用于tab封裝的承載帶及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于制造TAB帶的方法。該方法包括在基膜上形成具有輸入/輸出端子圖案的電路圖案區(qū)域，以及在具有扣齒孔的傳送區(qū)域上形成暴露區(qū)域用于暴露基膜。因此，本發(fā)明提供一種TAB帶，該TAB帶通過基本上防止金屬顆粒的產(chǎn)生而提高了產(chǎn)品的可靠性，所述防止金屬微粒的產(chǎn)生通過選擇性地刻蝕和去除形成在TAB帶兩側(cè)上且具有扣齒孔的傳送區(qū)域的金屬層來形成暴露基膜的暴露區(qū)域來實(shí)現(xiàn)，而且，該TAB帶通過在其上沒有形成電路圖案的預(yù)定區(qū)域上通過刻蝕部分地去除基膜而防止了短路。
【專利說明】用于TAB封裝的承載帶及其制造方法
[0001 ]本申請是2011年7月14日提交的、題為“用于TAB封裝的承載帶及其制造方法”的發(fā)明專利申請201110205218.7的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002 ]本發(fā)明涉及一種帶式自動(dòng)接合(TAB)帶及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003]已介紹許多用于半導(dǎo)體封裝的技術(shù)。其中，帶式自動(dòng)接合(TAB)技術(shù)作為利用內(nèi)部引線接合(ILB)技術(shù)的芯片安裝方法已經(jīng)受到關(guān)注。TAB技術(shù)是一種用于以卷到卷的方式連續(xù)地處理封裝裝配過程的技術(shù)。一般地，利用TAB技術(shù)制造的封裝被稱為TAB封裝。
[0004]圖1是示出用于典型的TAB封裝的TAB帶的圖示。
[0005]如圖所示，TAB帶包括金屬鍍覆層S，金屬鍍覆層S在其上形成有扣齒孔29的區(qū)域S處曝光。這種金屬鍍覆層實(shí)質(zhì)上通過在形成電路圖案的處理過程中在絕緣膜上執(zhí)行金屬鍍覆處理而由Cu層或Cu+Sn層形成。在形成電路圖案之后，Cu金屬層圍繞扣齒孔形成，由此暴露金屬層。
[0006]如上所述，典型TAB封裝的TAB帶包括在基膜的一側(cè)上的導(dǎo)電金屬層，比如Cu層或Cu+Sn層。因此，當(dāng)驅(qū)動(dòng)顯示裝置時(shí)，刮擦實(shí)質(zhì)上形成在Cu層或Cu+Sn層的表面上。這種刮擦由于會(huì)產(chǎn)生或散步雜質(zhì)而引起缺陷。特別地，當(dāng)組裝面板和驅(qū)動(dòng)IC時(shí)，Cu塊會(huì)流出。由于這種缺陷的增加，可能導(dǎo)致面板制造工藝的可預(yù)見性及其可靠性降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此，本發(fā)明的一方面是至少解決【背景技術(shù)】的問題和缺點(diǎn)。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在扣齒孔周圍，在組裝驅(qū)動(dòng)器1C、芯片/驅(qū)動(dòng)IC和面板的處理過程中通過驅(qū)動(dòng)滾筒產(chǎn)生摩擦的地方，不形成Cu層或金屬層。因此，不產(chǎn)生雜質(zhì)，比如銅顆粒。另外，暴露基膜的區(qū)域的厚度比不暴露基膜的區(qū)域的厚度厚。因此，消除了引起短路的因素，能夠制造可靠的TAB帶。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種用于制造帶式自動(dòng)接合帶的方法，包括:在基膜上形成包括輸入/輸出端子圖案的電路圖案區(qū)域;在傳送區(qū)域上形成用于暴露所述基膜的表面的暴露區(qū)域，其中，所述傳送區(qū)域包括形成在所述基膜上的扣齒孔。
[0009]形成電路圖案區(qū)域可包括:在所述基膜上堆疊種子金屬層或?qū)щ娊饘賹樱灰约巴ㄟ^選擇性地刻蝕所述導(dǎo)電金屬層形成電路圖案。
