUM0)能級(jí)與最高占據(jù)分子軌道化0M0)能級(jí)的差值。
[005引從表1的數(shù)據(jù)可W看出，第一發(fā)光主體材料和第二發(fā)光主體材料具有很好的雙極 性，其有利于電子和空穴的注入及復(fù)合，使激子復(fù)合的區(qū)域?qū)?，可W提高有機(jī)發(fā)光器件的壽 命，同時(shí)第一發(fā)光主體材料和第二發(fā)光主體材料具有很高的Ξ線態(tài)能級(jí)T1，當(dāng)作為阻擋層 時(shí)，能夠阻擋Ξ線態(tài)激子的擴(kuò)散，減少激子澤滅，從而可W提高有機(jī)發(fā)光器件的壽命。
[0059] 請(qǐng)參閱圖2,本實(shí)施例中的有機(jī)發(fā)光器件200的阻擋層250設(shè)在第二電極層240、發(fā) 光層230之間。
[0060] 請(qǐng)參閱圖3,圖3是本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光器件第Ξ實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0061] 第一電極層320、第二電極層340分別是陽(yáng)極層、陰極層;進(jìn)一步包括設(shè)置于阻擋層 350與陰極層340之間的電子傳輸層360,阻擋層350與電子傳輸層360的最低未占分子軌道 化UM0)能級(jí)之差小于0.2ev，阻擋層350與電子傳輸層360的最高占據(jù)分子軌道化0M0)能級(jí) 之差大于〇.2ev。
[0062] 本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件中，基板層、陽(yáng)極層、發(fā)光層、陰極層和阻擋層作為必要層， 但在必要層W外的層中，還可W包括空穴注入輸送層、電子注入輸送層，其中，空穴注入輸 送層是指空穴注入層和空穴輸送層中的任一者或兩者，電子注入輸送層是指電子注入層和 電子輸送層中的任一者或兩者。
[0063] 請(qǐng)一并參閱圖4,有機(jī)發(fā)光器件400為具體實(shí)施例，W下實(shí)施例中的有機(jī)發(fā)光器件 的結(jié)構(gòu)W此為參考。
[0064] 有機(jī)發(fā)光器件400包括基板層410、陽(yáng)極層420、空穴注入層490、空穴傳輸層480、發(fā) 光層430、阻擋層450、電子傳輸層460、電子注入層470 W及陰極層440。
[00化](7)應(yīng)用例屯
[0066] 基板層410采用的是玻璃基板，陽(yáng)極層420采用的是氧化銅錫（IT0)，空穴注入層 490采用的是HAT(CN)6,空穴傳輸層480采用的是merck公司的HTM081，發(fā)光層430采用的是 第一發(fā)光主體H0ST1和憐光發(fā)光滲雜劑Dopantl，阻擋層450采用的是第一發(fā)光主體冊(cè)ST1， 電子傳輸層460采用的是BPhen，電子注入層470采用的是LiF，陰極層440采用的是侶。
[0067] 其中，HAT(CN)6的化學(xué)結(jié)構(gòu)式戈
HTM081的具體成分為merck 公司的商業(yè)秘密。B化en的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為
[0068] 有機(jī)發(fā)光器件400的制作方法主要為蒸鍛法，其制作流程包括：
[0069] 一、清洗基板層410、陽(yáng)極層420
[0070] 將涂覆有IT0的玻璃基板410在清洗劑中進(jìn)行超聲波清洗，然后在去離子水中沖 洗，然后在丙酬：乙醇體積比為1:1的混合溶劑中進(jìn)行超聲清洗，然后在潔凈環(huán)境下進(jìn)行烘 烤，烘烤溫度范圍為130°C~220°C，時(shí)間為一至兩個(gè)小時(shí)，然后用紫外線光和臭氧進(jìn)行清 洗，然后用低能陽(yáng)離子束轟擊IT0的表面，使得玻璃基板410的IT0帶有陽(yáng)極，形成陽(yáng)極層 420。
[0071] 二、蒸鍛其他層
[0072] 將處理后的涂覆有IT0的玻璃基板410置于真空腔內(nèi)，抽真空至1 X 10-6至2 X 10一4Pa，在ΙΤ0的陽(yáng)極表面上真空蒸鍛HAT(CN)6作為空穴注入層490,其中蒸鍛速率范圍為 0.0 Inm/s~0.1皿/s，蒸鍛厚度的范圍為1皿~10皿，本應(yīng)用例采用蒸鍛速率為0.05nm/s，蒸 鍛厚度為5nm。
[0073] 在空穴注入層490表面蒸鍛HTM081作為空穴傳輸層480，其中蒸鍛速率范圍為 0.0 lnm/s~0.2皿/s，蒸鍛厚度的范圍為10皿~30皿，本應(yīng)用例采用蒸鍛速率為0.1 nm/s，蒸 鍛厚度為20nm。
[0074] 在空穴傳輸層480表面真空蒸鍛第一發(fā)光主體材料HOSTl和憐光發(fā)光滲雜劑 Dopantl作為發(fā)光層430,憐光發(fā)光滲雜劑Dopantl在發(fā)光層430的膜厚度百分比為10%，其 中W雙源共蒸的方式真空蒸鍛第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST1和憐光發(fā)光滲雜劑Dopantl，其中第 一發(fā)光主體材料冊(cè)ST1蒸鍛速率范圍為0.05nm/s~0.5nm/s，憐光發(fā)光滲雜劑Dopantl蒸鍛 速率范圍為0.005皿/s~0.05皿/s，蒸鍛總厚度的范圍為10皿~50皿，各個(gè)材料的厚度按蒸 鍛速率比例分配;本應(yīng)用例第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST1采用蒸鍛速率為O.lnm/s，憐光發(fā)光滲 雜劑Dopantl采用蒸鍛速率為0.0 lnm/s，蒸鍛總厚度為30nm。
