薄膜晶體管基板及具有薄膜晶體管基板的觸控顯示面板的制作方法
【專利摘要】一種薄膜晶體管基板包括基板、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、設(shè)置于薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上的第一透明導(dǎo)電層、第二透明導(dǎo)電層以及設(shè)置于第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電層。所述基板上設(shè)置有薄膜晶體管。所述導(dǎo)電層定義多個觸控電極區(qū)域。所述觸控電極區(qū)域包括多條沿第一方向延伸的第一線路和多條沿第二方向延伸的第二線路。所述第一方向與第二方向相垂直。所述第一線路和第二線路設(shè)置于第二透明導(dǎo)電層或?qū)щ妼由?，且二者之間電性連接。所述多條第一線路和多條第二線路交叉定義成網(wǎng)格狀設(shè)置的多個觸控電極。
【專利說明】
薄膜晶體管基板及具有薄膜晶體管基板的觸控顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種內(nèi)嵌式觸控顯示面板裝置及其薄膜晶體管基板。
【背景技術(shù)】
[0002] 內(nèi)嵌式觸控顯示技術(shù)為觸控領(lǐng)域的重要技術(shù)，內(nèi)嵌式觸控面板具有更為輕薄的技 術(shù)優(yōu)勢。內(nèi)嵌式觸控顯示面板中包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。其中，薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括基本、設(shè) 置于基板上的柵極、覆蓋基板和柵極的第一絕緣層、設(shè)置于第一絕緣層上的源極和漏極、覆 蓋第一絕緣層、源極以及漏極的第二絕緣層、設(shè)置于第二絕緣層上的金屬層、覆蓋于金屬層 和第二絕緣層上的第三絕緣層、設(shè)置于第三絕緣層上第一透明電極層、覆蓋第一透明電極 層的第四絕緣層、以及覆蓋于第四絕緣層上的第二透明電極層。柵極、源極和漏極構(gòu)成一薄 膜晶體管。薄膜晶體管作為控制觸控顯示面板的像素開關(guān)控制元件。第一透明導(dǎo)電層以及 第二導(dǎo)電層配合形成多個觸摸電極。當(dāng)觸摸所述觸控顯示面板時，利用觸摸電極識別觸摸 位置。金屬層位于源極和漏極上方，用于根據(jù)觸摸操作產(chǎn)生觸摸信號給讀取電路，以使得讀 取電路可根據(jù)觸摸信號的變化感測觸摸位置。由于金屬層位于源極和漏極上方，且具有重 疊面積。因此，造成觸控狀態(tài)和顯示狀態(tài)分時工作。對于解析度的提升顯示狀態(tài)所需時間增 加，使得觸摸時間的不足，進而導(dǎo)致觸摸顯示面板的性能降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，有必要提供一種提高觸摸顯示性能之薄膜晶體管基板。
[0004] -種薄膜晶體管基板包括基板、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、設(shè)置于薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上的第 一透明導(dǎo)電層、第二透明導(dǎo)電層以及設(shè)置于第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電 層。所述基板上設(shè)置有薄膜晶體管。所述導(dǎo)電層定義多個觸控電極區(qū)域。所述觸控電極區(qū)域 包括多條沿第一方向延伸的第一線路和多條沿第二方向延伸的第二線路。所述第一方向與 第二方向相垂直。所述第一線路和第二線路設(shè)置于第二透明導(dǎo)電層或?qū)щ妼由?，且二者?間電性連接。所述多條第一線路和多條第二線路交叉定義成網(wǎng)格狀設(shè)置的多個觸控電極。