[0010]形成電路圖案區(qū)域還可包括:在通過選擇性地刻蝕形成電路圖案之后，從所述傳送區(qū)域中其上沒有形成所述電路圖案的區(qū)域上去除所述種子金屬層。
[0011]在去除所述種子金屬層中，可通過刻蝕溶液去除所述種子金屬層，所述刻蝕溶液包括Ni或Cr成分。
[0012]在形成電路圖案區(qū)域和形成暴露區(qū)域中，可通過涂覆光刻膠以及利用具有預(yù)定圖案的光掩模選擇性地去除所述電路圖案和所述傳送區(qū)域進(jìn)行曝光處理，同時(shí)形成用于暴露所述基膜的暴露區(qū)域。
[0013]在暴露表面時(shí)，所述種子金屬層和所述導(dǎo)電金屬層被刻蝕，以在所述傳送區(qū)域中在所述扣齒孔的外側(cè)上形成金屬圖案。
[0014]該方法還可包括:在形成電路圖案區(qū)域和形成暴露區(qū)域之后，部分地刻蝕所述基膜的暴露的表面。
[0015]基膜可以是聚酰亞胺膜。
[0016]該方法還可包括:利用Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag、Co及其組合物執(zhí)行表面活化處理，用于在所述電路圖案上形成單個(gè)鍍覆處理層或多層鍍覆處理層。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種帶式自動(dòng)接合帶，包括:電路圖案區(qū)域，所述電路圖案區(qū)域包括形成在基膜上的輸入/輸出端子圖案；以及傳送區(qū)域，所述傳送區(qū)域包括形成在所述基膜的兩側(cè)上的扣齒孔，其中，所述傳送區(qū)域包括用于暴露所述基膜的暴露區(qū)域。
[0018]暴露所述基膜的區(qū)域的厚度或暴露所述傳送區(qū)域的區(qū)域的厚度可以比沒有暴露所述基膜的區(qū)域薄。
[0019]在所述電路圖案與所述基膜之間可布置包括Ni或Cr的種子金屬層。
[0020]TAB帶還可包括:利用Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag、Co及其組合物形成在所述電路圖案上的鍍覆處理層，所述鍍覆處理層形成為單個(gè)鍍覆處理層或多層鍍覆處理層。
[0021]在所述傳送區(qū)域上的所述暴露區(qū)域還可包括形成在所述扣齒孔的外側(cè)上的金屬圖案。
[0022]金屬鍍覆層圖案可鄰接扣齒孔。
[0023]金屬鍍覆層圖案可與扣齒孔分離。
[0024]所述圖案區(qū)域可包括至少一個(gè)與所述扣齒孔隔開的線型金屬圖案。
【附圖說明】
[0025]參考以下附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明，其中，相同數(shù)字指代相同元件。
[0026]圖1是示出典型TAB帶封裝的示圖。
[0027]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的TAB帶的示圖。
[0028]圖3和4是示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的用于制造TAB帶的方法的示圖。
[0029]圖5是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的TAB帶的橫截面圖。
[0030]圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示范性實(shí)施方式的TAB帶的橫截面圖。
[0031]圖7是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的TAB帶的傳送區(qū)域的放大圖。
[0032]圖8是示出在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的TAB帶的傳送區(qū)域中產(chǎn)生的雜質(zhì)的圖片。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面將參照附圖以更詳細(xì)的方式說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