[0075] 在發(fā)光層430表面真空蒸鍛第一發(fā)光主體材料作為阻擋層450,其中蒸鍛速率范圍 為0 . Olnm/s~0.2皿/s，蒸鍛厚度的范圍為1皿~lOnm，本應(yīng)用例采用蒸鍛速率為0.1皿/s， 蒸鍛厚度為5nm。
[0076]在阻擋層450表面真空蒸鍛B(tài)phen作為電子傳輸層460，其中蒸鍛速率范圍為 0.0 lnm/s~0.2皿/s，蒸鍛厚度的范圍為10皿~30皿，本應(yīng)用例采用蒸鍛速率為0.1 nm/s，蒸 鍛厚度為20nm。
[0077] 在電子傳輸層460表面真空蒸鍛氣化裡作為電子注入層470,其中蒸鍛速率范圍為 0.005nm/s~0.1 nm/s，蒸鍛厚度的范圍為0.1皿~5皿，本應(yīng)用例采用蒸鍛速率為0.Olnm/s， 蒸鍛厚度為〇.5nm。
[0078] 在電子注入層470表面真空蒸鍛侶作為陰極層440,其中蒸鍛速率范圍為0.005皿/ S~0.5nm/s，蒸鍛厚度的范圍為100皿~2(K)nm，本應(yīng)用例采用蒸鍛速率為0.1皿/s，厚度為 150nm，陰極層440的厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其他層的厚度，因?yàn)殛帢O層440需要做到全反射條件。
[0079] W上各個(gè)層的真空蒸鍛工藝可W不在一個(gè)真空腔內(nèi)，每個(gè)真空腔內(nèi)抽真空至1 X 1〇-6至 2X10-咕曰。
[0080] (8)應(yīng)用例八
[0081] 本應(yīng)用例的蒸鍛方式及厚度與應(yīng)用例屯相同，不同的是，將發(fā)光層430和阻擋層 450的第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST1換成第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST2。
[0082] (9)應(yīng)用例九
[0083] 本應(yīng)用例的蒸鍛方式及厚度與應(yīng)用例屯相同，不同的是，將發(fā)光層430和阻擋層 450的第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST1換成第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST3。
[0084] (10)應(yīng)用例十
[0085] 本應(yīng)用例的蒸鍛方式及厚度與應(yīng)用例屯相同，不同的是，將發(fā)光層的第一發(fā)光主 體材料冊(cè)ST1換成第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST1和第二發(fā)光主體材料Co-冊(cè)ST。
[0086] 具體為，在空穴傳輸層480表面真空蒸鍛第一發(fā)光主體材料H0ST1、第二發(fā)光主體 材料Co-冊(cè)ST和憐光發(fā)光滲雜劑Dopantl作為發(fā)光層430,其中第一發(fā)光主體材料H0ST1、第 二發(fā)光主體材料Co-HOSTW及憐光發(fā)光滲雜劑Dopantl在發(fā)光層430中的膜厚比為5:5:1。W Ξ源共蒸的方式真空蒸鍛第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST1、第二發(fā)光主體材料Co-冊(cè)ST和憐光發(fā)光 滲雜劑Dopantl,其中第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST1蒸鍛速率范圍為0.05皿/s~0.5皿/s，第二發(fā) 光主體材料Co-冊(cè)ST蒸鍛速率范圍為0.05nm/s~0.5nm/s憐光發(fā)光滲雜劑Dopantl蒸鍛速率 范圍為0.005nm/s~0.05nm/s，蒸鍛總厚度的范圍為lOnm~50nm，各個(gè)材料的厚度按蒸鍛速 率比例分配，本應(yīng)用例第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST1采用蒸鍛速率為O.lnm/s，第二發(fā)光主體材 料Co-冊(cè)ST采用蒸鍛速率為ο. Inm/s，憐光發(fā)光滲雜劑Dopant 1采用蒸鍛速率為ο. 02nm/s，蒸 鍛總厚度為30nm。
[0087] (11)應(yīng)用例^
[0088] 本應(yīng)用例的蒸鍛方式及厚度與應(yīng)用例十相同，不同的是，將發(fā)光層430和阻擋層 450的第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST1換成第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST2。
[0089] (12)應(yīng)用例十二
