半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示一種半導(dǎo)體裝置，其包含襯底、包含半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝，及在所述襯底與所述半導(dǎo)體封裝之間的連接器，所述連接器具有相對(duì)的第一及第二平面表面，所述第一平面表面與所述襯底接觸且所述第二平面表面與所述半導(dǎo)體封裝接觸。所述連接器還包含多個(gè)電線，其在所述第一平面表面與所述第二平面表面之間延伸以將所述襯底的電極電連接至所述半導(dǎo)體封裝的電極。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置
[0001 ] 相關(guān)申請(qǐng)案的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)案基于2015年3月11申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)案第2015-048663號(hào)且請(qǐng)求其優(yōu)先權(quán)，所述申請(qǐng)案的全部?jī)?nèi)容以引用的方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本文所描述的實(shí)施例通常涉及包含各向異性導(dǎo)電構(gòu)件的半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]已知使用各向異性導(dǎo)電構(gòu)件安裝半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]實(shí)施例提供能改進(jìn)半導(dǎo)體封裝的安裝可靠性的半導(dǎo)體裝置。
[0006]根據(jù)實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置包含襯底、包含半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝，及在所述襯底與所述半導(dǎo)體封裝之間的連接器，所述連接器具有相對(duì)的第一及第二平面表面，所述第一平面表面與所述襯底接觸且所述第二平面表面與所述半導(dǎo)體封裝接觸。所述連接器還包含多個(gè)電線，其在第一平面表面與第二平面表面之間延伸以將襯底的電極電連接至半導(dǎo)體封裝的電極。
【附圖說明】
[0007]圖1為展示根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
[0008]圖2為沿圖1的線I1-1I截取的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
[0009]圖3為根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的各向異性導(dǎo)電薄片的截面圖。
[0010]圖4為根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的各向異性導(dǎo)電薄片的透視圖。
[0011]圖5為包含根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的另一構(gòu)件的截面圖。
[0012]圖6為包含根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的又另一構(gòu)件的平面圖。
[0013]圖7為沿圖6的線VI1-VII截取的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
[0014]圖8為展示根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的另一配置實(shí)例的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]現(xiàn)將參看附圖在下文更全面地描述實(shí)施例。在圖式中，出于明晰的目的，可夸示層及區(qū)域的厚度。相同編號(hào)貫穿全文指代相同元件。如本文中所使用，術(shù)語“和/或”包含相關(guān)聯(lián)所列項(xiàng)目中的一或多者的任何以及所有組合，且可被縮寫為。