[0005] 此外，還有必要提供一種提高觸摸顯示性能的具有上述薄膜晶體管基板的觸摸顯 示面板。
[0006] 采用上述之薄膜晶體管基板之觸控顯示面板，通過在柵極線和源極線上方分別設(shè) 置第一線路和第二線路，使得觸控線路和顯示線路獨立設(shè)置，進而避免觸控狀態(tài)和顯示狀 態(tài)分時工作，并提高了觸摸顯示面板的性能。
【附圖說明】
[0007] 圖1為第一實施方式之薄膜晶體管基板之剖面示意圖。
[0008] 圖2為圖1所示之導(dǎo)電層的第一金屬線路的平面示意圖。
[0009] 圖3為圖2所示之第一金屬線路和透明導(dǎo)電線路相配合的部分平面示意圖。
[0010] 圖4為圖3中IV部分的放大示意圖。
[0011] 圖5為圖3中V部分的放大示意圖。
[0012] 圖6為圖4第一金屬線路、透明導(dǎo)電線路與黑矩陣的平面示意圖。
[0013] 圖7及圖8為第二實施方式之薄膜晶體管基板之金屬層的平面示意圖。
[0014]圖9及圖10為第三實施方式之薄膜晶體管基板之金屬層的平面示意圖。
[0015] 圖11及圖12為第四實施方式之薄膜晶體管基板之第二透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電線 路的平面示意圖。
[0016] 圖13及圖14為第五實施方式之薄膜晶體管基板之第二透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電線 路的平面示意圖。
[0017] 主要元件符號說明

如下【具體實施方式】將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
【具體實施方式】
[0018] 請參閱圖1，圖1是本發(fā)明具體實施例的薄膜晶體管基板100的剖面示意圖?？梢岳?解地，圖1僅示意處該薄膜晶體管100的部分(如該薄膜晶體管100-個像素位置處的剖面 圖），薄膜晶體管1〇〇可包含多個由圖1中所示部分一體連接的多個像素部分。在本實施方式 中，薄膜晶體管基板1〇〇可應(yīng)用于內(nèi)嵌式觸控液晶顯示面板。
[0019] 薄膜晶體管基板100包括基板110、設(shè)置于該基板110上的第一金屬層120、覆蓋該 基板110和第一金屬層120的第一絕緣層101、設(shè)置于第一絕緣層101上的半導(dǎo)體層130、設(shè)置 于第一絕緣層101和半導(dǎo)體層130上的第二絕緣層102、覆蓋第二絕緣層102上的第三絕緣層 103、設(shè)置于第三絕緣層103上的第一透明導(dǎo)電層150、覆蓋第三絕緣層103和第一透明導(dǎo)電 層150的第四絕緣層104、設(shè)置于第四絕緣層104上的導(dǎo)電層160、覆蓋導(dǎo)電層160的第五絕緣 層105、設(shè)置于該第五絕緣層105上的第二透明導(dǎo)電層170。
[0020] 其中，第一金屬層120包括柵極121、第一存儲電容電極122以及與柵極121電性連 接的柵極線123(如圖4所示）。第一絕緣層101為柵極絕緣層。半導(dǎo)體層130正對柵極121上方 設(shè)置。第二金屬層140包括源極141、漏極142、與該源極141電性連接的源極線（如圖所示4) 以及第二存儲電容電極143。源極141、漏極142、半導(dǎo)體層130以及對應(yīng)的柵極121配合構(gòu)成 一個薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)結(jié)構(gòu)。該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)可作為觸控顯示 面板的像素開關(guān)控制元件。第一透明導(dǎo)電層150包括第一電極主體151。第一電極主體151開 設(shè)有第一開口 152。導(dǎo)電層160包括第一金屬線路161及第三存儲電容電極162。第三存儲電 容電極162通過貫穿第一絕緣層101及第二絕緣層102的第一穿孔106電性連接至第一存儲 電容電極122。