[0090] 本應(yīng)用例的蒸鍛方式及厚度與應(yīng)用例十相同，不同的是，將發(fā)光層430和阻擋層 450的第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST1換成第一發(fā)光主體材料冊(cè)ST3。
[0091] (13)對(duì)比例一
[0092] 本對(duì)比例的蒸鍛方式及厚度與應(yīng)用例屯相同，不同的是，不采用由第一發(fā)光主體 材料冊(cè)ST1制成的阻擋層450。
[0093] 各個(gè)應(yīng)用例與對(duì)比例的有機(jī)發(fā)光器件400獲得的性能參數(shù)見(jiàn)表2。
[0094]
[00M]表2有機(jī)發(fā)光器件獲得的性能參數(shù)
[0096] 從表2的數(shù)據(jù)可W看出，取色坐標(biāo)(0.32,0.61)為參考，應(yīng)用例屯、應(yīng)用例八、應(yīng)用 例九與對(duì)比例一（沒(méi)有阻擋層450)相比，電壓和電流效率基本相同，其中有機(jī)發(fā)光器件400 的壽命延長(zhǎng)一倍，其原因在于，第一發(fā)光主體材料具有很高的Ξ線態(tài)能級(jí)T1，當(dāng)作為阻擋層 450時(shí)，能夠阻擋Ξ線態(tài)激子的擴(kuò)散，減少激子澤滅，從而可W提高有機(jī)發(fā)光器件400的壽 命;應(yīng)用例十、應(yīng)用例十一、應(yīng)用例十二與對(duì)比例一相比，當(dāng)采用第一發(fā)光主體材料和第二 發(fā)光主體材料時(shí)，激子的復(fù)合區(qū)域得到了進(jìn)一步的改善，從而進(jìn)一步提高了有機(jī)發(fā)光器件 400的壽命，其中有機(jī)發(fā)光器件400的壽命又延長(zhǎng)一倍。
[0097] 綜上所述，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光器件由于設(shè)有包括 發(fā)光主體材料的阻擋層，發(fā)光主體材料具有很高的Ξ線態(tài)能級(jí)T1，當(dāng)作為阻擋層時(shí)，能夠阻 擋Ξ線態(tài)激子的擴(kuò)散，減少激子澤滅，從而提高有機(jī)發(fā)光器件的壽命。
[0098] W上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā) 明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技 術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，所述器件包括： 依序?qū)盈B的基板層、第一電極層、發(fā)光層、第二電極層， 還包括設(shè)置于所述第一電極層、發(fā)光層之間，或第二電極層、發(fā)光層之間的阻擋層，所 述阻擋層包括發(fā)光主體材料，所述發(fā)光材料的三線態(tài)能級(jí)T1 2 2.5ev。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于， 所述第一電極層、第二電極層分別是陽(yáng)極層、陰極層； 進(jìn)一步包括設(shè)置于所述阻擋層與所述陰極層之間的電子傳輸層，所述阻擋層與所述電 子傳輸層的最低未占分子軌道能級(jí)之差小于〇 .2ev，所述阻擋層與所述電子傳輸層的最高 占據(jù)分子軌道能級(jí)之差大于〇.2ev。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述發(fā)光層由第一發(fā)光主體材料和磷 光發(fā)光摻雜劑制成，所述阻擋層由第一發(fā)光主體材料制成。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一發(fā)光主體材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一發(fā)光主體材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一發(fā)光主體材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述發(fā)光層由第一發(fā)光主體材料、第二 發(fā)光主體材料和磷光發(fā)光摻雜劑制成，所述阻擋層由第一發(fā)光主體材料制成。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其特征在于，所述第一發(fā)光主體材料、所述第二發(fā)光主 體材料以及所述磷光發(fā)光摻雜劑的膜厚比為5:5:1。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其特征在于，所述第二主體發(fā)光材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述阻擋層的厚度范圍為lnm~30nm。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK105870350SQ201610437513
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年6月17日
【發(fā)明人】湯金明
【申請(qǐng)人】武漢華星光電技術(shù)有限公司