電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容的制作方法，包括以下步驟：在硅襯底上表面生長一層第一硅氧化物；在第一硅氧化物上表面覆蓋一層光刻膠；之后進行光刻過程，在光刻膠上刻蝕出電容溝槽的開口；使用濕法刻蝕的方法進行刻蝕過程，生成電容溝槽；對溝槽進行重?fù)诫s過程，形成重?fù)诫s硅；在重?fù)诫s硅上生長第二硅氧化物；在第二硅氧化物之上、電容溝槽中，生長多晶硅。在相同的溝槽深度下，本發(fā)明所述的方法制作出來的電容結(jié)構(gòu)，電容面積大于現(xiàn)有技術(shù)，由基本的電路的原理中的電容定義可知，本發(fā)明的電容數(shù)值更大。
【專利說明】
電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路中，為了進一步減小芯片的體積，要盡量將電路中所有的原件，都集成在硅片上。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的硅電容的結(jié)構(gòu)，在圖1中，硅襯底中的溝槽是垂直方向的，如何進一步增大電容數(shù)值，是一個問題，增大電容數(shù)值可以增大電容面積，但是在現(xiàn)有技術(shù)中，對于硅襯底的刻蝕技術(shù)是有限的，使得硅襯底的溝槽的深度增加是十分困難的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明公開了一種電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容的制作方法。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0005 ] 一種電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容的制作方法，包括以下步驟:
[0006]步驟1、在硅襯底上表面生長一層第一硅氧化物；
[0007]步驟2、在第一硅氧化物上表面覆蓋一層光刻膠；之后進行光刻過程，在光刻膠上刻蝕出電容溝槽的開口；
[0008]步驟3、使用濕法刻蝕的方法進行刻蝕過程，生成電容溝槽;所述電容溝槽由溝槽開口處到底部，橫截面的面積越來越小;之后去除光刻膠；。
[0009]步驟4、對溝槽進行重?fù)诫s過程，形成重?fù)诫s硅；
[0010]步驟5、在重?fù)诫s硅上生長第二硅氧化物；
[0011 ]步驟6、在第二硅氧化物之上、電容溝槽中，生長多晶硅。
[0012]本發(fā)明的有益技術(shù)效果是:
[0013]在相同的溝槽深度下，本發(fā)明所述的方法制作出來的電容結(jié)構(gòu)，電容面積大于現(xiàn)有技術(shù)，由基本的電路的原理中的電容定義可知，本發(fā)明的電容數(shù)值更大。
【附圖說明】
[0014]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)圖。
[0015]圖2是本發(fā)明所述的方法制作出來的結(jié)構(gòu)圖。
[0016]圖3是步驟2的示意圖。
[0017]圖4是步驟3結(jié)束之后的示意圖。
【具體實施方式】
[0018]圖2是本發(fā)明所述的方法制作出來的結(jié)構(gòu)圖。如圖2所示，本發(fā)明包括硅襯底I。硅襯底I的最上層為一層第一硅氧化物2。硅襯底I上表面由豎直方向開設(shè)有溝槽。溝槽的側(cè)面為傾斜狀。由溝槽的開口處到溝槽底端，溝槽的橫截面越來越小。溝槽的高度大于溝槽的寬度最寬處。沿溝槽最內(nèi)層為一層重?fù)诫s硅3。重?fù)诫s硅3之外為一層第二硅氧化物4。第二硅氧化物4的上表面與溝槽開口處的第一硅氧化物2的內(nèi)表面對齊。在第二硅氧化物4的上表面之上、溝槽內(nèi)部，填充有多晶硅5。
[0019]在本發(fā)明所得到的結(jié)構(gòu)中，重?fù)诫s硅3和多晶硅5為導(dǎo)體，相當(dāng)于電容中的兩個相對的極板，而第二硅氧化物4為絕緣體，相當(dāng)于電容中的介質(zhì)。顯而易見，圖2與圖1相比，在同樣的高度下，顯然圖2中的斜面面積更大，所以圖2中的電容數(shù)值更大。而電容的性能與電容的形狀并無關(guān)系，所以本發(fā)明改變了電容的形狀，可增加電容的數(shù)值，但是并不影響電容性能。
[0020]本發(fā)明的制作流程為:
[0021 ]步驟1、在硅襯底上表面生長一層第一硅氧化物2;
[0022]步驟2、在第一硅氧化物2上表面覆蓋一層光刻膠21;之后進行光刻過程，在光刻膠21上刻蝕出電容溝槽的開口；圖3是步驟2的示意圖。
[0023]步驟3、使用濕法刻蝕的方法進行刻蝕過程，濕法刻蝕的溶液為HF。由于在濕法刻蝕中，位于上層溶液與溝槽的接觸面積大，所以反應(yīng)速度快，所以在濕法刻蝕的過程中，溝槽自然會形成上部截面面積大，下部截面面積小的斜面。之后去除光刻膠。圖4是步驟3結(jié)束之后的不意圖。
[0024]步驟4、對溝槽進行重?fù)诫s過程，形成重?fù)诫s硅3;
[0025]步驟5、在重?fù)诫s硅3上生長第二硅氧化物4;
[0026]步驟6、在第二硅氧化物4之上、溝槽中，生長多晶硅5。
[0027]以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，本發(fā)明不限于以上實施例?？梢岳斫猓绢I(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進和變化，均應(yīng)認(rèn)為包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、在硅襯底上表面生長一層第一硅氧化物(2); 步驟2、在第一硅氧化物(2)上表面覆蓋一層光刻膠(21);之后進行光刻過程，在光刻膠(21)上刻蝕出電容溝槽的開口 ； 步驟3、使用濕法刻蝕的方法進行刻蝕過程，生成電容溝槽(51);所述電容溝槽(51)由溝槽開口處到底部，橫截面的面積越來越小;之后去除光刻膠；。 步驟4、對溝槽進行重?fù)诫s過程，形成重?fù)诫s硅(3); 步驟5、在重?fù)诫s硅(3)上生長第二硅氧化物(4); 步驟6、在第二硅氧化物(4)之上、電容溝槽(51)中，生長多晶硅(5)。
【文檔編號】H01L29/92GK105957902SQ201610571751
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年7月20日
【發(fā)明人】呂耀安
【申請人】無錫宏納科技有限公司