[0016]本文所用的術(shù)語僅用于描述特定實(shí)施例的目的且不希望限制本發(fā)明。如本文中所使用，除非上下文另有清晰地指示，否則單數(shù)形式“一”及“所述”旨在還包括復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解，術(shù)語“包括”、“具有”、“包含”和/或其變體在用于本說明書中時(shí)指定所陳述特征、區(qū)域、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但不排除一或多個(gè)其它特征、區(qū)域、步驟、操作、元件、組件和/或其群組的存在或添加。
[0017]將理解，當(dāng)例如層或區(qū)域的元件被稱作在另一元件(和/或其變體)“上”或延伸“至”所述另一元件上時(shí)，其可直接在另一元件上或直接延伸至另一元件上，或還可能存在介入元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件(和/或其變體)“上”或“直接延伸至”所述另一元件上時(shí)，不存在介入元件。還將理解，當(dāng)元件被稱作“連接”或“耦合”至另一元件(和/或其變體)時(shí)，其可直接連接或親合至所述另一元件，或可存在介入元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接連接”或“直接耦合”至另一元件(和/或其變體)時(shí)，不存在介入元件。
[0018]將理解，盡管術(shù)語第一、第二等可在本文中用以描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或區(qū)段，但這些元件、材料、區(qū)域、層和/或區(qū)段不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用以將一個(gè)元件、材料、區(qū)域、層或區(qū)段與另一元件、材料、區(qū)域、層或區(qū)段區(qū)別。因此，可在不脫離本發(fā)明的教義的情況下將下文論述的第一元件、材料、區(qū)域、層或區(qū)段稱為第二元件、材料、區(qū)域、層或區(qū)段。
[0019]例如“下”、“后”及“上”的相對(duì)術(shù)語可在本文中用以描述如圖式中所說明的一個(gè)元件與另一與元件的關(guān)系。將理解，相對(duì)術(shù)語旨在涵蓋除圖式中所描繪的定向以外的裝置的不同定向。例如，如果圖中的結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)，則描述為在襯底的“后側(cè)”上的元件將取向在襯底的“上”表面上。因此，示例性術(shù)語“上”可取決于圖式的特定定向而涵蓋“下”及“上”的定向。類似地，如果將諸圖中的一者中的結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件“下方”或“之下”的元件將定向于其它元件“上方”。因此，示例性術(shù)語“下方”或“之下”可涵蓋上方及下方兩種定向。
[0020]本文參考為實(shí)施例的示意性圖示的橫截面圖示及透視圖示來描述實(shí)施例。因而，預(yù)期圖示的形狀因例如制造技術(shù)和/或容許度所致的變化。因此，不應(yīng)將實(shí)施例理解為限制于本文中所說明的特定區(qū)域形狀，但包含由于(例如)制造造成的形狀偏差。例如，說明或描述為扁平的區(qū)域可通常具有粗糙和/或非線性特征。此外，所說明的銳角通常可變圓。因此，圖中所說明的區(qū)域本質(zhì)上為示意性的，且其形狀并不旨在說明區(qū)域的精確形狀，并且不旨在限制本發(fā)明的范圍。
[0021]在下文中，將參照?qǐng)D式描述實(shí)施例。在以下描述中，具有相同功能及配置的元件可由相同參考數(shù)字指示。
[0022](實(shí)施例)
[0023][I]半導(dǎo)體裝置的配置
[0024]參考圖1及圖2，將描述根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的配置。
[0025]如圖式中所示，半導(dǎo)體裝置I包含襯底10、半導(dǎo)體封裝20、各向異性導(dǎo)電薄片30及構(gòu)件40。
[0026]襯底10為其中電路布線形成于絕緣襯底上的布線板且是(例如)印刷線路板。襯底10具有第一表面和第二表面，且多個(gè)電極11布置于第一表面上。
