一種金屬蒸發(fā)設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體技術領域，具體涉及一種金屬蒸發(fā)設備。
【背景技術】
[0002]在半導體制造工藝中，金屬蒸發(fā)鍍膜是一項非常重要的工藝，金屬蒸發(fā)設備可以實現半導體器件背面金屬的鍍膜工作，即金屬部分是在已經長好器件的硅片正面和背面鍍上一層金屬，為后面的封裝做好準備。金屬部分的要求是:一方面要符合封裝的需要，另一方面，不能給器件帶來損傷，以至于器件失效。
[0003]由于技術條件的限制，現有金屬蒸發(fā)設備材料利用率較低，傳統(tǒng)制作過程通常在功率半導體背面的雜質離子激活后再進行金屬的制作，雜質離子的激活需要單獨的高溫工藝來完成。并且，現有技術存在無法被蒸發(fā)到金屬的部位，加工后的芯片生成的分離器件，經常因為這一原因而不合格。
【實用新型內容】
[0004]為了解決上述技術問題，本實用新型提供一種金屬蒸發(fā)設備，具有步驟簡單，蒸發(fā)鍍膜面積大，材料利用率高，對器件的損傷較小的特點。
[0005]本實用新型為解決其技術問題所采用的技術方案是:一種金屬蒸發(fā)設備，包括密封艙，所述密封艙的內底部中間安裝有蒸發(fā)臺，內底部外圍安裝有加熱燈絲，內頂部安裝有旋轉架；所述旋轉架向外放射安裝有自轉架，自轉架的活動端連接有行星盤，行星盤上設有多個圓形通孔，圓形通孔頂部安裝有蓋板，圓形通孔底部安裝有硅片。
[0006]作為優(yōu)選，所述自轉架和行星盤的數量均為3個。提高了設備每次鍍膜硅片的數量，增大了硅片鍍膜面的面積，提高了設備工作效率。
[0007]作為優(yōu)選，所述行星盤與自轉架形成的角度為45度。較其他角度鍍膜更加均勻。
[0008]作為優(yōu)選，所述加熱燈絲的最高加熱溫度為380攝氏度。高溫蒸發(fā)可以在背面金屬蒸發(fā)過程中，同步實現功率半導體背面雜質離子的有效激活，減少了單獨高溫工藝激活雜質離子的步驟，操作較之前更加簡便。
[0009]作為優(yōu)選，所述密封艙內安裝有溫度測試儀，所述溫度測試儀的測試溫度范圍為0-400攝氏度?？呻S時監(jiān)測設備內溫度。
[0010]作為優(yōu)選，所述硅片通過圓形通孔周圍的4個旋轉卡爪固定安裝在行星盤上。使用卡爪固定方式，在起到較好固定作用的同時，可以最大化硅片鍍膜面面積。
[0011]作為優(yōu)選，所述蓋板中部安裝有磁性金屬塊，硅片中部粘附有磁鐵。兩者通過磁性吸附。在芯片加工工藝過程中，現有蒸發(fā)鍍膜工藝無法對固定硅片的部位鍍膜，而通過磁性吸附的手段，可使這些部位也蒸鍍到金屬，從而提高了加工后的芯片生成的分立器件的合格率。
[0012]本實用新型的有益效果是，步驟簡單，蒸發(fā)鍍膜面積大，材料利用率高，對器件的損傷較小。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型的整體結構示意圖；
[0014]圖2為本實用新型的硅片旋轉卡爪固定方式仰視圖。
[0015]圖3位本實用新型的硅片磁性吸附固定方式主視圖的放大圖。
[0016]圖中，1:密封艙；2:蒸發(fā)臺；3:加熱燈絲；4:旋轉架;5:自轉架；6:行星盤；7:蓋板；8:娃片；9:溫度測試儀；10:旋轉卡爪；11:磁性金屬塊；12:磁鐵。
【具體實施方式】
[0017]下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步詳細說明。
[0018]實施例1:
[0019]本實施例的一種金屬蒸發(fā)設備，包括密封艙，所述密封艙的內底部中間安裝有蒸發(fā)臺，內底部外圍安裝有加熱燈絲，內頂部安裝有旋轉架；所述旋轉架向外放射安裝有自轉架，自轉架的活動端連接有行星盤，行星盤上設有多個圓形通孔，圓形通孔頂部安裝有蓋板，圓形通孔底部安裝有娃片。
[0020]自轉架和行星盤的數量均為3個。提高了設備每次鍍膜硅片的數量，增大了硅片鍍膜面的面積，提高了設備工作效率。
