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      單層量子點(diǎn)led的制作方法

      文檔序號(hào):9015883閱讀:171來源:國知局
      單層量子點(diǎn)led的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及一種階梯狀能級(jí)分布的單層量子點(diǎn)LED,屬于量子點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域。
      【背景技術(shù)】
      [0002]量子點(diǎn)又稱為納米晶,是一種由I1-VI族或II1-V族元索組成的納米顆粒(粒徑I?10nm),由于電子和空穴的量子限域效應(yīng),連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)變成分立的能級(jí)結(jié)構(gòu),受激后可以發(fā)射熒光。量子點(diǎn)的發(fā)光光譜可以通過量子點(diǎn)的粒徑大小來調(diào)節(jié)。量子點(diǎn)具有單色性好、發(fā)光效率高、熒光光譜容易調(diào)等優(yōu)點(diǎn),是一種性能穩(wěn)定的發(fā)光材料。
      [0003]基于量子點(diǎn)的有機(jī)電致發(fā)光器件絕大多數(shù)都屬于載流子注入類的器件,即空穴和電子在外加電場的作用下,從器件的陽極以及陰極分別注入到量子點(diǎn)發(fā)光層中,這些空穴和電子在量子點(diǎn)材料中復(fù)合形成激子,復(fù)合過程伴隨著輻射現(xiàn)象,進(jìn)而釋放出一定的能量。激子釋放能量的過程可以分為輻射衰減和非輻射衰減,輻射衰減過程伴隨著光的釋放,非輻射衰減過程伴隨著熱量的釋放。作為電致發(fā)光器件,目前的器件在保持較高的量子效率的情況下,產(chǎn)生較多的熱量,導(dǎo)致器件的性能和穩(wěn)定性不高。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0004]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,解決好現(xiàn)有技術(shù)的問題,彌補(bǔ)現(xiàn)有目前市場上現(xiàn)有產(chǎn)品的不足。
      [0005]本實(shí)用新型提供了一種單層量子點(diǎn)LED,由電源、金屬層、發(fā)光層和導(dǎo)電層構(gòu)成,從上到下依次設(shè)置所述金屬層、發(fā)光層和導(dǎo)電層,金屬層和發(fā)光層長度相同,導(dǎo)電層比金屬層和發(fā)光層長,所述電源的正極與導(dǎo)電層連接,負(fù)極與金屬層連接。
      [0006]優(yōu)選的,上述金屬層、發(fā)光層和導(dǎo)電層形成梯形疊層結(jié)構(gòu)。
      [0007]優(yōu)選的,上述金屬層為金屬電極。
      [0008]優(yōu)選的,上述導(dǎo)電層由ITO導(dǎo)電玻璃構(gòu)成。
      [0009]本實(shí)用新型提供的單層量子點(diǎn)LED設(shè)置的單層器件機(jī)構(gòu)簡單,能夠有效地實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)LED照明效果,并且具有很高的穩(wěn)定性和性能。
      【附圖說明】
      [0010]圖1為光致發(fā)光中激子的躍迀情況示意圖;
      [0011]圖2為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0012]附圖標(biāo)記:1-電源;2_金屬層;3_發(fā)光層;4-導(dǎo)電層。
      【具體實(shí)施方式】
      [0013]為了便于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解和實(shí)施本實(shí)用新型,下面結(jié)合附圖及【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
      [0014]空穴和電子復(fù)合而成的激子是處于不穩(wěn)定狀態(tài)的,激子的能量有幾種釋放的方式,比如通過輻射躍迀的方式釋放,這是電致發(fā)光器件的理論基礎(chǔ)。此外,激子消耗能量的方式還包括振動(dòng)弛豫、內(nèi)部轉(zhuǎn)換和系間竄越等,這些不同方式的消耗是一個(gè)相互競爭的過程。如圖1是光致發(fā)光中激子的躍迀情況。
      [0015]如圖2所示,本實(shí)用新型提供的單層量子點(diǎn)LED,由電源1、金屬層2、發(fā)光層3和導(dǎo)電層4構(gòu)成,從上到下依次設(shè)置金屬層2、發(fā)光層3和導(dǎo)電層4,金屬層2和發(fā)光層3長度相同,導(dǎo)電層4比金屬層2和發(fā)光層3長,電源I的正極與導(dǎo)電層4連接,負(fù)極與金屬層2連接。
      [0016]其中,金屬層2、發(fā)光層3和導(dǎo)電層4形成梯形疊層結(jié)構(gòu)。金屬層2為金屬電極。導(dǎo)電層4由ITO導(dǎo)電玻璃構(gòu)成。
      [0017]本實(shí)用新型提供的單層量子點(diǎn)LED設(shè)置的單層器件機(jī)構(gòu)簡單,能夠有效地實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)LED照明效果,并且具有很高的穩(wěn)定性和性能。
      [0018]以上所述之【具體實(shí)施方式】為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式,并非以此限定本實(shí)用新型的具體實(shí)施范圍,本實(shí)用新型的范圍包括并不限于本【具體實(shí)施方式】,凡依照本實(shí)用新型之形狀、結(jié)構(gòu)所作的等效變化均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種單層量子點(diǎn)LED,其特征在于:所述LED由電源(1)、金屬層(2)、發(fā)光層(3)和導(dǎo)電層(4)構(gòu)成,從上到下依次設(shè)置所述金屬層(2)、發(fā)光層(3)和導(dǎo)電層(4),金屬層(2)和發(fā)光層⑶長度相同,導(dǎo)電層⑷比金屬層⑵和發(fā)光層⑶長,所述電源⑴的正極與導(dǎo)電層⑷連接,負(fù)極與金屬層⑵連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單層量子點(diǎn)LED,其特征在于:所述金屬層(2)、發(fā)光層(3)和導(dǎo)電層(4)形成梯形疊層結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單層量子點(diǎn)LED,其特征在于:所述金屬層(2)為金屬電極。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單層量子點(diǎn)LED,其特征在于:所述導(dǎo)電層(4)由ITO導(dǎo)電玻璃構(gòu)成。
      【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種單層量子點(diǎn)LED,由電源(1)、金屬層(2)、發(fā)光層(3)和導(dǎo)電層(4)構(gòu)成,從上到下依次設(shè)置金屬層(2)、發(fā)光層(3)和導(dǎo)電層(4),金屬層(2)和發(fā)光層(3)長度相同,導(dǎo)電層(4)比金屬層(2)和發(fā)光層(3)長,電源(1)的正極與導(dǎo)電層(4)連接,負(fù)極與金屬層(2)連接。金屬層(2)、發(fā)光層(3)和導(dǎo)電層(4)形成梯形疊層結(jié)構(gòu)。金屬層(2)為金屬電極。導(dǎo)電層(4)由ITO導(dǎo)電玻璃構(gòu)成。本實(shí)用新型提供的單層量子點(diǎn)LED設(shè)置的單層器件機(jī)構(gòu)簡單,能夠有效地實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)LED照明效果,并且具有很高的穩(wěn)定性和性能。
      【IPC分類】H01L33/38, H01L33/06, H01L51/50, H01L51/52
      【公開號(hào)】CN204668345
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520340046
      【發(fā)明人】劉志偉
      【申請(qǐng)人】劉志偉
      【公開日】2015年9月23日
      【申請(qǐng)日】2015年5月20日
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