[0034]本發(fā)明的目的是提供一種TAB帶，該TAB帶通過基本上防止金屬顆粒的產(chǎn)生而提高了產(chǎn)品的可靠性，所述防止金屬微粒的產(chǎn)生通過選擇性地刻蝕和去除形成在TAB帶兩側(cè)上且具有扣齒孔的傳送區(qū)域的金屬層來形成暴露基膜的暴露區(qū)域來實(shí)現(xiàn)，而且，該TAB帶通過在其上沒有形成電路圖案的預(yù)定區(qū)域上通過刻蝕部分地去除基膜而防止了短路。
[0035]為了防止金屬顆粒和短路的發(fā)生，根據(jù)示范性實(shí)施方式的用于制造TAB帶的方法包括在基膜上形成具有輸入/輸出端子圖案的電路圖案區(qū)域，以及在具有扣齒孔的傳送區(qū)域上形成暴露區(qū)域用于暴露基膜。
[0036]通過根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的制造方法制造的TAB帶包括:電路圖案區(qū)域，所述電路圖案區(qū)域包括形成在基膜上的輸入/輸出端子圖案；以及傳送區(qū)域，所述傳送區(qū)域包括形成在所述基膜的兩側(cè)上的扣齒孔。所述傳送區(qū)域包括用于暴露所述基膜的暴露區(qū)域。在該情況下，暴露所述基膜的區(qū)域的厚度或暴露所述傳送區(qū)域的區(qū)域的厚度比沒有暴露所述基膜的區(qū)域薄。
[0037]在下文中，將參照示出本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的附圖更完全地說明本發(fā)明。附圖和說明書將被視為實(shí)質(zhì)上為說明性的而非限制性的。相同的附圖標(biāo)記在整個(gè)說明書中指示相同的元件。
[0038]圖2是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的TAB帶的示圖。圖2示出TAB帶的大致構(gòu)造。特別地，TAB帶包括具有扣齒孔150的傳送區(qū)域X。根據(jù)本示范性實(shí)施方式的TAB帶可用于TCP結(jié)構(gòu)和COF結(jié)構(gòu)。特別地，將對用于COF封裝的根據(jù)本示范性實(shí)施方式的TAB帶進(jìn)行說明。
[0039]根據(jù)本示范性實(shí)施方式的TAB帶包括輸出電路圖案130、輸入電路圖案140、安裝芯片的內(nèi)部引線區(qū)域120以及具有扣齒孔150用于通過滾筒進(jìn)行傳送處理的傳送區(qū)域X。
[0040]就形成傳送區(qū)域的層來說，根據(jù)本示范性實(shí)施方式的傳送區(qū)域X與典型傳送區(qū)域存在顯著的不同。根據(jù)本示范性實(shí)施方式的傳送區(qū)域X包括暴露基膜的區(qū)域。即，根據(jù)本示范性實(shí)施方式的傳送區(qū)域X包括不形成Cu金屬圖案層或Sn金屬圖案層的區(qū)域。因此，雜質(zhì)問題明顯減少。
[0041]圖3和4是示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的用于制造TAB帶的方法的示圖。如圖所示，根據(jù)本示范性實(shí)施方式的用于制造TAB帶的方法包括，在基膜上形成具有輸入/輸出端子圖案的電路圖案區(qū)域，以及在具有形成在基膜的外側(cè)上的扣齒孔的傳送區(qū)域上形成暴露基膜表面的暴露區(qū)域。
[0042]K第一實(shí)施方式
[0043](I)形成傳送周期的電路圖案和暴露區(qū)域
[0044]參照圖4，在基膜110上形成種子金屬層111或?qū)щ娊饘賹?12。在步驟SI，使種子金屬層111或?qū)щ娊饘賹?10形成至傳送區(qū)域X。傳送區(qū)域X包括扣齒孔H。扣齒孔H通過機(jī)械沖孔加工形成?；?10可以是聚酰亞胺膜、聚酰胺膜、聚酯、聚亞苯硫化物(PPS)、聚酯酰胺或液晶聚合物。特別地，絕緣膜，比如聚酰亞胺膜，用作本發(fā)明的示范性實(shí)施方式中的基膜。絕緣膜，比如聚酰亞胺膜，不容易由于在形成種子金屬層時(shí)產(chǎn)生的熱而變形。另外，絕緣膜，比如聚酰亞胺膜，具有耐酸性和耐堿性。因此，絕緣膜不會(huì)被用于刻蝕的刻蝕溶液或用于清洗的堿溶液侵蝕掉。另外，絕緣膜具有耐熱性能。因此，絕緣膜不容易由于在形成種子金屬層時(shí)產(chǎn)生的熱而變形。