第三存儲電容電極162還通過貫穿第二絕緣層102的第二穿孔107電性連接至 該第二存儲電容電極143。第二透明導(dǎo)電層170包括透明導(dǎo)電線路173。第一透明導(dǎo)電層150 和第二透明導(dǎo)電層170配合構(gòu)成平面電場，用于驅(qū)動位于液晶薄膜晶體管基板100上方的液 晶分子旋轉(zhuǎn)。在本實施方式中，第一金屬層120、第二金屬層140以及導(dǎo)電層160可以為不透 光的金屬材料。在本實施方式中，該第一透明導(dǎo)電層150和第二透明導(dǎo)電層170可以包括氧 化銦錫或者氧化銦鋅。在本實施方式中，第一透明導(dǎo)電層150作為公共電極層。
[0021] 請參閱圖2,導(dǎo)電層160定義多個觸控電極區(qū)域181。其中，每個觸控電極區(qū)域181大 致為矩形，該多個觸控電極區(qū)域181間隔設(shè)置，呈矩陣式排布。每個觸控電極區(qū)域181內(nèi)對應(yīng) 多條沿第一方向X延伸的第一金屬線路161。多條第一金屬線路161的長度可基本相同，且相 鄰兩條第一金屬線路161之間的間距基本一致。位于觸控電極區(qū)域181內(nèi)的多條金屬線路 161中至少有一條金屬線路161由對應(yīng)觸控電極區(qū)域181內(nèi)延伸至與讀取電路190電性連接。
[0022] 請參閱圖3為導(dǎo)電層160與第二透明導(dǎo)電層170配合的平面示意圖。薄膜晶體管基 板100還包括讀取電路190。讀取電路190設(shè)置于觸控電極區(qū)域181的下方。每個觸控電極區(qū) 域181內(nèi)進一步對應(yīng)多條沿第二方向Y延伸的透明導(dǎo)電線路173。該第二方向Y與第一方向X 垂直。多條第一金屬線路161和多條透明導(dǎo)電線路173交叉定義一呈網(wǎng)格狀的多個觸控電極 182。部分第一金屬線路161和透明導(dǎo)電線路173通過貫穿第五絕緣層105的第一通孔109電 性連接。未與透明導(dǎo)電線路173電性連接的第一金屬線路161可由觸控電極區(qū)域181內(nèi)向外 延伸與讀取電路190電性連接。在本實施方式中，觸控電極182呈矩陣排布，其為自感式的觸 控感應(yīng)結(jié)構(gòu)，用于感測施加到觸控顯示面板上的觸摸操作。在本實施方式中，觸控電極區(qū)域 181包括第一觸控電極區(qū)域181a、第二觸控電極區(qū)域181b以及第三觸控電極區(qū)域181c。
[0023] 請參閱圖4,其為第一觸控電極區(qū)域181a的放大圖。第二透明導(dǎo)電層170還包括像 素電極171。像素電極171呈梳狀。像素電極171上開設(shè)有第二開口 172。像素電極171通過貫 穿第二絕緣層102、第三絕緣層103、第四絕緣層104以及第五絕緣層105的第二通孔108與薄 膜晶體管的漏極142電性連接。在本實施方式中，第一金屬線路161與源極線144延伸方向一 致，且可位于源極線144上方，透明導(dǎo)電線路173與柵極線123延伸方向一致，且可位于柵極 線123延伸方向一致。由于每個像素可由柵極線123與源極線144所圍成的區(qū)域定義，可以理 解地，第一金屬線路161與透明導(dǎo)電線路173界定的最小區(qū)域可以看做一個像素區(qū)域。
[0024] 圖5為第二觸控電極區(qū)域181b的放大示意圖。第二觸控電極區(qū)域181b與第一觸控 電極區(qū)域181a同列設(shè)置，且位于第一觸控電極區(qū)域181a的下方。第二觸控電極區(qū)域181b內(nèi) 對應(yīng)有第二透明導(dǎo)電層170的像素電極171。像素電極171呈梳狀。像素電極171上開設(shè)有第 二開口 172。像素電極171通過貫穿第二絕緣層102、第三絕緣層103、第四絕緣層104以及第 五絕緣層105的第二通孔108與薄膜晶體管的漏極142電性連接。位于第二觸控電極區(qū)域 181b內(nèi)的多條第一金屬線路161中至少有一條未與上方的透明導(dǎo)電線路173電性連接。