一種凹嵌式發(fā)光單元的制作方法
【專利摘要】一種凹嵌式發(fā)光單元，基材上設(shè)置有兩個(gè)U形溝槽，基材為硅襯底，緩沖層成型在基材的表面及U形溝槽上，下化合物層成型在緩沖層上，量子阱層成型在下化合物層上，上化合物層成型在量子阱層上，量子阱層可以在下化合物層和上化合物層之間形成量子阱電載波，保護(hù)層覆蓋U形溝槽，不覆蓋上電極和下電極，上化合物層上成型有電流擴(kuò)散層，歐姆接觸層覆蓋于電流擴(kuò)散層上，歐姆接觸層上成型透明導(dǎo)電層。對于形成在溝槽中的結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是，在從U形的溝槽的垂直表面上的光發(fā)射可以比平坦表面更強(qiáng)，發(fā)光效率從而可以顯著增加。
【專利說明】
一種凹嵌式發(fā)光單元
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體的說本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002]固態(tài)光源，例如發(fā)光二極管(LED)和激光二極管，比白熾燈或熒光燈等形式的照明具有顯著的優(yōu)勢。將紅色，綠色和藍(lán)色三種原色以合理陣列形式布置，可以調(diào)節(jié)作為白光或彩色光源。此時(shí)，固態(tài)光源是通常更有效，并比傳統(tǒng)的白熾燈或熒光燈產(chǎn)生更少的熱量。固態(tài)照明技術(shù)雖然在技術(shù)上具有一定的優(yōu)勢，但現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和器件用于固態(tài)照明費(fèi)用相對昂貴。傳統(tǒng)的固態(tài)光源是通過在諸如碳化硅或藍(lán)寶石之類的襯底上設(shè)置發(fā)光材料層來實(shí)現(xiàn)發(fā)光，目前襯底和發(fā)光材料均是平面布置相對面積較大，相同基板的面積下實(shí)際發(fā)光面積也受到了局限。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型提供了一種凹嵌式發(fā)光單元，通過器件表面的設(shè)置改善發(fā)光效果。
[0004]—種凹嵌式發(fā)光單元，基材上設(shè)置有兩個(gè)U形溝槽，基材為硅襯底，緩沖層成型在基材的表面及U形溝槽上，下化合物層成型在緩沖層上，量子阱層成型在下化合物層上，上化合物層成型在量子阱層上，量子阱層可以在下化合物層和上化合物層之間形成量子阱電載波，保護(hù)層覆蓋U形溝槽，不覆蓋上電極和下電極，上化合物層上成型有電流擴(kuò)散層，歐姆接觸層覆蓋于電流擴(kuò)散層上，歐姆接觸層上成型透明導(dǎo)電層，上化合物層在U形溝槽一側(cè)相對下化合物層具有凸起，上電極連接于上化合物凸起處，U形溝槽另一側(cè)為兩U形溝槽相鄰處，該處設(shè)置有下電極，下電極搭接在基材上方兩側(cè)與下化合物層連通。
[0005]本實(shí)用新型的有益效果:對于形成在溝槽中的LED結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是，在從U形的溝槽的垂直表面上的光發(fā)射可以比平坦表面更強(qiáng)，發(fā)光效率從而可以顯著增加。
【附圖說明】
[0006]圖1為本實(shí)用新型剖視圖；
[0007]附圖標(biāo)記:1、上電極；2、透明導(dǎo)電層；3、歐姆接觸層；4、電流擴(kuò)散層；5、上化合物層;6、量子阱層;7、下電極;8、下化合物層;9、緩沖層;10、基材。
【具體實(shí)施方式】
[0008]—種凹嵌式發(fā)光單元，基材上設(shè)置有兩個(gè)U形溝槽，基材為硅襯底，緩沖層成型在基材的表面及U形溝槽上，下化合物層成型在緩沖層上，量子阱層成型在下化合物層上，上化合物層成型在量子阱層上，量子阱層可以在下化合物層和上化合物層之間形成量子阱電載波，保護(hù)層覆蓋U形溝槽，不覆蓋上電極和下電極，上化合物層上成型有電流擴(kuò)散層，歐姆接觸層覆蓋于電流擴(kuò)散層上，歐姆接觸層上成型透明導(dǎo)電層，上化合物層在U形溝槽一側(cè)相對下化合物層具有凸起，上電極連接于上化合物凸起處，U形溝槽另一側(cè)為兩U形溝槽相鄰處，該處設(shè)置有下電極，下電極搭接在基材上方兩側(cè)與下化合物層連通?；目捎晒?，氧化硅或者玻璃制成。下化合物層的材質(zhì)是η型半導(dǎo)體，而上化合物層的材質(zhì)是P型半導(dǎo)體。
[0009]需要注意的是，而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍，則都應(yīng)在本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種凹嵌式發(fā)光單元，其特征在于:基材上設(shè)置有兩個(gè)U形溝槽，基材為硅襯底，緩沖層成型在基材的表面及U形溝槽上，下化合物層成型在緩沖層上，量子阱層成型在下化合物層上，上化合物層成型在量子阱層上，量子阱層可以在下化合物層和上化合物層之間形成量子阱電載波，保護(hù)層覆蓋U形溝槽，不覆蓋上電極和下電極，上化合物層上成型有電流擴(kuò)散層，歐姆接觸層覆蓋于電流擴(kuò)散層上，歐姆接觸層上成型透明導(dǎo)電層，上化合物層在U形溝槽一側(cè)相對下化合物層具有凸起，上電極連接于上化合物凸起處，U形溝槽另一側(cè)為兩U形溝槽相鄰處，該處設(shè)置有下電極，下電極搭接在基材上方兩側(cè)與下化合物層連通。2.如權(quán)利要求1所述的一種凹嵌式發(fā)光單元，其特征在于:基材可由硅，氧化硅或者玻璃制成。3.如權(quán)利要求1所述的一種凹嵌式發(fā)光單元，其特征在于:下化合物層的材質(zhì)是η型半導(dǎo)體，而上化合物層的材質(zhì)是P型半導(dǎo)體。
【文檔編號】H01L33/20GK205488190SQ201620066603
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年1月25日
【發(fā)明人】牛寶
【申請人】河北易貝信息技術(shù)有限公司