[0027]半導(dǎo)體封裝20通過圍封封裝中的半導(dǎo)體芯片制成且為(例如)球柵陣列(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、薄型小型封裝(TSOP)等。集成電路形成于半導(dǎo)體芯片中，其結(jié)果(例如)是形成NAND型快閃存儲(chǔ)器或控制NAND型快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器控制器。
[0028]半導(dǎo)體封裝20具有第一表面和第二表面，且半導(dǎo)體芯片的多個(gè)電極21布置在第一表面上。半導(dǎo)體封裝20具有(例如)矩形形狀。
[0029]各向異性導(dǎo)電薄片30包含在絕緣薄片中的多個(gè)金屬線31。金屬線31在薄片的厚度方向上延伸且布置為實(shí)質(zhì)上與彼此平行。各向異性導(dǎo)電薄片30具有第一表面和第二表面，且在薄片的厚度方向上具有導(dǎo)電性及在平行于其表面的方向上具有絕緣性質(zhì)。稍后將描述各向異性導(dǎo)電薄片30的細(xì)節(jié)。
[0030]構(gòu)件40由(例如)樹脂、連接器及其它構(gòu)件制成。稍后將描述構(gòu)件40的細(xì)節(jié)。
[0031]半導(dǎo)體裝置I具有以下結(jié)構(gòu)。
[0032]半導(dǎo)體封裝20安裝至襯底10上。半導(dǎo)體封裝20的電極21與襯底10的電極11對(duì)置。各向異性導(dǎo)電薄片30布置在襯底10與半導(dǎo)體封裝20之間。
[0033]各向異性導(dǎo)電薄片30中的金屬線31與襯底10的電極11及半導(dǎo)體封裝20的電極21接觸并電連接電極11及電極21。
[0034]大量吸盤34布置在各向異性導(dǎo)電薄片30的第一表面和第二表面上。各向異性導(dǎo)電薄片30通過這些吸盤34抽吸至襯底10的第一表面及電極11與半導(dǎo)體封裝20的第一表面及電極21。因此，各向異性導(dǎo)電薄片30將半導(dǎo)體封裝20固定至襯底10。各向異性導(dǎo)電薄片30的第一表面和第二表面可經(jīng)配置以具有粘著性質(zhì)。
[0035 ]半導(dǎo)體封裝20的電極21經(jīng)由各向異性導(dǎo)電薄片30電連接至襯底1的電極11。
[0036]構(gòu)件40分別提供在半導(dǎo)體封裝20的矩形形狀的四個(gè)拐角(封裝拐角)與襯底10之間。因此，構(gòu)件40還將半導(dǎo)體封裝20固定至襯底10。
[0037]下文中，將以各向異性導(dǎo)電薄片30及構(gòu)件40的次序描述每一配置。
[0038][1-1]各向異性導(dǎo)電薄片30
[0039]參考圖3及圖4的截面圖，將描述包含于半導(dǎo)體裝置I中的各向異性導(dǎo)電薄片30的配置。
[0040]各向異性導(dǎo)電薄片30由(例如)絕緣薄片(例如，硅橡膠)形成。布置在薄片中的多個(gè)金屬線31以相等間隔及高密度布置在X方向及Y方向上，如圖3中所示。金屬線31的一端及另一端分別從各向異性導(dǎo)電薄片30的第一表面32及第二表面33暴露。
[0041 ] 金屬線31的布置間距為(例如)20μπι至80μπι。金屬線31的線寬W為(例如)20μπι至30μm。例如，鍍金金屬、鐵、鋁、金或類似者用于金屬線31。
[0042]金屬線31相對(duì)于各向異性導(dǎo)電薄片30的厚度方向(Z方向)傾斜。因此，有可能防止金屬線31毀壞絕緣材料的任何問題，例如，在各向異性導(dǎo)電薄片30經(jīng)加壓時(shí)，金屬線31移動(dòng)以便在一個(gè)方向上傾斜且金屬線31在未固定方向上傾斜或彎曲。
[0043]多個(gè)吸盤34布置在各向異性導(dǎo)電薄片30的第一表面32及第二表面33上，如圖4中所示。在圖4中省略金屬線31。約一萬個(gè)吸盤34以大約(例如Hcm2布置。吸盤34的直徑R為約(例如)50μπι至60μπι。吸盤34的尺寸小于電極11、21的尺寸。此外，吸盤34的布置間距大于金屬線31的布置間距。換句話說，金屬線31的布置間距小于吸盤34的布置間距。
[0044]各向異性導(dǎo)電薄片30的吸盤34具有經(jīng)抽吸至襯底10的第一表面及電極11與半導(dǎo)體封裝20的第一表面及電極21中的每一者上的功能。具體地，各向異性導(dǎo)電薄片30插入在襯底10與半導(dǎo)體封裝20之間，向其施加壓力以將吸盤34按壓至襯底10及半導(dǎo)體封裝20，且空氣憑此從吸盤34排出。因此，吸盤34的內(nèi)側(cè)分別變?yōu)閷?shí)質(zhì)上真空狀態(tài)，且各向異性導(dǎo)電薄片30經(jīng)由真空粘附至襯底10及半導(dǎo)體封裝20并與所述襯底及半導(dǎo)體封裝緊密接觸。