[0021]所述行星盤與自轉架形成的角度為45度。較其他角度鍍膜更加均勻。
[0022]所述加熱燈絲的最高加熱溫度為380攝氏度。高溫蒸發(fā)可以在背面金屬蒸發(fā)過程中，同步實現功率半導體背面雜質離子的有效激活，減少了單獨高溫工藝激活雜質離子的步驟，操作較之前更加簡便。
[0023]所述密封艙內安裝有溫度測試儀，所述溫度測試儀的測試溫度范圍為0-400攝氏度?？呻S時監(jiān)測設備內溫度。
[0024]所述硅片通過圓形通孔周圍的4個旋轉卡爪固定安裝在行星盤上。使用卡爪固定方式，在起到較好固定作用的同時，增大了硅片鍍膜面面積。在芯片加工工藝過程中，硅片在現有無法被蒸發(fā)到金屬的部位蒸發(fā)到了金屬，從而提高了加工后的芯片生成的分立器件的合格率。
[0025]實施例2:
[0026]本實施例的一種金屬蒸發(fā)設備，包括密封艙，所述密封艙的內底部中間安裝有蒸發(fā)臺，內底部外圍安裝有加熱燈絲，內頂部安裝有旋轉架；所述旋轉架向外放射安裝有自轉架，自轉架的活動端連接有行星盤，行星盤上設有多個圓形通孔，圓形通孔頂部安裝有蓋板，圓形通孔底部安裝有娃片。
[0027]自轉架和行星盤的數量均為3個。提高了設備每次鍍膜硅片的數量，增大了硅片鍍膜面的面積，提高了設備工作效率。
[0028]所述行星盤與自轉架形成的角度為45度。較其他角度鍍膜更加均勻。
[0029]所述加熱燈絲的最高加熱溫度為380攝氏度。高溫蒸發(fā)可以在背面金屬蒸發(fā)過程中，同步實現功率半導體背面雜質離子的有效激活，減少了單獨高溫工藝激活雜質離子的步驟，操作較之前更加簡便。
[0030]所述密封艙內安裝有溫度測試儀，所述溫度測試儀的測試溫度范圍為0-400攝氏度?？呻S時監(jiān)測設備內溫度。
[0031]所述蓋板中部安裝有磁性金屬塊，硅片中部粘附有磁鐵。兩者通過磁性吸附。在芯片加工工藝過程中，硅片在現有無法被蒸發(fā)到金屬的部位蒸發(fā)到了金屬，從而提高了加工后的芯片生成的分立器件的合格率。
【主權項】
1.一種金屬蒸發(fā)設備，包括密封艙，其特征在于:所述密封艙的內底部中間安裝有蒸發(fā)臺，內底部外圍安裝有加熱燈絲，內頂部安裝有公轉架；所述公轉架向外放射安裝有自轉架，自轉架的活動端連接有行星盤，行星盤上設有多個圓形通孔，圓形通孔頂部安裝有蓋板，圓形通孔底部安裝有娃片。2.如權利要求1所述的一種金屬蒸發(fā)設備，其特征在于:所述自轉架和行星盤的數量均為3個。3.如權利要求1所述的一種金屬蒸發(fā)設備，其特征在于:所述行星盤與自轉架形成的角度為45度。4.如權利要求1所述的一種金屬蒸發(fā)設備，其特征在于:所述加熱燈絲的最高加熱溫度為380攝氏度。5.如權利要求1所述的一種金屬蒸發(fā)設備，其特征在于:所述密封艙內安裝有溫度測試儀，所述溫度測試儀的測試溫度范圍為0-400攝氏度。6.如權利要求1所述的一種金屬蒸發(fā)設備，其特征在于:所述硅片通過圓形通孔底部周圍的4個旋轉卡爪支撐在行星盤上。7.如權利要求1所述的一種金屬蒸發(fā)設備，其特征在于:所述蓋板中部安裝有磁性金屬塊，娃片中部粘附有磁鐵。
【專利摘要】本實用新型公開了一種金屬蒸發(fā)設備，包括密封艙，所述密封艙的內底部中間安裝有蒸發(fā)臺，內底部外圍安裝有加熱燈絲，內頂部安裝有公轉架；所述公轉架向外放射安裝有自轉架，自轉架的活動端連接有行星盤，行星盤上設有多個圓形通孔，圓形通孔頂部安裝有蓋板，圓形通孔底部安裝有硅片。具有蒸發(fā)鍍膜面積大，材料利用率高，對器件的損傷較小的特點。
【IPC分類】H01L21/203
【公開號】CN204857665
【申請?zhí)枴緾N201520528517
【發(fā)明人】王丕龍, 王新強, 李向坤
【申請人】青島佳恩半導體有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年7月20日