未與 上方的透明導(dǎo)電線路173電性連接的第一金屬線路161延伸出第二觸控電極區(qū)域181b與讀 取電路190電性連接。讀取電路190通過檢測第一金屬線路161上的信號變化獲取觸摸位置。 可以理解地，在同一列位于第二觸控電極區(qū)域181b下方的第三觸控電極區(qū)域181c也具有未 與上方的透明導(dǎo)電線路173電性連接的第一金屬線路161。在本實施方式中，第一金屬線路 161與源極線144衍生方向一致，且可位于源極線144上方，透明導(dǎo)電線路173與柵極線123延 伸方向一致，且可位于柵極線123延伸方向一致。由于每個像素可由柵極線123與源極線144 所圍成的區(qū)域定義，可以理解地，第一金屬線路161與透明導(dǎo)電線路173界定的最小區(qū)域可 以看做一個像素區(qū)域。
[0025] 具體地，觸控電極區(qū)域181中未與上方的透明導(dǎo)電線路173電性連接的第一金屬線 路161的數(shù)量沿靠近讀取電路190的方向遞增。例如，沿第二方向Y同列設(shè)置的觸控電極區(qū)域 181中，第二觸控電極區(qū)域181b中具有一條未與上方透明導(dǎo)電線路173電性連接的第一金屬 線路161，第三觸控電極區(qū)域181c具有兩條未與上方透明導(dǎo)電線路173電性連接的第一金屬 線路161。
[0026] 請參閱圖6,薄膜晶體管基板100包括黑矩陣111。黑矩陣111具有與像素對應(yīng)的開 口區(qū)域112。從平面上看，黑矩陣111覆蓋柵極線123、源極線144、第一金屬線路161以及透明 導(dǎo)電線路173。因此，具有薄膜晶體管基板100的觸控顯示面板中為損失開口率。
[0027] 在本實施方式中，像素電極171與透明導(dǎo)電線路173利用同一制程中利用同一光罩 獲得，可以達到在不增加光罩的情況下實現(xiàn)透明導(dǎo)電線路173的制作，進而簡化了制程。在 其他可變更實施方式中，透明導(dǎo)電線路173也可不與像素電極171同一制程完成制作，例如 可進一步包括具有透明導(dǎo)電線路173的第三透明導(dǎo)電層，或在導(dǎo)電層160上同時形成第一金 屬線路161和透明導(dǎo)電線路173。在本實施方式中，第一金屬線路161與第三存儲電容電極 162可在同一制程中利用同一光罩獲得，可以達到在不增加光罩的情況下實現(xiàn)第一金屬線 路161的制作，進而簡化了制程。在其他可變更實施方式中，第一金屬線路161也可不與第三 存儲電容電極162同一制程完成制作，例如可進一步包括具有第一金屬線路161的第四金屬 層。
[0028] 圖7及圖8為第二實施方式之薄膜晶體管基板100的導(dǎo)電層160的平面示意圖。其 中，可以理解，圖7及圖8中，右部分圖為左部分VII部分和VIII部分的放大示意圖。其中，第 二實施方式的薄膜晶體管基板200與第一實施方式中的薄膜晶體管基板100相類似，二者的 主要區(qū)別在于:薄膜晶體管基板200的導(dǎo)電層260與第一實施方式中的導(dǎo)電層160不同。導(dǎo)電 層260定義多個大致呈矩陣排列的觸控電極區(qū)域281。觸控電極區(qū)域281包括多條沿第一方 向X延伸的第一金屬線路261及多條沿第二方向Y延伸且與第一金屬線路261垂直的第二金 屬線路262。多條第一金屬線路261與多條第二金屬線路262在交叉處電連接構(gòu)成網(wǎng)格狀觸 控電極282。其中，每個觸控電極區(qū)域281內(nèi)的觸控電極282的數(shù)量沿對應(yīng)觸控電極區(qū)域281 與讀取電路290之間的距離成反比，即越靠近讀取電路290的觸控電極區(qū)域281內(nèi)的觸控電 極282的數(shù)量小于遠離讀取電路290的觸控電極區(qū)域281內(nèi)的觸控電極282的數(shù)量。每個觸控 電極區(qū)域281延伸出一條用于電連接至讀取電路290的第一金屬線路261a。本實施方式中， 位于同列的觸控電極區(qū)域281中延伸出來的第一金屬線路261a均位于對應(yīng)觸控電極282的 同一側(cè)，如左側(cè)。