[0045]在本發(fā)明的示范性實(shí)施方式中，種子金屬層形成在基膜上。但是，由于種子金屬層僅設(shè)置用于改善基膜與導(dǎo)電金屬層的附著，因此可省略種子金屬層。種子金屬層可利用干膜形成方法，比如沉積或?yàn)R射，形成在聚酰亞胺上。種子金屬層改善了基膜與導(dǎo)電金屬層的附著。
[0046]在步驟S2，光刻膠113沉積在導(dǎo)電金屬層112上，通過利用光掩模114作為媒介的曝光形成電路圖案。在步驟S2中，通過在曝光過程中屏蔽來去除光刻膠的對應(yīng)于傳送區(qū)域的預(yù)定部分(很明顯，當(dāng)使用負(fù)性光刻膠時(shí)，通過曝光去除光刻膠的對應(yīng)部分)。當(dāng)金屬圖案鍍層形成在傳送區(qū)域X時(shí)，可通過預(yù)定圖案保留光刻膠圖案的預(yù)定部分。
[0047]在步驟S3，通過利用圖案光刻膠113作為媒介選擇性地刻蝕導(dǎo)電金屬層112形成電路圖案。盡管附圖示出對應(yīng)于傳送區(qū)域的整個(gè)導(dǎo)電金屬層都被除去，但是在圍繞扣齒孔形成預(yù)定金屬圖案時(shí)可通過選擇刻蝕保留預(yù)定金屬圖案。
[0048]可采用用于刻蝕Cu部件的刻蝕溶液。例如，刻蝕溶液可以是以氯化鐵為主要成分的刻蝕溶液、以氯化銅為主要成分的刻蝕溶液、或硫酸加過氧化氫。這種刻蝕溶液具有通過精細(xì)地刻蝕種子金屬層的預(yù)定部分而容易地去除種子金屬層的功能。
[0049](2)去除種子金屬層
[0050]在步驟S4，可去除在其上沒有形成電路圖案的種子金屬層的預(yù)定部分，如圖4所示。此外，從傳送區(qū)域X上完全去除種子金屬層以暴露基膜。或者，從傳送區(qū)域X上部分地去除種子金屬層以暴露基膜。在這種情況下，不從其上形成有金屬圖案的部分上去除種子金屬層。
[0051]在本發(fā)明的示范性實(shí)施方式中，種子金屬層由金屬層Ni或Cr制成。因此，采用能夠去除Ni和Cr的刻蝕溶液。這種刻蝕溶液可包括硫酸和鹽酸的混合溶液、高錳酸鉀.KOH的水溶液、重鉻酸鉀的水溶液和高錳酸鈉加NaOH的水溶液。
[0052]如上所述，各種TAB帶可通過根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的制造方法制造。即，可通過選擇性地或完全地去除傳送區(qū)域的金屬層或金屬鍍層形成用于暴露基膜的暴露區(qū)域而顯著地減少雜質(zhì)的產(chǎn)生。詳細(xì)地，金屬圖案形成在扣齒孔的外部區(qū)域上，預(yù)定圖案形成為靠近扣齒孔或與扣齒孔分開。即，暴露區(qū)域形成為暴露除形成用于提供通過滾筒的基膜傳送操作所需的機(jī)械強(qiáng)度的金屬圖案之外的基膜。很顯然，暴露區(qū)域的圖案的變型包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0053]2.包括刻蝕基膜的處理的第二實(shí)施方式
[0054]刻蝕基膜
[0055]如上所述，用于獲得所需機(jī)械強(qiáng)度并最小化金屬雜質(zhì)的產(chǎn)生的TAB帶可通過步驟S4制造。在下文中，將說明根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示范性實(shí)施方式的用于制造TAB帶的方法。即，在步驟S4之后另外包括刻蝕基膜的工序。
[0056]即，通過控制刻蝕溶液，比如高錳酸鉀.KOH的水溶液、重鉻酸鉀的水溶液以及高錳酸鈉+NaOH的水溶液，執(zhí)行刻蝕基膜的預(yù)定部分的處理。但是，本發(fā)明不局限于刻蝕溶液。
[0057]參考圖4，在步驟SI至S4形成傳送區(qū)域的暴露區(qū)域和電路圖案之后，在步驟S5通過利用刻蝕溶液刻蝕基膜110的暴露表面去除基膜。即，部分地去除除基膜的其上形成有電路圖案的區(qū)域之外的基膜。因此，其上形成有電路圖案的部分的厚度變得不同于其上沒有電路圖案形成的其他部分的厚度。具體地，不具有電路圖案的部分變得更薄。因此，可防止電路圖案短路。