[0045]作為一實(shí)例，描述了吸盤34布置在各向異性導(dǎo)電薄片30的第一表面和第二表面上，但吸盤34可布置在各向異性導(dǎo)電薄片30的第一表面和第二表面中的僅一者上。在此情況下，其上未布置吸盤的表面可經(jīng)配置以具有粘著性質(zhì)。
[0046][1-2]構(gòu)件 40
[0047]參考圖1及圖2，將描述包含于半導(dǎo)體裝置I中的構(gòu)件40的配置。
[0048]樹脂(例如，環(huán)氧樹脂等)用于構(gòu)件40。一個(gè)構(gòu)件40提供在(例如)半導(dǎo)體封裝20的每一拐角上。然而，構(gòu)件40的數(shù)目并不受限于四，且可提供任何數(shù)目個(gè)(例如，兩個(gè)或六個(gè))構(gòu)件。
[0049]參考圖5至圖7，將描述包含于半導(dǎo)體裝置I中的構(gòu)件的其它配置。
[0050]如圖5中所示，針狀連接器41可用作構(gòu)件40。當(dāng)使用連接器41時(shí)，通孔22提供在半導(dǎo)體封裝20中且連接部分12提供在襯底10中。連接器41插入在半導(dǎo)體封裝20的通孔22中且通過螺紋嚙合、壓入配合及其它熟知連接方法連接至襯底10的連接部分12。因此，連接器41將半導(dǎo)體封裝20固定至襯底10上。
[0051]此外，圖6及圖7中展示將各向異性導(dǎo)電薄片30機(jī)械保持在構(gòu)件40上的方法。在此方法中，可使用金屬絲、銷釘或U形釘42或類似者。當(dāng)使用U形釘42時(shí)，各向異性導(dǎo)電薄片30經(jīng)形成為在平面圖中大于半導(dǎo)體封裝20。1]形釘42附接至各向異性導(dǎo)電薄片30的四個(gè)拐角及襯底10。因此，U形釘42將各向異性導(dǎo)電薄片30固定至襯底10上。
[0052][2]半導(dǎo)體裝置的其它配置
[0053]參考圖8，將描述根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的其它配置實(shí)例。通過使用能夠進(jìn)行雙偵按裝的襯底10A，有可能將半導(dǎo)體封裝20A及20B分別安裝至襯底1A的兩個(gè)表面。
[0054]半導(dǎo)體裝置2包含襯底10A、兩個(gè)半導(dǎo)體封裝20A及20B、兩個(gè)各向異性導(dǎo)電薄片30A及30B，以及構(gòu)件40A及40B。
[0055]襯底1A為絕緣襯底上的其上形成電路布線的布線板且是(例如)雙側(cè)印刷線路板或類似者。在必要時(shí)，將多層布線板用于襯底10A。襯底1A具有第一表面和第二表面。多個(gè)電極IlA及12A布置在襯底1A的第一表面上。多個(gè)電極IlB及12B布置在襯底1B的第二表面上。布線13A及13B布置在襯底1A中的布線層上。此外，電連接電極IIA及電極IIB的通孔14等形成于襯底1A中。
[0056]半導(dǎo)體封裝20A具有第一表面和第二表面，且經(jīng)封裝半導(dǎo)體芯片的多個(gè)電極21A布置在第一表面上。半導(dǎo)體封裝20B具有第一表面和第二表面，且經(jīng)封裝半導(dǎo)體芯片的多個(gè)電極21B布置在第一表面上。例如，半導(dǎo)體封裝20A包含NAND型快閃存儲(chǔ)器，且半導(dǎo)體封裝20B包含控制NAND型快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器控制器。半導(dǎo)體封裝20A及20B的其它配置與上文所描述的半導(dǎo)體封裝20的配置相同。
[0057]各向異性導(dǎo)電薄片30A及30B與構(gòu)件40A及40B的配置分別與上文所描述的各向異性導(dǎo)電薄片30及構(gòu)件40的配置相同。
[0058]半導(dǎo)體裝置2具有如下結(jié)構(gòu)。
[0059]半導(dǎo)體封裝20A安裝至襯底1A的第一表面。半導(dǎo)體封裝20A的電極21A與襯底1A的電極11A對(duì)置。各向異性導(dǎo)電薄片30A布置在襯底1A與半導(dǎo)體封裝20A之間。
[0060]半導(dǎo)體封裝20B安裝至襯底1A的第二表面上。半導(dǎo)體封裝20B的電極21B與襯底1A的電極IlB對(duì)置。各向異性導(dǎo)電薄片30B布置在襯底1A與半導(dǎo)體封裝20B之間。