另外，本實施方式中，由于導(dǎo)電層260已包括沿第二方向Y延伸的第二金屬 線路262,故該第二透明導(dǎo)電層270可以不包括第一實施方式所示的透明導(dǎo)電線路173。 [0029]圖9及圖10為第三實施方式之薄膜晶體管基板300的導(dǎo)電層360的平面示意圖。其 中，可以理解，圖9及圖10中，右部分圖為左部分IX部分和X部分的放大示意圖。其中，第二三 實施方式的薄膜晶體管基板300與第一實施方式中的薄膜晶體管基板100相類似，二者的主 要區(qū)別在于:薄膜晶體管基板300的導(dǎo)電層360與第一實施方式中的導(dǎo)電層160不同。導(dǎo)電層 360定義多個大致呈矩陣排列的觸控電極區(qū)域381。觸控電極區(qū)域381包括多條沿第一方向X 延伸的第一金屬線路361及多條沿第二方向Y延伸且與第一金屬線路361垂直的第二金屬線 路362。多條第一金屬線路361與多條第二金屬線路362在交叉處電連接構(gòu)成網(wǎng)格狀觸控電 極382。其中，每個觸控電極區(qū)域381內(nèi)的觸控電極382的數(shù)量沿對應(yīng)觸控電極區(qū)域381與讀 取電路390之間的距離成反比，即越靠近讀取電路390的觸控電極區(qū)域381內(nèi)的觸控電極382 的數(shù)量小于遠離讀取電路390的觸控電極區(qū)域381內(nèi)的觸控電極382的數(shù)量。每個觸控電極 區(qū)域381延伸出一條用于電連接至讀取電路390的第一金屬線路361a。本實施方式中，位于 同列的觸控電極區(qū)域381中，每個觸控電極區(qū)域381延伸出來的第一金屬線路361位于對應(yīng) 觸控電極區(qū)域381的同一側(cè)，且與沿第一方向相鄰設(shè)置的觸控電極區(qū)域381延伸出來的第一 金屬線路361位于不同側(cè)，即觸控電極區(qū)域381延伸出來的第一金屬線路361交替設(shè)置于觸 控電極區(qū)域381。例如，位于第二排的觸控電極區(qū)域381延伸出來的第一金屬線路361位于該 觸控電極382的右側(cè)，位于第三排的觸控電極區(qū)域381延伸出來的第一金屬線路361位于該 觸控電極區(qū)域381的左側(cè)。另外，本實施方式中，由于導(dǎo)電層360已包括沿第二方向Y延伸的 第二金屬線路362,故該第二透明導(dǎo)電層370可以不包括第一實施方式所示的透明導(dǎo)電線路 173。
[0030]圖11及圖12為第四實施方式之薄膜晶體管基板400的第二透明導(dǎo)電層470的平面 示意圖。其中，可以理解，圖11及圖12中，右部分圖為左部分XI部分和XII部分的放大示意 圖。其中，第四實施方式的薄膜晶體管基板400與第一實施方式中的薄膜晶體管基板100相 類似，二者的主要區(qū)別在于:薄膜晶體管基板400的第二透明導(dǎo)電層470與第一實施方式中 的第二透明導(dǎo)電層170不同。第二透明導(dǎo)電層470定義多個大致呈矩陣排列的觸控電極區(qū)域 481。觸控電極區(qū)域481包括多條沿第一方向X延伸的第一透明導(dǎo)電線路473及多條沿第二方 向Y延伸且與第一透明導(dǎo)電線路473垂直的第二透明導(dǎo)電線路474。多條第一透明導(dǎo)電線路 473與多條第二透明導(dǎo)電線路474在交叉處電連接構(gòu)成網(wǎng)格狀觸控電極482。其中，每個觸控 電極區(qū)域481內(nèi)的觸控電極48 2的數(shù)量沿對應(yīng)觸控電極區(qū)域481與讀取電路490之間的距離 成反比，即越靠近讀取電路490的觸控電極區(qū)域481內(nèi)的觸控電極482的數(shù)量小于遠離讀取 電路490的觸控電極區(qū)域481內(nèi)的觸控電極482的數(shù)量。每個觸控電極區(qū)域481延伸出一條用 于電連接至讀取電路490的第一透明導(dǎo)電線路473a。本實施方式中，位于同列的觸控電極區(qū) 域481中延伸出來的第一透明導(dǎo)電線路473a均位于對應(yīng)觸控電極482的同一側(cè)，如左側(cè)。另 外，本實施方式中，由于第二透明導(dǎo)電層470已包括沿第一方向X延伸的第一透明導(dǎo)電線路 473,故該導(dǎo)電層160可以不包括第一實施方式所不的金屬線路161。