[0058]在TAB帶包括種子金屬層的情況下，當(dāng)利用刻蝕溶液去除種子金屬層時(shí)，可同時(shí)去除基膜。在TAB帶不包括種子金屬層的情況下，可通過使用蝕刻溶液的另外的處理刻蝕基膜。
[0059]圖5和6是通過根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的制造方法制造的TAB帶的橫截面圖。
[0060]TAB帶包括電路圖案區(qū)域和傳送區(qū)域X，電路圖案區(qū)域包括形成在基膜110上的輸入/輸出終端圖案112，傳送區(qū)域X具有形成在基膜的兩側(cè)上的扣齒孔H。特別地，傳送區(qū)域包括暴露區(qū)域。暴露區(qū)域暴露基膜的預(yù)定部分。
[0061]如圖所示，傳送區(qū)域不由金屬層覆蓋。沒有任何金屬層圍繞扣齒孔形成。因此，當(dāng)執(zhí)行傳送處理時(shí)，不產(chǎn)生金屬雜質(zhì)。
[0062]根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的TAB帶的基膜110可具有與步驟S4的結(jié)構(gòu)所示的均一厚度。但是，在另外執(zhí)行用于刻蝕基膜的步驟S5的情況下，電路圖案區(qū)域中暴露基膜的區(qū)域的厚度B或傳送區(qū)域的暴露區(qū)域的厚度C比不暴露基膜的區(qū)域的厚度A更薄。
[0063]種子金屬層111可布置在電路圖案112與基膜110之間。種子金屬層可由銅、鎳、鉻、鉬、鎢、硅、鈀、鈦、釩、鋼、鈷、錳、鋁、鋅、錫、鉭或其組合物形成。種子金屬層可由上述金屬之一或其組合物形成。種子金屬層優(yōu)選地由鎳、鉻或其組合物制成。
[0064]另外，可通過表面活化處理在電路圖案112上另外形成單個(gè)鍍覆處理層(未示出)或多層鍍覆處理層(未示出)。例如，單個(gè)鍍覆處理層和多層鍍覆處理層可由Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag、Co或其組合物形成。
[0065]當(dāng)如圖6所示在傳送區(qū)域X上形成預(yù)定金屬圖案170時(shí)，金屬圖案形成在扣齒孔H的外側(cè)上。如上所述，在傳送區(qū)域暴露的基膜的厚度C變得比不是暴露在傳送區(qū)域中的基膜的厚度更薄，其中，在傳送區(qū)域中沒有金屬圖案形成。
[0066]圖7示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造傳送區(qū)域X的方法。
[0067]參照示圖(a)，傳送區(qū)域X包括暴露基膜的暴露區(qū)域160和以預(yù)定間隙形成的扣齒孔150。至少一個(gè)鍍覆線170可形成在與扣齒孔隔開預(yù)定距離處。即，金屬鍍覆層圖案可圍繞扣齒孔形成。在當(dāng)前實(shí)施方式中，金屬圖案形成為鍍覆線170。
[0068]參照示圖(b)，金屬圖案171形成為包圍扣齒孔。盡管金屬圖案171在示圖(b)中完全包圍扣齒孔150，但金屬圖案171可形成為部分地包圍扣齒孔150。
[0069]S卩，根據(jù)示范性實(shí)施方式的金屬圖案形成在扣齒孔的外側(cè)上。這種金屬圖案包括靠近扣齒孔的圖案結(jié)構(gòu)和與扣齒孔隔開的圖案結(jié)構(gòu)。即，通過選擇性地去除完全形成在傳送區(qū)域上的金屬層，來形成用于暴露除其上形成有金屬圖案的區(qū)域外的基膜的暴露區(qū)域，其上形成有金屬圖案的區(qū)域用于提供傳送基膜所需的機(jī)械強(qiáng)度。很明顯，可在本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行暴露區(qū)域的各種變型。
[0070]關(guān)于示圖(C)，作為金屬鍍覆圖案，鍍覆線172形成為與扣齒孔的外側(cè)鄰接?？赏ㄟ^去除傳送區(qū)域的金屬層而將整個(gè)傳送區(qū)域形成為暴露區(qū)域，如示圖(d)所示。在這種情況下，可通過控制基膜的厚度確保所需的機(jī)械強(qiáng)度。
[0071]圖8是通過根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的制造方法制造的真實(shí)TAB帶的圖像。