[0061 ] 吸盤34布置在各向異性導(dǎo)電薄片30A的第一表面和第二表面上。使用這些吸盤34，各向異性導(dǎo)電薄片30A經(jīng)分別抽吸至襯底1A的第一表面及電極IIA與半導(dǎo)體封裝20A的第一表面及電極21A上。因此，各向異性導(dǎo)電薄片30A將半導(dǎo)體封裝20A固定至襯底1A上。
[0062]以相同方式，吸盤布置在各向異性導(dǎo)電薄片30B的第一表面和第二表面上。使用這些吸盤，各向異性導(dǎo)電薄片30B經(jīng)分別抽吸至襯底1A的第二表面及電極IIB與半導(dǎo)體封裝20B的第一表面及電極21B上。因此，各向異性導(dǎo)電薄片30B將半導(dǎo)體封裝20B固定至襯底1A上。各向異性導(dǎo)電薄片30A及30B的第一表面和第二表面可經(jīng)配置以具有粘著性質(zhì)。
[0063]半導(dǎo)體封裝20A的電極21A經(jīng)由各向異性導(dǎo)電薄片30A電連接至襯底1A的電極11A。半導(dǎo)體封裝20B的電極21B經(jīng)由各向異性導(dǎo)電薄片30B電連接至襯底1A的電極11B。
[0064]襯底1A的第一表面上的電極12A經(jīng)由布線13A及通孔14A電連接至電極11A。襯底1A的第二表面上的電極12B經(jīng)由布線13B及通孔14B電連接至電極11B。電極12A及12B結(jié)合(例如)外部電路使用。
[0065]另外，形成于襯底1A中的通孔14電連接于電極IIA與電極IIB之間。因此，可達(dá)成半導(dǎo)體封裝20A的電極21A與半導(dǎo)體封裝20B的電極2IB之間的電連接。
[0066]此外，構(gòu)件40A分別提供在半導(dǎo)體封裝20A的矩形形狀的四個(gè)拐角與襯底1A之間。因此，構(gòu)件40A將半導(dǎo)體封裝20A固定至襯底1A上。
[0067]以相同方式，構(gòu)件40B分別提供在半導(dǎo)體封裝20B的矩形形狀的四個(gè)拐角與電極1A之間。因此，構(gòu)件40B將半導(dǎo)體封裝20B固定至襯底1A上。
[0068][3]實(shí)施例的效果
[0069]使用根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置I及2，有可能改進(jìn)半導(dǎo)體封裝至襯底上的安裝可靠性。
[0070]將描述比較實(shí)例以便促進(jìn)對(duì)效果的理解。
[0071]例如，作為電連接半導(dǎo)體封裝及襯底的各向異性導(dǎo)電構(gòu)件，各向異性導(dǎo)電膜(ACF)、各向異性導(dǎo)電膏(ACP)、各向異性導(dǎo)電橡膠等是已知的。
[0072]然而，各向異性導(dǎo)電膜及各向異性導(dǎo)電膏具有產(chǎn)生于相鄰電極與其電極之間的洩漏的問題，且拆卸由于強(qiáng)粘著力(粘著劑力)而是困難的。各向異性導(dǎo)電橡膠并不具有粘著力且需要機(jī)械加壓。在通過一般焊球的安裝中，熱應(yīng)力由以回焊方式焊接而引起且拆卸是困難的。
[0073]相比之下，實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置I及2具有提供在各向異性導(dǎo)電薄片的第一表面和第二表面中的多個(gè)吸盤。各向異性導(dǎo)電薄片使用吸盤經(jīng)抽吸至半導(dǎo)體封裝及襯底上且將半導(dǎo)體封裝固定至襯底中。因此，由于各向異性導(dǎo)電薄片自身與半導(dǎo)體封裝及襯底緊密接觸，所以不需要從外部加壓。
[0074]此外，金屬線布置在各向異性導(dǎo)電薄片中，且金屬線的一端從薄片的表面(第一表面和第二表面)突出。各向異性導(dǎo)電薄片中的金屬線電連接至半導(dǎo)體封裝的電極與襯底的電極之間。由于金屬線以相等間隔布置在絕緣薄片中，有可能保持相鄰金屬線之間(電極之間)的絕緣。
[0075]另外，有可能通過提供在半導(dǎo)體封裝的四個(gè)拐角與襯底之間的構(gòu)件而增加半導(dǎo)體封裝與襯底之間的連接強(qiáng)度及連接穩(wěn)定性。此外，各向異性導(dǎo)電薄片具有在第一表面和第二表面中的粘著力，以使得有可能改進(jìn)半導(dǎo)體封裝及襯底與各向異性導(dǎo)電薄片之間的粘著力。