[0031]圖13及圖14為第三五實施方式之第二透明導(dǎo)電層560的平面示意圖。其中，可以理 解，圖13及圖14中，右部分圖為左部分XIII部分和XIV部分的放大示意圖。其中，第五實施方 式的薄膜晶體管基板500與第一實施方式中的薄膜晶體管基板100相類似，二者的主要區(qū)別 在于:薄膜晶體管基板500的第二透明導(dǎo)電層570與第一實施方式中的第二透明導(dǎo)電層170 不同。第二透明導(dǎo)電層570定義多個大致呈矩陣排列的觸控電極區(qū)域581。觸控電極區(qū)域581 包括多條沿第一方向X延伸的第一透明導(dǎo)電線路573及多條沿第二方向Y延伸且與第一透明 導(dǎo)電線路573垂直的第二透明導(dǎo)電線路574。多條第一透明導(dǎo)電線路573與多條第二透明導(dǎo) 電線路574在交叉處電連接構(gòu)成網(wǎng)格狀觸控電極582。其中，每個觸控電極區(qū)域581內(nèi)的觸控 電極582的數(shù)量沿對應(yīng)觸控電極區(qū)域581與讀取電路590之間的距離成反比，即越靠近讀取 電路590的觸控電極區(qū)域581內(nèi)的觸控電極582的數(shù)量小于遠離讀取電路590的觸控電極區(qū) 域581內(nèi)的觸控電極582的數(shù)量。每個觸控電極區(qū)域581延伸出一條用于電連接至讀取電路 590的第一透明導(dǎo)電線路573a。本實施方式中，位于同列的觸控電極區(qū)域581中，每個觸控電 極區(qū)域581延伸出來的第一透明導(dǎo)電線路573位于對應(yīng)觸控電極區(qū)域581的同一側(cè)，且與沿 第一方向相鄰設(shè)置的觸控電極區(qū)域581延伸出來的第一透明導(dǎo)電線路573位于不同側(cè)，即觸 控電極區(qū)域581延伸出來的第一透明導(dǎo)電線路561交替設(shè)置于對應(yīng)觸控電極582的不同側(cè)。 例如，位于第二排的觸控電極區(qū)域581延伸出來的第一透明導(dǎo)電線路573位于該觸控電5382 的右側(cè)，位于第三排的觸控電極區(qū)域581延伸出來的第一透明導(dǎo)電線路573位于該觸控電極 區(qū)域582的左側(cè)。另外，本實施方式中，由于第二透明導(dǎo)電層570已包括沿第一方向X延伸的 第一透明導(dǎo)電線路573,故該導(dǎo)電層160可以不包括第一實施方式所示的金屬線路161。 [0032]本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認識到，以上的實施方式僅是用來說明本發(fā)明， 而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍之內(nèi)，對以上實施例所作的 適當(dāng)改變和變化都落在本發(fā)明要求保護的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種薄膜晶體管基板，包括基板、薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、設(shè)置于薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上的第一 透明導(dǎo)電層、第二透明導(dǎo)電層以及設(shè)置于第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電 層;所述基板上設(shè)置有薄膜晶體管;其特征在于:所述導(dǎo)電層定義多個觸控電極區(qū)域;所述 觸控電極區(qū)域包括多條沿第一方向延伸的第一線路和多條沿第二方向延伸的第二線路;所 述第一方向與第二方向相垂直;所述第一線路和第二線路設(shè)置于第二透明導(dǎo)電層或?qū)щ妼?