[0072]關(guān)于示圖(a)，左側(cè)圖片示出Cu層或Cu+Sn層形成在傳送區(qū)域Xl上的TAB帶類型。右側(cè)圖片示出扣齒孔周圍產(chǎn)生非常大量的雜質(zhì)。
[0073]關(guān)于示圖(b)，左側(cè)圖片示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施方式在傳送區(qū)域X2上形成暴露區(qū)域，以及金屬鍍覆層圖案形成為鍍覆線。右側(cè)圖片示出沒有明顯地產(chǎn)生金屬雜質(zhì)，比如Sn。
[0074]關(guān)于示圖(C)，左側(cè)圖片示出在傳送區(qū)域X3上形成暴露區(qū)域，以及金屬鍍覆層圖案形成在扣齒孔周圍。右側(cè)圖片示出沒有明顯地產(chǎn)生金屬雜質(zhì)，比如Sn。
[0075]關(guān)于示圖(d)，左側(cè)圖片示出完全地去除傳送區(qū)域X4的金屬層。右側(cè)圖片示出沒有明顯地產(chǎn)生金屬雜質(zhì)，比如Sn。
[0076]本發(fā)明的上述示范性實(shí)施方式和方面僅為示例，并不解釋為限制本發(fā)明。本發(fā)明的教導(dǎo)可容易地應(yīng)用于其它類型的儀器。另外，本發(fā)明的示范性實(shí)施方式的說明的意圖是例示性的，而非限制權(quán)利要求的范圍，許多替代方案、變型和改變對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。
[0077]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，圍繞扣齒孔在組裝驅(qū)動(dòng)器1C、芯片/驅(qū)動(dòng)IC和面板的處理過程中通過驅(qū)動(dòng)滾筒在扣齒孔周圍產(chǎn)生摩擦的地方不形成Cu層或金屬層。因此，不產(chǎn)生比如Cu微粒的雜質(zhì)，能夠制造可靠的產(chǎn)品。
[0078]另外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，暴露基膜的區(qū)域的厚度比不暴露基膜的區(qū)域的厚度厚。因此，消除了引起短路的因素，能夠制造可靠的TAB帶。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種帶，包括: 基膜； 電路區(qū)域，所述電路區(qū)域包括位于所述基膜上的電路圖案;和 傳送區(qū)域，所述傳送區(qū)域包括位于所述電路區(qū)域的外側(cè)的扣齒孔、以及暴露所述基膜的暴露部分； 其中，所述傳送區(qū)域還包括與所述扣齒孔分離的金屬圖案， 其中，形成有所述暴露部分的基膜的厚度小于形成有所述電路圖案的基膜的厚度， 其中，形成有所述暴露部分的基膜的頂面低于形成有所述電路圖案的基膜的頂面， 其中，所述基膜是絕緣膜， 其中，所述金屬圖案包括: 第一金屬圖案，所述第一金屬圖案在所述扣齒孔的第一側(cè)形成為沿所述傳送區(qū)域的長度方向延伸并且與所述扣齒孔分離， 第二金屬圖案，所述第二金屬圖案在所述扣齒孔的第二側(cè)形成為沿所述傳送區(qū)域的長度方向延伸并且與所述第一金屬圖案和所述扣齒孔分離。2.如權(quán)利要求1所述的帶，其中，所述電路圖案包括Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag、Co中的任一者，或其二元合金和三元合金。3.如權(quán)利要求1所述的帶，其中，所述電路圖案和所述金屬圖案由相同材料制成。4.如權(quán)利要求1所述的帶，其中，所述電路圖案和所述金屬圖案由彼此不同的材料制成。5.如權(quán)利要求1所述的帶，還包括位于所述基膜與所述電路圖案之間的種子層。6.如權(quán)利要求1所述的帶，還包括位于所述基膜與所述金屬圖案之間的種子層。7.如權(quán)利要求1所述的帶，還包括位于所述基膜與所述電路圖案之間或位于所述基膜與所述金屬圖案之間的種子層，其中，所述種子層包括選自以下各項(xiàng)的一種元素或者至少兩種元素的混合物或合金:&1、祖、0、]?0、￥、3丨、？