[0076]另外，構(gòu)件40、40A及40B、連接器41及U形釘42具有作為抵抗來自外部的壓力或沖擊的緩沖材料的功能。換句話說，當(dāng)接收來自外部的壓力或沖擊時(shí)，構(gòu)件接收電力，借此松弛待由各向異性導(dǎo)電薄片接收的電力。此外，由于各向異性導(dǎo)電薄片與襯底及半導(dǎo)體封裝呈表面接觸，所以各向異性導(dǎo)電薄片還充當(dāng)?shù)挚箒碜酝獠康膲毫驔_擊的緩沖材料。換句話說，各向異性導(dǎo)電薄片還充當(dāng)?shù)撞刻畛淠z，以使得各向異性導(dǎo)電薄片成為外部沖擊或熱應(yīng)力的緩沖材料并起改進(jìn)安裝可靠性的作用。
[0077]由于各向異性導(dǎo)電薄片通過吸盤抽吸(或當(dāng)具有粘著力進(jìn)一步粘著)，有可能在不進(jìn)行加熱或類似者的情況下通過從襯底移除半導(dǎo)體封裝來修復(fù)半導(dǎo)體裝置。
[0078]使用以上配置，在半導(dǎo)體封裝至襯底上的安裝中，有可能改進(jìn)包含電極之間的電連接的安裝可靠性及保持襯底與半導(dǎo)體封裝之間的連接強(qiáng)度。
[0079]在根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置2中，有可能使用各向異性導(dǎo)電薄片將多個(gè)半導(dǎo)體封裝安裝至襯底的兩個(gè)表面(第一表面和第二表面)上。由于多個(gè)半導(dǎo)體封裝經(jīng)安裝至襯底的兩個(gè)表面上，有可能減少安裝面積。
[0080]此外，與在將多個(gè)半導(dǎo)體封裝安裝于襯底的一個(gè)表面上時(shí)相比，有可能減少半導(dǎo)體封裝之間的布線電阻。此外，有可能通過將多個(gè)半導(dǎo)體封裝同時(shí)安裝至襯底的兩個(gè)表面來減少制造程序。
[0081]在半導(dǎo)體裝置2中，作為實(shí)例，描述了一個(gè)半導(dǎo)體封裝分別安裝至襯底的第一表面和第二表面上，但本發(fā)明不限于此，且多個(gè)半導(dǎo)體封裝分別安裝至第一表面或第二表面上。
[0082]另外，可用通過焊料安裝替換通過實(shí)施例中所使用的各向異性導(dǎo)電薄片的安裝。
[0083]雖然已描述某些實(shí)施例，但這些實(shí)施例僅借助于實(shí)例呈現(xiàn)，且并不旨在限制本發(fā)明的范圍。實(shí)際上，可以多種其它形式來體現(xiàn)本文所描述的新穎實(shí)施例;此外，可在不偏離脫離本發(fā)明的精神的情況下進(jìn)行呈本文所描述的實(shí)施例的形式的各種省略、取代及變化。隨附權(quán)利要求書及其等效物旨在涵蓋將落入本發(fā)明范圍及精神內(nèi)的所述形式或修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括: 襯底； 包含半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝;及 在所述襯底與所述半導(dǎo)體封裝之間的連接器，所述連接器具有相對(duì)的第一及第二平面表面，所述第一平面表面與所述襯底接觸且所述第二平面表面與所述半導(dǎo)體封裝接觸， 所述連接器還包含多個(gè)電線，其在所述第一平面表面與所述第二平面表面之間延伸以將所述襯底的電極電連接至所述半導(dǎo)體封裝的電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述連接器具有沿所述第一平面表面及所述第二平面表面的凹部，沿所述第一平面表面的所述凹部導(dǎo)致所述襯底及所述連接器通過吸力粘附至彼此，且沿所述第二平面表面的所述凹部導(dǎo)致所述半導(dǎo)體封裝及所述連接器通過吸力粘附至彼此。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述電線沿著相對(duì)于所述連接器的厚度方向傾斜的方向相對(duì)于另一電線平行延伸。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述電線以第一間距布置，且所述凹部以大于第一間距的第二間距布置。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 所述連接器的所述第一平面表面的面積小于面向所述連接器的所述襯底的平面表面的表面積，及 所述連接器的所述第二平面表面的面積小于面向所述連接器的所述半導(dǎo)體封裝的平面表面的表面積。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于進(jìn)一步包括: 額外連接器，其布置在所述襯底與所述半導(dǎo)體封裝之間，以使得所述連接器在所述額外連接器中的兩者之間。