上，且二者之間電性連接;所述多條第一線路和多條第二線路交叉定義成網(wǎng)格狀設(shè)置的多 個觸控電極。2. 如權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管基板，其特征在于：所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括柵極 線、源極線以及漏極線;所述第一線路位于柵極線上方，所述第二線路位于源極線上方。3. 如權(quán)利要求2所述之薄膜晶體管基板，其特征在于:所述第一線路設(shè)置于導(dǎo)電層上； 所述第二線路設(shè)置于第二透明導(dǎo)電層上;所述第一線路通過貫穿位于二者之間的絕緣層的 第一通孔電性連接;所述第一線路和第二線路均設(shè)置于導(dǎo)電層。4. 如權(quán)利要求3所述之薄膜晶體管基板，其特征在于:所述第一通孔設(shè)置于第一線路和 第二線路的交叉處。5. 如權(quán)利要求2所述之薄膜晶體管基板，其特征在于:所述第一線路和第二線路均設(shè)置 于第二透明導(dǎo)電層上。6. 如權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管基板，其特征在于:所述至少一個觸控電極區(qū)域內(nèi)包 括至少一條未與第二線路電性連接的第一線路;所述未與第二線路電性連接的第一線路由 對應(yīng)的觸控電極區(qū)域內(nèi)向外延伸后與讀取電路電性連接。7. 如權(quán)利要求6所述之薄膜晶體管基板，其特征在于:所述多個觸控電極區(qū)域中未與上 方的透明導(dǎo)電線路電性連接的第一線路的數(shù)量沿靠近讀取電路的方向遞增;所述觸控電極 區(qū)域所述觸控電極區(qū)域內(nèi)未與第二線路電性連接的第一線路均位于對應(yīng)觸控電極區(qū)域的 同一側(cè)。8. 如權(quán)利要求6所述之薄膜晶體管基板，其特征在于:所述多個觸控電極區(qū)域中未與上 方的透明導(dǎo)電線路電性連接的第一線路的數(shù)量沿靠近讀取電路的方向遞增;所述同一觸控 電極區(qū)域?qū)?yīng)的未與第二線路電性連接的第一線路設(shè)置于所述觸控電極區(qū)域的同一側(cè)，且 與沿第一方向相鄰的觸控電極區(qū)域內(nèi)未與第二線路電性連接的第一線路位于不同側(cè)。9. 如權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管基板，其特征在于:所述第二透明導(dǎo)電層還包括呈網(wǎng) 格狀設(shè)置的多個像素電極;所述觸控電極區(qū)域內(nèi)對應(yīng)設(shè)置有一個觸控電極;所述觸控電極 通過貫穿位于第二透明導(dǎo)電層和薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之間的多層絕緣層之第二通孔與薄膜晶 體管結(jié)構(gòu)內(nèi)的漏極電性連接。10. 如權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管基板，其特征在于:所述薄膜晶體管基板還包括黑 矩陣;所述黑矩陣上開設(shè)有呈網(wǎng)格狀設(shè)置的開口區(qū)域;所述黑矩陣覆蓋第一線路和第二線 路。11. 一種觸控顯示面板至少包括如權(quán)利要求1-10中任一權(quán)利要求所述的薄膜晶體管基 板。
【文檔編號】G06F3/044GK105895657SQ201510776828
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2015年11月16日
【發(fā)明人】林俊文, 翁裕復(fù), 劉家麟
【申請人】鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司