(1、11、￥、？6、(:0、]\111、211、311、以及丁3。8.—種帶，包括: 基膜； 電路區(qū)域，所述電路區(qū)域包括位于所述基膜上的電路圖案;和 傳送區(qū)域，所述傳送區(qū)域包括位于所述電路區(qū)域的外側(cè)的扣齒孔、呈線型的金屬圖案、以及暴露所述基I旲的暴露部分； 其中，形成有所述暴露部分的基膜的厚度小于形成有所述電路圖案的基膜的厚度， 其中，形成有所述暴露部分的基膜的頂面低于形成有所述電路圖案的基膜的頂面，并且 其中，所述基膜是絕緣膜， 其中，所述金屬圖案包括: 第一金屬圖案，所述第一金屬圖案在所述扣齒孔的第一側(cè)形成為沿所述傳送區(qū)域的長度方向延伸并且與所述扣齒孔分離， 第二金屬圖案，所述第二金屬圖案在所述扣齒孔的第二側(cè)形成為沿所述傳送區(qū)域的長度方向延伸并且與所述第一金屬圖案和所述扣齒孔分離。9.如權(quán)利要求8所述的帶，其中，呈線型的金屬圖案的數(shù)量為至少兩個(gè)。10.—種帶，包括: 基膜； 電路區(qū)域，所述電路區(qū)域包括位于所述基膜上的電路圖案;和 傳送區(qū)域，所述傳送區(qū)域包括位于所述電路區(qū)域的外側(cè)的扣齒孔、以及暴露所述基膜的暴露部分； 其中，形成有所述暴露部分的基膜的厚度小于形成有所述電路圖案的基膜的厚度， 其中，形成有所述暴露部分的基膜的頂面低于形成有所述電路圖案的基膜的頂面，并且 其中，所述基膜是絕緣膜， 其中，所述傳送區(qū)域還包括金屬圖案， 其中，所述金屬圖案構(gòu)造成:一對金屬圖案在所述扣齒孔的兩側(cè)形成為沿所述傳送區(qū)域的長度方向延伸。11.一種帶，包括: 基月旲; 電路區(qū)域，所述電路區(qū)域包括位于所述基膜上的電路圖案； 傳送區(qū)域，所述傳送區(qū)域包括位于所述電路區(qū)域的外側(cè)的多個(gè)扣齒孔、以及暴露所述基膜的暴露部分； 第一金屬圖案，所述第一金屬圖案在所述扣齒孔的第一側(cè)形成為沿所述傳送區(qū)域的長度方向延伸并且與所述扣齒孔分離；以及 第二金屬圖案，所述第二金屬圖案在所述扣齒孔的第二側(cè)形成為沿所述傳送區(qū)域的長度方向延伸并且與所述第一金屬圖案和所述扣齒孔分離， 其中，形成有所述暴露部分的基膜的厚度小于形成有所述電路圖案的基膜的厚度， 其中，形成有所述暴露部分的基膜的頂面低于形成有所述電路圖案的基膜的頂面，并且 其中，所述基膜是絕緣膜。12.如權(quán)利要求11所述的帶，其中，所述傳送區(qū)域具有以下結(jié)構(gòu):在除了形成有扣齒孔的區(qū)域以外的其它區(qū)域，所述基膜的全部表面都暴露。13.如權(quán)利要求11所述的帶，還包括位于所述傳送區(qū)域中的金屬圖案。14.如權(quán)利要求11所述的帶，其中，所述傳送區(qū)域構(gòu)造成使得存在有所述金屬圖案的基膜的厚度不同于暴露基膜表面的部分的厚度。15.如權(quán)利要求14所述的帶，其中，存在有所述金屬圖案的基膜的厚度大于暴露基膜表面的部分的厚度。16.如權(quán)利要求13所述的帶，其中，存在有所述傳送區(qū)域的金屬圖案的基膜的厚度不同于暴露基膜表面的部分的厚度。17.如權(quán)利要求16所述的帶，其中，存在有所述傳送區(qū)域的金屬圖案的基膜的厚度大于暴露基膜表面的部分的厚度。
【文檔編號】H01L23/498GK106098671SQ201610424643
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2011年7月14日 公開號201610424643.8, CN 106098671 A, CN 106098671A, CN 201610424643, CN-A-106098671, CN106098671 A, CN106098671A, CN201610424643, CN201610424643.8
【發(fā)明人】洪大基, 具漢謨, 林埈永, 樸起臺, 趙相基, 俞大成
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