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述額外連接器是樹脂球。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述額外連接器是針狀連接器。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 所述連接器的所述第一平面表面的面積小于面向所述連接器的所述襯底的平面表面的表面積，及 所述連接器的所述第二平面表面的面積大于面向所述連接器的所述半導(dǎo)體封裝的平面表面的表面積。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于進(jìn)一步包括: 與所述襯底相抵地保持所述連接器的第一及第二部分的U形釘或金屬絲。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述連接器是各向異性導(dǎo)電薄片。12.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括: 第一半導(dǎo)體封裝； 第二半導(dǎo)體封裝； 在所述第一半導(dǎo)體封裝與所述第二半導(dǎo)體封裝之間的襯底； 在所述襯底的第一表面與所述第一半導(dǎo)體襯底之間的第一薄片;及 在所述襯底的與所述第一表面相對(duì)的第二表面與所述第二半導(dǎo)體封裝之間的第二薄片，其中 所述第一薄片及所述第二薄片中的每一者具有沿其平面表面的凹部，所述凹部導(dǎo)致所述襯底與所述第一薄片、所述襯底與所述第二薄片、所述第一薄片與所述第一半導(dǎo)體封裝，以及所述第二薄片與所述第二半導(dǎo)體封裝通過吸力粘附至彼此。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 所述第一薄片具有電連接所述襯底的電極與所述第一半導(dǎo)體封裝的電極的多個(gè)電線，及 所述第二薄片具有電連接所述襯底的電極與所述第二半導(dǎo)體封裝的電極的多個(gè)電線。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 所述電線以第一間距提供在所述第一薄片及所述第二薄片中，且所述凹部以第二間距提供在所述第一薄片及所述第二薄片中，及其中所述第一間距小于所述第二間距。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 所述第一薄片及所述第二薄片由具有粘著性質(zhì)的材料形成。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于進(jìn)一步包括: 在所述襯底與所述第一半導(dǎo)體封裝之間的第一連接器;及 在所述襯底與所述第二半導(dǎo)體封裝之間的第二連接器，其中 所述第一薄片在所述第一連接器中的兩者之間且所述第二薄片在所述第二連接器中的兩者之間。17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 所述襯底從所述第一半導(dǎo)體封裝及所述第二半導(dǎo)體封裝向外延伸，且具有在所述第一半導(dǎo)體封裝及所述第二半導(dǎo)體封裝的向外延伸部分的表面上的外電極以便與外部電路連接。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述襯底進(jìn)一步包含在其面向所述第一薄片的第一表面上及在其面向所述第二薄片的第二表面上的內(nèi)電極，所述外電極電連接至一些所述內(nèi)電極。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于:所述第一表面上的一些所述內(nèi)電極電連接至所述第二表面上的一些所述內(nèi)電極。20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于: 所述第一半導(dǎo)體封裝包含NAND型快閃存儲(chǔ)器，且所述第二半導(dǎo)體封裝包含控制所述NAND型快閃存儲(chǔ)器的控制器。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK105977171SQ201610127707
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年3月7日
【發(fā)明人】五十嵐敏
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社東芝